JP2010232379A5 - 半導体基板の製造方法及び半導体基板 - Google Patents

Description

本発明は、例えば立方晶の炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）膜を有する半導体基板の製造方法及び半導体基板に関するものである。

Claims (5)

1. シリコン基板上に炭化珪素膜を形成する半導体基板の製造方法であって、
   前記シリコン基板上にバッファ層を形成する第１の工程と、
   前記バッファ層上にシリコン膜を形成する第２の工程と、
   前記シリコン膜を炭化して前記炭化珪素膜を形成する第３の工程と、
   を含み、
   前記バッファ層は、シリコンの格子定数と前記炭化珪素膜の格子定数との間の格子定数を有する金属酸化物で構成され、
   前記第３の工程は、炭化水素系ガスの雰囲気下で行われること、
   を特徴とする半導体基板の製造方法。
2. 前記炭化水素ガスの雰囲気は、真空環境の下に前記炭化水素系ガスを導入することで形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
3. 前記バッファ層は、二酸化ハフニウムで形成されている、請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
4. シリコン基板と、
   前記シリコン基板の上に配置されたバッファ層と、
   前記バッファ層の上に配置された炭化珪素膜と、
   を含み、
   前記バッファ層は、シリコンの格子定数と前記炭化珪素膜の格子定数との間の格子定数を有する金属酸化物で構成されることを特徴とする半導体基板。
5. 前記バッファ層は、二酸化ハフニウムを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体基板。