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CN201010151515.3A CN101853780B (zh) 2009-03-30 2010-03-23 离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法
US14/012,035 US8845913B2 (en) 2009-03-30 2013-08-28 Ion radiation damage prediction method, ion radiation damage simulator, ion radiation apparatus and ion radiation method

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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5428450B2 (ja) * 2009-03-30 2014-02-26 ソニー株式会社 イオン照射ダメージの予測方法とイオン照射ダメージのシミュレータ、およびイオン照射装置とイオン照射方法
US8234295B2 (en) * 2009-06-03 2012-07-31 International Business Machines Corporation Managing uncertain data using Monte Carlo techniques
EP2549523A4 (en) * 2010-03-16 2016-03-30 Mizuho Information & Res Inst SYSTEM, METHOD AND PROGRAM FOR PREDICTING A FINAL FORM FROM A PLASMA PROCESSING
JP5450275B2 (ja) * 2010-06-14 2014-03-26 株式会社東芝 パターン寸法算出方法およびパターン寸法算出プログラム
JP5732843B2 (ja) * 2010-12-21 2015-06-10 ソニー株式会社 シミュレータ、加工装置、ダメージ評価方法、及び、ダメージ評価プログラム
JP5685762B2 (ja) * 2011-03-07 2015-03-18 みずほ情報総研株式会社 プラズマ加工形状シミュレーション装置及びプログラム
US9905443B2 (en) * 2011-03-11 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same
US8816281B2 (en) * 2011-03-28 2014-08-26 Tokyo Electron Limited Ion energy analyzer and methods of manufacturing the same
US9064808B2 (en) 2011-07-25 2015-06-23 Synopsys, Inc. Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same
US8609550B2 (en) * 2011-09-08 2013-12-17 Synopsys, Inc. Methods for manufacturing integrated circuit devices having features with reduced edge curvature
US9287097B2 (en) * 2011-11-30 2016-03-15 Sony Corporation Predicting ultraviolet ray damage with visible wavelength spectroscopy during a semiconductor manufacturing process
JP6065612B2 (ja) * 2012-06-28 2017-01-25 ソニー株式会社 シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、加工装置およびシミュレータ
US9284218B1 (en) * 2012-06-29 2016-03-15 Corning Incorporated Methods for chemically strengthening glass articles
US8909588B2 (en) * 2012-09-12 2014-12-09 Numerica Corp. Method and system for propagating the state of an object and its uncertainty
JP5974840B2 (ja) * 2012-11-07 2016-08-23 ソニー株式会社 シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、シミュレータ、加工装置、半導体装置の製造方法
JP6034700B2 (ja) * 2013-01-09 2016-11-30 株式会社東芝 形状シミュレーション装置、形状シミュレーション方法、および形状シミュレーションプログラム
US10534355B2 (en) * 2015-02-20 2020-01-14 Sony Semiconductor Solutions Corporation Information processing device, processing device, prediction method, and processing method
JP6693133B2 (ja) * 2016-01-13 2020-05-13 ソニー株式会社 成膜シミュレーション方法、プログラム、および半導体加工システム
US20170364624A1 (en) * 2016-06-16 2017-12-21 Toshiba Memory Corporation Method of calculating processed depth and storage medium storing processed-depth calculating program
JP2020509431A (ja) * 2017-02-22 2020-03-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． コンピュータによる計測
JP2019036655A (ja) * 2017-08-18 2019-03-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 エッチング方法およびエッチング加工装置
US11520953B2 (en) * 2018-05-03 2022-12-06 Lam Research Corporation Predicting etch characteristics in thermal etching and atomic layer etching
US11139402B2 (en) 2018-05-14 2021-10-05 Synopsys, Inc. Crystal orientation engineering to achieve consistent nanowire shapes
CN110120248B (zh) * 2019-04-08 2020-12-25 中国科学院合肥物质科学研究院 模拟纳米晶金属累积离位损伤的方法
US11264458B2 (en) 2019-05-20 2022-03-01 Synopsys, Inc. Crystal orientation engineering to achieve consistent nanowire shapes
KR102180979B1 (ko) * 2019-08-19 2020-11-19 참엔지니어링(주) 처리 장치 및 방법
CN111460655B (zh) * 2020-03-31 2023-10-20 湘潭大学 重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置
CN111554354B (zh) * 2020-04-21 2023-03-24 湘潭大学 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法
CN113984275B (zh) * 2021-12-24 2022-05-10 北京凯世通半导体有限公司 一种通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法
CN115410665A (zh) * 2022-08-23 2022-11-29 上海大学 一种czt辐照损伤模拟准确性的验证方法
CN115828614A (zh) * 2022-12-19 2023-03-21 台州学院 一种基于蒙特卡罗方法的原子氧掏蚀反应的模拟方法、设备和存储介质
JP7726953B2 (ja) * 2023-06-30 2025-08-20 日本電子株式会社 試料加工システム、画像生成装置、および画像生成方法
CN119989740B (zh) * 2025-04-11 2025-07-18 全芯智造技术有限公司 用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115071A (ja) 1993-10-15 1995-05-02 Hitachi Ltd 半導体装置の設計方法
JP3546596B2 (ja) * 1996-06-04 2004-07-28 ソニー株式会社 表面形状のシミュレーション方法
US6029079A (en) * 1997-05-22 2000-02-22 Regents Of The University Of California Evaluated teletherapy source library
US6151532A (en) * 1998-03-03 2000-11-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles
KR100327337B1 (ko) * 1999-08-17 2002-03-06 윤종용 반도체 장치 제조에서 사용되는 플라즈마에 의해서 유기되는전하 대전 정도를 판별하는 방법 및 이에 이용되는 판별장치
JP3540223B2 (ja) * 1999-11-24 2004-07-07 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 イオン注入シミュレーションのパラメータ抽出方法、記録媒体
US7135676B2 (en) * 2000-06-27 2006-11-14 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
WO2002045153A1 (fr) * 2000-12-01 2002-06-06 Ebara Corporation Procede et appareil d'inspection utilisant un faisceau d'electrons, et procede de production de dispositif utilisant celui-ci
JP2003092237A (ja) * 2001-07-12 2003-03-28 Toshiba Corp 危険プロセス／パターン検出システム、危険プロセス／パターン検出方法、危険検出プログラム、及び半導体装置の製造方法
US7238597B2 (en) * 2002-09-27 2007-07-03 Brontek Delta Corporation Boron ion delivery system
US7245356B2 (en) * 2003-02-11 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for optimizing illumination using a photolithographic simulation
JP4068481B2 (ja) * 2003-02-28 2008-03-26 株式会社東芝 シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、シミュレーション装置および表面反応装置
JP4504027B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-14 株式会社東芝 イオン注入シミュレーション装置、イオン注入シミュレーション方法及びイオン注入シミュレーションプログラム
CN1661368A (zh) * 2004-02-26 2005-08-31 富士通株式会社 确定离子分布的快速预测方法
JP4745035B2 (ja) * 2005-11-24 2011-08-10 株式会社東芝 シミュレーション装置、シミュレーションプログラムおよびシミュレーション方法
CN101432865A (zh) * 2006-03-21 2009-05-13 瓦里安半导体设备公司 具有原位监视和过程参数调谐的等离子体处理方法
US7571420B2 (en) * 2007-02-16 2009-08-04 Intel Corporation Dynamic sampling with efficient model for overlay
US7673278B2 (en) * 2007-11-29 2010-03-02 Tokyo Electron Limited Enhanced process yield using a hot-spot library
JP2010161259A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Toshiba Corp プロセスシミュレーションプログラム、プロセスシミュレーション方法、プロセスシミュレータ
JP5428450B2 (ja) * 2009-03-30 2014-02-26 ソニー株式会社 イオン照射ダメージの予測方法とイオン照射ダメージのシミュレータ、およびイオン照射装置とイオン照射方法
US8557612B2 (en) * 2009-06-26 2013-10-15 California Institute Of Technology Method for fabricating micro and nanostructures in a material

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