JP2010251807A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010251807A5 JP2010251807A5 JP2010178962A JP2010178962A JP2010251807A5 JP 2010251807 A5 JP2010251807 A5 JP 2010251807A5 JP 2010178962 A JP2010178962 A JP 2010178962A JP 2010178962 A JP2010178962 A JP 2010178962A JP 2010251807 A5 JP2010251807 A5 JP 2010251807A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- emitting device
- side lead
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Description
本発明の一態様によれば、基板の上に形成され前記基板が除去された積層体であって、第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面と、を有し、発光層を有する積層体と、前記積層体の前記第2の面に設けられたp側電極及びn側電極と、前記p側電極上に設けられたp側引き出し電極と、前記n側電極上に設けられたn側引き出し電極と、前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填され、前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極とともに支持体を構成する絶縁膜と、を備えた発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面と、を有し、発光層を有する積層体と、前記積層体の前記第2の面に設けられたp側電極及びn側電極と、前記p側電極上に設けられたp側引き出し電極と、前記n側電極上に設けられたn側引き出し電極と、前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填され、前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極とともに支持体を構成する絶縁膜と、前記第1の面側に設けられた樹脂層と、を備え、前記樹脂層は、第3の面と、前記第3の面とは反対側であり前記積層体側である第4の面とを有し、前記p側引き出し電極の厚さ、前記n側引き出し電極の厚さ、および前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填された前記絶縁膜の厚さは、前記第4の面と前記第1の面との間の厚さよりも厚い発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面と、を有し、発光層を有する積層体と、前記積層体の前記第2の面に設けられたp側電極及びn側電極と、前記p側電極上に設けられたp側引き出し電極と、前記n側電極上に設けられたn側引き出し電極と、前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填され、前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極とともに支持体を構成する絶縁膜と、前記第1の面側に設けられた樹脂層と、を備え、前記樹脂層は、第3の面と、前記第3の面とは反対側であり前記積層体側である第4の面とを有し、前記p側引き出し電極の厚さ、前記n側引き出し電極の厚さ、および前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填された前記絶縁膜の厚さは、前記第4の面と前記第1の面との間の厚さよりも厚い発光装置が提供される。
Claims (21)
- 基板の上に形成され前記基板が除去された積層体であって、第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面と、を有し、発光層を有する積層体と、
前記積層体の前記第2の面に設けられたp側電極及びn側電極と、
前記p側電極上に設けられたp側引き出し電極と、
前記n側電極上に設けられたn側引き出し電極と、
前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填され、前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極とともに支持体を構成する絶縁膜と、
を備えた発光装置。 - 前記絶縁膜は、前記積層体の周囲を囲んでいる請求項1記載の発光装置。
- 前記積層体の前記第1の面に設けられた樹脂層をさらに備えた請求項1または2に記載の発光装置。
- 第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面と、を有し、発光層を有する積層体と、
前記積層体の前記第2の面に設けられたp側電極及びn側電極と、
前記p側電極上に設けられたp側引き出し電極と、
前記n側電極上に設けられたn側引き出し電極と、
前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填され、前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極とともに支持体を構成する絶縁膜と、
前記第1の面側に設けられた樹脂層と、
を備え、
前記樹脂層は、第3の面と、前記第3の面とは反対側であり前記積層体側である第4の面とを有し、
前記p側引き出し電極の厚さ、前記n側引き出し電極の厚さ、および前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填された前記絶縁膜の厚さは、前記第4の面と前記第1の面との間の厚さよりも厚い発光装置。 - 前記樹脂層は、蛍光体を含む蛍光体層である請求項3または4に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層の側面と前記絶縁膜の側面とが揃っている請求項5に記載の発光装置。
- 前記絶縁膜は、
前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填され、前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極とともに支持体を構成する第1の絶縁膜と、
前記積層体の周囲を囲んで設けられた第2の絶縁膜と、
を有する請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填された前記絶縁膜は、前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極に密着して前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極を取り囲む請求項1〜7のいずれか1つにに記載の発光装置。
- 前記n側引き出し電極において、前記n側電極とは反対側の面の面積は、前記n側電極と接続する面の面積よりも大である請求項1〜8のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記p側引き出し電極は、前記p側電極上に設けられたp側金属配線層と、前記p側金属配線層上に設けられたp側金属ピラーとを有し、
前記n側引き出し電極は、前記n側電極上に設けられたn側金属配線層と、前記n側金属配線層上に設けられたn側金属ピラーとを有する請求項1〜9のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記積層体は、半導体層から構成される請求項1〜10のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記積層体は基板の上に形成され前記基板が除去され、前記基板を含まない請求項4〜11のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第2の絶縁膜は、
前記p側電極上に形成され、前記p側引き出し電極の一部が充填された第1の開口と、
前記n側電極上に形成され、前記n側引き出し電極の一部が充填された第2の開口とを有する請求項7記載の発光装置。 - 前記第1の絶縁膜は、樹脂層である請求項7または13に記載の発光装置。
- 前記第1の絶縁膜の側面と前記第2の絶縁膜の側面とが揃っている請求項7、13および14のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記n側電極は、複数の金属層の積層構造を有し、
前記p側電極は、前記発光層からの放出光に対する反射性を有する反射膜を含む複数の金属層の積層構造を有する請求項1〜15のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記p側引き出し電極上及び前記n側引き出し電極上に設けられた半田をさらに備えた請求項1〜16のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記n側電極は、前記積層体の非発光領域の上に設けられ、
前記n側金属配線層の面積は、前記n側電極の面積よりも大である請求項10記載の発光装置。 - 前記絶縁膜は、前記p側引き出し電極と前記n側引き出し電極との間に充填され、前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極とともに支持体を構成する第1の絶縁膜と、前記積層体の周囲を囲んで設けられた第2の絶縁膜と、を有し、
前記p側引き出し電極は、前記p側電極上に設けられたp側金属配線層と、前記p側金属配線層上に設けられたp側金属ピラーと、を有し、
前記n側引き出し電極は、前記n側電極上に設けられたn側金属配線層と、前記n側金属配線層上に設けられたn側金属ピラーと、を有し、
前記第1の絶縁膜は、樹脂層であり、
前記第1の絶縁膜の厚さは、前記p側金属ピラーの厚さ及び前記n側金属ピラーの厚さと同じまたはそれ以下である請求項1〜6、8、9、11〜18のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記p側引き出し電極及び前記n側引き出し電極は、銅を含む請求項1〜19のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記p側金属配線層、前記p側金属ピラー、前記n側金属配線層および前記n側金属ピラーは、銅を含む請求項10または19に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010178962A JP5185338B2 (ja) | 2010-08-09 | 2010-08-09 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010178962A JP5185338B2 (ja) | 2010-08-09 | 2010-08-09 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008316752A Division JP4724222B2 (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 発光装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013002814A Division JP5462378B2 (ja) | 2013-01-10 | 2013-01-10 | 半導体発光装置、発光装置、半導体発光装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010251807A JP2010251807A (ja) | 2010-11-04 |
JP2010251807A5 true JP2010251807A5 (ja) | 2012-08-30 |
JP5185338B2 JP5185338B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=43313701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010178962A Active JP5185338B2 (ja) | 2010-08-09 | 2010-08-09 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5185338B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5603793B2 (ja) | 2011-02-09 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5603813B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光装置 |
JP5680472B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-03-04 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP5848562B2 (ja) | 2011-09-21 | 2016-01-27 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法。 |
JP5698633B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2015-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法 |
CN111554781B (zh) * | 2012-03-19 | 2024-04-12 | 亮锐控股有限公司 | 磷光体施加前后发光器件的单个化 |
JP5684751B2 (ja) | 2012-03-23 | 2015-03-18 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP5710532B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
CN104603960A (zh) * | 2012-07-04 | 2015-05-06 | Bbsa有限公司 | 第iii族氮化物半导体器件及其制造方法 |
US9543465B2 (en) | 2014-05-20 | 2017-01-10 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
JP6318991B2 (ja) * | 2014-08-30 | 2018-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2016171188A (ja) | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置とその製造方法 |
EP3561870A4 (en) * | 2016-12-23 | 2020-11-25 | Lumens Co., Ltd. | MICRO-LED MODULE AND ITS MANUFACTURING PROCESS |
KR102657114B1 (ko) * | 2017-02-10 | 2024-04-15 | 주식회사 루멘스 | 마이크로 엘이디 모듈 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000244012A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-09-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2005216917A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクタ |
WO2006035664A1 (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法、並びに発光装置 |
KR100658970B1 (ko) * | 2006-01-09 | 2006-12-19 | 주식회사 메디아나전자 | 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 다이오드 소자 |
-
2010
- 2010-08-09 JP JP2010178962A patent/JP5185338B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010251807A5 (ja) | ||
JP2010141176A5 (ja) | ||
CN107895728B (zh) | 阵列基板、其制作方法和包括阵列基板的显示装置 | |
KR101084246B1 (ko) | 유기 발광 조명 장치 | |
JP6163483B2 (ja) | 有機el装置及びその製造方法 | |
TW201637244A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製作方法 | |
JP2011171739A5 (ja) | ||
JP2011513959A5 (ja) | ||
TWI456796B (zh) | 半導體發光元件、電子機器、及發光裝置 | |
JP2013522893A (ja) | Ledで使用するためのフィルムシステム | |
JP2013197382A5 (ja) | ||
JP5706972B2 (ja) | 面状発光素子 | |
JP2011129920A5 (ja) | ||
TW201526329A (zh) | 有機發光裝置及其製備方法 | |
EP2180532A3 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP5297399B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2015158981A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 | |
TW201134300A (en) | Organic light emitting diode lighting apparatus and method for manufacturing the same | |
JP2012195602A5 (ja) | ||
US20170207411A1 (en) | Optoelectronic component and method for manufacturing the same | |
TW201909462A (zh) | 照明板及其製造方法、照明模組、照明裝置和照明系統 | |
TWI769337B (zh) | 發光裝置 | |
US9825246B2 (en) | Process for producing an optoelectronic component and optoelectronic component | |
JP2011511446A5 (ja) | ||
JP5779406B2 (ja) | 照明装置 |