JP2009249199A - 窒化アルミニウム単結晶の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】エネルギー負荷を高めることなく成長速度を速めて窒化アルミニウム単結晶を作製することが可能な窒化アルミニウム単結晶の製造装置を提供すること。
【解決手段】上部に開口部を有し、内部空間3aの底面側に原料22を収納する反応室3と、該開口部を塞ぐサセプタ4とからなる加熱炉本体、内部空間3aへ外部からプロセスガスを導入する第一ガス供給手段5a、及び内部空間3aへ外部からキャリアガスを導入する第二ガス供給手段5b、を少なくとも備え、第一ガス供給手段5aが内部空間3aに開口するように反応室3の側壁に設けられた第一導入部5Aと、第二ガス供給手段5bが内部空間3aに開口するように反応室3の側壁に設けられた第二導入部5Bとが、サセプタ4から原料22の方向に見て順に配置されていること。
【選択図】図1
【解決手段】上部に開口部を有し、内部空間3aの底面側に原料22を収納する反応室3と、該開口部を塞ぐサセプタ4とからなる加熱炉本体、内部空間3aへ外部からプロセスガスを導入する第一ガス供給手段5a、及び内部空間3aへ外部からキャリアガスを導入する第二ガス供給手段5b、を少なくとも備え、第一ガス供給手段5aが内部空間3aに開口するように反応室3の側壁に設けられた第一導入部5Aと、第二ガス供給手段5bが内部空間3aに開口するように反応室3の側壁に設けられた第二導入部5Bとが、サセプタ4から原料22の方向に見て順に配置されていること。
【選択図】図1
Description
本発明は窒化アルミニウム単結晶の製造装置に係り、より詳しくは、窒化アルミニウム単結晶の成長速度の向上を図った窒化アルミニウム単結晶の製造装置に関する。
近年、III族窒化物半導体に関与した研究開発の進展は目覚しく、青色、紫外発光デバイスが市販されるまでに至っている。GaN系LEDのデバイスは、種子基板上に有機金属気相成長法(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy,MOVPE)により作製されている。
現在、種子基板としては主にサファイアが用いられているが、熱伝導率が40Wm−1K−1と低く、放熱性に乏しい。また、GaN系発光材料との格子不整合が13.8%と大きいため、ミスフィット転位の発生が避けられない。GaN系LEDはさらなる高輝度が進むと予測されるが、輝度を上げるにはより高い投入電力が必要であることから、多量の熱が発生してしまう。加えて、転位密度が低く、高結晶性であるほど輝度は上昇する。したがって、高輝度化に向けてはサファイアより熱伝導率が高く、格子不整合の小さい基板材料が求められている。
窒化アルミニウム(AlN)単結晶は、熱伝導率が290Wm−1K−1と非常に高く、GaNとの格子不整合が2.4%と小さいため、GaN系、特に、より格子不整合の小さいAlGaN系半導体の基板材料として期待されている。窒化アルミニウム単結晶の作製方法は、溶液法ではフラックス法が、気相法では、MOVPE、水素化物気相堆積法(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)、昇華法などが挙げられる。この中でも昇華法は、一般的に成長速度が大きいため、バルク結晶の作製に対して有力な方法である。この昇華法とは、原料である窒化アルミニウムを昇華させ、それを昇華温度より低い温度域で再凝縮させ、単結晶を作製する方法である。
昇華法による窒化アルミニウム単結晶作製の作製は、例えば特許文献1〜2や、非特許文献1に示されており、原料として窒化アルミニウム粉末が用いられ、雰囲気ガスとして窒素ガスがそれぞれ用いられている。実験では、窒化アルミニウム原料を加熱して昇華させるが、雰囲気ガスとして窒素を用いていると、下記式(A)に示す化学平衡の右側への移行、すなわち、窒化アルミニウムの昇華速度が抑制されるという課題がある。
窒化アルミニウム原料は通常2000℃と極めて高温で昇華させるため、電気炉に投入する電力が非常に大きい。しかし、窒化アルミニウム原料の雰囲気ガスとして窒素を使うと、成長速度を上げるために昇華速度を増加させるには、上記の理由により昇華温度をさらに上げる必要があり、エネルギー負荷が高くなってしまう。
特開2005−343722号公報
特開2006−169023号公報
R.Schlesser, R. Dalmau, and Z. Sitar, Journal of Crystal Growth 241(2002), pp.416-420
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、エネルギー負荷を高めることなく成長速度を速めて窒化アルミニウム単結晶を作製することが可能な窒化アルミニウム単結晶の製造装置を提供することを目的とする。
本発明の請求項1に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置は、上部に開口部を有し、内部空間の底面側に原料を収納する反応室と、該開口部を塞ぐサセプタとからなる加熱炉本体、前記内部空間へ外部からプロセスガスを導入する第一ガス供給手段、及び前記内部空間へ外部からキャリアガスを導入する第二ガス供給手段、を少なくとも備え、前記第一ガス供給手段が前記内部空間に開口するように前記反応室の側壁に設けられた第一導入部と、前記第二ガス供給手段が前記内部空間に開口するように前記反応室の側壁に設けられた第二導入部とが、前記サセプタから前記原料の方向に見て、順に配置されていることを特徴とする。
本発明の請求項2に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置は、請求項1において、前記第一導入部と前記第二導入部との間にあって、前記第一導入部が配された第一空間と前記第二導入部が配された第二空間とに前記内部空間を隔てるような間隙が、前記第一空間と前記第二空間とを連通する連通部を有して配されていることを特徴とする。
本発明の請求項2に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置は、請求項1において、前記第一導入部と前記第二導入部との間にあって、前記第一導入部が配された第一空間と前記第二導入部が配された第二空間とに前記内部空間を隔てるような間隙が、前記第一空間と前記第二空間とを連通する連通部を有して配されていることを特徴とする。
本発明の製造装置によれば、原料である窒化アルミニウムが昇華する部位には、キャリアガスが流入する。したがって、該原料が昇華する際にプロセスガスである窒素ガスと反応することがないため、効率よく原料の窒化アルミニウムを昇華させることが可能となる。ゆえに、エネルギー負荷を高めることなく窒化アルミニウムの結晶成長速度の向上が図れる。
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に関わる窒化アルミニウム単結晶の製造装置9Aの一例を模式的に示した断面図である。
本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造装置9Aは、上部に開口部を有し、内部空間3aの底面側に原料22を収納する反応室3と、該開口部を塞ぐサセプタ4とからなる加熱炉本体、内部空間3aへ外部からプロセスガスを導入する第一ガス供給手段5a、及び内部空間3aへ外部からキャリアガスを導入する第二ガス供給手段5b、から概略構成されている。また、第一ガス供給手段5aが内部空間3aに開口するように反応室3の側壁に設けられた第一導入部5Aと、第二ガス供給手段5bが内部空間3aに開口するように反応室3の側壁に設けられた第二導入部5Bとが、サセプタ4から原料22の方向に見て、順に配置されている。さらに、加熱炉本体内に配された原料22と、サセプタ4と、サセプタ4に配された種子基板11とを加熱する加熱手段7が加熱炉本体に沿って、配されている。加熱炉本体は、支持手段2により、所定の位置に配置され、上記加熱炉本体、加熱手段7、及び支持手段2は、真空ポンプ6が設けられたチャンバー1内に配されている。
図1は、本発明の第1実施形態に関わる窒化アルミニウム単結晶の製造装置9Aの一例を模式的に示した断面図である。
本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造装置9Aは、上部に開口部を有し、内部空間3aの底面側に原料22を収納する反応室3と、該開口部を塞ぐサセプタ4とからなる加熱炉本体、内部空間3aへ外部からプロセスガスを導入する第一ガス供給手段5a、及び内部空間3aへ外部からキャリアガスを導入する第二ガス供給手段5b、から概略構成されている。また、第一ガス供給手段5aが内部空間3aに開口するように反応室3の側壁に設けられた第一導入部5Aと、第二ガス供給手段5bが内部空間3aに開口するように反応室3の側壁に設けられた第二導入部5Bとが、サセプタ4から原料22の方向に見て、順に配置されている。さらに、加熱炉本体内に配された原料22と、サセプタ4と、サセプタ4に配された種子基板11とを加熱する加熱手段7が加熱炉本体に沿って、配されている。加熱炉本体は、支持手段2により、所定の位置に配置され、上記加熱炉本体、加熱手段7、及び支持手段2は、真空ポンプ6が設けられたチャンバー1内に配されている。
加熱炉本体3,4、温度調節手段7、支持手段2、チャンバー1、及び真空ポンプ6としては、特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。
第一ガス供給手段5aは、チャンバー1外から反応室3内にプロセスガスである窒素ガスを導入するものである。第一ガス供給手段5aの導入部5Aは、反応室3側壁にあって、第二ガス供給手段5bの導入部5Bよりもサセプタ4側に設けられている。
第二ガス供給手段5bは、チャンバー1外から反応室3内にキャリアガスを導入するものである。第二ガス供給手段5bの導入部5Bは、反応室3側壁にあって、原料22近傍に設けられている。
キャリアガスとしては、窒化アルミニウムに対して不活性なガスを用い、アルゴンガスや水素ガスなどが好ましい。
このように、第二ガス供給手段5bの導入部5Bが原料22近傍に設けられ、この導入部5Bから導入されたキャリアガスが原料22表面を覆うことで、原料22が昇華する際に、プロセスガスである窒素ガスが原料22と反応できなくなり、効率よく、原料22を昇華させることが可能となる。
キャリアガスとしては、窒化アルミニウムに対して不活性なガスを用い、アルゴンガスや水素ガスなどが好ましい。
このように、第二ガス供給手段5bの導入部5Bが原料22近傍に設けられ、この導入部5Bから導入されたキャリアガスが原料22表面を覆うことで、原料22が昇華する際に、プロセスガスである窒素ガスが原料22と反応できなくなり、効率よく、原料22を昇華させることが可能となる。
原料22としては、粉末状やペレット状、多結晶体を破砕した破片などの窒化アルミニウム用いることができる。
種子基板11は、サセプタ4が原料22と対向する面に配された炭化ケイ素やサファイア、製造するべき単結晶(化合物半導体結晶)からなる基板であり、結晶方位が既知であり、所望の結晶方位が得られるようにサセプタ4に取り付けられる。なお、サセプタ4の種子基板11が配される面と種子基板11の被堆積面11aとは水平となるように配されている。
<第2実施形態>
図2は、本発明の第2実施形態に係る窒化アルミニウム単結晶の製造装置9Bを模式的に示した断面図である。本実施形態が第1実施形態と異なる点は、隔壁8が反応室3内に設けられている点である。
図2は、本発明の第2実施形態に係る窒化アルミニウム単結晶の製造装置9Bを模式的に示した断面図である。本実施形態が第1実施形態と異なる点は、隔壁8が反応室3内に設けられている点である。
隔壁8は、第一導入部5Aと第二導入部5Bとの間にあって、内部空間3aを第一導入部5Aが配された第一空間3bと第二導入部5Bが配された第二空間3cとに隔てている。また隔壁8は、第一空間3bと第二空間3cとを連通する連通部8aを有している。
隔壁8を設けることで、プロセスガスは原料22が配された第二空間3cへと流入し難くなり、該プロセスガスが原料22と接触することをより効果的に抑制することが可能となる。このような隔壁8としては、反応室3と同様な材質のもので構成することができる。また、連通部8aの大きさは、昇華したガスが第一空間3bに十分に流入できる程度であれば、特に限定されるものではない。
隔壁8を設けることで、プロセスガスは原料22が配された第二空間3cへと流入し難くなり、該プロセスガスが原料22と接触することをより効果的に抑制することが可能となる。このような隔壁8としては、反応室3と同様な材質のもので構成することができる。また、連通部8aの大きさは、昇華したガスが第一空間3bに十分に流入できる程度であれば、特に限定されるものではない。
次に、本発明の製造装置を用いた、窒化アルミニウム単結晶の製造方法を説明する。
まず、窒化アルミニウムの粉末や焼結体などの原料22を反応室3下部にセットし、種子基板11をサセプタ4に水平に配して加熱炉本体を密閉する。
次いで、真空ポンプ6により真空排気した後、第二ガス供給手段5bによりアルゴンガスや水素ガスなどのキャリアガスを加熱炉本体内に導入し、続いて第一ガス供給手段5aにより、窒素からなるプロセスガスを加熱炉本体内に導入する。チャンバー1内圧力は例えば10Torr以上760Torr以下、キャリアガス流量は、例えば50sccm以上5000sccm以下、プロセスガス流量は、例えば50sccm以上5000sccm以下である。キャリアガス流量よりもプロセスガス流量の方が大きいことが好ましい。
そして、原料22が配された反応室3の下部(昇華部)の方が、種子基板11が配されたサセプタ4(析出部)よりも高温となるように加熱手段7により加熱炉本体内の原料やサセプタ4、種子基板11を加熱する。例えば昇華部の温度は、1800℃以上2400℃以下、析出部の温度は、1700℃以上2300℃以下である。昇華部の温度の方が、析出部の温度より高い方が好ましい。
加熱で昇華させて分解気化された原料22は、窒素ガス雰囲気下で種子基板11上に結晶成長されることで、図3に示すように、種子基板11の被堆積面11aに、窒化アルミニウム単結晶12が成長した窒化アルミニウム単結晶基板10が得られる。その後、この窒化アルミニウム単結晶12を所定の厚さで切り出して研磨することで、窒化アルミニウム系の発光デバイスや電子デバイスに適用することが出来る。
まず、窒化アルミニウムの粉末や焼結体などの原料22を反応室3下部にセットし、種子基板11をサセプタ4に水平に配して加熱炉本体を密閉する。
次いで、真空ポンプ6により真空排気した後、第二ガス供給手段5bによりアルゴンガスや水素ガスなどのキャリアガスを加熱炉本体内に導入し、続いて第一ガス供給手段5aにより、窒素からなるプロセスガスを加熱炉本体内に導入する。チャンバー1内圧力は例えば10Torr以上760Torr以下、キャリアガス流量は、例えば50sccm以上5000sccm以下、プロセスガス流量は、例えば50sccm以上5000sccm以下である。キャリアガス流量よりもプロセスガス流量の方が大きいことが好ましい。
そして、原料22が配された反応室3の下部(昇華部)の方が、種子基板11が配されたサセプタ4(析出部)よりも高温となるように加熱手段7により加熱炉本体内の原料やサセプタ4、種子基板11を加熱する。例えば昇華部の温度は、1800℃以上2400℃以下、析出部の温度は、1700℃以上2300℃以下である。昇華部の温度の方が、析出部の温度より高い方が好ましい。
加熱で昇華させて分解気化された原料22は、窒素ガス雰囲気下で種子基板11上に結晶成長されることで、図3に示すように、種子基板11の被堆積面11aに、窒化アルミニウム単結晶12が成長した窒化アルミニウム単結晶基板10が得られる。その後、この窒化アルミニウム単結晶12を所定の厚さで切り出して研磨することで、窒化アルミニウム系の発光デバイスや電子デバイスに適用することが出来る。
窒化アルミニウム単結晶の作製にあたっては、以下に示す表1の通りである。
<実施例1>
上記表1の条件で、図2の装置に示したように、窒化アルミニウム原料部と窒素ガス流入部とを隔壁で隔て、窒化アルミニウム原料の表面にアルゴンのキャリアガスを流すことで、窒化アルミニウム原料表面が窒素ガスと触れないようにした。窒化アルミニウムの析出は、窒化アルミニウム原料を所定時間加熱昇華し、種子基板であるSiC基板上に窒化アルミニウム単結晶を析出させた。
上記表1の条件で、図2の装置に示したように、窒化アルミニウム原料部と窒素ガス流入部とを隔壁で隔て、窒化アルミニウム原料の表面にアルゴンのキャリアガスを流すことで、窒化アルミニウム原料表面が窒素ガスと触れないようにした。窒化アルミニウムの析出は、窒化アルミニウム原料を所定時間加熱昇華し、種子基板であるSiC基板上に窒化アルミニウム単結晶を析出させた。
<実施例2>
キャリアガスとして水素ガスを用いたこと以外は実施例1と同様に作製し、これを実施例2とした。
キャリアガスとして水素ガスを用いたこと以外は実施例1と同様に作製し、これを実施例2とした。
<比較例>
キャリアガスとして窒素ガスを用いたこと以外は実施例1と同様に作製し、これを比較例とした。
キャリアガスとして窒素ガスを用いたこと以外は実施例1と同様に作製し、これを比較例とした。
実施例1〜2と比較例において、窒化アルミニウム単結晶の析出時間をそれぞれ2,4,6,8時間とし、析出前後における窒化アルミニウム原料の重量を測定した。その結果を表2、及び図4に示す。図4は、表2を図化したもので、析出時間に対する窒化アルミニウム昇華量をプロットしたものである。
表2及び図4より、実施例において窒化アルミニウム原料の重量変化量が大きかった。すなわち、実施例において原料の昇華量の増加が観察された。
次に、図4でプロットした点を結んだ曲線を最小二乗法により直線近似し、その傾きを昇華速度とした。表3に、実施例1〜2、及び比較例における昇華速度を示す。
表3より、窒化アルミニウム原料表面に窒素ガスを導入した比較例よりも、アルゴンガスや水素ガスを導入した実施例の方が、同じ昇華温度でも昇華速度が上昇することが確認できた。
以上より、キャリアガスとして窒素ガスを用いた際の昇華速度と同じ速度を、アルゴンや水素をキャリアガスとして用いることで、低い昇華温度で得ることができた。ゆえに、電力エネルギーを低減することが可能となる。
以上より、キャリアガスとして窒素ガスを用いた際の昇華速度と同じ速度を、アルゴンや水素をキャリアガスとして用いることで、低い昇華温度で得ることができた。ゆえに、電力エネルギーを低減することが可能となる。
青色および紫外発光ダイオード(LED)向け基板や、レーザーダイオード(LD)用基板、パワーデバイス用基板などの製造装置に適用することができる。
1 チャンバー、2 支持手段、3 反応室、4 サセプタ、5a 第一ガス供給手段、5b 第二ガス供給手段、6 真空ポンプ、7 加熱手段、8 隔壁、9 窒化アルミニウム単結晶の製造装置、10 窒化アルミニウム単結晶基板、11 種子基板、12 窒化アルミニウム単結晶、22 原料。
Claims (2)
- 上部に開口部を有し、内部空間の底面側に原料を収納する反応室と、該開口部を塞ぐサセプタとからなる加熱炉本体、
前記内部空間へ外部からプロセスガスを導入する第一ガス供給手段、
及び前記内部空間へ外部からキャリアガスを導入する第二ガス供給手段、を少なくとも備え、
前記第一ガス供給手段が前記内部空間に開口するように前記反応室の側壁に設けられた第一導入部と、前記第二ガス供給手段が前記内部空間に開口するように前記反応室の側壁に設けられた第二導入部とが、前記サセプタから前記原料の方向に見て、順に配置されていることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造装置。 - 前記第一導入部と前記第二導入部との間にあって、前記第一導入部が配された第一空間と前記第二導入部が配された第二空間とに前記内部空間を隔てるような間隙が、前記第一空間と前記第二空間とを連通する連通部を有して配されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置。
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---|---|---|---|---|
CN112680699A (zh) * | 2019-10-17 | 2021-04-20 | 瑞必尔 | 用于真空蒸发室的蒸发单元及相关蒸发方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004307333A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Iii族元素窒化物単結晶の製造方法、それに用いる装置および前記製造方法により得られたiii族元素窒化物単結晶 |
JP2007008779A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Fujikura Ltd | 単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置 |
JP2007246343A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Ngk Insulators Ltd | 結晶製造装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004307333A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Iii族元素窒化物単結晶の製造方法、それに用いる装置および前記製造方法により得られたiii族元素窒化物単結晶 |
JP2007008779A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Fujikura Ltd | 単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置 |
JP2007246343A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Ngk Insulators Ltd | 結晶製造装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112680699A (zh) * | 2019-10-17 | 2021-04-20 | 瑞必尔 | 用于真空蒸发室的蒸发单元及相关蒸发方法 |
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