JP2010225999A - 化合物半導体の製造方法、化合物半導体発光素子の製造方法、化合物半導体製造装置、化合物半導体製造用治具 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機金属気相成長法を用いてIII族窒化物半導体の層を化合物半導体基板の被形成面に形成するMOCVD装置において、化合物半導体基板を保持する基板保持体30を、SiCで形成された本体部31と、Si3N4で形成され、本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部32とで構成し、被形成面が外側を向くように化合物半導体基板を凹部30bに取り付け、基板保持体30をMOCVD装置の反応容器内に回転可能に取り付け、反応容器内にIII族窒化物半導体の原料ガスを供給してIII族窒化物半導体の層を形成する。
【選択図】図4
Description
このため、被形成体を保持する治具に対し、さらなる耐久性の向上が要請されていた。
また、被形成体を700℃以上1200℃以下に加熱することを特徴とすることができる。
また、保持体を回転可能に支持する支持体をさらに備え、被覆部は、保持体の支持体と対向する側の面に形成されることを特徴とすることができる。
図1は本実施の形態が適用される化合物半導体製造装置の一例としてのMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置1の断面構成を示す図である。また、図2は、図1に示すMOCVD装置1のII−II断面図である。
このMOCVD装置1は、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させるための基板110(後述する図5参照)やさらにその上に予め任意の組成の化合物半導体層を少なくとも1層形成してなる化合物半導体基板(一例として後述する化合物半導体基板40も挙げられ、本明細書ではこれらを被形成体ともいう)を任意に選ぶことができ、例えば化合物半導体基板40を用いる場合には、その結晶成長面が上方を向くように配置し、且つ、エピタキシャル成長を行わせる結晶の原料となる原料ガスを、化合物半導体基板40の上方から供給する所謂縦型の構成を有している。
これらのうち、反応容器10は、円筒状の形状を有し上方に向かう開口が形成されるとともにその内部に支持体20を収容する収容部11と、円板状の形状を有しこの収容部11の上部に取り付けられる蓋部12とを備える。
一方、収容部11の底面には、反応室内に供給された原料ガスを反応室の外部に排出するための複数の排気管が貫通形成されている。さらに、収容部11の底面中央部には、後述する軸21を通すための貫通孔も形成されている。
本実施の形態では、MOCVD装置1を用いて基板110上に予め任意の組成の化合物半導体層を形成した化合物半導体基板40上に、さらにIII族窒化物半導体層を形成する。このため、原料として、III族の元素を含む有機金属と窒素を含むアンモニアNH3とを使用する。ただし、有機金属は主として液体原料であるため、液体状の有機金属に窒素N2および水素H2にてバブリングを行い、得られた窒素N2および水素H2および有機金属を混合させてなる有機金属ガスMOを原料ガスとして供給する。本実施の形態では、供給管13より有機金属ガスMOおよびアンモニアNH3の供給を行う。
なお、支持体20の内部には、支持体20に設けられた6個の凹部の底面に向けて窒素N2を供給するためのガス供給口(図示せず)が形成されている。
そして、各基板保持体30は、それぞれが化合物半導体基板40を保持した状態で、上述した図示しない貫通孔を介して供給される窒素N2の流れにより、図2に示す矢印B方向に回転するようになっている。
基板110は、III族窒化物化合物半導体とは異なる材料から構成され、基板110上にIII族窒化物半導体結晶がエピタキシャル成長される。基板110を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化珪素(シリコンカーバイド:SiC)、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。これらの中でも、サファイア、炭化珪素が好ましい。
上述したように、基板110はIII族窒化物化合物半導体とは異なる材料から構成される。このため、図1に示すMOCVD装置1を用いて化合物半導体層100を成膜する前に、バッファ機能を発揮する中間層120を基板110上に設けておくことが好ましい。特に、中間層120が単結晶構造であることは、バッファ機能の面から好ましい。単結晶構造を有する中間層120を基板110上に成膜した場合、中間層120のバッファ機能が有効に作用し、中間層120上に成膜される下地層130と化合物半導体層100とは、良好な結晶性を持つ結晶膜となる。
中間層120は、Alを含有することが好ましく、III族窒化物であるAlNを含むことが特に好ましい。
下地層130に用いる材料としては、Gaを含むIII族窒化物(GaN系化合物半導体)が用いられ、特に、AlGaN、又はGaNを好適に用いることができる。下地層130の膜厚は0.1μm以上、好ましくは0.5μm以上、さらに好ましくは1μm以上である。
n型半導体層140は、n型コンタクト層140aおよびn型クラッド層140bから構成される。
ここで、n型コンタクト層140aとしては、下地層130と同様にGaN系化合物半導体が用いられる。また、下地層130およびn型コンタクト層140aを構成する窒化ガリウム系化合物半導体は同一組成であることが好ましく、これらの合計の膜厚を0.1μm〜20μm、好ましくは0.5μm〜15μm、さらに好ましくは1μm〜12μmの範囲に設定することが好ましい。
発光層150は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる障壁層150aと、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層150bとが交互に繰り返して積層され、且つ、n型半導体層140側及びp型半導体層160側にそれぞれ障壁層150aが配される順で積層して形成される。本実施の形態において、発光層150は、6層の障壁層150aと5層の井戸層150bとが交互に繰り返して積層され、発光層150の最上層及び最下層に障壁層150aが配され、各障壁層150a間に井戸層150bが配される構成となっている。
また、井戸層150bには、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体として、例えば、Ga1-sInsN(0<s<0.4)等の窒化ガリウムインジウムを用いることができる。
発光層150全体の膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚、即ち臨界膜厚領域であることが好ましい。例えば、発光層150の膜厚は、1nm〜500nmの範囲であることが好ましく、100nm前後の膜厚であればより好ましい。また、井戸層150bの膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚であることが好ましい。
p型半導体層160は、p型クラッド層160aおよびp型コンタクト層160bから構成される。p型クラッド層160aとしては、好ましくは、AldGa1-dN(0<d≦0.4)のものが挙げられる。p型クラッド層160aの膜厚は、好ましくは1nm〜400nmであり、より好ましくは5nm〜100nmである。
一方、p型コンタクト層160bとしては、AleGa1-eN(0≦e<0.5)を含んでなる窒化ガリウム系化合物半導体層が挙げられる。p型コンタクト層160bの膜厚は、特に限定されないが、10nm〜500nmが好ましく、より好ましくは50nm〜200nmである。
発光素子チップLCにおいては、p型半導体層160のp型コンタクト層160b上に透明正極170が積層され、さらにその上に正極ボンディングパッド180が形成されるとともに、n型半導体層140のn型コンタクト層140aに形成された露出領域140cに負極ボンディングパッド190が積層されている。
透明正極170を構成する材料としては、例えば、ITO(In2O3−SnO2)、AZO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−Ga2O3)等の従来公知の材料が挙げられる。また、透明正極170の構造は特に限定されず、従来公知の構造を採用することができる。透明正極170は、p型半導体層160上のほぼ全面を覆うように形成しても良く、格子状や樹形状に形成しても良い。
透明正極170上に形成される電極としての正極ボンディングパッド180は、例えば、従来公知のAu、Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Ta、Ni、Cu等の材料から構成される。正極ボンディングパッド180の構造は特に限定されず、従来公知の構造を採用することができる。
正極ボンディングパッド180の厚さは、例えば100nm〜2000nmの範囲内であり、好ましくは300nm〜1000nmの範囲内である。
負極ボンディングパッド190は、基板110上に成膜された中間層120および下地層130の上にさらに成膜された化合物半導体層100(n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160)において、n型半導体層140のn型コンタクト層140aに接するように形成される。このため、負極ボンディングパッド190を形成する際は、p型半導体層160、発光層150およびn型半導体層140の一部を除去し、n型コンタクト層140aの露出領域140cを形成し、この上に負極ボンディングパッド190を形成する。
負極ボンディングパッド190の材料としては、正極ボンディングパッド180と同じ組成・構造でもよく、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。
まず、所定の直径と厚さとを有するサファイア製の基板110を、図示しないスパッタリング装置にセットする。そして、スパッタリング装置にて、基板110上に、V族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで活性化して反応させることにより、III族窒化物からなる中間層120を形成する。
続いて、中間層120が形成された基板110を、図1に示すMOCVD装置1にセットする。具体的に説明すると、中間層120が外側に向かうように、各基板110を各基板保持体30にセットし、各基板110がセットされた各基板保持体30を、支持体20に設けられた各凹部に、中間層120が上方を向くように配置する。そして、MOCVD装置1を用いて中間層120の上に下地層130の形成を行い、化合物半導体基板40を得る。
図7は、化合物半導体基板40を出発材料とする積層半導体ウェハSWの製造方法を説明するためのフローチャートである。
まず、化合物半導体基板40を、図1に示すMOCVD装置1にセットする(ステップ201)。具体的に説明すると、下地層130が外側に向かうように、各基板110を各基板保持体30の凹部30bにセットし、各基板110がセットされた各基板保持体30を、支持体20に設けられた各凹部20bに、中間層120が上方を向くように配置する。そして、MOCVD装置1を用いて下地層130の上にn型コンタクト層140aを形成し(ステップ202)、n型コンタクト層140aの上にn型クラッド層140bを形成し(ステップ203)、n型クラッド層140bの上に発光層150すなわち障壁層150aと井戸層150bとを交互に形成し(ステップ204)、発光層150の上にp型クラッド層160aを形成し(ステップ205)、p型クラッド層160aの上にp型コンタクト層160bを形成し(ステップ206)、積層半導体ウェハSWを得る。
図7に示すプロセスによって得られた積層半導体ウェハSWのp型半導体層160上に透明正極170を積層し、その上に正極ボンディングパッド180を形成する。また、エッチング等を用いてn型コンタクト層140aに露出領域140cを形成し、この露出領域140cに負極ボンディングパッド190を設ける。
その後、基板110の中間層120の形成面とは反対の面を、所定の厚さになるまで研削及び研磨する。
そして、基板110の厚さが調整されたウェハを、例えば350μm角の正方形に切断することにより、発光素子チップLCを得る。
まず初めに、6枚の基板保持体30の凹部30bに、それぞれ1枚ずつ化合物半導体基板40をセットする。このとき、化合物半導体基板40の基板110側を凹部30bの底面と対向させることで、下地層130を外部に露出させるようにする。続いて、反応容器10の蓋部12を開け、それぞれに化合物半導体基板40がセットされた6枚の基板保持体30を、MOCVD装置1の支持体20に設けられた6個の凹部20bにセットする。このとき、基板保持体30の裏面側を凹部20bの底面と対向させることで、化合物半導体基板40の下地層130が上方を向くようにする。その後、保護部材60が取り付けられた蓋部12を閉じて収容部11と蓋部12とを密着させる。
ここでは、まず、図8(a)に示すように、本体部31すなわちSiCにて構成された基板保持体30を準備し、化合物半導体基板40を積載した状態で支持体20の凹部20bにセットする。そして、上述したMOCVD装置1の動作において説明したように、ガス供給口20cを介して窒素N2を供給することで、基板保持体30および化合物半導体基板40を矢印B方向に自転させ、且つ、軸21(図1参照)によって支持体20を回転させることで、基板保持体30および化合物半導体基板40を矢印A方向(図1参照)に回転させる。なお、このとき、基板保持体30は、窒素N2の気流によって支持体20の凹部20bに浮き上がる。さらに、加熱部50(図1参照)により、支持体20を介して基板保持30および化合物半導体基板40を700℃〜1200℃の範囲に加熱する。そして、原料ガスの供給を行って、化合物半導体基板40上に化合物半導体層100の製膜を行う。
Claims (11)
- 有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を被形成体の被形成面に形成する化合物半導体の製造方法であって、
SiCで形成された本体部と、Si3N4で形成され、前記本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部とを有する保持体に、前記被形成面が外側を向くように前記被形成体を取り付け、
前記保持体を反応容器内に回転可能に取り付け、
前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給すること
を特徴とする化合物半導体の製造方法。 - 前記保持体に設けられた凹部に前記被形成体を取り付けるとともに、
前記保持体の前記凹部とは反対側の面から窒素を供給することで当該保持体を回転させること
を特徴とする請求項1記載の化合物半導体の製造方法。 - 前記被形成体を700℃以上1200℃以下に加熱することを特徴とする請求項1または2記載の化合物半導体の製造方法。
- 有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を被形成体の被形成面に形成する化合物半導体の製造方法であって、
SiCで形成される保持体に、前記被形成面が外側を向くように前記被形成体を取り付け、
前記保持体を反応容器内に回転可能に取り付け、
前記保持体に窒素を供給することにより当該保持体を回転させ、
前記保持体に保持された前記被形成体を700℃以上1200℃以下に加熱することで前記保持体の外周面の少なくとも一部を窒化させ、
前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給すること
を特徴とする化合物半導体の製造方法。 - 前記化合物半導体はIII族窒化物半導体であることを特徴とする請求項4記載の化合物半導体の製造方法。
- 有機金属気相成長法を用いてn型半導体層、発光層およびp型半導体層を順次積層してなる化合物半導体の層を被形成体の被形成面に形成する化合物半導体発光素子の製造方法であって、
SiCで形成された本体部と、Si3N4で形成され、前記本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部とを有する保持体に、前記被形成面が外側を向くように前記被形成体を取り付け、
前記保持体を反応容器内に回転可能に取り付け、
前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給すること
を特徴とする化合物半導体発光素子の製造方法。 - 有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を被形成体の被形成面に形成する化合物半導体製造装置であって、
反応容器と、
外部から前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、
前記反応容器内に配置され、前記被形成面が外側を向くように前記被形成体を保持する保持体と
を備え、
前記保持体は、
SiCで形成される本体部と、
Si3N4で形成され、前記本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部と
を有することを特徴とする化合物半導体製造装置。 - 前記保持体は、前記本体部と前記被形成体を収容する凹部とを備え、
前記被覆部は、前記保持体の前記凹部とは反対側の面に形成されることを特徴とする請求項7記載の化合物半導体製造装置。 - 前記保持体を回転可能に支持する支持体をさらに備え、
前記被覆部は、前記保持体の前記支持体と対向する側の面に形成されることを特徴とする請求項7記載の化合物半導体製造装置。 - 有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を被形成体の被形成面に形成する化合物半導体製造装置で用いられる化合物半導体製造用治具であって、
SiCで形成された本体部と、
Si3N4で形成され、前記本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部と、
前記被形成体が取り付られる凹部と
を有することを特徴とする化合物半導体製造用治具。 - 前記被覆部は、前記本体部の前記凹部とは反対側の面に形成されることを特徴とする請求項10記載の化合物半導体製造用治具。
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