JP2010236964A - 熱式流量測定装置 - Google Patents

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    • G01F1/6842Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow with means for influencing the fluid flow

Abstract

【課題】本発明の目的は、吸気管に挿入されるときの挿入方向及び流体の流れ方向に垂直な方向の厚さ寸法を大きくすることがない熱式流量測定装置を提供することにある。
【解決手段】主通路を流れる流体の一部を取り込む副通路10は、板状部材の表面2a側に曲線を描いて形成された第1副通路10A部分と、板状部材の裏面2b側に曲線を描いて形成された第2副通路10B部分と、板状部材の表面側と裏面側とを貫通する開口として形成された第3副通路10C部分とを有し、第1副通路10A部分は第3副通路10C部分における板状部材の板面に沿う方向の一端部に連通接続され、第2副通路10B部分は第3副通路10C部分における板状部材の板面に沿う方向の他端部に連通接続され、センサ素子8は第3副通路10C部分に配置される。
【選択図】 図3

Description

本発明は、流体の流量を検出する熱式流量測定装置に係わり、特に、主通路を流れる流体の一部を取り込む副通路を有し、副通路を流れる流体の流量を計測する分流式の熱式流量測定装置に関するものである。
分流式の熱式流量測定装置は、主通路を流れる流体の一部を取り込む副通路を有し、副通路内にセンサ素子が設置されて副通路を流れる流体の流量を測定する。
分流式の熱式流量測定装置として、副通路が湾曲した通路に形成され、その湾曲通路が湾曲内側と外側とで測定通路と迂回通路とに区分され、湾曲内側の測定通路にセンサ素子が配置され、湾曲通路を流れる流体流に作用する慣性力(遠心力)によってセンサ素子を汚損させる汚損物質(液滴,油滴)やセンサ素子を壊す危険性の高いダスト類(固形粒子)を湾曲外側の迂回通路に追いやり、測定通路には汚損物質やダスト類が流れないように、センサ素子の保護を図った技術が特表2002−506528号公報(図2〜図4)に記載されている。
また、副通路の出口側にS字形の変向通路を設け、主通路の脈動等による逆流成分が測定通路に入り難くし、逆流成分に起因する測定誤差を低減する技術も特表2002−506528号公報(図2〜図4)に記載されている。
さらに、熱式流量測定装置を内燃機関システムの吸入空気流量測定装置として適用する場合は、近年では吸気管内に発生する逆流も精度よく計測する必要があり、副通路は効率よく逆流を取り込める形状が必須となる。このため、副通路は、流入開口面(入口)と同様に、流出開口面(出口)も主通路の流れ(逆流)に対して垂直な面(直交する面)で開口する方が好ましい。
しかし、この場合に問題となるのが、エンジン停止後のセンサ汚損である。特にディーゼルエンジンなどではスロットルバルブを持たないものが大半であるため、エンジン停止後にオイルミストが対流によって吸気系上流まで逆流してくる。この時、流出開口面が逆流に対して垂直に開口している分流式の熱式流量測定装置では、副通路内部にオイルミストが入り易く、副通路内に配置されているセンサ素子を汚損させる可能性がある。
また、熱式流量測定装置の通常の使用は順流の計測がほとんどであり、この条件下での水滴や汚損物質の飛来に対してセンサ素子を保護すると共に、副通路内部に入った水滴や液滴を極力センサ素子に到達させないようにした技術が特開2004−226315号公報に記載されている。
特開2004−226315号公報に記載された副通路は、流入開口面(入口)側から渦巻状に旋回した第1副通路と、流出開口面(出口)側から渦巻状に旋回した第2副通路と、第1副通路と第2副通路とを連通接続する第3副通路とで構成され、流量を検出するセンサ素子は第1副通路に配置されている。
第1副通路と第2副通路とを連通接続する第3副通路は第1副通路と第2副通路とのオフセット量に応じたクランク形状に形成され、さらにセンサ素子の下流側で副通路が長くなるので、逆流側(流出開口面(出口)側)から見たセンサ素子までの副通路の壁面にオイルミストを付着させる機会が増え、センサ素子の信頼性を向上させることができる(段落0058〜0062参照)。
特表2002−506528号公報 特開2004−226315号公報
しかし、特開2004−226315号公報の副通路では、センサ素子が第1副通路に配置されている。第1副通路では、センサ素子を搭載した制御回路基板を通路内に挿入するために、センサ素子面に垂直な方向の寸法(厚さ方向寸法という)をある程度大きくする必要がある。このとき、第1副通路と第2副通路とが階層構造を成しているため、第1副通路の厚さ方向寸法と第2副通路の厚さ方向寸法とで決まる副通路全体の厚さ方向寸法は、制御回路基板を第1副通路内に挿入するために第1副通路の厚さ方向寸法を大きくした分だけ、大きくなってしまう。センサ素子面に垂直な方向は副通路が吸気管に挿入されるときの挿入方向及び流体の流れ方向に垂直な方向と一致している。従って、挿入方向及び流体の流れ方向に垂直な方向の副通路(主通路内における熱式流量測定装置)の寸法が大きくなってしまう。このため、小型,軽量化を図る上で課題があった。
本発明の目的は、第1副通路,第2副通路、両通路を連通する第3副通路で構成した熱式流量測定装置において、吸気管に挿入されるときの挿入方向及び流体の流れ方向に垂直な方向の厚さ寸法を大きくすることがない熱式流量測定装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の熱式流量測定装置は、主通路を流れる流体の一部を取り込む副通路と、前記副通路内に設置されることにより流体の流量を検出するセンサ素子とを備えた熱式流量測定装置において、前記副通路は、板状部材の表面側に交差することなく曲線を描いて形成された第1副通路部分と、前記板状部材の裏面側に交差することなく曲線を描いて形成された第2副通路部分と、前記板状部材の表面側と裏面側とを貫通する開口として形成された第3副通路部分とを有し、前記第1副通路部分は前記第3副通路部分における前記板状部材の板面に沿う方向の一端部に連通接続され、前記第2副通路部分は前記第3副通路部分における前記板状部材の板面に沿う方向の他端部に連通接続され、前記センサ素子は前記第3副通路部分に配置されたものである。
このとき、前記センサ素子は板状回路基板の表面側に搭載され、前記板状回路基板は前記第3副通路部分における前記板状部材の裏面側に位置する部分に配置され、前記板状回路基板の裏面が前記第3副通路部分における前記板状部材の表面側に位置する部分側を向くように取り付けられるとよい。
また、前記センサ素子の素子面と対向する前記第3副通路部分の通路壁面側に形成された通路断面積は、前記板状回路基板の裏面と対向する前記第3副通路部分の通路壁面側に形成された通路断面積より小さくなるように構成するとよい。
また、前記センサ素子の素子面と対向する前記第3副通路部分の通路壁面と前記素子面との間に形成された通路の間隙は、前記板状回路基板の裏面と対向する前記第3副通路部分の通路壁面と前記板状回路基板の裏面との間に形成された通路の間隙より小さくなるように構成するとよい。
また、前記第3副通路部分は、前記板状部材の表面側と裏面側とに跨って、前記板状部材の表面及び裏面に沿って直線状に延設された通路部分を有し、前記センサ素子を直線状に延設された前記通路部分に配置するとよい。
また、前記副通路は、前記板状部材を第1の板状部材として、前記第1の板状部材の表面側に設けられた第2の板状部材と、前記第1の板状部材の裏面側に設けられた第3の板状部材とで構成され、前記第1の板状部材には、その表面に前記第1副通路部分の側壁と、裏面に前記第2副通路部分の側壁とが形成されると共に、表面側とは反対向きに裏面からオフセットした位置に前記第3副通路の側壁が形成され、前記第2の板状部材には、前記第1副通路部分に形成された前記側壁と対向する側壁と、前記第1の板状部材に形成された前記第3副通路部分の前記側壁と前記板状回路基板を隔てて対向する前記第3副通路部分の側壁とが形成され、前記第3の板状部材には、前記第2副通路部分に形成された前記側壁と対向する側壁が形成されるとよい。
また、前記第1副通路部分は、前記板状部材の表面側で交差することのない100度以上の迂回形状で構成するとよい。
また、第1,第2及び第3副通路部分の連続形状は360度以上旋回しているとよい。
本発明の熱式流量測定装置は、板状部材の表面側に形成された第1副通路部分と裏面側に形成された第2副通路部分とを、板状部材の表面側と裏面側とを貫通する開口として形成された第3副通路部分を介して連通接続し、センサ素子を第3副通路部分に配置したことにより、センサ素子が配置される第3副通路部分の厚さ寸法を第1副通路部分の厚さ寸法と第2副通路部分の厚さ寸法との合計の範囲内で大きくすることができ、熱式流量測定装置の厚さ寸法を左右する第1副通路部分又は第2副通路部分の厚さ寸法を大きくする必要がないので、熱式流量測定装置の厚さ寸法を小さくして小型,軽量化を実現できる。
本発明の熱式流量測定装置の一実施例を示す図。 図1におけるP−P断面を示す図。 本発明の一実施例の副通路と回路基板の配置を示す図。 図3の断面D−Dにおける、センサ素子の上面の空間断面積と回路基板の下面の空間断面積を示す図。 本発明の他の実施例の副通路と回路基板の配置を示す図。 本発明のさらに他の施例の副通路と回路基板の配置を示す図。 回路基板7とセンサ素子8のセンサ組立て体を示す図。 本発明のさらに他の施例の副通路と回路基板の配置を示す図。 本発明のさらに他の施例の副通路と回路基板の配置を示す図。 本発明の熱式流量測定装置による内燃機関の構成図。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。以下の実施例では、厚さ寸法または厚さ方向寸法は、センサ素子面に垂直な方向の寸法に一致する。また、センサ素子面に垂直な方向は、副通路が吸気管に挿入されるときの挿入方向及び流体の流れ方向に垂直な方向と一致している。
図1,図2は本発明の熱式流量測定装置の構成を示す図である。特に、図1は熱式流量測定装置が配置された吸気管の流体の流れ方向における断面図であり、図2は図1における熱式流量測定装置のP−P断面図である。
熱式流量測定装置1は、樹脂成形品によるハウジング部材2とこのハウジング部材2を覆う樹脂製のベース部材20(図3参照)と樹脂製のカバー部材30(図3参照)との組立体であり、吸気管4に形成された挿入穴5に挿入され、下側部分が吸気管4による主通路6内に位置している。
板状の回路基板7には電子部品による回路とシリコン基板上に形成されたセンサ素子8とが搭載されている。この回路基板7は、回路が形成された側が電気室3に収容され、センサ素子8が搭載された側は副通路10の第3副通路10Cに位置するように、ハウジング部材2に固定されている。また、ハウジング部材2には、電源,信号出力用の端子を備えたコネクタ部9が一体に成形されている。
センサ素子8は、シリコン基板上に形成された発熱抵抗体、発熱抵抗体の上流側及び下流側のシリコン基板上に形成された測温抵抗体、流体温度を検出する測温抵抗体等で構成されている。発熱抵抗体の上流側及び下流側の測温抵抗体は、発熱抵抗体の上流側及び下流側の温度を検出するために用いられる。回路基板7上には、発熱抵抗体の上流側及び下流側の測温抵抗体から得られる温度検出値から、発熱抵抗体の上流側及び下流側の温度差を検出し、流体流量を検出するための検出回路、この検出回路の検出値、すなわち流量値を補正する補正回路、さらには、発熱抵抗体を流れる電流値を制御する制御回路が設けられる。流量を検出するための測温抵抗体の構成については、上述の構成に限らず、他の構成を用いてもよい。
主通路6内に位置する挿入方向先端部分(図1の下側部分)には、副通路10が形成されている。副通路10には、主通路6を流れる順流流体Faや逆流流体Fbの一部が流入する。副通路10の内部には流量計測を行うセンサ素子8が配置されている。
副通路10は、熱式流量測定装置1の厚さ1hの内部において、主通路6内の第1仮想平面A上にあって交差することなく90度以上迂回した第1副通路10Aと、第1仮想平面Aと所定のオフセット量hofをもって平行な位置関係にある第2仮想平面B上にあって、交差することなく90度以上迂回した第2副通路10Bと、第1仮想平面Aと第2仮想平面Bとの間に延在して、第1副通路10Aと第2副通路10Bを連通接続する、第1仮想平面Aと第2仮想平面Bとに平行な面に沿う方向に直線状に延設された第3副通路10Cとにより構成されている。
ハウジング2の先端側には板状部が設けられており、この板状部周辺に副通路10が構成される。第1副通路10Aは板状に成形された樹脂成形品によるハウジング2の表面2a部(表面2a側)にほぼ全体が形成されている。第2副通路10Bはハウジング2の裏面2b部(裏面2b側)にほぼ全体が成形されている。ハウジング2の表面部と裏面部とを貫通する開口を形成するように第3副通路10Cが形成されている。第3副通路10Cは、ハウジング2の板状部の表面側と裏面側とに跨って、ハウジング2の板状部の表面及び裏面に沿って直線状に延設された通路部分を有する。この通路部分は主通路6の流体流に沿って形成されている。
第1副通路10Aの一方の端部が主通路6内に開口して流体の入口11をなし、第1副通路10Aの他方の端部が第3副通路10Cを介して第2副通路10Bの一方の端部に連通接続され、第2副通路10Bの他方の端部が主通路6内に開口して流体の出口12をなしている。
第1仮想平面Aと第2仮想平面Bは、ともに主通路6の流体流と平行な面であり、入口11と出口12は各々主通路6の流体流と直交する面に開口している。
回路基板7は、第1副通路10Aと第2副通路10Bを連通接続する直線状の第3副通路10Cに第3副通路10Cに配置されている。
図3は図1のC−C断面を模式的に表した図であり、C′−C′線に沿って直線状に引き伸ばした断面を模式的に示した断面図である。順流流体Faは入口11から第1副通路10A−第3副通路10C−第2副通路10B−出口12から主通路6に流れる。
第1副通路10Aは高さがh10A、第2副通路10Bは高さがh10B、第3副通路10Cは高さがh10Cで構成されており、第1副通路10Aと第2副通路10Bのオフセット量はhofである。
図3を参照して副通路10をさらに具体的に説明する。副通路10は、ハウジング2の先端側に設けられた板状部を第1の板状部材として、第1の板状部材の表面2a側に接合して設けられた、ベース部材20を成す第2の板状部材と、第1の板状部材の裏面2b側に接合して設けられた、カバー部材30を成す第3の板状部材とで構成される。第1の板状部材には、その表面2aに第1副通路10A部分の側壁10A2と、裏面2bに第2副通路10B部分の側壁10B2とが形成されると共に、表面2a側とは反対向きに裏面2bからオフセットした位置に第3副通路10Cの側壁10C2が形成されている。第2の板状部材20には、第1副通路10A部分の側壁10A2と対向する側壁10A20と、第1の板状部材2に形成された第3副通路部分10Cの側壁10C2と板状の回路基板7を隔てて対向する第3副通路10C部分の側壁10C20とが形成されている。第3の板状部材30には、第2副通路10B部分の側壁10B2と対向する側壁10B30が形成されている。
上述のオフセット量hofはハウジング2の表面2a及び裏面2bに垂直な方向に設けられており、この方向は第1副通路10A及び第2副通路10Bを流れる流体の流れ方向に垂直な方向である。
また、第1副通路10Aの側壁10A2が形成されているハウジング2の表面2aと第2副通路10Bの側壁10B2が形成されているハウジング2の裏面2bとは、各面に垂直な方向にhof2abだけオフセットしている。
回路基板7は、実施例1では、センサ素子8と反対面が第3副通路10Cの下面10C20から高さhc1の位置、センサ素子8面は第3副通路10Cの上面10C2から高さhd1の位置の第3副通路10Cに配置されている。
ところで、回路基板7を配置する測定用通路部分の高さは回路基板7の高さ7hに比較して高くしなければならないことは勿論であるが、取付け公差に配慮したり、流体Fa,Fbの流れを乱さないようにするため、十分な高さを確保する必要がある。一方、本実施例のような副通路10の構成では、熱式流量測定装置1の厚さ方向寸法は少なくとも第1副通路10Aの高さh10Aと第2副通路10Bの高さh10Bの和以上になる。第1副通路10A又は第2副通路10Bのいずれか一方に回路基板7を配置した場合、回路基板7を配置した第1副通路10A又は第2副通路10Bに対して単独で必要な高さを確保する必要がある。この場合、熱式流量測定装置1の厚さ方向寸法が大きくなってしまうという課題が生じる。
本実施例では、第1副通路10Aと第2副通路10Bとの間に設けた第3副通路10Cに回路基板7を配置するようにした。第3副通路10Cは、その高さh10C方向において、第1副通路10Aの高さh10Aと第2副通路10Bの高さh10Bの範囲に構成することができる。回路基板7を配置するために第3副通路10Cの高さh10Cを高くしても、第1副通路10Aの高さh10Aと第2副通路10Bの高さh10Bの範囲内で吸収することができる。従って、熱式流量測定装置1の吸気管4に挿入される部分の厚さ(図2の1h)が厚くならなくて済む。
その結果、取付け公差を大きくして作業の効率を向上できる。また、熱式流量測定装置1の吸気管4に挿入される部分の厚さ(図2,1h)を小さくできるので、小型,軽量化を図ることができる。
ところで、吸気管4に配置される熱式流量測定装置1では、吸気管4の主通路6に流入する流体は、吸気管4の入口にフィルタが配置されているものの、完全に水分やダストを除去することはできない。
さらに、ディーゼルエンジンなどではスロットルバルブを持たないものが大半であるため、エンジン停止後にオイルミストが対流によって吸気系上流まで逆流し、副通路内部にオイルミストが入り易い。このため、副通路内に配置されているセンサ素子8を汚損させる可能性が高くなる。
水分やオイルミストがセンサ素子8に付着すると、正確な流量測定ができなくなったり、センサ素子8の故障の原因になったりする可能性がある。またダストがセンサ素子8に衝突して破損の原因になるなどの問題がある。
そこで、実施例1では、これら水分やオイルミスト,ダストがセンサ素子8まで到達しないように、第1副通路10Aと第2副通路10Bを迂回形状にする遠心分離構造を採用している。
しかしながら、水分やオイルミスト,ダストを完全に無くすことは困難である。そこで、実施例1においては、センサ素子8の上部を流れる流体Fa3の流速に対して下部を流れる流体Fa2の流速を大きくして、速度差による分離によって、センサ素子8の上部を流れる流体Fa3に水分やダストが含まれないようにしている。
センサ素子8の上部を流れる流体Fa3と下部を流れる流体Fa2とに速度差を付けるために、流体Fa3が流れる通過断面積と流体Fa2が流れる通過断面積とを異ならせる。
そこで、実施例1では、図3に示した回路基板7により分離した流体、すなわち、流体Fa2とFa3に速度差(Fa2>Fa3)を付けるため、回路基板7のセンサ素子8と反対面が、第3副通路10Cの下面10C20から高さhc1の位置にあり、センサ素子8面は、第3副通路10Cの上面10C2から高さhd1の位置になるようにし、hc1がhd1よりも大きくなるようにしている。
図4は断面D−Dにおける、センサ素子8の上面の空間断面積Sdと回路基板7の下面の空間断面積Scを示しており、第1副通路10A,第2副通路10B,第3副通路10Cの幅W10が等しい構成では、空間断面積Sdは空間断面積Scより小さくなっている。
このような構成により、センサ素子8の上面を流れる流体Fa3の流速は、回路基板7の下面を流れる流体Fa2の流速に比較して小さくすることができ、第1副通路10Aの流体Fa1に含まれる水分やダストの多くは流体Fa2に含まれて回路基板7を通過させることができる。
流体Fa3は、流体Fa1に含まれていた水分やダストが除去された流体になるので、センサ素子8への付着や衝突を減少させることができ、センサ素子8の汚損による故障やダストの衝突による破損を防止して、信頼性の高い熱式流量測定装置1にすることができる。
図5は本発明の第2の実施例を示す図であり、図3と同一部分は同一符号で示している。
実施例1では、センサ素子8の上部を流れる流体Fa3の流速を大きくする方法として、センサ素子8の配置を第3副通路10Cの2分割位置よりも上部に配置するようにしているが、本発明はこれに限定されるものではない。
図5においては、センサ素子8と対面する第3副通路10Cの上面10C2に、突起部10Ccを形成することにより、センサ素子8と突起部下面10Cdの空間が狭くなるようにしている。
これにより、断面D−Dで見たセンサ素子8と突起部下面10Cdの空間の断面積は、元の上面10C2の空間の断面積に比較して、小さくなるように構成しているので、センサ素子8の上部を流れる流体Fa3の流速を速くすることができ、流量測定の精度を向上することができる。
図5では、センサ素子8の上部の流体通路に突起部10Cdを形成した例であるが、突起部の形成に限られるものではない。
図6は、第3副通路の上面10Ceをセンサ素子8との空間が狭くなるように形成した構成であり、流体Fa3の流速を速くすることができるので効果は同等である。
実施例1,2では、回路基板7の配置に関して、第1副通路10Aとの位置関係は特定していない。
ところで、回路基板7とセンサ素子8のセンサ組立て体は、図7に示す構造となっている。
回路基板7(一般的にはセラミック基板)の一部にシリコン基板に発熱抵抗体8aをエッチングしたダイアフラム8bが搭載され、発熱抵抗体8aと発熱抵抗体8aの上面を流れる流体Fa3との温度差を一定に保つように駆動電流を通電し、発熱抵抗体8aが形成する温度分布の変化を検出することで、流量を測定するようになっている。
このような構造のセンサ組立て体は、第1副通路10Aからの水分やダストを含んだ流体Fa1が、回路基板7のエッジ部7a,ダイアフラムのエッジ部8c,エッチング部のエッジ部8dに衝突すると、エッジ部の破損が生じ、流量測定の誤差の増大や、測定不能になるなどの問題が生ずる場合がある。
図8はこの問題に対処した実施例であり、実施例2の図5と同一部分は同一符号で示している。
回路基板7は、その下面部を第1副通路10Aの上面部10A2の延長線上を含む上側に配置している。
すなわち、回路基板7全体が第1副通路10Aに対して第1副通路10Aからオフセットした第2副通路10B側に隠れるように配置されている。このとき、回路基板7全体が、壁面10A2の位置に対して、壁面10C2,10B30側にオフセットした位置に配置されるとよい。これにより、第1副通路10Aを流れてきた流体は回路基板7のセンサ素子8と反対面側を流れ易くなり、流体によって運ばれてくる水分やダストも回路基板7のセンサ素子8と反対面側を流れるようになる。
これにより、第1副通路10Aを流れる流体Fa1に含まれる水分やダストが、回路基板7のエッジ部7aに衝突する確立を小さくすることができる。
回路基板7の強度はダイアフラムやエッジングした発熱抵抗体8aの強度より十分大きいので、図9に示すように、第1副通路10Aの上面部10A2の延長線上を含む上側に、ダイアフラムやエッジングした発熱抵抗体8aが配置されるようにして、回路基板7は第1副通路10Aの上面部10A2の延長線上よりも下側に配置することもできる。
このとき、図9の構成では、上述したように流体が回路基板7の上流側のエッジ部7aに衝突する。この場合、エッジ部7aに衝突した流れが乱れを生じ、流体によって運ばれてきた水分やダストが回路基板7のセンサ素子8面側に回り込むことが考えられる。回路基板7全体が図8のように、或いは図3,図5,図6のように、壁面10A2の位置に対して壁面10C2,10B30側にオフセットした位置に配置されることが好ましい。
以上の実施例3の説明では、第3副通路10Cに突起部10Ccがある実施例5の場合であったが、図3や図6の実施形態においても作用,効果は同等である。
実施例1〜3では、第3副通路10Cを構成する第1副通路と第2副通路の左右の壁を垂直形状で示しているが、必ずしも垂直形状である必要はなく、一定の角度を有している壁形状であっても作用,効果は同等である。
図10は、本発明による熱式流量測定装置1を吸入空気量センサとして組み込まれた電子燃料噴射方式の内燃機関の構成図である。
エアクリーナ101から吸入された吸入空気は、吸入ダクト103,スロットルボディ104及び燃料供給を行うインジェクタ105を備えた吸気マニホールド106を経て、エンジンシリンダ107に吸入される。一方、エンジンシリンダで発生した既燃焼ガスは排気マニホールド109を経て排出される。
熱式流量測定装置1はエアクリーナ101とスロットルボディ104との間にある。熱式流量測定装置1が出力する空気流量信号,吸気温度センサ111からの吸入空気温度信号,スロットル角度センサ112から出力されるスロットルバルブ角度信号,排気マニホールド109に設けられた酸素濃度計113が出力する酸素濃度信号,エンジン回転速度計114が出力するエンジン回転速度信号等、コントロールユニット115に入力される。
コントロールユニット115は、これらの信号を逐次演算して最適な燃料噴射量とアイドルエアコントロールバルブ開度を求め、その値を使ってインジェクタ105及びアイドルコントロールバルブ116を制御する。
1 熱式流量測定装置
2 ハウジング部材
3 電気室
4 吸気管
5 挿入穴
6 主通路
7 回路基板
8 センサ素子
9 コネクタ
10 副通路
10A 第1副通路
10B 第2副通路
10C 第3副通路
11 流体入口
12 流体出口

Claims (8)

  1. 主通路を流れる流体の一部を取り込む副通路と、前記副通路内に設置されることにより流体の流量を検出するセンサ素子とを備えた熱式流量測定装置において、
    前記副通路は、板状部材の表面側に交差することなく曲線を描いて形成された第1副通路部分と、前記板状部材の裏面側に交差することなく曲線を描いて形成された第2副通路部分と、前記板状部材の表面側と裏面側とを貫通する開口として形成された第3副通路部分とを有し、
    前記第1副通路部分は前記第3副通路部分における前記板状部材の板面に沿う方向の一端部に連通接続され、
    前記第2副通路部分は前記第3副通路部分における前記板状部材の板面に沿う方向の他端部に連通接続され、
    前記センサ素子は前記第3副通路部分に配置されたことを特徴とする熱式流量測定装置。
  2. 請求項1に記載の熱式流量測定装置において、
    前記センサ素子は板状回路基板の表面側に搭載され、
    前記板状回路基板は、前記第3副通路部分における前記板状部材の裏面側に位置する部分に配置され、前記板状回路基板の裏面が前記第3副通路部分における前記板状部材の表面側に位置する部分側を向くように取り付けられていることを特徴とする熱式流量測定装置。
  3. 請求項1又は2に記載の熱式流量測定装置において、
    前記センサ素子の素子面と対向する前記第3副通路部分の通路壁面側に形成された通路断面積は、前記板状回路基板の裏面と対向する前記第3副通路部分の通路壁面側に形成された通路断面積より小さくなるように構成したことを特徴とする熱式流量測定装置。
  4. 請求項1又は2に記載の熱式流量測定装置において、
    前記センサ素子の素子面と対向する前記第3副通路部分の通路壁面と前記素子面との間に形成された通路の間隙は、前記板状回路基板の裏面と対向する前記第3副通路部分の通路壁面と前記板状回路基板の裏面との間に形成された通路の間隙より小さくなるように構成したことを特徴とする熱式流量測定装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の熱式流量測定装置において、
    前記第3副通路部分は、前記板状部材の表面側と裏面側とに跨って、前記板状部材の表面及び裏面に沿って直線状に延設された通路部分を有し、前記センサ素子を直線状に延設された前記通路部分に配置したことを特徴とする熱式流量測定装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の熱式流量測定装置において、
    前記副通路は、前記板状部材を第1の板状部材として、前記第1の板状部材の表面側に設けられた第2の板状部材と、前記第1の板状部材の裏面側に設けられた第3の板状部材とで構成され、
    前記第1の板状部材には、その表面に前記第1副通路部分の側壁と、裏面に前記第2副通路部分の側壁とが形成されると共に、表面側とは反対向きに裏面からオフセットした位置に前記第3副通路の側壁が形成され、
    前記第2の板状部材には、前記第1副通路部分に形成された前記側壁と対向する側壁と、前記第1の板状部材に形成された前記第3副通路部分の前記側壁と前記板状回路基板を隔てて対向する前記第3副通路部分の側壁とが形成され、
    前記第3の板状部材には、前記第2副通路部分に形成された前記側壁と対向する側壁が形成されたことを特徴とする熱式流量測定装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の熱式流量測定装置において、
    前記第1副通路部分は、前記板状部材の表面側で交差することのない100度以上の迂回形状で構成したことを特徴とする熱式流量測定装置。
  8. 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の熱式流量測定装置において、
    第1,第2及び第3副通路部分の連続形状は360度以上旋回していることを特徴とする熱式流量測定装置。
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