JP2010215612A - 塩の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】式(A)で表される塩と式(B)で表される塩とを、塩化銀の存在下で反応させることを特徴とする式(C)で表される塩の製造方法。(A)Z+X−(B)A+−O3SR(C)Z+−O3SR式(A)、式(B)及び式(C)中、Z+は、有機カチオンを表し、X−は、Br−又はI−を表し、A+は、アルカリ金属カチオンを表す。Rは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数4〜36の脂環式炭化水素基あるいは置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。
【選択図】なし
Description
特許文献1には、ハロゲンイオンを有するオニウム誘導体に、スルホン酸エステル誘導体を反応させることによりオニウムスルホン酸誘導体を得る化学増幅型フォトレジスト組成物に含有される塩の製造方法として、トリフェニルスルホニウム・アイオダイドに、ジメチル硫酸を反応させ、得られた反応物にトリフルオロメタンスルホン酸を反応させることによりトリフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネートを得る製造方法が提案されている。
1.式(A)で表される塩と式(B)で表される塩とを、塩化銀の存在下で反応させることを特徴とする式(C)で表される塩の製造方法。
A+−O3SR (B)
Z+−O3SR (C)
Rは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数4〜36の脂環式炭化水素基あるいは置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。]
3.式(C)で表される塩が、式(I)で表される塩である前1項記載の製造方法。
X1は、単結合又は−[CH2]k−を表し、該−[CH2]k−に含まれるメチレン基は酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよく、該−[CH2]k−に含まれる水素原子は直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。kは、1〜17の整数を表す。
Y1は、置換基を有してもよい炭素数4〜36の脂環式炭化水素基を表す。
Z+は、有機カチオンを表す。]
5.前記Z+が、置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を有するスルホニウムカチオンであることを特徴とする前1〜4項のいずれか記載の製造方法。
A+−O3SR (B)
Z+−O3SR (C)
X−は、Br−又はI−を表す。
A+は、アルカリ金属カチオンを表す。
Rは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい脂環式炭化水素基を有する炭素数4〜36の炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。]
式(A)で表される塩の使用量は、式(B)で表される塩1モルに対して、通常、0.5〜2モル程度であり、好ましくは0.7〜1.5モル程度である。
塩化銀の使用量は、式(A)で表される塩1モルに対して、通常、1〜3モル、好ましくは、1.0〜1.2モル程度である。
A+は、アルカリ金属カチオンを表す。
式(IIb)中、Z+は、式(II)におけるものと同じ意味を表す。X−は、Br−又はI−を表す。]
塩化銀の使用量は、通常、式(IIb)で表される塩1モルに対して、1モル程度である。
該塩は再結晶で取り出してもよいし、水洗して精製してもよい。
式(IIa−2)中、A+は、式(IIa)におけるものと同じ意味を表す。]
エステル化反応における酸触媒は、触媒量でも溶媒に相当する量でもよく、通常、0.001〜5モル程度である。
X11は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜15のアルキレン基を表す。]
A+は、アルカリ金属カチオンを表す。
式(IIb)中、Z+は、式(II’)におけるものと同じ意味を表す。
X−は、Br−又はI−を表す。]
ここで、Q1及びQ2としては、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である場合が好ましく、フッ素原子である場合がさらに好ましい。
式(IIa’−2)中、Y1は、式(IIa)におけるものと同じ意味を表す。]
式(IIa’−2)中、Y1は、式(IIa)におけるものと同じ意味を表す。]
酸触媒を用いたエステル化反応は、ディーンスターク装置を用いるなどして、脱水しながら実施すると、反応時間が短縮化される傾向があることから好ましい。
脱酸剤としては、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基あるいは水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、水素化ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。用いる塩基の量は、酸ハライド1モルに対して、溶媒に相当する量でもよく、通常、0.001〜5モル程度で、好ましくは1〜3モル程度である。
X10は、単結合あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜15のアルキレン基を表す。
X11及びX12は、互いに独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜15のアルキレン基を表す。]
アルキレン基としては、メチレン、エチレン、n−プロピレン基、イソプロピレン基、n−ブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、n−ペンチレン基、n−ヘキシレン基などが挙げられる。
中でも、X10としては、好ましくは単結合である。
式(IXb)中、P4及びP5は、互いに独立に、水素原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基あるいは炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
式(IXc)中、P6及びP7は、互いに独立に、直鎖状又は分岐状炭素数1〜12のアルキル基あるいは炭素数3〜12のシクロアルキル基を表すか、P6とP7とが一緒になって、炭素数3〜12の環を形成してもよい。
P8は、水素原子を表し、P9は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、置換されていてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表すか、P8とP9とが一緒になって、炭素数3〜12の環を形成してもよい。
式(IXd)中、P10〜P21は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。Eは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
mは、0又は1を表す。]
シクロアルキルとしては、上述した脂環式炭化水素基と同様のものが例示される。
P6とP7とが一緒になって形成する環としては、テトラヒドロチオフェニウム基などが挙げられる。
P8における芳香族炭化水素基の置換基としては、炭素数1〜12のアルキル基等が挙げられる。
P8とP9とが一緒になって形成する環としては、上述した式(W13)〜式(W15)の基などが挙げられる。
例えば、式(I)で表される塩として、式(Xa)〜式(Xi)で表される塩が挙げられる。これらの塩は、優れた解像性能及びパターン形状を示すレジスト組成物を与える酸を発生するため好ましい。
P28及びP29は、互いに独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基あるいは炭素数4〜36の脂環式炭化水素基を表すか、あるいはP28とP29とが一緒になってS+を含んで炭素数2〜6の環を形成してもよい。
P30は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数4〜36の脂環式炭化水素基あるいは置換されていてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表すか、あるいはP30とP31とが一緒になって炭素数3〜12の環を形成してもよい。
ここで、該環に含まれるメチレン基は、任意に、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
Q1及びQ2は、上記と同義である。
X13は、単結合またはメチレン基を表す。]
P30とP31とが一緒になって形成する環としては、上述した式(W13)〜式(W15)の基などが挙げられる。
式(I)で表される塩は、単独で又は2種以上を組合せて用いてもよい。
はない。
実施例及び参考例中、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり質量基準
である。
LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型又はL
C/MSD TOF型)で確認した。
純度は、NMR及びLCで確認した。
収率は、以下の計算式で求めた。
収率=100×[反応により生成した生成物の量(モル)]/[出発物質の量(モル)]
式(A1−b)で表される塩4.5部(純度69.2%)(0.0157mol)、式(A1−c)で表される化合物2.6部(0.0156mol)及びエチルベンゼン100部を仕込み、これに濃硫酸0.8部を加え、24時間加熱還流した。得られた混合物を23℃まで冷却した後、濾過して残渣を回収し、該残渣をtert−ブチルメチルエーテルで洗浄して、式(A1)で表される塩5.7部(純度49.1%:1H−NMRによる純度分析)(0.00808mol)を得た。
[式(C1)で表される塩の合成例]
式(B1)で表される塩2.77部(0.00710mol)及びクロロホルム13.83部を仕込んだ溶液に、塩化銀1.02部(0.00712mol)を添加し、これを23℃で12時間攪拌した。該クロロホルム溶液に、式(A1)で表される塩5.00部(純度49.1%)(0.00709mol)及びイオン交換水10.00部を仕込み、更に、クロロホルム27.67部を加え、23℃で12時間撹拌した後、濾過して濾液を回収した。
得られた濾液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水10.38部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、淡黄色オイル5.62部を得た。得られた淡黄色オイルに酢酸エチル22.48部を添加し攪拌することにより結晶が析出し、濾過することにより白色固体として式(C1)で表される塩3.61部(純度100%、収率87%)(0.00615mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A1)で表される塩1モルに対して、1.0モルであった。
収率=100×0.00615/0.00710=86.7
[式(C1)で表される塩の合成例]
式(A1)で表される塩5.4部(純度35.6%)(0.00555mol)、アセトニトリル16部及びイオン交換水16部の混合溶媒を調製した。これに、式(B2)で表される塩1.7部(0.00569mol)、アセトニトリル5部及びイオン交換水5部の溶液を添加した。得られた混合物を23℃で15時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム142部を加えた後、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮液をtert−ブチルメチルエーテル24部でリパルプして、白色固体として式(C1)で表される塩1.7部(純度100%、収率52%)(0.00290mol)を得た。
収率=100×0.00290/0.00555=52.3
[式(C1)で表される塩の合成例]
式(B1)で表される塩2.77部(0.00710mol)及びクロロホルム13.83部の溶液に、式(A1)で表される塩5.00部(純度49.1%)(0.00709mol)及びイオン交換水10.00部の溶液を滴下し、23℃で12時間攪拌したが、目的物である式(C1)で表される塩は得られなかった。
式(A2−b)で表される塩99部(純度69.2%)(0.346mol)及びメタノール600部を仕込み、これに硫酸18.8部を加えた後、24時間加熱還流した。その後、得られた反応物を濃縮してメタノールを留去した後、n−ヘプタン477部添加し、撹拌後、濾過した。得られた残渣にアセトニトリル434部を添加撹拌した後、濾過し、さらに残渣にアセトニトリル197部を添加撹拌した後、濾過した。濾液を合わせて濃縮することにより、式(A2)で表される塩73.1部(0.345mol)を得た。
[式(C2)で表される塩の合成例]
式(B1)で表される塩2.77部(0.00710mol)及びクロロホルム13.83部の溶液に、塩化銀1.02部(0.00712mol)を添加し、23℃で12時間攪拌した。得られたクロロホルム溶液に、式(A2)で表される塩2.18部(純度69.2%)(0.00710mol)とイオン交換水6.40部との水溶液を滴下し、更に、クロロホルム13.85部を加え、23℃で12時間撹拌後、濾過して、濾液を回収した。回収された濾液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液し、更に、イオン交換水7.21部を添加し、クロロホルム層を水洗した。この水洗操作を5回繰り返した。得られたクロロホルム層を濃縮し、淡黄色オイル3.22部を得た。得られた淡黄色オイルに酢酸エチル9.66部を添加し攪拌すると、結晶が析出し、濾過して白色固体として式(C2)で表される塩2.85部(純度100%、収率89%)(0.00630mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A2)で表される塩1モルに対して、1.0モルであった。
収率=100×0.00630/0.00710=88.7
[式(C2)で表される塩の合成例]
実施例2において、塩化銀1.02部(0.00712mol)に代えて、ジエチル硫酸[(C2H5)2SO4]1.08部(0.00712mol)を用いる以外は実施例2と同様にして、反応を行い、白色固体として式(C2)で表される塩0.92部(純度96%、収率29%)(0.00203mol)を得た。
収率=100×0.00203/0.00710=28.6
[式(C3)で表される塩の合成例]
式(B3)で表される塩9.74部(0.0194mol)及びクロロホルム48.69部の溶液に、塩化銀2.78部(0.0194mol)を添加し、23℃で12時間攪拌した。得られたクロロホルム溶液に、式(A2)で表される塩5.94部(純度69.2%)(0.0194mol)とイオン交換水11.88部との水溶液を滴下し、23℃で12時間撹拌後、濾過して、濾液を回収した。回収された濾液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液し、更に、イオン交換水12.17部を添加し、クロロホルム層を水洗した。この水洗操作を5回繰り返した。得られたクロロホルム層を濃縮し、淡黄色オイル16.75部を得た。得られた淡黄色オイルにメチル−t−ブチルエーテル45.85部、酢酸エチル30.56部を添加し攪拌後、2層に分離していたので、下層を取り出し濃縮することにより淡黄色オイルとして式(C3)で表される塩8.48部(純度100%、収率77%)(0.0150mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A2)で表される塩1モルに対して、1.0モルであった。
収率=100×0.0150/0.0194=77.3
[式(C3)で表される塩の合成例]
実施例3において、塩化銀2.78部(0.0194mol)に代えて、ジエチル硫酸[(C2H5)2SO4]2.99部(0.0194mol)を用いる以外は実施例3と同様にして、反応を行い、淡黄色オイルとして式(C3)で表される塩4.15部(純度61%、収率23%)(0.00448mol)を得た。
収率=100×0.00448/0.0194=23.1
[式(C4)で表される塩の合成例]
式(B4)で表される塩8.66部(0.0155mol)及びクロロホルム43.30部の溶液に、塩化銀2.22部(0.0155mol)を添加し、23℃で12時間攪拌した。得られたクロロホルム溶液に、式(A2)で表される塩4.75部(純度69.2%)(0.0155mol)とイオン交換水9.50部との水溶液を滴下し、23℃で12時間撹拌後、濾過して、濾液を回収した。回収された濾液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液し、更に、イオン交換水12.99部を添加し、クロロホルム層を水洗した。この水洗操作を5回繰り返した。得られたクロロホルム層を濃縮し、淡黄色オイル12.25部を得た。得られた淡黄色オイルにメチル−tert−ブチルエーテル61.25部を添加すると、結晶が析出し、濾過して白色固体として式(C4)で表される塩7.25部(純度100%、収率75%)(0.0117mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A2)で表される塩1モルに対して、1.0モルであった。
収率=100×0.00117/0.0155=75.4
[式(C4)で表される塩の合成例]
実施例4において、塩化銀2.22部(0.0155mol)に代えて、ジエチル硫酸[(C2H5)2SO4]2.47部(0.0155mol)を用いる以外は実施例4と同様にして、反応を行い、白色固体として式(C4)で表される塩2.12部(純度100%、収率22%)(0.00341mol)を得た。
収率=100×0.00341/0.0155=22
[式(C5)で表される塩の合成例]
式(B5)で表される塩6.92部(0.0155mol)及びクロロホルム34.60部の溶液に、塩化銀2.22部(0.0155mol)を添加し、23℃で12時間攪拌した。得られたクロロホルム溶液に、式(A2)で表される塩4.75部(純度69.2%)(0.0155mol)とイオン交換水9.50部との水溶液を滴下し、23℃で12時間撹拌後、濾過して、濾液を回収した。回収された濾液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液し、更に、イオン交換水10.38部を添加し、クロロホルム層を水洗した。この水洗操作を5回繰り返した。得られたクロロホルム層を濃縮し、淡黄色オイル10.15部を得た。得られた淡黄色オイルにメチル−tert−ブチルエーテル50.75部を添加し攪拌後、2層に分離していたので、下層を取り出し濃縮することにより淡黄色オイルとして式(C5)で表される塩7.35部(純度100%、収率94%)(0.0145mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A2)で表される塩1モルに対して、1.0モルであった。
収率=100×0.0145/0.0155=93.5
[式(C5)で表される塩の合成例]
実施例5において、塩化銀2.22部(0.0155mol)に代えて、ジエチル硫酸[(C2H5)2SO4]2.47部(0.0155mol)を用いる以外は実施例5と同様にして、反応を行い、淡黄色オイルとして式(C5)で表される塩2.29部(純度100%、収率29%)(0.00450mol)を得た。
収率=100×0.00450/0.0155=29.0
[式(C1)で表される塩の合成例]
実施例1において、塩化銀の使用量を1.02部(0.00712mol)に代えて2.04部(0.0142mol)とする以外は実施例1と同様にして、反応を行い、白色固体として式(C1)で表される塩3.66部(純度100%、収率88%)(0.00624mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A1)で表される塩1モルに対して、2.0モルであった。
収率=100×0.00624/0.0710=87.9
[式(C1)で表される塩の合成例]
実施例1において、塩化銀の使用量を1.02部(0.00712mol)に代えて3.06部(0.0214mol)とする以外は実施例1と同様にして、反応を行い、白色固体として式(C1)で表される塩3.58部(純度100%、収率86%)(0.00610mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A1)で表される塩1モルに対して、3.0モルであった。
収率=100×0.00610/0.0710=85.9
[式(C1)で表される塩の合成例]
実施例1において、塩化銀の使用量を1.02部(0.00712mol)に代えて1.12部(0.00781mol)とする以外は実施例1と同様にして、反応を行い、白色固体として式(C1)で表される塩3.61部(純度100%、収率87%)(0.00615mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A1)で表される塩1モルに対して、1.1モルであった。
収率=100×0.00615/0.0710=86.6
[式(C1)で表される塩の合成例]
実施例1において、塩化銀の使用量を1.02部(0.00712mol)に代えて1.22部(0.00851mol)とする以外は実施例1と同様にして、反応を行い、白色固体として式(C1)で表される塩3.63部(純度100%、収率87%)(0.00619mol)を得た。塩化銀の使用量は、式(A1)で表される塩1モルに対して、1.2モルであった。
収率=100×0.00619/0.0710=87.2
リチウムアルミニウムハイドライド10.4部(0.275mol)、無水テトラヒドロフラン120部を仕込み23℃で30分間攪拌した。式(A3−a)で表される塩62.2部(0.275mol)を無水THF900部に溶かした溶液を氷冷下で滴下し、23℃で5時間攪拌した。反応マスに酢酸エチル50.0部、6N塩酸50.00部を添加、攪拌後、分液を行った。有機層を濃縮後、カラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、式(A3−b)で表される塩84.7g(純度60%)(0.275mol)を得た。
式(A3−c)で表される化合物4.5部(0.0232mol)及び無水THF90部を添加し室温で30分間攪拌し溶解した。この溶液にカルボニルジイミダゾール3.77部(0.0233mol)、無水THF45部の混合溶液を室温で滴下し、23℃で4時間攪拌した。得られた反応溶液を、式(A3−b)で表される塩7.87部(純度60%)(0.0256mol)及び無水THF50部の混合中に、54℃〜60℃で30分間で滴下した。反応溶液を65℃で18時間加熱し、冷却後、ろ過した。得られたろ液を濃縮し、濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、式(A3)で表される塩4.97部(0.0138mol)を得た。
[式(C6)で表される塩の合成例]
式(B1)で表される塩2.77部(0.00710mol)及びクロロホルム15部を仕込んだ溶液に、塩化銀1.02部(0.00712mol)を添加し、これを23℃で12時間攪拌した。該クロロホルム溶液に、式(A3)で表される塩2.56部(0.00710mol)及びイオン交換水10.00部を仕込み、更に、クロロホルム30部を加え、23℃で12時間撹拌した後、濾過して濾液を回収した。得られた濾液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水10部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。その後、硫酸マグネシウム1部を添加、23℃で30分間攪拌後、ろ過し、ろ液を濃縮して、式(C6)で表される塩3.92部(純度100%、収率92%)(0.00653mol)を得た。
収率=100×0.00653/0.0710=92.0
[式(C6)で表される塩の合成例]
式(A3)で表される塩1.0部(0.00277mol)、クロロホルム20部を仕込み、23℃で30分間攪拌後、更に式(B2)で表される塩(13.1%水溶液)6.3部(0.00277mol)を23℃で加えた。
12時間室温で攪拌した後、分液を行った。有機層にイオン交換水10部を添加、分液水洗を行った。この操作を5回行った。その後、硫酸マグネシウム1部を添加、23℃で30分間攪拌後、ろ過し、ろ液を濃縮して、式(C6)で表される塩1.36部(純度100%、収率82%)(0.00226mol)を得た。
収率=100×0.00226/0.0277=81.5
〔樹脂(1)の合成〕
モノマーA、モノマーB、モノマーDをモル比50:25:25の比率で仕込み、全モノマーの合計質量に対して1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との比率で添加し、77℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行って精製し、重量平均分子量が約8000である共重合体(1)を収率60%で得た。
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
式(C1)で表される塩
式(C6)で表される塩
<樹脂>
樹脂(1)
<クエンチャー>
Q1:2,6−ジイソプロピルアニリン
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265部
2−ヘプタノン 20.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
露光後は、ホットプレート上にて95℃で60秒間ポストエキスポジャーベーク(以下、PEBと略す。)を行い、さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表2に示した。なお、ここでいうダークフィールドパターンとは、外側にクロム層(遮光層)をベースとしてライン状にガラス面(透光部)が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が残されるパターンである。
実効感度:100nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で示した。
酸発生剤として有用であることが確認された。
Claims (5)
- 式(A)で表される塩と式(B)で表される塩とを、塩化銀の存在下で反応させることを特徴とする式(C)で表される塩の製造方法。
Z+X− (A)
A+−O3SR (B)
Z+−O3SR (C)
[式(A)、式(B)及び式(C)中、Z+は、有機カチオンを表し、X−は、Br−又はI−を表し、A+は、アルカリ金属カチオンを表す。
Rは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数4〜36の脂環式炭化水素基あるいは置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。] - 塩化銀を、式(A)で表される塩1モルに対して、1.0〜3.0モル使用することを特徴とする請求項1記載の製造方法。
- 式(C)で表される塩が、式(I)で表される塩である請求項1記載の製造方法。
[式(I)、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
X1は、単結合又は−[CH2]k−を表し、該−[CH2]k−に含まれるメチレン基は酸素原子及び/又はカルボニル基で置換されていてもよく、該−[CH2]k−に含まれる水素原子は直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。kは、1〜17の整数を表す。
Y1は、置換基を有してもよい炭素数4〜36の脂環式炭化水素基を表す。
Z+は、有機カチオンを表す。] - 前記Z+が、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい脂環式炭化水素基を有する炭素数4〜36の炭化水素基あるいは置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を有するスルホニウムカチオンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか記載の製造方法。
- 前記Z+が、置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を有するスルホニウムカチオンであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか記載の製造方法。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03148256A (ja) * | 1989-07-22 | 1991-06-25 | Basf Ag | 光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩 |
JP2002167340A (ja) * | 1999-12-03 | 2002-06-11 | Toyo Gosei Kogyo Kk | オニウム塩誘導体の製造方法及び新規オニウム塩誘導体 |
JP2005534952A (ja) * | 2002-06-13 | 2005-11-17 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 光活性化合物の混合物を含む深紫外線リソグラフィ用のフォトレジスト組成物 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03148256A (ja) * | 1989-07-22 | 1991-06-25 | Basf Ag | 光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩 |
JP2002167340A (ja) * | 1999-12-03 | 2002-06-11 | Toyo Gosei Kogyo Kk | オニウム塩誘導体の製造方法及び新規オニウム塩誘導体 |
JP2005534952A (ja) * | 2002-06-13 | 2005-11-17 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 光活性化合物の混合物を含む深紫外線リソグラフィ用のフォトレジスト組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012033145A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
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