JP2010258169A - 成膜反応装置及び成膜基板製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガス流入口20Bの上流側で、ガス流の幅方向に独立してガス流量を制御可能な複数の部分制御範囲(LLゾーン、LRゾーン、Rゾーン)が構成されており、各部分制御範囲におけるガス流量を制御する制御装置66を備え、制御装置66は、ウェハ28を回転させつつ行われた回転成膜によりウェハ28上に形成された膜厚データに基づいて、ウェハ28上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度との間の偏差を求め、部分制御範囲のそれぞれのガス流量の変化が、ウェハ28への回転成膜時において膜成長速度分布の変化に及ぼす感度を定義した回転時膜成長感度データ72を用いて、種々の位置における偏差を減らすように、部分制御範囲のそれぞれのガス流量を制御するように構成する。
【選択図】図4
Description
Claims (10)
- 内部に基板が置かれる反応室を構成する反応室構成部と、
前記反応室内の前記基板の周縁に沿った幅方向へ所定の範囲で延び、反応ガス流を前記反応室内に流入させるためのガス流入口を構成するガス流入口部と
を備えた基板上に成膜するための成膜反応装置において、
前記ガス流入口の上流側に、ガス流量を制御可能な複数の部分制御範囲が構成されており、
複数の前記部分制御範囲におけるガス流量を制御するガス流量制御部を備え、
前記ガス流量制御部は、
前記基板を回転させつつ行われた回転成膜により前記基板上に形成された膜厚データに基づいて、前記基板上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度との間の偏差を求める手段と、
複数の前記部分制御範囲のそれぞれのガス流量の変化が、前記基板への回転成膜時において膜成長速度分布の変化に及ぼす感度を定義した回転時膜成長感度データを用いて、前記種々の位置における偏差を減らすように、調整対象の前記部分制御範囲のそれぞれのガス流量を制御する手段と
を有する成膜反応装置。 - 前記ガス流入口によるガス流れの方向に平行であり、且つ前記基板の回転中心軸を通る基準線に対して、回転上流側と、回転下流側とで、異なる部分制御範囲が構成されている
請求項1に記載の成膜反応装置。 - 前記基準線に対して前記回転下流側において、回転上流側と、回転下流側との少なくとも2つの部分制御範囲が構成されている
請求項2に記載の成膜反応装置。 - 前記基準線に対して前記回転上流側に1つの部分制御範囲が構成され、前記基準線に対して前記回転下流側において、回転上流側と、回転下流側との2つの部分制御範囲が構成されている
請求項3に記載の成膜反応装置。 - 複数の前記部分制御範囲には、前記基板の中心近傍における膜形成に寄与する傾向が高い第1の部分制御範囲と、前記基板の半径の略中間近傍における膜形成に寄与する傾向が高い第2の部分制御範囲とがある
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の成膜反応装置。 - 複数の前記部分制御範囲は、前記基板の中心近傍における膜形成に寄与する傾向が高い第1の部分制御範囲と、前記基板の半径の略中間近傍における膜形成に寄与する傾向が高い第2の部分制御範囲と、それ以外の部分制御範囲との3つの部分制御範囲である
請求項5に記載の成膜反応装置。 - 複数の前記部分制御範囲には、前記基板の外周近傍における膜形成に寄与する傾向が高い第3の部分制御範囲がある
請求項5に記載の成膜反応装置。 - 複数の前記部分制御範囲は、前記第1の部分制御範囲と、前記第2の部分制御範囲と、前記第3の部分制御部分と、それ以外の部分制御範囲との4つの部分制御範囲である
請求項7に記載の成膜反応装置。 - 前記部分制御範囲におけるガス流量を調整するガス調整機構を、前記部分制御範囲毎に1つずつ備えている
請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の成膜反応装置。 - 基板を回転させつつ成膜させることにより、成膜基板を製造する成膜基板製造方法において、
前記基板への成膜のための反応ガス流を流すステップと、
前記反応ガス流について、複数の部分制御範囲のそれぞれ毎にガス流量を所定の量に調整して前記基板を回転させつつ成膜させることにより前記成膜基板を製造するステップと、
前記基板を回転させつつ行われた回転成膜により前記基板上に形成された膜厚データに基づいて、前記基板上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度との間の偏差を求めるステップと、
複数の前記部分制御範囲のそれぞれのガス流量の変化が、前記基板への回転成膜時において膜成長速度分布の変化に及ぼす感度を定義した回転時膜成長感度データを用いて、前記種々の位置における偏差を減らすように、調整対象の前記部分制御範囲のそれぞれの調整するガス流量を決定するステップと、
複数の前記部分制御範囲のそれぞれのガス流量を、前記決定したガス流量に調整して新たな基板を回転させつつ成膜させることにより前記成膜基板を製造するステップと
を有する成膜基板製造方法。
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