JP2010245132A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010245132A5
JP2010245132A5 JP2009089632A JP2009089632A JP2010245132A5 JP 2010245132 A5 JP2010245132 A5 JP 2010245132A5 JP 2009089632 A JP2009089632 A JP 2009089632A JP 2009089632 A JP2009089632 A JP 2009089632A JP 2010245132 A5 JP2010245132 A5 JP 2010245132A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
ion conductive
electrode
switching element
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009089632A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5477687B2 (ja
JP2010245132A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009089632A priority Critical patent/JP5477687B2/ja
Priority claimed from JP2009089632A external-priority patent/JP5477687B2/ja
Publication of JP2010245132A publication Critical patent/JP2010245132A/ja
Publication of JP2010245132A5 publication Critical patent/JP2010245132A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5477687B2 publication Critical patent/JP5477687B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2009089632A 2009-04-01 2009-04-01 スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 Expired - Fee Related JP5477687B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009089632A JP5477687B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009089632A JP5477687B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010245132A JP2010245132A (ja) 2010-10-28
JP2010245132A5 true JP2010245132A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2012-05-10
JP5477687B2 JP5477687B2 (ja) 2014-04-23

Family

ID=43097862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009089632A Expired - Fee Related JP5477687B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5477687B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5270046B2 (ja) * 2011-01-20 2013-08-21 パナソニック株式会社 抵抗変化素子およびその製造方法
JP5547111B2 (ja) * 2011-02-15 2014-07-09 株式会社東芝 不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法
JP5895932B2 (ja) * 2011-05-10 2016-03-30 日本電気株式会社 抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法
WO2013190988A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 日本電気株式会社 スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI233204B (en) * 2002-07-26 2005-05-21 Infineon Technologies Ag Nonvolatile memory element and associated production methods and memory element arrangements
WO2006070773A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Nec Corporation スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
JP5054936B2 (ja) * 2005-06-22 2012-10-24 パナソニック株式会社 電気機械メモリ、それを用いた電気回路及び電気機械メモリの駆動方法
JP4792009B2 (ja) * 2007-06-12 2011-10-12 株式会社東芝 情報記録再生装置
JP2009043873A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Sony Corp 記憶素子および記憶装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5790660B2 (ja) 半導体装置
WO2015147801A8 (en) Techniques for forming non-planar resistive memory cells
WO2011159581A3 (en) Memory cell with resistance-switching layers
JP2013062529A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2013009297A5 (ja) 記憶装置
WO2008142919A1 (ja) 可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置
US20070231988A1 (en) Method of fabricating nanowire memory device and system of controlling nanowire formation used in the same
TW200701222A (en) Thin film fuse phase change ram and manufacturing method
EP1873758A3 (en) Magnetoresistive sensor having a structure for activating and deactivating electrostatic discharge prevention circuitry
JP6550135B2 (ja) 幾何学的に改良された抵抗変化型メモリ(rram)セル及びその形成方法
JP2010228464A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2009530749A5 (enrdf_load_stackoverflow)
WO2011016794A3 (en) Memristors with asymmetric electrodes
US9502647B2 (en) Resistive random-access memory (RRAM) with a low-K porous layer
JP2006319028A (ja) スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
CN105206743B (zh) 具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(rram)
JP2010245132A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2015135927A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2012142066A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2009021436A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2007507004A5 (enrdf_load_stackoverflow)
TWI478258B (zh) Insulation film evaluation method and determination circuit
JP2011124562A5 (ja) 非線形素子、及び表示装置
JP5477687B2 (ja) スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子
JP2012216724A (ja) 抵抗記憶装置およびその書き込み方法