JP2010268011A - 半導体装置、電極用部材および電極用部材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】IGBT10のエミッタ電極が形成されている面側に、セラミックス材の支持体31に設けた複数の貫通孔31aに銅ポスト32を形成した電極用部材30を半田接合する。電極に複数の銅ポスト32を半田接合することにより、IGBT10に発生する熱が電極用部材30へと移動して放熱されるとともに、IGBT10の構成材料と銅との間に熱膨張率差があっても、半田接合界面に加わる応力を低減して歪を小さく抑え、クラックの発生を減少させることが可能になる。それにより、パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させることが可能になる。
【選択図】図1
Description
この図17には、パワーモジュール内のIGBT100の実装状態を示している。IGBT100は、通常、その一方の面側にエミッタ電極とゲート電極(「エミッタ電極等」という。)が形成され、反対の面側にコレクタ電極が形成されている。図17では、エミッタ電極等を図中上方に向け、コレクタ電極を図中下方に向けて、実装されているものとする。その場合、上面側のエミッタ電極等は、例えば図17に示したように、それぞれの対応する外部接続用端子(図示せず。)にアルミワイヤ101で接続される。
アルミワイヤを用いるために生じる問題を回避するため、従来、この図18に示すようにしてIGBT100のエミッタ電極等が形成されている上面側に銅電極103を半田接合し、この銅電極103にパワーモジュール外部に引き出される外部接続用端子104を接合して外部との電気的な接続を確保するとともに、この銅電極103を利用して上面側からも放熱が行えるようにする試みもなされている。
まず、第1の実施の形態について説明する。
この第1の実施の形態では、銅電極40を電極用部材30上に接合するようにしているが、銅電極40は上記図1に示したように外部接続用端子として構成するほか、この図4に示すように、絶縁基板20上の他の銅箔21への接続導体として構成してもよい。
図5は、IGBT10のエミッタ電極10aをワイヤボンディングによって外部接続した場合と、電極用部材30および銅電極40によるリードフレーム構造によって外部接続した場合とで、DC50Aの定常通電を行った際の温度分布を示している。この図5において、横軸は各場合の温度測定の基準点からのパワーモジュール深さ方向(IGBT10から絶縁基板20に向かう方向)の距離(mm)を表し、縦軸は温度(℃)を表している。なお、TWBはワイヤボンディングの場合の温度、TLFはリードフレーム構造の場合の温度、Tjはワイヤまたは電極用部材30のIGBT10への接合温度である。
図6に示すパワーモジュールは、上記のようにIGBT10と銅電極40の間およびFWD50と銅電極40の間が電極用部材30で接続されているほか、IGBT10,FWD50,銅電極40,41,42と銅箔21との各間、銅箔22と銅ベース60との間も電極用部材30で接続されている。このような構成により、上記同様の効果を得ることができる。すなわち、IGBT10,FWD50で発生した熱を銅ベース60側にも効率的に伝熱することができるようになるとともに、電極用部材30なしで接合した場合に比べて各半田接合界面に加わる熱応力を緩和して歪を小さくし、クラックの発生を抑えることができるようになる。
図7は第2の実施の形態の電極用部材の模式図であって、(A)は平面図、(B)は(A)のc−c断面図である。なお、図7では、図3に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図8は第3の実施の形態の電極用部材の模式図であって、(A)は平面図、(B)は(A)のd−d断面図である。なお、図8では、図3に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
このような電極用部材30bは、例えば、セラミックス材の支持体31に形成した貫通孔31a内に銅ポスト32を形成した後、ケミカルエッチング技術を用いてその支持体31を表面からエッチングしていくことにより形成することができる。このようなケミカルエッチングに用いるエッチング液としては、例えば、金属に対してセラミックスを選択的にエッチングすることのできるフッ酸等を用いることが可能である。
図9は第4の実施の形態の電極用部材の模式図であって、(A)は平面図、(B)は(A)のe−e断面図である。なお、図9では、図3に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図10は第5の実施の形態の電極用部材の模式図であって、(A)は平面図、(B)は(A)のf−f断面図である。なお、図10では、図3に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
通常、部材間の半田接合界面に加わる熱応力は、その中央部よりも縁部の方が大きくなる。そのため、この第5の実施の形態の電極用部材30dのように、熱応力の小さい中央部に断面積の大きな銅ポスト32を形成するとともに、熱応力の大きい縁部に断面積の小さな銅ポスト32を数多く形成するようにすれば、これに部材70が半田接合された場合にも、半田層(図示せず。)を銅ポスト32の突出分だけ厚くすることができる効果と相俟って、半田接合界面でのクラックの発生を抑えることが可能になる。
図12は第6の実施の形態の電極用部材の模式図であって、(A)は平面図、(B)は(A)のg−g断面図である。なお、図12では、図3および図9に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図14は第7の実施の形態の電極用部材の模式図であって、(A)は平面図、(B)は(A)のh−h断面図である。なお、図14では、図3および図9に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図16は冷却機構を備えた電極用部材の模式図であって、(A)は平面図、(B)は(A)のi−i断面図である。なお、図16では、図3,図6および図9に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
10a エミッタ電極
10b ゲート電極
20 絶縁基板
21,22 銅箔
30,30a,30b,30c,30d,30e,30f 電極用部材
31 支持体
31a 貫通孔
32 銅ポスト
33,35a,35b,36 銅層
34 絶縁板
40 銅電極
50 FWD
60 銅ベース
70 部材
80 冷媒
Claims (17)
- 表面に電極を備えた半導体素子を有する半導体装置において、
主面間を貫通する複数の貫通孔を有するセラミックス材を材料とする絶縁性の支持体と、
複数の前記貫通孔それぞれに配置された金属ポストと、
複数の各前記金属ポストと前記半導体素子の前記電極とを接合する半田層と、を備え、
複数の各前記金属ポストは、前記支持体を介して互いに分離していることを特徴とする半導体装置。 - 前記支持体の前記電極と接合される主面上に導体層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記金属ポストの端部が、前記支持体の少なくとも一方の主面より突出していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記支持体から突出する前記金属ポストと接合面との間に冷媒を介在させることができるようにしたことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 表面に電極を備えた半導体素子を有する半導体装置において、
主面間を貫通する複数の貫通孔を有するセラミックス材を材料とする絶縁性の支持体と前記各貫通孔に配置されて前記貫通孔の内面と接合された金属ポストとからなる電極用部材と、
前記電極用部材と前記半導体素子の前記電極とを接合する半田層と、を備え、
前記金属ポストが銅を材料とすることを特徴とする半導体装置。 - 少なくとも一方の主面に、前記半導体素子の他方の主面の電極が接続される導体パターンを有する絶縁基板を備え、
前記半導体素子の他方の主面の電極と前記導体パターンとの間に前記電極用部材が接合されていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。 - 前記絶縁基板の他方の主面に形成された前記導体パターンと、前記半導体素子に生じる熱を放熱する放熱ベースとの間に前記電極用部材が接合されていることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、前記電極は、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのエミッタ電極、コレクタ電極のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、ダイオードであって、前記電極は、前記ダイオードのアノード電極、カソード電極のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体装置の電極に接合される電極用部材において、
主面間を貫通する複数の貫通孔を有するセラミックス材を材料とする絶縁性の支持体と、前記各貫通孔に配置した金属ポストとからなり、
前記支持体の縁部に、前記支持体の中央部に配置した金属ポストよりも小さい径の金属ポストが配置されていることを特徴とする電極用部材。 - 前記金属ポストは、銅またはアルミニウムを用いて形成されていることを特徴とする請求項10記載の電極用部材。
- 前記金属ポストの少なくとも一方の端面が前記支持体の主面と同一面上に形成されるとともに、その表面上に導体層が形成されていることを特徴とする請求項10または11記載の電極用部材。
- 前記金属ポストの端面が前記支持体の少なくとも一方の主面から突出していることを特徴とする請求項10または11記載の電極用部材。
- 前記支持体の縁部に配置した金属ポストが、前記支持体の中央部に配置した金属ポストの径より小さく、かつ、密に配置されていることを特徴とする請求項10乃至請求項13のいずれかに記載の電極用部材。
- 表面に電極を備えた半導体素子を有する半導体装置において、
前記電極に、請求項10乃至請求項14のいずれかに記載の電極用部材が接合されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体装置の電極に接合される電極用部材の製造方法において、
主面間を貫通する複数の貫通孔を有するセラミックス材を材料とする絶縁性の支持体の前記各貫通孔に金属ポストを挿入し、前記支持体と前記金属ポストとを接着、嵌合により一体的に形成することを特徴とする電極用部材の製造方法。 - 半導体装置の電極に接合される電極用部材の製造方法において、
主面間を貫通する複数の貫通孔を有するセラミックス材を材料とする絶縁性の支持体の一方の主面に銅層を形成し、前記銅層をシードにして電解メッキにより前記各貫通孔の貫通孔内を銅で充填することによって、前記各貫通孔に金属ポストを形成することを特徴とする電極用部材の製造方法。
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