JP2010225730A - シリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルウェーハの製造方法、および固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルウェーハの製造方法、および固体撮像素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】多光子吸収工程によってゲッタリングシンク4を形成した後で、シリコンウェーハ2を鏡面研磨する(ポリッシング工程:図4(b)参照)。シリコンウェーハ2を鏡面研磨するポリッシング工程によって、前工程である多光子吸収工程においてレーザビームの照射により生じたシリコンウェーハ2の一面2aの微細な傷(アブレーション)は完全に除去される(図4(b)参照)。
【選択図】図4
Description
すなわち、本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを得るスライス工程と、該シリコンウェーハに向けて集光手段を介してレーザビームを入射し、任意の微小領域に該レーザビームを集光させることにより、該微小領域に多光子吸収過程を生じさせ、該微小領域の結晶構造を変化させたゲッタリングシンクを形成する多光子吸収工程と、該多光子吸収工程を経たシリコンウェーハを鏡面研磨するポリッシング工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
また、前記スライス工程と前記多光子吸収工程との間には、シリコンウェーハをエッチングするエッチング工程を更に備えていてもよい。
また、前記レーザビームは、パルス幅1.0×10−15〜1.0×10−8秒、波長300〜1200nmの範囲の超短パルスレーザビームであることが好ましい。
そして、前記ゲッタリングシンクはアモルファス構造のシリコンを含むことが好ましい。
また、前記ゲッタリングシンクは、少なくとも前記埋込み型フォトダイオードの形成位置と重なる領域に、直径50〜150μm、厚み10〜150μmの範囲のサイズで形成すればよい。
更に、前記ゲッタリングシンクは、密度が1.0×105〜1.0×107個/cm2の範囲となるように形成すればよい。
このため、レーザビームを集光させてもシリコンウェーハ内部の改質に十分な光子エネルギーを得ることができない虞があり、レーザビームの波長は1200nm以下とすることが好ましい。
Claims (11)
- シリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを得るスライス工程と、
該シリコンウェーハに向けて集光手段を介してレーザビームを入射し、任意の微小領域に該レーザビームを集光させることにより、該微小領域に多光子吸収過程を生じさせ、該微小領域の結晶構造を変化させたゲッタリングシンクを形成する多光子吸収工程と、
該多光子吸収工程を経たシリコンウェーハを鏡面研磨するポリッシング工程と、
を少なくとも備えたことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記スライス工程と前記多光子吸収工程との間には、シリコンウェーハを研磨するラッピング工程を更に備えたことを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記スライス工程と前記多光子吸収工程との間には、シリコンウェーハをエッチングするエッチング工程を更に備えたことを特徴とする請求項1または2記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記レーザビームは、前記エピタキシャルウェーハを透過可能な波長域であり、前記集光手段は、前記シリコンウェーハの厚み方向における任意の位置に、前記レーザビームを集光させることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記レーザビームは、パルス幅1.0×10−15〜1.0×10−8秒、波長300〜1200nmの範囲の超短パルスレーザビームであることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記ゲッタリングシンクはアモルファス構造のシリコンを含むことを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 請求項1ないし6いずれか1項記載のシリコンウェーハの製造方法によって得たシリコンウェーハの一面にシリコン単結晶のエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル工程を少なくとも備えたことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 請求項7記載のエピタキシャルウェーハの製造方法によって得たエピタキシャルウェーハの一面に埋込み型フォトダイオードを形成する素子形成工程を少なくとも備えたことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
- 前記エピタキシャルウェーハを所定の温度でアニールし、前記ゲッタリングシンクに重金属を捕獲させるアニール工程を更に備えたことを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記ゲッタリングシンクは、少なくとも前記埋込み型フォトダイオードの形成位置と重なる領域に、直径50〜150μm、厚み10〜150μmの範囲のサイズで形成することを特徴とする請求項8または9記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記ゲッタリングシンクは、密度が1.0×105〜1.0×107個/cm2の範囲となるように形成することを特徴とする請求項8ないし10いずれか1項記載の固体撮像素子の製造方法。
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KR1020117009538A KR101375228B1 (ko) | 2008-10-16 | 2009-10-16 | 게터링싱크를 갖는 고체촬상소자용 에피택셜 기판, 반도체 디바이스, 이면조사형 고체촬상소자 및 이들의 제조방법 |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
KR20190106793A (ko) * | 2018-03-09 | 2019-09-18 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5844726A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ゲッタリング方法 |
JP2000211997A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | エピタキシャルウェ―ハの製造方法 |
JP2002222780A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-08-09 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | シリコンウェハの表面ポリッシング法 |
JP2003264194A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザゲッタリング方法及び半導体基板 |
JP2005064254A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アニールウエーハの製造方法 |
JP2008027974A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エピタキシャル基板、エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5844726A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ゲッタリング方法 |
JP2000211997A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | エピタキシャルウェ―ハの製造方法 |
JP2002222780A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-08-09 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | シリコンウェハの表面ポリッシング法 |
JP2003264194A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザゲッタリング方法及び半導体基板 |
JP2005064254A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アニールウエーハの製造方法 |
JP2008027974A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エピタキシャル基板、エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190106793A (ko) * | 2018-03-09 | 2019-09-18 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 제조 방법 |
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