JP2010232433A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板に素子分離溝を形成し、前記素子分離溝の内部に、前記素子分離溝を埋め込むように、シリコン化合物膜を形成し、第1の温度での第1の酸化処理により、前記シリコン化合物膜の表面を、酸化剤及び不純物の通過を許容しつつもシリコン原子を含む揮発物が通過不可能な揮発物放出防止層に、改質し、前記第1の温度よりも高い第2の温度での第2の酸化処理により、前記素子分離溝の内部に、塗布型酸化シリコン膜を形成する。
【選択図】図6
Description
(1)膜密度が低い。
(2)膜中の不純物が多い。
シリコン化合物としてポリシラザンを、このポリシラザンが溶解する溶媒としてジブチルエーテルを、用いて、先に説明した方法で、シリコン化合物膜としてポリシラザン膜を形成した。次に、このポリシラザン膜に対して、酸化剤の存在の下、温度を上げながら加熱し、ポリシラザン膜から放出する揮発物の分子量と、分子量ごとの揮発物の圧力とを、測定した。この揮発物の圧力は、揮発物の放出した積算量と比例するものである。
ここでは、塗布型酸化シリコン膜の収縮を、ポリシラザン膜(シリコン化合物膜)と、その後、高温酸化処理をして得られた塗布型酸化シリコン膜と、の膜厚を測定し比較することによって、調べた。収縮を表す指標として、収縮率、詳細には、ポリシラザン膜の膜厚と、その後高温酸化処理して得られた塗布型酸化シリコン膜の膜厚との差を、ポリシラザン膜の膜厚で割ったものを用いる。
ここでは、例として、本発明の実施の一形態をNAND型フラッシュメモリの製造方法として説明する。しかしながら、本発明は、NAND型フラッシュメモリの製造方法に限られるものではない。
図2は、本発明の第1の実施形態の半導体装置の概略的平面図(一部)である。より詳しくは、NAND型フラッシュメモリの概略的平面図(一部)である。なお、後で説明する第2から第5の実施形態における半導体装置の概略的平面図も図2と同一に表される。
第2の実施形態としては、トレンチ(素子分離溝)50の形成後であって、ポリシラザン溶液8を半導体基板1表面全体に塗布する前に、不純物拡散防止膜(酸化シリコン膜)7を形成するものである。不純物拡散防止膜7が、各メモリセル60の側壁とトレンチ50の側壁と、を覆うように形成されることにより、塗布型酸化シリコン膜38に含まれる微量の不純物が、塗布型酸化シリコン膜38から、塗布型酸化シリコン膜38の両脇にあるメモリセル60へ拡散することを防止し、さらに、塗布型酸化シリコン膜38とトレンチ50の側壁との密着力を向上させて、NAND型フラッシュメモリの機械的強度を増加させるという効果を得ることができる。
先に説明した第1の実施形態では、揮発物放出防止層(酸化シリコン膜)28を形成する改質(第1の酸化処理)は、ポリシラザン溶液(シリコン化合物溶液)8をプリベーク(加熱処理)した後に行っていた。この第3の実施形態は、ポリシラザン溶液8をプリベークする前に、揮発物放出防止層28を形成するものである。
これまで説明した実施形態においては、第1の酸化処理としてオゾン酸化を用いて、揮発物放出防止層(酸化シリコン膜)28を形成した。この第4の実施形態は、これまで説明した実施形態と異なる別の方法によって、揮発物放出防止層28を形成するものである。より詳細には、酸素ラジカルをポリシラザン膜(シリコン化合物膜)18に照射することにより、ポリシラザン膜18の表面を酸化して、ポリシラザン膜18の表面に、酸化シリコンの揮発物放出防止層28を形成するものである。
これまで説明した実施形態においては、第1の酸化処理としてオゾン酸化や酸素ラジカル照射を用いて、揮発物放出防止層(酸化シリコン膜)28を形成した。この第5の実施形態は、これまで説明した実施形態と異なる別の方法によって、揮発物放出防止層28を形成するものである。さらに詳細には、酸素イオンをポリシラザン膜(シリコン化合物膜)18に注入することにより、ポリシラザン膜18の表面を酸化する改質(第1の酸化処理)を行い、揮発物放出防止層28を形成するものである。この第5の実施形態は、酸素イオンを注入する際の注入条件を変えることにより、形成する揮発物放出防止層28の厚さを容易に制御することができるという利点を有する。
2 ゲート絶縁膜(SiON膜)
3 フローティングゲート膜(Pドープ多結晶シリコン膜)
4 CMPストッパー膜(SiN膜)
5 マスク材料膜(酸化シリコン膜)
6 フォトレジスト膜材料
7 不純物拡散防止膜(酸化シリコン膜)
8 ポリシラザン溶液(シリコン化合物溶液)
9 ONO膜(酸化シリコン膜−シリコン窒化膜−酸化シリコン膜)
10 コントロールゲート電極膜(Pドープ多結晶Si膜)
11 WSi膜
12 SiN膜
16 フォトレジスト膜
15 ハードマスク
18 ポリシラザン膜(シリコン化合物膜)
26 フォトレジストパターン
28 揮発物放出防止層(酸化シリコン)
38 塗布型酸化シリコン膜(絶縁膜)
50 トレンチ(素子分離溝)
60 メモリセル
101 活性領域
102 ゲート電極
103 STI
Claims (5)
- 半導体基板に素子分離溝を形成し、
前記素子分離溝の内部に、前記素子分離溝を埋め込むように、シリコン化合物膜を形成し、
第1の温度での第1の酸化処理により、前記シリコン化合物膜の表面を、酸化剤及び不純物の通過を許容しつつもシリコン原子を含む揮発物が通過不可能な揮発物放出防止層に、改質し、
前記第1の温度よりも高い第2の温度での第2の酸化処理により、前記素子分離溝の内部に、塗布型酸化シリコン膜を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板に素子分離溝を形成し、
前記素子分離溝の内部に、前記素子分離溝を埋め込むように、シリコン化合物を溶媒中に溶解させたシリコン化合物溶液を塗布し、
第1の温度での第1の酸化処理により、前記シリコン化合物溶液の表面を、酸化剤、不純物及び前記溶媒の通過を許容しつつもシリコン原子を含む揮発物が通過不可能な揮発物放出防止層に、改質し、
加熱処理により、前記溶媒を、前記揮発物放出防止層を介して蒸発させて、前記揮発物放出防止層下の前記シリコン化合物溶液からシリコン化合物膜を形成し、
前記第1の温度よりも高い第2の温度での第2の酸化処理により、前記素子分離溝の内部に、塗布型酸化シリコン膜を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン化合物膜として、ポリシラザン膜及びHSQ膜のいずれかを形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の酸化処理は、オゾン酸化、酸素イオン注入及び酸素ラジカル照射のいずれかによって行うことを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記塗布型酸化シリコン膜を形成した後に、
第3の温度での第3の酸化処理を行い、
前記塗布型酸化シリコン膜に対して、前記第3の温度よりも高い温度での加熱処理を行う、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
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