JP2010235589A - ４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトン及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な工程により、各種の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンを、低コストで効率良く製造する方法の提供。
【解決手段】有機溶媒中で、フェニル基、または置換フェニル基を有すケトン化合物を、還元剤の存在下、ペルフルオロアルキル基を有すエステル化合物、及びケイ素化合物と反応させてアセタール化合物とし、これを脱シリル化剤で処理して式（４）で表される４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンを製造する。

（式中、Ｒ^１は炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜８のシクロアルキル基を表し、Ｒｆは炭素数１〜４のポリ又はペルフルオロアルキル基を表し；Ｒは水素原子又は置換基；ｎは１〜４の整数を表す。）
【選択図】なし

Description

本発明は、４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトン、及び４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの新規で効率的な製造方法に関する。

含フッ素有機化合物は医薬品，色素材料，高分子材料などに利用されている。また、近年はポリフルオロアルキル鎖を有する化合物は含フッ素化合物の効率的な分離精製に利用できることが示され、ポリフルオロアルキル鎖を有する化合物が数多く市販されている。

有機合成及び有機ファインケミカルズ合成において、炭素−炭素結合形成反応は極めて重要な反応であるが、トリフルオロアセチル基のようなポリフルオロアシル基を化合物に直接導入することは必ずしも容易ではない。
一般に、カルボニル基のような電子求引性置換基を有するベンゼン誘導体に直接置換基を導入すると、既存の置換基のメタ位に官能基が導入される。そのため、例えばアルキルフェニルケトンのパラ位にアシル基のような新たな官能基を導入するには、カルボニル基を保護したり、構造変換したりする必要がある。

カルボニル基を有するベンゼン環のパラ位に、ポリフルオロアシル基を導入することは極めて困難であり、出発原料として片方の置換基が臭素である二置換ベンゼンのグリニャール反応を用いる方法が知られているが、この方法は臭素以外の置換基がカルボニル基のようにグリニャール試薬と反応するものでは使用することができない。（例えば、特許文献１参照）

特開平７−１０１９２１号公報

Organic. Letters, 2001, 3, 3439-3442. Tetrahedron Letters,2002, 43, 635-637

したがって、本発明はこれら従来技術の問題点を解消して、簡単な工程により、各種の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンを、低コストで効率良く製造する方法を提供するとともに、該製造方法を用いて新規な４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンを提供することを目的とする。

本発明者等は、これまでマグネシウム金属を用いた芳香族アルデヒド及びケトンの炭素アシル化反応について、報告してきた（上記非特許文献１，２参照）。本発明者等は、このマグネシウム金属からの電子移動型反応を応用することによって、４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンを低コストで効率良く製造できることを見出し、本発明を完成したものである。

すなわち、本発明は次の１．〜８．の構成を採用するものである。
１．有機溶媒中で、次の式（１）
Ｒ^１ＣＯＲ^２ （１）
（式中、Ｒ^１は炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜８のシクロアルキル基を表し；Ｒ^２はフェニル基、置換フェニル基を表す。）
で表されるケトン化合物を、還元剤の存在下に、次の式（２）
ＲｆＣＯＯＲ^３ （２）
（式中、Ｒｆは炭素数１〜４のポリ又はペルフルオロアルキル基を表し、Ｒ^３は炭素数１〜８のアルキル基を表す。）
で表されるフッ素含有エステル化合物、及び次の式（３）
Ｒ^４Ｒ^５Ｒ^６ＳｉＣｌ （３）
（式中、Ｒ^４〜Ｒ^６は、各独立して炭素数１〜８のアルキル基又はフェニル基を表す。）
で表されるケイ素化合物と反応させて得られるアセタール化合物を、脱シリル化剤で処理することを特徴とする、次の式（４）で表される４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法：

（式中、Ｒ^１及びＲｆは上記と同じものを表し；Ｒは水素原子又は置換基；ｎは１〜４の整数を表す。）
２．前記式（２）で表されるフッ素含有エステル化合物として、トリフルオロ酢酸エステルを使用することを特徴とする１．に記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
３．前記還元剤が金属マグネシウムであることを特徴とする１．又は２．に記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
４．前記式（３）で表されるケイ素化合物がトリメチルシリルクロリドであることを特徴とする１．〜３．のいずれかに記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
５．前記脱シリル化剤がテトラブチルアンモニウムフルオリドであることを特徴とする１．〜４．のいずれかに記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
６．反応を氷冷〜還流条件下で行うことを特徴とする１．〜５．のいずれかに記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
７．次の式（４）で表される４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトン：

（式中、Ｒ^１は炭素数２〜８のアルキル基又は炭素数３〜８のシクロアルキル基を表し；Ｒｆは炭素数１〜４のポリ又はペルフルオロアルキル基を表し；Ｒは水素原子又は置換基；ｎは１〜４の整数を表す。）
８．前記式（４）において、Ｒｆが−ＣＦ_３、Ｒが水素原子又はメチル基であることを特徴とする７．に記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトン。

本発明によれば、芳香族ケトンを出発原料として、ワンポットでポリフルオロアシル基のアセタールをベンゼン環に導入することができ、さらに得られたアセタールをテトラブチルアンモニウムフルオリドのような脱シリル化剤と反応させることにより、ベンゼン環のパラ位に位置選択的にポリフルオロアシル基を導入した芳香族ジケトンを、簡便かつ効率的に得ることができる。また、この製造方法を用いることによって、新規な４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンを得ることができる。

本発明では、原料として次の式（１）で表されるケトン化合物を使用する。
Ｒ^１ＣＯＲ^２ （１）
式（１）において、Ｒ^１は炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜８のシクロアルキル基を表し；Ｒ^２はフェニル基、置換フェニル基を表す。
好ましいＲ^１としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、第３級ブチル基、イソブチル基等の低級アルキル基、及びシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。また、Ｒ^２としては−Ｃ_６Ｈ_５−ｎ（Ｒ）_ｎ（ここで、Ｒは炭素数１〜８のアルキル基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。）で表される置換又は非置換のフェニル基が挙げられる。
好ましいケトン化合物（１）の具体例としては、第３級ブチルフェニルケトン、イソブチロフェノン、シクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。

また、本発明では他の原料として、次の式（２）で表されるフッ素含有エステル化合物を使用する。
ＲｆＣＯＯＲ^３ （２）
上記式（２）において、Ｒｆは炭素数１〜４のポリフルオロアルキル基又はペルフルオロアルキル基（Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１：ｎは１〜４の整数）を表し、Ｒ^３は炭素数１〜８のアルキル基を表す。
好ましいＲ^３としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等の低級アルキル基が挙げられる。
好ましいフッ素含有エステル化合物（２）の具体例としては、トリフルオロ酢酸メチル、トリフルオロ酢酸エチル等が挙げられる。

さらに、本発明では他の原料として、次の式（３）で表されるケイ素化合物を使用する。
Ｒ^４Ｒ^５Ｒ^６ＳｉＣｌ （３）
上記式（３）において、Ｒ^４〜Ｒ^６は同一又は異なるものであり、各独立して炭素数１〜８のアルキル基又はフェニル基を表す。好ましいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等の低級アルキル基が挙げられるが、特にメチル基が好ましい。
好ましいケイ素化合物（３）の具体例としては、トリメチルシリルクロリド（ＴＭＳＣｌ）、トリエチルシリルクロリド、フェニルジメチルシリルクロリド等が挙げられる。

本発明では、有機溶媒中で、上記の式（１）で表されるケトン化合物を、還元剤の存在下に、上記の式（２）で表される含フッ素エステル化合物及び上記の式（３）で表されるケイ素化合物と反応させる。
この還元反応は、例えば次の反応式にしたがって進行し、ジヒドロベンゼン誘導体とベンゼン誘導体の混合物が得られるが、この混合物を一晩放置することによって全てがベンゼン誘導体に酸化される。この酸化反応は空気中の酸素によって自然に進行するが、積極的に過マンガン酸カリウム、テトラシアノ−１，４−ベンゾキノンのような酸化剤を加えるようにしてもよい。ついで、得られたアセタール化合物を脱シリル化剤で処理することによって、目的とする４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンを製造する。

アセタール化合物を処理する脱シリル化剤としては、テトラアルキルアンモニウムフルオリド、アルカリ金属フルオリド、酸又はアルカリ等を用いることができるが、好ましい脱シリル化剤としては、テトラブチルアンモニウムフルオリド（ｎＢｕ_４ＮＦ）のようなテトラアルキルアンモニウムフルオリドが挙げられる。
上記の反応において、反応に用いる化合物は全ての成分を予め混合させて反応させることができ、また一部の反応成分を後から滴下又は添加するようにしてもよい。各反応成分の好ましい使用割合は、ケトン化合物（１）１当量に対して、還元剤（Ｍｇ）１〜１５当量、含フッ素エステル化合物（２）１〜２０当量、ケイ素化合物（３）１〜１５当量程度である。

還元剤としては、金属、或いはサマリウム、イッテリビウム塩のような還元力のある金属塩を使用することができる。また、還元剤に代えて電極を用いて電気的に還元してもよい。特に好ましい還元剤としては、グリニヤール反応用の削状マグネシウムのような金属マグネシウムが挙げられる。

本発明によれば、式（１）で表される芳香族ケトンを出発原料として、ワンポットでポリフルオロアシル基のアセタールをベンゼン環に導入することができ、さらに得られたアセタールをテトラブチルアンモニウムフルオリドのような脱シリル化剤で処理することにより、ベンゼン環のパラ位に位置選択的にポリフルオロアシル基を導入した芳香族ジケトンを、簡便かつ効率的に得ることができる。
この反応は、通常は有機溶媒中で行われるが、好ましい有機溶媒としては非プロトン性極性溶媒、特にＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等が挙げられる。
また、反応温度は氷冷〜還流条件の範囲で、使用する原料等に応じて選択することができる。

次に実施例により本発明をさらに説明するが，以下の実施例は本発明を限定するものではない。
（実施例１）4’−トリフルオロアセチルイソブチロフェノンの合成

１００ｍＬ４つ口フラスコに、窒素雰囲気下でフラスコ中にＤＭＦ１０ｍＬ、金属マグネシウム０．３６ｇ（１５ｍｍｏｌ）、トリフルオロ酢酸エチル６．１４ｍＬ（１０ｍｍｏｌ）、トリメチルクロロシラン２．５４ｍＬ（２０ｍｍｏｌ）を加え、室温で４５分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてイソブチロフェノン０．７５ｍＬ（５ｍｍｏｌ）のＤＭＦ溶液（２０ｍＬ）を５分かけて滴下し、６時間撹拌した。４つ口フラスコに１Ｍ塩酸（５０ｍＬ）を加えて、３０分撹拌した。反応混合液を酢酸エチルで３回抽出し、１Ｍ塩酸で３回洗浄し、飽和重曹水、水及び飽和食塩水で１回ずつ洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、茶色の反応混合物１．８ｇを得た。この反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、透明な液体０．９ｇを得た（収率６３％）。得られたアセタール（１．６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２０ｍＬ）を４つ口フラスコに加え、−１０℃で１Ｍテトラブチルアンモニウムフルオリド（０．４ｅｑ．ｍｏｌ，ＴＨＦ溶液）を滴下し、３０分撹拌した。その後、溶液を１００ｍＬの氷水に加え、３０ｍＬ酢酸エチルで抽出した。水層を酢酸エチルで２回抽出し、飽和食塩水で３回洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、茶色の反応混合物０．５１ｇを得た。この反応物を蒸留により精製し、透明な液体を０．２６ｇ得た（収率６２％）。得られた化合物の物性値を以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：０．９５（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），３．２７（１Ｈ，ｓｅｐｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），７．７９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．８８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）.
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１８．７７，３６．０５，１１６．４２（ｑ，^１Ｊ_ＣＦ＝２９１．０Ｈｚ），１２８．６８，１３０．３５（ｑ，^３Ｊ_ＣＦ＝１．８Ｈｚ），１３２．６０，１４１．２９，１８０．５６（ｑ，^２Ｊ_ＣＦ＝３６．０Ｈｚ），２０３．４７.
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：−７２．０５．
ＩＲ（Ｎｅａｔ）：３０２３，２９７７，１７２６，１６８９，１２１４，８５７，７５９（ｃｍ^−１）.

（実施例２）4−トリフルオロアセチルフェニル第３級ブチルケトンの合成

上記実施例１において、イソブチロフェノンに代えて第３級ブチルフェニルケトンを使用し、実施例１と同様の処理を行い、4−トリフルオロアセチルフェニル第３級ブチルケトン（全収率58％）を得た。得られた化合物の物性値を以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１．２９（９Ｈ，ｓ），７．６９（２Ｈ，d，Ｊ＝８．０Ｈｚ），８．０６（２Ｈ，d，Ｊ＝８．０Ｈｚ）.
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：２７．３９，４４．４２，１１６．４４（ｑ，^１Ｊ_ＣＦ＝２９０．０Ｈｚ），１２７．７２，１２９．８４（ｑ，^３Ｊ_ＣＦ＝２．０Ｈｚ），１３０．０８，１４５．３３，１７９．９１（ｑ，^２Ｊ_ＣＦ＝３５．０Ｈｚ），２０９．１２．
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：−７２．７８．
ＩＲ（Ｎｅａｔ）ν（ｃｍ^−１）：３４３０，２９７５，２８７５，１７２５，１６８４，１１９２，９４２，８５４．

（実施例３）シクロヘキシル4−トリフルオロアセチルフェニルケトンの合成

上記実施例１において、イソブチロフェノンに代えてシクロヘキシルフェニルケトンを使用し、実施例１と同様の処理を行い、シクロヘキシル4−トリフルオロアセチルフェニルケトン（全収率62％）を得た。得られた化合物の物性値を以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１．１８〜１．８４（１０Ｈ，ｍ），３．１８（１Ｈ，ｍ），７．９９（２Ｈ，d，Ｊ＝４．０Ｈｚ），８．０８（２Ｈ，d，Ｊ＝４．０Ｈｚ）．
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：２５．６５，２５．７７，２９．１０，４６．１４，１１６．４３（ｑ，^１Ｊ_ＣＦ＝２９０．０Ｈｚ），１２７．５３，１２９．４８（ｑ，^３Ｊ_ＣＦ＝１．０Ｈｚ），１３２．５２，１４１．３４，１８０．０７（ｑ，^２Ｊ_ＣＦ＝３５．０Ｈｚ），２０２．９４．
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：−７２．００．
ＩＲ（Ｎｅａｔ）ν（ｃｍ^−１）：３４２７，２９３５，２８５７，１７２５，１６８６，８６０，７４９．

（実施例４）２−エチル−１−（４’−トリフルオロアセチルフェニル）−１−ブタノンの合成

上記実施例１において、イソブチロフェノンに代えて２−エチル−１−フェニル−１−ブタノンを使用し、実施例１と同様の処理を行い、２−エチル−１−（４’−トリフルオロアセチルフェニル）−１−ブタノン（全収率５９％）を得た。得られた化合物の物性値を以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：０．８９（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．６０（２Ｈ，ｍ），１．８１（２Ｈ，ｍ），３．３１（１Ｈ，ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）８．０８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），８，１７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）.
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１１．７３，２４．５３，４９．８２，１１６．４３（ｑ，^１Ｊ_ＣＦ＝２９１．３Ｈｚ），１２８．４９，１３０．４０，１３２．５７，１４２．６７，１８０．０７（ｑ，^２Ｊ_ＣＦ＝３５．６Ｈｚ），２０３．６７.
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：−７１．６８.
ＩＲ（Ｎｅａｔ）：３４３０，２９６８，１７２６，１６８６，１２０８，８４７，７６１（ｃｍ^−１）.

（実施例５）２’−メチル−４’−トリフルオロアセチルイソブチロフェノンの合成

上記実施例１において、イソブチロフェノンに代えて２’−メチルイソブチロフェノンを使用し、実施例１と同様の処理を行い、２’−メチル−４’−トリフルオロアセチルイソブチロフェノン（全収率３８％）を得た。得られた化合物の物性値を以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１．１９（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），２．４６（３Ｈ，ｓ），３．２７（１Ｈ，ｓｅｐｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），７．５４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．９４（２Ｈ，ｍ）.
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１７．９６，２０．２０，３９．６９，１１６．５０（ｑ，^１Ｊ_ＣＦ＝２９１．４Ｈｚ），１２７．０８，１２７．４２，１３０．７５，１３２．６９，１３７．６１，１４５．５６，１８０．０９（ｑ，^２Ｊ_ＣＦ＝３５．６Ｈｚ），２０８．７０.
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：−７１．４６.
ＩＲ（Ｎｅａｔ）：３４２７，２９７３，１７２２，１６９９，１２１４，８４１，７３７（ｃｍ^−１）.

（実施例６）４’−トリフルオロアセチルイソバレロフェノンの合成

上記実施例１において、イソブチロフェノンに代えてイソバレロフェノンを使用し、実施例１と同様の処理を行い、４’−トリフルオロアセチルイソバレロフェノン（全収率３０％）を得た。得られた化合物の物性値を以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１．０１（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），２．３０（１Ｈ，ｍ），２．８８（２Ｈ，ｄ，６．８Ｈｚ），８．０８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），８．１６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）.
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：２２．６２，２４．９７，４７．８９，１１６．４１（ｑ，^１Ｊ_ＣＦ＝２９１．４Ｈｚ），１２８．４５，１３０．３３，１３２．６６，１４２．１２，１８０．０７（ｑ，^２Ｊ_ＣＦ＝３６．４Ｈｚ），１９９．２６.
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：−７１．６９.
ＩＲ（Ｎｅａｔ）：３４２９，２９６１，１７２５，１６９２，１２０６，８５１，７６３（ｃｍ^−１）.

Claims (8)

1. 有機溶媒中で、次の式（１）
   Ｒ^１ＣＯＲ^２ （１）
   （式中、Ｒ^１は炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜８のシクロアルキル基を表し；Ｒ^２はフェニル基、置換フェニル基を表す。）
   で表されるケトン化合物を、還元剤の存在下に、次の式（２）
   ＲｆＣＯＯＲ^３ （２）
   （式中、Ｒｆは炭素数１〜４のポリ又はペルフルオロアルキル基を表し、Ｒ^３は炭素数１〜８のアルキル基を表す。）
   で表されるフッ素含有エステル化合物、及び次の式（３）
   Ｒ^４Ｒ^５Ｒ^６ＳｉＣｌ （３）
   （式中、Ｒ^４〜Ｒ^６は、各独立して炭素数１〜８のアルキル基又はフェニル基を表す。）
   で表されるケイ素化合物と反応させて得られるアセタール化合物を、脱シリル化剤で処理することを特徴とする、次の式（４）で表される４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法：
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲｆは上記と同じものを表し；Ｒは水素原子又は置換基；ｎは１〜４の整数を表す。）
2. 前記式（２）で表されるフッ素含有エステル化合物として、トリフルオロ酢酸エステルを使用することを特徴とする請求項１に記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
3. 前記還元剤が金属マグネシウムであることを特徴とする請求項１又は２に記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
4. 前記式（３）で表されるケイ素化合物がトリメチルシリルクロリドであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
5. 前記脱シリル化剤がテトラブチルアンモニウムフルオリドであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
6. 反応を氷冷〜還流条件下で行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトンの製造方法。
7. 次の式（４）で表される４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトン：
   

   

   （式中、Ｒ^１は炭素数２〜８のアルキル基又は炭素数３〜８のシクロアルキル基を表し；Ｒｆは炭素数１〜４のポリ又はペルフルオロアルキル基を表し；Ｒは水素原子又は置換基；ｎは１〜４の整数を表す。）
8. 前記式（４）において、Ｒｆが−ＣＦ_３、Ｒが水素原子又はメチル基であることを特徴とする請求項７に記載の４−ポリフルオロアシルフェニルアルキルケトン。