JP2010239116A - 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】暗電流を抑制すると共に、負の固定電荷を有する層の特性の制約を緩和することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層2と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層2上に形成された負の固定電荷を有する第1の膜21と、この負の固定電荷を有する第1の膜21上に形成された、負の固定電荷を有する第1の膜21とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第2の膜22とを含む固体撮像素子1を構成する。
【選択図】図1
【解決手段】光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層2と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層2上に形成された負の固定電荷を有する第1の膜21と、この負の固定電荷を有する第1の膜21上に形成された、負の固定電荷を有する第1の膜21とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第2の膜22とを含む固体撮像素子1を構成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像素子及びその製造方法、並びに、固体撮像素子を備えた撮像装置に係わる。
CCD固体撮像素子やCMOS固体撮像素子では、フォトダイオードにおける結晶欠陥や、シリコン基板に形成された受光部とその上の絶縁層との界面における界面準位が、暗電流の原因となることが知られている。
即ち、図12Aに模式的断面図を示し、図12Bにポテンシャル図を示すように、フォトダイオードPDが形成されたシリコン層51と、その上の絶縁層52との界面において、×印で示す界面準位が発生している。この界面準位が暗電流の発生源となり、界面に起源する電子が、暗電流となってフォトダイオードPDに流れ込む。
そこで、暗電流の発生を制御する技術として、いわゆるHAD(Hole Accumulation Diode)構造が採用されている(例えば、特許文献1を参照。)。
具体的には、図13Aに模式的断面図を示し、図13Bにポテンシャル図を示すように、シリコン層51の表面付近にp型の不純物を導入して、p+の半導体領域を形成して、このp+の半導体領域を、正電荷(ホール)を蓄積するための正電荷蓄積領域53とする。
このように、界面に正電荷蓄積領域53を形成したHAD構造とすることにより、フォトダイオードPDを界面から離して、界面準位を発生源とする暗電流を抑制することが可能になる。
具体的には、図13Aに模式的断面図を示し、図13Bにポテンシャル図を示すように、シリコン層51の表面付近にp型の不純物を導入して、p+の半導体領域を形成して、このp+の半導体領域を、正電荷(ホール)を蓄積するための正電荷蓄積領域53とする。
このように、界面に正電荷蓄積領域53を形成したHAD構造とすることにより、フォトダイオードPDを界面から離して、界面準位を発生源とする暗電流を抑制することが可能になる。
一般に、HAD構造を形成する際には、B,BF2のようなイオンをアニール温度でイオン注入することにより、界面付近に正電荷蓄積領域53となるp+の半導体領域を形成している。
そして、従来のイオン注入プロセスでは、注入したイオンの適正な拡散及び活性化を図るため、できるだけ長い時間高い温度を保持することが不可欠となっている。
そして、従来のイオン注入プロセスでは、注入したイオンの適正な拡散及び活性化を図るため、できるだけ長い時間高い温度を保持することが不可欠となっている。
しかしながら、高い温度を長時間保持することは、固体撮像素子の特性等を充分に確保する観点からは、望ましくない。
そこで、図14A及び図14Bに示すように、フォトダイオードPDが形成されたシリコン層51の上に形成する絶縁層として、通常の絶縁層52の代わりに、負の固定電荷54を有する絶縁層55を形成することが提案されている(特許文献2参照)。
これにより、図14Bに示すように、バンドを曲げて、シリコン層51にイオン注入をしなくても、界面付近に正電荷蓄積領域53を形成して、正電荷(ホール)が蓄積されるようにすることができる。
これにより、図14Bに示すように、バンドを曲げて、シリコン層51にイオン注入をしなくても、界面付近に正電荷蓄積領域53を形成して、正電荷(ホール)が蓄積されるようにすることができる。
このような負の固定電荷54を有する絶縁層55の材料としては、例えば、HfO2,ZrO2,Al2O3,TiO2,Ta2O5等が挙げられる。
前記特許文献2には、負の固定電荷を有する絶縁層を成膜する際に、ALD(原子層蒸着)法もしくはMOCVD(有機金属化学的気相成長)法により成膜した第1の膜と、PVD(物理的気相成長)法により成膜した第2の膜とを積層する手法も提案されている。
この手法によれば、ALD法を用いることで界面準位を抑制することができ、PVD法を用いることで生産性を高めることが可能となる。
この手法によれば、ALD法を用いることで界面準位を抑制することができ、PVD法を用いることで生産性を高めることが可能となる。
しかしながら、前記特許文献2に提案されている製造方法では、同じ酸化物を異なる2種の成膜方法で積層形成していたので、負の固定電荷54を有する絶縁層55の特性が使用した酸化物によって制約される。
上述した問題の解決のために、本発明においては、暗電流を抑制すると共に、負の固定電荷を有する層の特性の制約を緩和することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供するものである。また、この固体撮像素子を備えた撮像装置を提供するものである。
本発明の固体撮像素子は、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層上に形成された負の固定電荷を有する第1の膜とを含む。さらに、この負の固定電荷を有する第1の膜上に形成された、負の固定電荷を有する第1の膜とは異なる材料から成る負の固定電荷を有する第2の膜と含む。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体層にフォトダイオードを形成する工程と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層上に、負の固定電荷を有する第1の膜を形成する工程とを含む。さらに、負の固定電荷を有する第1の膜上に、負の固定電荷を有する第1の膜とは異なる材料から成る負の固定電荷を有する第2の膜を形成する工程を含む。
本発明の撮像装置は、入射光を集光する集光光学部と、この集光光学部で集光した入射光を受光して光電変換する固体撮像素子と、この固体撮像素子で光電変換されて得られた信号を処理する信号処理部とを含む。そして、本発明の撮像装置は、固体撮像素子が前記本発明の固体撮像素子の構成であるものである。
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、負の固定電荷を有する第1の膜及び第2の膜によって、フォトダイオードが形成された半導体層の界面付近(表面付近)に、正電荷蓄積領域を形成して、正電荷(ホール)を蓄積させることができる。これにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することが可能になる。また、これら第1の膜及び第2の膜を合わせて、充分な負バイアス効果が得られる。
また、負の固定電荷を有する第1の膜により、負の固定電荷を有する第2の膜を形成する際の半導体層へのダメージを防ぐことができる。
さらに、第2の膜が第1の膜とは異なる材料から成るので、前記特許文献2に示したように同じ材料を2つの成膜法で積層する必要がなくなり、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和される。
また、負の固定電荷を有する第1の膜により、負の固定電荷を有する第2の膜を形成する際の半導体層へのダメージを防ぐことができる。
さらに、第2の膜が第1の膜とは異なる材料から成るので、前記特許文献2に示したように同じ材料を2つの成膜法で積層する必要がなくなり、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和される。
上述の本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層上に、負の固定電荷を有する第1の膜を形成している。そして、この第1の膜上に負の固定電荷を有する第2の膜を形成するので、第1の膜及び第2の膜により、フォトダイオードが形成された半導体層の界面付近(表面付近)に、正電荷(ホール)を蓄積させることが可能な構造となる。これにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することが可能になる。
そして、第2の膜の下に第1の膜が形成されているため、第2の膜を形成する際に、半導体層にダメージを与えないように、第1の膜で防ぐことができる。
さらに、第2の膜が第1の膜とは異なる材料から成るので、前記特許文献2に示したように同じ材料を2つの成膜法で積層する必要がなくなり、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和される。
そして、第2の膜の下に第1の膜が形成されているため、第2の膜を形成する際に、半導体層にダメージを与えないように、第1の膜で防ぐことができる。
さらに、第2の膜が第1の膜とは異なる材料から成るので、前記特許文献2に示したように同じ材料を2つの成膜法で積層する必要がなくなり、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和される。
上述の本発明の撮像装置の構成によれば、固体撮像素子が前記本発明の撮像装置の構成であることにより、暗電流の発生を抑制することが可能になる。
上述の本発明の固体撮像素子及びその製造方法によれば、充分な大きさの負バイアス効果により、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することができる。
従って、暗電流を生じることなく安定して動作する、高い信頼性を有する固体撮像素子を実現することができる。
また、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和され、負の固定電荷を有する膜の特性の制約も緩和される。これにより、固体撮像素子の設計の自由度を広げることが可能になる。
従って、暗電流を生じることなく安定して動作する、高い信頼性を有する固体撮像素子を実現することができる。
また、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和され、負の固定電荷を有する膜の特性の制約も緩和される。これにより、固体撮像素子の設計の自由度を広げることが可能になる。
上述の本発明の撮像装置によれば、固体撮像素子において暗電流の発生を抑制することができるので、固体撮像素子で光電変換されて得られる信号が安定する。
従って、安定して動作し、高い信頼性を有し、良好な画質が得られる撮像装置を実現することができる。
従って、安定して動作し、高い信頼性を有し、良好な画質が得られる撮像装置を実現することができる。
以下、発明を実施するための最良の形態(以下、実施の形態とする)について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.本発明の概要
2.固体撮像素子の実施の形態
3.実験(特性測定)
4.撮像装置の実施の形態
なお、説明は以下の順序で行う。
1.本発明の概要
2.固体撮像素子の実施の形態
3.実験(特性測定)
4.撮像装置の実施の形態
<1.本発明の概要>
本発明においては、固体撮像素子の少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層上に、負の固定電荷を有する第1の膜を形成し、この負の固定電荷を有する第1の膜の上に、負の固定電荷を有する第2の膜を形成する。
負の固定電荷を有する第2の膜は、負の固定電荷を有する第1の膜とは異なる材料によって、形成(成膜)する。
本発明においては、固体撮像素子の少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層上に、負の固定電荷を有する第1の膜を形成し、この負の固定電荷を有する第1の膜の上に、負の固定電荷を有する第2の膜を形成する。
負の固定電荷を有する第2の膜は、負の固定電荷を有する第1の膜とは異なる材料によって、形成(成膜)する。
負の固定電荷を有する第1の膜及び第2の膜の材料は、シリコン、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、ランタノイド元素のうち、少なくとも1つの元素を含む絶縁膜とすることができる。
このような絶縁膜の絶縁材料としては、例えば、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ジルコン(ZrO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化チタン(TiO2)、酸化タンタル(Ta2O5)から選ばれる材料が挙げられる。これらの酸化物の膜は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜等に用いられている実績があるため、成膜方法が確立されており、容易に成膜することができる。
また、これらの材料のうち、特に、屈折率の比較的高い、HfO2(屈折率2.05)、Ta2O5(屈折率2.16)、TiO2(屈折率2.20)等を形成した場合には、反射防止効果をも得ることも可能になる。
上記以外の絶縁材料としては、例えば、希土類元素の酸化物が挙げられる。即ち、ランタン、プラセオジム、セリウム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、イットリウムの各酸化物が挙げられる。
さらにまた、窒化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸窒化ハフニウム、酸窒化アルミニウムを使用することも可能である。
そして、上述した材料から、負の固定電荷を有する第1の膜と、負の固定電荷を有する第2の膜とに、それぞれ異なる材料を選定する。
このような絶縁膜の絶縁材料としては、例えば、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ジルコン(ZrO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化チタン(TiO2)、酸化タンタル(Ta2O5)から選ばれる材料が挙げられる。これらの酸化物の膜は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜等に用いられている実績があるため、成膜方法が確立されており、容易に成膜することができる。
また、これらの材料のうち、特に、屈折率の比較的高い、HfO2(屈折率2.05)、Ta2O5(屈折率2.16)、TiO2(屈折率2.20)等を形成した場合には、反射防止効果をも得ることも可能になる。
上記以外の絶縁材料としては、例えば、希土類元素の酸化物が挙げられる。即ち、ランタン、プラセオジム、セリウム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、イットリウムの各酸化物が挙げられる。
さらにまた、窒化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸窒化ハフニウム、酸窒化アルミニウムを使用することも可能である。
そして、上述した材料から、負の固定電荷を有する第1の膜と、負の固定電荷を有する第2の膜とに、それぞれ異なる材料を選定する。
負の固定電荷を有する第1の膜又は負の固定電荷を有する第2の膜に、絶縁性を損なわない範囲で、膜中にシリコン(Si)や窒素(N)が添加されていてもよい。その濃度は、膜の絶縁性が損なわれない範囲で適宜決定される。このように、シリコン(Si)や窒素(N)が添加されることによって、膜の耐熱性やプロセスの中でのイオン注入の阻止能力を上げることが可能になる。
より好ましくは、負の固定電荷を有する第1の膜を、比較的成膜速度が遅い成膜方法を用いて成膜する。さらに好ましくは、例えば、成膜速度を0.01nm/分〜1nm/分として、負の固定電荷を有する第1の膜を形成する。このような成膜速度の成膜方法としては、例えば、原子層蒸着(ALD)法又は有機金属化学的気相成長(MOCVD)法が挙げられる。
ALD法により第1の膜を成膜する場合には、例えば、基板温度が200〜500℃、プリカーサーの流量が10〜500sccm、プリカーサーの照射時間が1〜15秒、O3の流量が5〜50sccmの条件とする。
MOCVD法により第1の膜を成膜する場合には、例えば、基板温度が200〜600℃の条件とする。
なお、半導体層がシリコン層であり、その上に第1の膜をALD法により成膜した場合には、同時に、シリコン層の表面に界面準位を低減する酸化シリコン膜を厚さ1nm程度形成することが可能になる。
ALD法により第1の膜を成膜する場合には、例えば、基板温度が200〜500℃、プリカーサーの流量が10〜500sccm、プリカーサーの照射時間が1〜15秒、O3の流量が5〜50sccmの条件とする。
MOCVD法により第1の膜を成膜する場合には、例えば、基板温度が200〜600℃の条件とする。
なお、半導体層がシリコン層であり、その上に第1の膜をALD法により成膜した場合には、同時に、シリコン層の表面に界面準位を低減する酸化シリコン膜を厚さ1nm程度形成することが可能になる。
より好ましくは、負の固定電荷を有する第2の膜は、負の固定電荷を有する第1の膜の成膜方法よりも成膜速度が速く、比較的成膜速度が速い成膜法を用いて成膜する。さらに好ましくは、例えば、成膜速度を10nm/分〜50nm/分として、負の固定電荷を有する第2の膜を形成する。このような成膜速度の成膜方法としては、例えば、物理的気相成長(PVD)法が挙げられる。
PVD法により第2の膜を成膜する際には、例えば、圧力が0.01〜50Pa、パワーが500〜2000W、Arの流量が5〜50sccm、O2の流量が5〜50sccmの条件とする。
PVD法により第2の膜を成膜するので、ALD法やMOCVD法と比較して成膜速度が速くなり、比較的短い時間で、ある程度厚い膜を形成することが可能になる。
PVD法により第2の膜を成膜する際には、例えば、圧力が0.01〜50Pa、パワーが500〜2000W、Arの流量が5〜50sccm、O2の流量が5〜50sccmの条件とする。
PVD法により第2の膜を成膜するので、ALD法やMOCVD法と比較して成膜速度が速くなり、比較的短い時間で、ある程度厚い膜を形成することが可能になる。
負の固定電荷を有する第1の膜の膜厚は特に限定されないが、第2の膜を形成する際に半導体層にダメージを与えることがないように、第1の膜にはある程度以上の膜厚が必要である。好ましくは、第1の膜の膜厚を1nm以上とする。
また、第1の膜を、ALD法又はMOCVD法等の比較的成膜速度の遅い成膜方法を用いて形成する場合、厚くするには時間がかかる。そのため、第1の膜の膜厚は、20nm程度以下とすることが好ましい。
負の固定電荷を有する第1の膜と負の固定電荷を有する第2の膜とを合わせた合計の膜厚は、好ましくは40nm〜100nmとする。反射防止の観点から、さらに好ましくは、合計の膜厚を50nm〜70nmとする。
また、第1の膜を、ALD法又はMOCVD法等の比較的成膜速度の遅い成膜方法を用いて形成する場合、厚くするには時間がかかる。そのため、第1の膜の膜厚は、20nm程度以下とすることが好ましい。
負の固定電荷を有する第1の膜と負の固定電荷を有する第2の膜とを合わせた合計の膜厚は、好ましくは40nm〜100nmとする。反射防止の観点から、さらに好ましくは、合計の膜厚を50nm〜70nmとする。
本発明では、負の固定電荷を有する第1の膜の上に、負の固定電荷を有する第2の膜を形成しているので、合わせて、充分な負バイアス効果が得られる。
また、負の固定電荷を有する第1の膜を原子層蒸着(ALD)法又は有機金属化学的気相成長(MOCVD)法のように比較的成膜速度が遅い成膜方法を用いて形成した場合には、第1の膜を形成する際に半導体層にダメージを与えないようにすることができる。
さらに、負の固定電荷を有する第1の膜が負の固定電荷を持ち、かつ、負の固定電荷を有する第2の膜を形成する際の半導体層へのダメージを防ぐことができる。
そして、第2の膜が第1の膜とは異なる材料から成るので、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和される。これにより、固体撮像素子の設計の自由度を広げることが可能になる。
また、負の固定電荷を有する第1の膜を原子層蒸着(ALD)法又は有機金属化学的気相成長(MOCVD)法のように比較的成膜速度が遅い成膜方法を用いて形成した場合には、第1の膜を形成する際に半導体層にダメージを与えないようにすることができる。
さらに、負の固定電荷を有する第1の膜が負の固定電荷を持ち、かつ、負の固定電荷を有する第2の膜を形成する際の半導体層へのダメージを防ぐことができる。
そして、第2の膜が第1の膜とは異なる材料から成るので、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和される。これにより、固体撮像素子の設計の自由度を広げることが可能になる。
そして、例えば、負の固定電荷を有する第2の膜に、屈折率の比較的高い、HfO2,Ta2O5,TiO2を使用することにより、前述した反射防止効果の他に、フォトダイオードへ入射する光を増やして、感度を向上することが可能になる。
従って、本発明により、充分な大きさの負バイアス効果により、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することができ、暗電流を生じることなく安定して動作する、高い信頼性を有する固体撮像素子を実現することができる。また、負の固定電荷を有する膜の材料の制約が緩和され、負の固定電荷を有する膜の特性の制約も緩和される。これにより、固体撮像素子の設計の自由度を広げることが可能になる。
そして、本発明の撮像装置は、本発明の固体撮像素子を備えて撮像装置を構成する。これにより、固体撮像素子において暗電流の発生を抑制することができ、固体撮像素子で光電変換されて得られる信号が安定するため、安定して動作し、高い信頼性を有し、良好な画質が得られる撮像装置を実現することができる。
そして、本発明の撮像装置は、本発明の固体撮像素子を備えて撮像装置を構成する。これにより、固体撮像素子において暗電流の発生を抑制することができ、固体撮像素子で光電変換されて得られる信号が安定するため、安定して動作し、高い信頼性を有し、良好な画質が得られる撮像装置を実現することができる。
<2.固体撮像素子の実施の形態>
本発明の固体撮像素子の一実施の形態の概略構成図(断面図)を、図1に示す。
本実施の形態は、本発明を、いわゆる裏面照射型のCMOS固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)に適用した場合である。
本発明の固体撮像素子の一実施の形態の概略構成図(断面図)を、図1に示す。
本実施の形態は、本発明を、いわゆる裏面照射型のCMOS固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)に適用した場合である。
この固体撮像素子1は、フォトダイオード部41のシリコン基板2に、入射光を光電変換する受光部として、フォトダイオードとなる電荷蓄積領域4が、N型の不純物領域によって形成されている。
このフォトダイオードの電荷蓄積領域4の表面には、正電荷蓄積領域5が形成されている。
そして、これら電荷蓄積領域4及び正電荷蓄積領域5によって、前述したHAD構造が構成されている。
このフォトダイオードの電荷蓄積領域4の表面には、正電荷蓄積領域5が形成されている。
そして、これら電荷蓄積領域4及び正電荷蓄積領域5によって、前述したHAD構造が構成されている。
フォトダイオード部41においては、シリコン基板2の電荷蓄積領域4の下方に、MOSトランジスタTr1のゲート電極11が形成され、さらに下方に金属配線による配線層12が形成されている。図1では、3層の配線層12を示している。ゲート電極11及び各層の配線層12の間は、層間の絶縁層13によって絶縁されている。
なお、絶縁層13は、図示しないが、下方に設けられる支持基板等によって支持されている。
なお、絶縁層13は、図示しないが、下方に設けられる支持基板等によって支持されている。
電荷蓄積領域4を有するフォトダイオードによって、それぞれの画素が構成される。
各画素には、図示のトランジスタ(この場合は、電荷蓄積領域4に蓄積した電荷を読み出し・転送する転送トランジスタ)Tr1を含む、1個以上のトランジスタを有して構成される。
各画素の電荷蓄積領域4の間は、P型の素子分離領域3により分離されている。
なお、図示しないが、電荷蓄積領域4のトランジスタTr1のゲート電極11側の界面に、p+半導体領域を形成して、絶縁層13との界面における暗電流の発生を抑制することが好ましい。
各画素には、図示のトランジスタ(この場合は、電荷蓄積領域4に蓄積した電荷を読み出し・転送する転送トランジスタ)Tr1を含む、1個以上のトランジスタを有して構成される。
各画素の電荷蓄積領域4の間は、P型の素子分離領域3により分離されている。
なお、図示しないが、電荷蓄積領域4のトランジスタTr1のゲート電極11側の界面に、p+半導体領域を形成して、絶縁層13との界面における暗電流の発生を抑制することが好ましい。
周辺回路部42においては、N型やP型のMOSトランジスタから成る、MOSトランジスタTr2,Tr3が形成されている。
図示していないが、これらのMOSトランジスタTr2,Tr3のソース・ドレイン領域やチャネルとなる半導体ウエル領域が、シリコン基板2内に形成されている。
図示していないが、これらのMOSトランジスタTr2,Tr3のソース・ドレイン領域やチャネルとなる半導体ウエル領域が、シリコン基板2内に形成されている。
フォトダイオードが形成されたシリコン基板2の上層には、負の固定電荷を有する膜23が形成されている。
負の固定電荷を有する膜23の中の負の固定電荷によって、電荷蓄積領域4の表面に電界が加わり、電荷蓄積領域4の表面に正電荷蓄積領域(ホールアキュミュレーション領域)5が形成される。これにより、電荷蓄積領域4の表面にイオン注入をしなくても、正電荷蓄積領域5を形成することが可能になる。
負の固定電荷を有する膜23の中の負の固定電荷によって、電荷蓄積領域4の表面に電界が加わり、電荷蓄積領域4の表面に正電荷蓄積領域(ホールアキュミュレーション領域)5が形成される。これにより、電荷蓄積領域4の表面にイオン注入をしなくても、正電荷蓄積領域5を形成することが可能になる。
負の固定電荷を有する膜23上には、絶縁膜6、例えばSiO2膜が形成されている。
絶縁膜6の上には、フォトダイオード部41の一部と、周辺回路部42とを覆うように、遮光膜7が形成されている。
この遮光膜7によって、フォトダイオードに光が入らない領域(図示しないオプティカルブラック領域)を作り、そのフォトダイオードの出力によって画像での黒レベルを決定することができる。
また、周辺回路部42においては、遮光膜7により、光が入ることによるMOSトランジスタTr2,Tr3等の特性の変動を抑制することができる。
絶縁膜6の上には、フォトダイオード部41の一部と、周辺回路部42とを覆うように、遮光膜7が形成されている。
この遮光膜7によって、フォトダイオードに光が入らない領域(図示しないオプティカルブラック領域)を作り、そのフォトダイオードの出力によって画像での黒レベルを決定することができる。
また、周辺回路部42においては、遮光膜7により、光が入ることによるMOSトランジスタTr2,Tr3等の特性の変動を抑制することができる。
SiO2膜6及び遮光膜7を覆って、平坦化膜8が形成されている。
平坦化膜8の上には、画素毎に、対応する色(赤R、緑G、青B)のカラーフィルター9が形成されている。
各カラーフィルター9の上には、それぞれ、集光のためのオンチップレンズ10が設けられている。
平坦化膜8の上には、画素毎に、対応する色(赤R、緑G、青B)のカラーフィルター9が形成されている。
各カラーフィルター9の上には、それぞれ、集光のためのオンチップレンズ10が設けられている。
このような構成となっていることにより、本実施の形態の固体撮像素子1は、図1の上方から光を入射させて、フォトダイオードの電荷蓄積領域4において、光電変換を生じさせて、入射光を受光検出することができる。
そして、フォトダイオードが形成されたシリコン基板2から見て、下層にある配線層12の側(表面側)とは反対側(裏面側)の上層から光を入射させるので、いわゆる裏面照射型構造となっている。
そして、フォトダイオードが形成されたシリコン基板2から見て、下層にある配線層12の側(表面側)とは反対側(裏面側)の上層から光を入射させるので、いわゆる裏面照射型構造となっている。
本実施の形態の固体撮像素子1においては、特に、負の固定電荷を有する膜23が、下層の負の固定電荷を有する第1の膜21と、上層の負の固定電荷を有する第2の膜22との、2層の積層構造となっている。
第1の膜21と第2の膜22とは、異なる材料によって形成する。
また、より好ましくは、下層の第1の膜21はALD法又はMOCVD法のような比較的成膜速度の遅い成膜方法により成膜し、上層の第2の膜22はPVD法のような第1の膜21よりも成膜速度が速く、比較的成膜速度の速い成膜方法により成膜する。
第1の膜21と第2の膜22とは、異なる材料によって形成する。
また、より好ましくは、下層の第1の膜21はALD法又はMOCVD法のような比較的成膜速度の遅い成膜方法により成膜し、上層の第2の膜22はPVD法のような第1の膜21よりも成膜速度が速く、比較的成膜速度の速い成膜方法により成膜する。
負の固定電荷を有する第1の膜21及び負の固定電荷を有する第2の膜22は、シリコン、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、ランタノイド元素のうち、少なくとも1つの元素を含む絶縁膜とすることができる。そして、例えば、HfO2,ZrO2,Al2O3,TiO2,Ta2O5から選ばれる酸化物を使用することが可能である。また、前述した、窒化物や酸窒化物、希土類元素の酸化物等も、使用することが可能である。
このような材料から、第1の膜21と第2の膜22とに、それぞれ異なる材料を選定する。
このような材料から、第1の膜21と第2の膜22とに、それぞれ異なる材料を選定する。
シリコン基板2の上層に、負の固定電荷を有する膜23(21,22)を設けたことにより、図14A及び図14Bに示したと同様に、バンドを曲げて、界面付近に正電荷(ホール)が蓄積されるようにすることができる。
なお、特に、負の固定電荷を有する膜21,22として、屈折率の比較的高い、HfO2膜、Ta2O5膜、TiO2膜等を形成した場合には、反射防止効果を得ることも可能になる。
なお、特に、負の固定電荷を有する膜21,22として、屈折率の比較的高い、HfO2膜、Ta2O5膜、TiO2膜等を形成した場合には、反射防止効果を得ることも可能になる。
本実施の形態の固体撮像素子1は、例えば、次のようにして、製造することができる。
図2に示すように、フォトダイオード部41のシリコン基板2内に電荷蓄積領域4が形成されており、トランジスタTr1,Tr2,Tr3のゲート電極11及び配線層12が形成されている状態から説明する。
まず、図3に示すように、電荷蓄積領域4が形成されたシリコン基板2上に、ALD法又はMOCVD法のような比較的成膜速度の遅い成膜方法により、負の固定電荷を有する第1の膜21を形成する。負の固定電荷を有する第1の膜21の材料としては、シリコン、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、ランタノイド元素のうち、少なくとも1つの元素を含む絶縁材料を使用する。具体的には、例えば、HfO2,ZrO2,Al2O3,TiO2,Ta2O5が挙げられる。
ALD法で成膜する場合の成膜条件は、例えば、成膜基板温度200〜500℃、プリカーサー流量が10〜500sccm、照射時間1〜15秒、O3流量10〜500sccm、とする。
第1の膜21の膜厚は、好ましくは1nm以上20nm以下とする。
なお、第1の膜21をALD法により成膜した場合には、同時に、シリコン基板2の表面に、酸化シリコン膜(厚さ1nm程度)が形成されることがある。
ALD法で成膜する場合の成膜条件は、例えば、成膜基板温度200〜500℃、プリカーサー流量が10〜500sccm、照射時間1〜15秒、O3流量10〜500sccm、とする。
第1の膜21の膜厚は、好ましくは1nm以上20nm以下とする。
なお、第1の膜21をALD法により成膜した場合には、同時に、シリコン基板2の表面に、酸化シリコン膜(厚さ1nm程度)が形成されることがある。
次に、図4に示すように、負の固定電荷を有する第1の膜21の上に、PVD法のような第1の膜21よりも成膜速度が速く、比較的成膜速度の速い成膜方法により、負の固定電荷を有する第2の膜22を形成する。負の固定電荷を有する第2の膜22の材料としては、シリコン、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、ランタノイド元素のうち、少なくとも1つの元素を含む絶縁材料であり、第1の膜21とは異なる材料を使用する。具体的には、例えば、HfO2,ZrO2,Al2O3,TiO2,Ta2O5が挙げられる。
PVD法で成膜する際の成膜条件は、例えば、圧力0.01〜50Pa、DCパワー500〜2000W、Ar流量5〜50sccm、O2流量5〜50sccmとする。
負の固定電荷を有する第1の膜21上に負の固定電荷を有する第2の膜22を形成することによって、2層21,22が積層された負の固定電荷を有する膜23が構成される。この負の固定電荷を有する膜23によって、電荷蓄積領域4の表面に正電荷蓄積領域5が形成される。
PVD法で成膜する際の成膜条件は、例えば、圧力0.01〜50Pa、DCパワー500〜2000W、Ar流量5〜50sccm、O2流量5〜50sccmとする。
負の固定電荷を有する第1の膜21上に負の固定電荷を有する第2の膜22を形成することによって、2層21,22が積層された負の固定電荷を有する膜23が構成される。この負の固定電荷を有する膜23によって、電荷蓄積領域4の表面に正電荷蓄積領域5が形成される。
次に、図5に示すように、負の固定電荷を有する第2の膜22上に、SiO2膜等の絶縁膜6を形成する。
この絶縁膜6を形成することにより、後の遮光膜7のエッチングの際に、負の固定電荷を有する第2の膜22の表面を直接エッチングに晒すことを防ぐことが可能になる。また、負の固定電荷を有する第2の膜22と遮光膜7を直接接触させることに起因した、負の固定電荷を有する第2の膜22と遮光膜7との反応を、抑制することが可能になる。
この絶縁膜6を形成することにより、後の遮光膜7のエッチングの際に、負の固定電荷を有する第2の膜22の表面を直接エッチングに晒すことを防ぐことが可能になる。また、負の固定電荷を有する第2の膜22と遮光膜7を直接接触させることに起因した、負の固定電荷を有する第2の膜22と遮光膜7との反応を、抑制することが可能になる。
次に、図6に示すように、遮光膜7となる金属膜を形成する。
さらに、図7に示すように、エッチングにより、遮光膜7と絶縁膜6の上部を加工する。これにより、遮光膜7が、フォトダイオード部41上の一部及び周辺回路部42上に残る。
さらに、図7に示すように、エッチングにより、遮光膜7と絶縁膜6の上部を加工する。これにより、遮光膜7が、フォトダイオード部41上の一部及び周辺回路部42上に残る。
次に、図8に示すように、表面を覆って、平坦化膜8を形成する。平坦化膜8としては、例えば、塗布法により、SiO2膜を形成する。平坦化膜8を充分な厚さに形成することにより、遮光膜7による段差をなくして、表面を平坦化することができる。
最後に、図9に示すように、フォトダイオード部41において、各画素のフォトダイオードの上方に、カラーフィルター9及びオンチップレンズ10を順次形成する。
なお、カラーフィルター9とオンチップレンズ10との間に、レンズ加工の際のカラーフィルター9への加工ダメージを防止するために、光透過性の絶縁膜(図示せず)を形成してもよい。
このようにして、図1に示した固体撮像素子1を製造することができる。
なお、カラーフィルター9とオンチップレンズ10との間に、レンズ加工の際のカラーフィルター9への加工ダメージを防止するために、光透過性の絶縁膜(図示せず)を形成してもよい。
このようにして、図1に示した固体撮像素子1を製造することができる。
上述の本実施の形態の固体撮像素子1の構成によれば、電荷蓄積領域4が形成されている、フォトダイオード部41のシリコン基板2上に、負の固定電荷を有する第1の膜21が形成されている。そして、この負の固定電荷を有する第1の膜21の上に、負の固定電荷を有する第2の膜22が形成されて、2層21,22が積層された負の固定電荷を有する膜23を構成している。
負の固定電荷を有する第1の膜21及び負の固定電荷を有する第2の膜22の2つの膜を合わせて充分な負バイアス効果が得られる。これらの膜の負の固定電荷によって、図14A及び図14Bに示したと同様にバンドを曲げることができ、界面付近に正電荷蓄積領域5を形成して、正電荷(ホール)が蓄積されるようにして、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することができる。
負の固定電荷を有する第1の膜21及び負の固定電荷を有する第2の膜22の2つの膜を合わせて充分な負バイアス効果が得られる。これらの膜の負の固定電荷によって、図14A及び図14Bに示したと同様にバンドを曲げることができ、界面付近に正電荷蓄積領域5を形成して、正電荷(ホール)が蓄積されるようにして、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することができる。
負の固定電荷を有する第1の膜21を、ALD法又はMOCVD法のような比較的成膜速度の遅い成膜方法により形成した場合には、第1の膜21を形成する際に、シリコン基板2にダメージを与えないようにすることができる。
また、負の固定電荷を有する第2の膜22の下に第1の膜21が形成されているため、負の固定電荷を有する第2の膜22を形成する際に、シリコン基板2にダメージを与えないように、第1の膜21で防ぐことができる。
さらに、負の固定電荷を有する第1の膜21と、負の固定電荷を有する第2の膜22とは、異なる材料によって形成されている。
これにより、前記特許文献2に示したように、同じ材料を2つの成膜法で積層する必要がなくなり、負の固定電荷を有する膜23(21,22)の材料の制約が緩和される。
また、負の固定電荷を有する第2の膜22の下に第1の膜21が形成されているため、負の固定電荷を有する第2の膜22を形成する際に、シリコン基板2にダメージを与えないように、第1の膜21で防ぐことができる。
さらに、負の固定電荷を有する第1の膜21と、負の固定電荷を有する第2の膜22とは、異なる材料によって形成されている。
これにより、前記特許文献2に示したように、同じ材料を2つの成膜法で積層する必要がなくなり、負の固定電荷を有する膜23(21,22)の材料の制約が緩和される。
従って、本実施の形態により、充分な大きさの負バイアス効果により、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することができ、暗電流を生じることなく安定して動作する、高い信頼性を有する固体撮像素子1を実現することができる。
また、負の固定電荷を有する膜23(21,22)の制約が緩和され、負の固定電荷を有する膜23(21,22)の特性の制約も緩和される。これにより、固体撮像素子の設計の自由度を広げることが可能になる。
また、負の固定電荷を有する膜23(21,22)の制約が緩和され、負の固定電荷を有する膜23(21,22)の特性の制約も緩和される。これにより、固体撮像素子の設計の自由度を広げることが可能になる。
なお、図1に示したように、シリコン基板2にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域4を形成する代わりに、シリコン基板上のシリコンエピタキシャル層にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域を形成することも可能である。
また、負の固定電荷を有する第2の膜22よりも上層の構成や、周辺回路部42の構成は、上述の実施の形態の構成に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
例えば、前記特許文献2において、実施の形態として記載されている構成を採用することもできる。
例えば、前記特許文献2において、実施の形態として記載されている構成を採用することもできる。
上述の実施の形態では、CMOS固体撮像素子に本発明を適用した場合であったが、本発明は、その他の構成の固体撮像素子にも適用することができる。
例えば、CCD固体撮像素子においても、本発明を適用して、受光部上に、プラズマを用いて形成した酸化シリコン膜及び負の固定電荷を有する膜を形成することにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することができる。
例えば、CCD固体撮像素子においても、本発明を適用して、受光部上に、プラズマを用いて形成した酸化シリコン膜及び負の固定電荷を有する膜を形成することにより、界面準位に起因する暗電流の発生を抑制することができる。
また、上述の実施の形態では、裏面照射型構造の固体撮像素子に本発明を適用した場合であった。
本発明は、フォトダイオードが形成された半導体層の、光が入射する側に、配線層や転送電極を形成した、いわゆる表面照射型構造の固体撮像素子にも適用することが可能である。
本発明は、フォトダイオードが形成された半導体層の、光が入射する側に、配線層や転送電極を形成した、いわゆる表面照射型構造の固体撮像素子にも適用することが可能である。
<3.実験(特性測定)>
ここで、図1に示した固体撮像素子1と同様に、ALD法を用いて負の固定電荷を有する第1の膜を形成し、その上に、PVD法を用いて負の固定電荷を有する第2の膜を形成して、これらの積層構造の特性を調べた。
ここで、図1に示した固体撮像素子1と同様に、ALD法を用いて負の固定電荷を有する第1の膜を形成し、その上に、PVD法を用いて負の固定電荷を有する第2の膜を形成して、これらの積層構造の特性を調べた。
(実験1)
まず、TEG(Test Element Group)として、シリコン基板上に絶縁層を介して電極層を形成したMOSキャパシタを作製した。
そして、MOSキャパシタの絶縁層として、以下の積層構造のそれぞれを使用したTEGを作製した。
(1)ALD法を用いてHfO2膜を膜厚10nmで形成し、その上に、PVD法を用いてHfO2膜を膜厚50nmで形成した。
(2)ALD法を用いてHfO2膜を膜厚10nmで形成し、その上に、PVD法を用いてTa2O5膜を膜厚50nmで形成した。
作製したそれぞれのTEGについて、直流を用いた一般的なC−V特性の測定(Qs−CV:Quasi-static-CV)と、高周波を用いたC−V特性の測定(Hf−CV)とを行った。Qs−CVは、ゲート電圧を時間の一次関数として掃引し、ゲート・基板間に流れる変位電流を求める測定法である。
Qs−CV特定の測定から、低周波領域の容量Cを求めた。
また、Qs−CVの測定値とHf−CVの測定値の差分から、界面準位密度Ditを求めた。
まず、TEG(Test Element Group)として、シリコン基板上に絶縁層を介して電極層を形成したMOSキャパシタを作製した。
そして、MOSキャパシタの絶縁層として、以下の積層構造のそれぞれを使用したTEGを作製した。
(1)ALD法を用いてHfO2膜を膜厚10nmで形成し、その上に、PVD法を用いてHfO2膜を膜厚50nmで形成した。
(2)ALD法を用いてHfO2膜を膜厚10nmで形成し、その上に、PVD法を用いてTa2O5膜を膜厚50nmで形成した。
作製したそれぞれのTEGについて、直流を用いた一般的なC−V特性の測定(Qs−CV:Quasi-static-CV)と、高周波を用いたC−V特性の測定(Hf−CV)とを行った。Qs−CVは、ゲート電圧を時間の一次関数として掃引し、ゲート・基板間に流れる変位電流を求める測定法である。
Qs−CV特定の測定から、低周波領域の容量Cを求めた。
また、Qs−CVの測定値とHf−CVの測定値の差分から、界面準位密度Ditを求めた。
測定結果として、電圧Vg(V)と容量C(pF)との関係を、図10Aに示す。また、界面準位密度Ditと、図10Aにおけるフラットバンド電圧Vfbの大きさとを、図10Bに示す。
図10Aより、ALD法を用いてHfO2膜を形成し、その上にTa2O5膜を形成した場合、ALD法とPVD法とを組み合わせて形成したHfO2膜と比較して、同程度のフラットバンド電圧が得られ、また、界面準位密度がやや小さくなることがわかる。
(実験2)
実際の固体撮像素子1の構造を模した構造を設計して、シミュレーションにより計算を行って、入射光の波長とその波長に対する感度の大きさとの関係を調べた。
設計した構造は、シリコン基板(厚さ3μm)/SiO2膜(膜厚1nm)/ALD法によるHfO2膜(膜厚10nm)/PVD法による酸化膜/プラズマCVD法による酸化シリコン膜(膜厚150nm)/平坦化膜(膜厚100nm)である。
PVD法による酸化膜は、Ta2O5膜とHfO2膜との2種類とした。
そして、それぞれの酸化膜の膜厚を変えてシミュレーションを行い、最も感度の高い膜厚を求めた。その結果、Ta2O5膜は40nmが、HfO2膜は50nmが、最も感度が高くなった。
実際の固体撮像素子1の構造を模した構造を設計して、シミュレーションにより計算を行って、入射光の波長とその波長に対する感度の大きさとの関係を調べた。
設計した構造は、シリコン基板(厚さ3μm)/SiO2膜(膜厚1nm)/ALD法によるHfO2膜(膜厚10nm)/PVD法による酸化膜/プラズマCVD法による酸化シリコン膜(膜厚150nm)/平坦化膜(膜厚100nm)である。
PVD法による酸化膜は、Ta2O5膜とHfO2膜との2種類とした。
そして、それぞれの酸化膜の膜厚を変えてシミュレーションを行い、最も感度の高い膜厚を求めた。その結果、Ta2O5膜は40nmが、HfO2膜は50nmが、最も感度が高くなった。
次に、それぞれの膜の最も感度が高い膜厚における、光の波長による吸収率の変化を、図11に示す。
図11より、450nm〜550nmの波長範囲で比較すると、Ta2O5膜を使用した場合に吸収率が高くなり、450nm付近ではHfO2膜を使用した場合と比較して10%程度も高くなることがわかる。
即ち、屈折率の比較的高いTa2O5膜を、負の固定電荷を有する第2の膜に使用した場合に、この波長範囲の吸収率が大幅に向上し、この波長範囲の感度が向上することがわかる。
図11より、450nm〜550nmの波長範囲で比較すると、Ta2O5膜を使用した場合に吸収率が高くなり、450nm付近ではHfO2膜を使用した場合と比較して10%程度も高くなることがわかる。
即ち、屈折率の比較的高いTa2O5膜を、負の固定電荷を有する第2の膜に使用した場合に、この波長範囲の吸収率が大幅に向上し、この波長範囲の感度が向上することがわかる。
<4.撮像装置の実施の形態>
次に、本発明の撮像装置の実施の形態を説明する。
本発明の撮像装置の一実施の形態の概略構成図(ブロック図)を、図15に示す。
この撮像装置としては、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話のカメラ等が挙げられる。
次に、本発明の撮像装置の実施の形態を説明する。
本発明の撮像装置の一実施の形態の概略構成図(ブロック図)を、図15に示す。
この撮像装置としては、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話のカメラ等が挙げられる。
図15に示すように、撮像装置500は、固体撮像素子(図示せず)を備えた撮像部501を有している。この撮像部501の前段には、入射光を集光して像を結像させる結像光学系502が備えられている。また、撮像部501の後段には、撮像部501を駆動する駆動回路、固体撮像素子で光電変換された信号を画像に処理する信号処理回路等を有する信号処理部503が接続されている。また、信号処理部503によって処理された画像信号は、画像記憶部(図示せず)によって記憶させることができる。
このような撮像装置500において、固体撮像素子として、前述した実施の形態の固体撮像素子1等、本発明の固体撮像素子を用いることができる。
このような撮像装置500において、固体撮像素子として、前述した実施の形態の固体撮像素子1等、本発明の固体撮像素子を用いることができる。
本実施の形態の撮像装置500によれば、本発明の固体撮像素子、即ち、前述したように、充分な負バイアス効果により暗電流の発生が抑制された固体撮像素子を用いているので、高品位な映像を記録できるという利点がある。
なお、本発明の撮像装置は、図15に示した構成に限定されることはなく、固体撮像素子を用いる撮像装置であれば、適用することが可能である。
例えば、固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
本発明の撮像装置は、例えば、カメラや撮像機能を有する携帯機器等、各種の撮像装置に適用することができる。また、「撮像」の広義の意味として、指紋検出装置等も含む。
例えば、固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
本発明の撮像装置は、例えば、カメラや撮像機能を有する携帯機器等、各種の撮像装置に適用することができる。また、「撮像」の広義の意味として、指紋検出装置等も含む。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
1 固体撮像素子、2 シリコン基板、3 素子分離領域、4 電荷蓄積領域、5 正電荷蓄積領域、6 絶縁膜、7 遮光膜、8 平坦化膜、9 カラーフィルター、10 オンチップレンズ、11 ゲート電極、12 配線層、13 絶縁層、21 負の固定電荷を有する第1の膜、22 負の固定電荷を有する第2の膜、23 負の固定電荷を有する膜、41 フォトダイオード部、42 周辺回路部、500 撮像装置、501 撮像部、502 結像光学系、503 信号処理部
Claims (9)
- 光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層と、
少なくとも前記フォトダイオードが形成された領域の前記半導体層上に形成された負の固定電荷を有する第1の膜と、
前記負の固定電荷を有する第1の膜上に形成された、前記負の固定電荷を有する第1の膜とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第2の膜とを含む
固体撮像素子。 - 前記負の固定電荷を有する第2の膜は、前記負の固定電荷を有する第1の膜の成膜方法と比較して、成膜速度が速い成膜方法により形成されている、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記負の固定電荷を有する第1の膜が、シリコン、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、ランタノイド元素のうち、少なくとも1つの元素を含む絶縁膜である請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記負の固定電荷を有する第2の膜が、シリコン、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、ランタノイド元素のうち、少なくとも1つの元素を含む絶縁膜である請求項1に記載の固体撮像素子。
- 半導体層にフォトダイオードを形成する工程と、
少なくとも前記フォトダイオードが形成された領域の前記半導体層上に、負の固定電荷を有する第1の膜を形成する工程と、
前記負の固定電荷を有する第1の膜上に、前記負の固定電荷を有する第1の膜とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第2の膜を形成する工程とを含む
固体撮像素子の製造方法。 - 前記負の固定電荷を有する第2の膜を、前記負の固定電荷を有する第1の膜を形成する成膜方法と比較して、成膜速度が速い成膜方法により形成する、請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記負の固定電荷を有する第1の膜の材料として、シリコン、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、ランタノイド元素のうち、少なくとも1つの元素を含む絶縁材料を使用する、請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記負の固定電荷を有する第2の膜の材料として、シリコン、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、ランタノイド元素のうち、少なくとも1つの元素を含む絶縁材料を使用する、請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 入射光を集光する集光光学部と、
光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層と、少なくとも前記フォトダイオードが形成された領域の前記半導体層上に形成された負の固定電荷を有する第1の膜と、前記負の固定電荷を有する第1の膜上に形成された、前記負の固定電荷を有する第1の膜とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第2の膜とを含み、前記集光光学部で集光した前記入射光を受光して光電変換する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子で光電変換されて得られた信号を処理する信号処理部とを含む
撮像装置。
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