JP2010269263A - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 570
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 332
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 106
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 91
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 55
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 51
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 142
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 14
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 7
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
【解決手段】基板を立てた状態で回転させつつ前記基板の表面及び裏面にそれぞれ液状体を吐出するノズルを有する塗布機構と、前記基板の外周部における前記液状体の塗布状態を調整する調整機構とを備え、前記調整機構は、前記基板を回転させながら前記基板の外周部を溶解液に漬け込んで溶解させるディップ部と、前記溶解液に漬け込んだ後の前記基板の外周部近傍を吸引する吸引部とを有する。
【選択図】図14
Description
本発明によれば、調整機構が溶解液の液面高さを調整する液面調整部を有することとしたので、溶解液に漬け込ませる基板の漬け込み深さを調整することができる。これにより、基板の周縁部分の塗布液の溶解量のバラつきを抑えることができる。
本発明によれば、調整機構がディップ部の溶解液を排出する排出部を有することとしたので、例えば液状体を溶解させて汚染された溶解液などを排出しディップ部を清浄化したり、ディップ部内の溶解液の量を調整したりすることができる。
本発明によれば、塗布機構と調整機構との間で基板を搬送する搬送機構を洗浄することができるので、搬送機構を清浄に保持することができる。これにより、搬送機構を介しての基板の汚染を防ぐことができる。
本発明によれば、洗浄部が搬送機構の一部を溶解液に漬け込んで溶解させる第2ディップ部を有することとしたので、搬送機構を容易に洗浄することができる。
本発明によれば、吸引部が基板の一部を挟み込む形状に形成されていることとしたので、基板の両面が均一に吸引されることとなる。これにより、基板の一方の面が偏って吸引されるのを防ぐことができ、基板の両面の塗布状態を均一にすることができる。
本発明によれば、吸引部が基板の挟み込み深さを調整する深さ調整部を有することとしたので、吸引部によって吸引される部分の深さを基板毎に調整することができる。これにより、基板毎に吸引状態を均一にすることができるので、当該基板の周縁部の塗布状態を均一にすることができる。
本発明によれば、調整機構を昇降させる昇降機構を更に備えることとしたので、基板の高さ位置に応じて調整機構を昇降させてアクセスさせることができる。
本発明によれば、溶解液を吐出して基板の外周部における液状体の塗布状態を調整する調整ノズルを有する第2調整機構を更に備え、調整機構による塗布状態の調整動作、及び、第2調整機構による塗布状態の調整動作を切り替えて行わせる制御部を更に備えることとしたので、塗布状況などに応じて基板の外周部の塗布状態の調整動作を柔軟に切り替えて行わせることができる。
本発明によれば、調整工程において、溶解液の液面高さを調整する液面調整工程を行うこととしたので、溶解液に漬け込ませる基板の漬け込み深さを調整することができる。これにより、基板の周縁部分の塗布液の溶解量のバラつきを抑えることができる。
本発明によれば、調整工程において、ディップ工程で用いる溶解液を排出する排出工程を行うこととしたので、例えば液状体を溶解させて汚染された溶解液などを排出し溶解液を清浄化したり、ディップ工程に用いられる溶解液の量を調整したりすることができる。
本発明によれば、塗布工程と調整工程との間に、搬送機構によって基板を搬送する搬送工程を更に行い、当該調整工程は、搬送機構を洗浄する洗浄工程を行うこととしたので、搬送機構を洗浄することができ、搬送機構を清浄に保持することができる。これにより、搬送機構を介しての基板の汚染を防ぐことができる。
本発明によれば、洗浄工程において、搬送機構の一部を溶解液に漬け込んで溶解させる第2ディップ工程を行うこととしたので、搬送機構を容易に洗浄することができる。
本発明によれば、吸引工程において、基板の一部を挟み込む位置で吸引することとしたので、基板の両面が均一に吸引されることになる。これにより、基板の一方の面が偏って吸引されるのを防ぐことができ、基板の両面の塗布状態を均一にすることができる。
本発明によれば、吸引工程において、基板の挟み込み深さを調整する深さ調整工程を行うこととしたので、吸引される部分の深さを基板毎に調整することができる。これにより、基板毎に吸引状態を均一にすることができるので、当該基板の周縁部の塗布状態を均一にすることができる。
本発明によれば、塗布状態の調整位置を昇降させる調整位置昇降工程を更に行うこととしたので、基板の高さ位置に応じて調整機構を昇降させてアクセスさせることができる。
本発明によれば、調整ノズルを用いて溶解液を吐出し、基板の外周部における液状体の塗布状態を調整する第2調整工程と、当該調整工程及び第2調整工程を選択する選択工程とを行うこととしたので、塗布状況などに応じて基板の外周部の塗布状態の調整動作を柔軟に切り替えて行うことができる。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムSYSの概略的な構成を示す平面図である。図2は、基板処理システムSYSの概略的な構成を示す正面図である。図3は、基板処理システムSYSの概略的な構成を示す側面図である。
基板搬入ユニットLDUは、基板処理システムSYSのうち−X側に配置されている。基板搬入ユニットLDUは、処理前の基板Sを収容した搬入用カセットC1が供給されると共に空の搬入用カセットC1が回収されるユニットである。基板搬入ユニットLDUはY軸方向が長手になっており、複数の搬入用カセットC1がY軸方向に沿って待機可能になっている。
基板処理ユニットSPUは、基板処理システムSYSのうちX軸方向のほぼ中央に配置されている。基板処理ユニットSPUは、基板Sに対してレジストなどの液状体を塗布して薄膜を形成する処理や、基板Sの周辺部分に形成された薄膜を除去する処理など、基板Sに対する各種処理を行うユニットである。基板処理ユニットSPUは、バッファ機構BFと、基板搬送機構(回転機構)SCと、塗布機構CTと、周縁部除去機構(調整部)EBRとを備えている。
周縁部除去機構EBRは、図14及び図15に示すように、ディップ部58、吸引部59及び昇降機構UDを有している。
図1〜図3に戻って、基板搬出ユニットULUは、基板処理システムSYSのうち基板処理ユニットSPUの+X側に配置されている。基板搬出ユニットULUは、処理後の基板Sを収容した搬出用カセットC2が回収されると共に空の搬出用カセットC2が供給されるユニットである。基板搬出ユニットULUはY軸方向が長手になっており、複数の搬出用カセットC2をY軸方向に沿って配置可能になっている。
搬送ユニットCRUは、基板処理システムSYS内の+Y側端辺に沿った領域に配置されており、基板処理ユニットSPU、基板搬入ユニットLDU及び基板搬出ユニットULUのそれぞれに接するように設けられている。搬送ユニットCRUは、基板処理ユニットSPUと基板搬入ユニットLDUとの間で搬入用カセットC1を搬送すると共に、基板処理ユニットSPUと基板搬出ユニットULUの間で搬出用カセットC2を搬送する。搬送ユニットCRUは、レール機構RL及びカセット搬送装置CCを有している。
制御ユニットCNUは、基板処理システムSYSのステージユニットSTU内に設けられている。制御ユニットCNUは、例えば基板処理ユニットSPUでの基板処理動作、基板搬入ユニットLDUや基板搬出ユニットULUでのカセット移動動作、搬送ユニットCRUでの搬送動作など上記各ユニットでの諸動作を制御する制御装置や、上記各ユニットで必要となる材料の供給源などを備えている。材料の供給源としては、例えば液状体の供給源や、洗浄液の供給源などが挙げられる。
まず、処理前の基板Sを収容した搬入用カセットC1を基板搬入ユニットLDUに配置させ、空の搬出用カセットC2を基板搬出ユニットULUに配置させるカセット供給動作を説明する。
次に、基板搬入ユニットLDUに供給された搬入用カセットC1及び基板搬出ユニットULUに供給された搬出用カセットC2を、それぞれ基板処理ユニットSPUへ搬送する。このカセット搬送動作は、搬送ユニットCRUに設けられたカセット搬送装置CCを用いて行う。
次に、基板処理ユニットSPUにおける処理動作を説明する。
基板処理ユニットSPUでは、処理前の基板Sを収容した搬入用カセットC1と空の搬出用カセットC2とを移動させる移動動作、搬入用カセットC1に収容された基板Sのローディング動作、基板Sに液状体を塗布する塗布動作、基板Sに形成された薄膜の周辺部を除去する周縁部除去動作、処理後の基板Sのアンローディング動作、空になった搬入用カセットC1と処理後の基板Sを収容した搬出用カセットC2とを移動させる移動動作、ノズル部NZのメンテナンス動作及びカップ部CPのメンテナンス動作がそれぞれ行われる。上記各動作に加え、ローディング動作と塗布動作との間、塗布動作と周縁部除去動作との間及び整形動作とアンローディング動作との間には、基板Sの搬送動作が行われる。
次に、空になった搬入用カセットC1を基板搬入ユニットLDUへ搬送すると共に処理後の基板Sが収容された搬出用カセットC2を基板搬出ユニットULUへ搬送するカセット搬送動作を説明する。
次に、空になった搬入用カセットC1及び処理後の基板Sを収容した搬出用カセットC2を回収するカセット回収動作を説明する。
搬送ユニットCRUは、待機位置P1及び待機位置P5が空いた状態になっていることを確認した後、カセット搬送装置CCによって当該待機位置P1及び待機位置P5に次の搬入用カセットC1及び搬出用カセットC2を搬送させる。搬送ユニットCRUは、まずカセット搬送装置CCを基板搬入ユニットLDUまで移動させて次の搬入用カセットC1を取り込ませる。取り込み動作の後、搬送ユニットCRUは、カセット搬送装置CCを搬入側バッファ機構BF1まで移動させ、取り込んだ搬入用カセットC1を待機位置P1に載置させる。同様に、搬送ユニットCRUは、カセット搬送装置CCを基板搬出ユニットULUに移動させて次の搬出用カセットC2を取り込ませ、その後カセット搬送装置CCを搬出側バッファ機構BF2に移動させて搬出用カセットC2を待機位置P5に載置させる。
例えば、上記の周縁部除去機構EBRとは異なる形態の周縁部除去部を塗布装置CT内にも設けるようにしても構わない。周縁部除去部を塗布装置CT内に配置する場合、その形態としては、例えば液状体の塗布用に用いられる洗浄液ノズル部56と同一の形状を有する溶解液ノズルを塗布装置CT内に別途配置させ、当該周縁部除去用ノズルから液状体の溶解液が吐出させるようにしておく構成などが挙げられる。
Claims (18)
- 基板を立てた状態で回転させつつ前記基板の表面及び裏面にそれぞれ液状体を吐出するノズルを有する塗布機構と、
前記基板の外周部における前記液状体の塗布状態を調整する調整機構と
を備え、
前記調整機構は、
前記基板を回転させながら前記基板の外周部を溶解液に漬け込んで溶解させるディップ部と、
前記溶解液に漬け込んだ後の前記基板の外周部近傍を吸引する吸引部と
を有する
ことを特徴とする塗布装置。 - 前記調整機構は、前記溶解液の液面高さを調整する液面調整部を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。 - 前記調整機構は、前記ディップ部の前記溶解液を排出する排出部を有する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の塗布装置。 - 前記塗布機構と前記調整機構との間で前記基板を搬送する搬送機構を更に備え、
前記調整機構は、前記搬送機構を洗浄する洗浄部を有する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の塗布装置。 - 前記洗浄部は、前記搬送機構の一部を溶解液に漬け込んで溶解させる第2ディップ部を有する
ことを特徴とする請求項4に記載の塗布装置。 - 前記吸引部は、前記基板の一部を挟み込む形状に形成されている
ことを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の塗布装置。 - 前記吸引部は、前記基板の挟み込み深さを調整する深さ調整部を有する
ことを特徴とする請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の塗布装置。 - 前記調整機構を昇降させる昇降機構を更に備える
ことを特徴とする請求項1から請求項7のうちいずれか一項に記載の塗布装置。 - 前記溶解液を吐出して前記基板の外周部における前記液状体の塗布状態を調整する調整ノズルを有する第2調整機構を更に備え、
前記調整機構による前記塗布状態の調整動作、及び、前記第2調整機構による前記塗布状態の調整動作を切り替えて行わせる制御部を更に備える
ことを特徴とする請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載の塗布装置。 - 基板を立てた状態で回転させつつ前記基板の表面及び裏面にそれぞれノズルから液状体を吐出する吐出工程と、
前記基板の外周部における前記液状体の塗布状態を調整する調整工程と
を備え、
前記調整工程は、
前記基板を回転させながら前記基板の外周部を溶解液に漬け込んで溶解させるディップ工程と、
前記溶解液に漬け込んだ後の前記基板の外周部近傍を吸引する吸引工程と
を有する
ことを特徴とする塗布方法。 - 前記調整工程は、前記溶解液の液面高さを調整する液面調整工程を有する
ことを特徴とする請求項10に記載の塗布方法。 - 前記調整工程は、前記ディップ工程で用いる前記溶解液を排出する排出工程を有する
ことを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の塗布方法。 - 前記塗布工程と前記調整工程との間に、搬送機構によって前記基板を搬送する搬送工程を更に備え、
前記調整工程は、前記搬送機構を洗浄する洗浄工程を有する
ことを特徴とする請求項10から請求項12のうちいずれか一項に記載の塗布方法。 - 前記洗浄工程は、前記搬送機構の一部を溶解液に漬け込んで溶解させる第2ディップ工程を有する
ことを特徴とする請求項13に記載の塗布方法。 - 前記吸引工程は、前記基板の一部を挟み込む位置で吸引する
ことを特徴とする請求項10から請求項14のうちいずれか一項に記載の塗布方法。 - 前記吸引工程は、前記基板の挟み込み深さを調整する深さ調整工程を有する
ことを特徴とする請求項10から請求項15のうちいずれか一項に記載の塗布方法。 - 前記塗布状態の調整位置を昇降させる調整位置昇降工程を更に備える
ことを特徴とする請求項10から請求項16のうちいずれか一項に記載の塗布方法。 - 調整ノズルを用いて前記溶解液を吐出し、前記基板の外周部における前記液状体の塗布状態を調整する第2調整工程と、
前記調整工程及び前記第2調整工程を選択する選択工程と
を更に備えることを特徴とする請求項10から請求項17のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009124029A JP5412180B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 塗布装置及び塗布方法 |
US12/777,081 US8617655B2 (en) | 2009-05-22 | 2010-05-10 | Coating device and coating method |
US12/847,912 US8567342B2 (en) | 2009-05-22 | 2010-07-30 | Coating device and coating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009124029A JP5412180B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 塗布装置及び塗布方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010269263A true JP2010269263A (ja) | 2010-12-02 |
JP5412180B2 JP5412180B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=43124726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009124029A Expired - Fee Related JP5412180B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 塗布装置及び塗布方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8617655B2 (ja) |
JP (1) | JP5412180B2 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5412180B2 (ja) | 2014-02-12 |
US20100297352A1 (en) | 2010-11-25 |
US8617655B2 (en) | 2013-12-31 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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