JP2010214431A - 光学系及びレーザ加工装置 - Google Patents

光学系及びレーザ加工装置 Download PDF

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Abstract

【課題】レーザ発振器の効力を十分に活用でき、しかもマルチビームのビーム間距離を任意に設定可能であると共に、光軸調整が容易で、かつ加工条件を被加工物毎に簡単に切り替えることができる光学系及びレーザ加工装置を提供できる。
【解決手段】レーザ光源11と、レーザ光源11から発した光が入射し、該入射光を複数の光に分岐する回折光学素子12と、回折光学素子12で分岐した光を分岐角度に応じた複数個所に集光する集光レンズ13と、回折光学素子12の光源側の光路上に配置され少なくとも1軸方向へ変倍する第1の作用を与える第1のビーム径変倍光学系14と、回折光学素子12の集光レンズ13側の光路上に配置され第1の作用を打ち消す第2の作用を与える第2のビーム径変倍光学系15とを具備した光学系である。
【選択図】図1

Description

本発明は、レーザ微細加工を含む各種レーザ加工プロセスで利用されるレーザ加工装置においてマルチビームを生成する光学系及びそれを用いたレーザ加工装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、半導体ウェーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に集積回路等のデバイスが形成される。この半導体ウェーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割し、個々の半導体チップを製造している。
半導体ウェーハ等の板状をなす被加工物に形成したストリートに沿った分割は、ダイサーと呼ばれる切削装置によって行われていたが、近年は被加工物に形成されたストリートに沿ってパルスレーザ光線を照射することによりレーザ加工溝を形成し、このレーザ加工溝に沿ってメカニカルブレーキング装置によって割断する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平10−305420号公報 特開2004−268144号公報
ところで、パル幅がピコ秒領域の短パルスレーザを用いた加工では、ナノ秒領域の短パルスレーザを用いた場合に比べ、高い抗折強度や加工面品質を実現できることが分かってきた。また、ピコ秒領域の短パルスレーザの平均出力として、ナノ秒領域の短パルスレーザ出力に匹敵する出力(15W以上)を実現できるようになったので、高いスループットの加工が期待できる。
しかしながら、加工プロセスの特性上、単位面積当たりの加工に寄与できるレーザパルスのエネルギーは限られており、レーザ発振器の出力を十分に活かし切れていなかった。
なお、回折光学素子(DOE:Diffractive Optical Elements)又は回折光学素子と集光レンズの組み合わせを用いて単一のレーザビームを複数のレーザビームに変換して集光し、複数のレーザビームにより複数のライン状の加工を同時に行なうレーザ加工装置が提案されている(特許文献2参照)。かかるレーザ加工装置において、光軸を中心に前記回折光学素子を回転させ、その回転角度の調整によって加工ラインのピッチ間隔を調整できることが開示されている。
ところが、特許文献2に記載のレーザ加工装置は、回折光学素子を回転させることによって加工ラインのピッチ間隔を調整するので、光軸調整が難しいといった問題がある。また、ピッチ間隔の変更に回折光学素子の回転が伴うので、自由なビームスポット配置に制限があるといった問題がある。
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、単位面積当たり加工に寄与できるレーザパルスのエネルギーが限られていても、レーザ発振器の効力を十分に活用でき、しかもマルチビームのビーム間距離を任意に設定可能であると共に、光軸調整が容易で、かつ加工条件を被加工物毎に簡単に切り替えることができる光学系及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。
本発明の光学系は、光源と、前記光源から発した光が入射し、該入射光を複数の光に分岐する回折光学素子と、前記回折光学素子で分岐した光を分岐角度に応じた複数個所に集光する集光レンズと、前記光源側から前記回折光学素子に入射する光に少なくとも1軸方向へ変倍する第1の作用を与え、前記回折光学素子から出射して前記集光レンズ側へ向かう光に前記第1の作用を打ち消す第2の作用を与えるアナモルフィック光学手段とを具備することを特徴とする。
この構成によれば、回折光学素子に入射する光に少なくとも1軸方向へ変倍する第1の作用を与え、回折光学素子から出射して集光レンズ側へ向かう光に第1の作用を打ち消す第2の作用を与えるので、集光レンズの集光点におけるビームスポット間隔を、回折光学素子を回転させることなく、アナモルフィック光学手段による第1及び第2の作用を調整することで任意に設定することができる。
上記光学系において、前記アナモルフィック光学手段に設定する変倍率を調整して、前記集光レンズの集光位置に形成されるスポット間隔を制御することができる。
上記光学系において、前記アナモルフィック光学手段は、変倍光学系を構成するプリズム体を含んだ構成とすることができる。
アナモルフィック光学手段をプリズム体で構成することにより、集光レンズを除いて、他の光学素子を非球面光学部品で構成でき、光軸合わせが容易になる。
また上記光学系において、前記アナモルフィック光学手段は、前記プリズム体を回転させる回転機構を備える。
これにより、プリズム体を回転させる簡単な動作でスポット間隔を調整でき、スペースも小さくて良いことから、省スペース化を図ることができ、小型化が可能になる。
また本発明は、上記光学系において、前記回折光学素子は、透過型回折光学素子であり、前記アナモルフィック光学手段は、前記回折光学素子の光軸上の前後に配置された第1及び第2のプリズム体を有し、前記回転機構は、前記透過型回折光学素子を対称面として、前記第1のプリズム体と前記第2のプリズム体とを対称的に回転させることを特徴とする。
このような構成によれば、透過型回折光学素子を用いることにより、光源から集光レンズまでの経路に偏光ビームスプリッタを用いることなく、光学系を構成できるので、エネルギーロスの小さい光学系を構築可能である。
また上記光学系において、前記第1のプリズム体は、第1のプリズムと第2のプリズムを含み、前記第2のプリズム体は、第3のプリズムと第4のプリズムを含んで構成することができる。
このように、第1及び第2のプリズム体を、それぞれプリズムペアで構成することで、プリズムを回転させても、プリズムから出る光は一定方向であるので、回折光学素子と集光レンズの位置を固定することができ、光学系の機械的構成を簡単にできる。
また本発明は、上記光学系において、前記光源は、パルスレーザ光を発するレーザ光源であり、前記集光レンズは、被加工物に対して前記パルスレーザ光を集光させることを特徴とする。
このような構成によれば、パルスレーザを被加工物に集光させてレーザ加工するレーザ加工装置に適用可能である。
また、本発明は、被加工物を保持する保持機構と、前記保持機構に保持された被加工物にパルスレーザを照射する加工機構とを備えたレーザ加工装置であって、前記加工機構は上記いずれかの光学系を備えることを特徴とする。
このようなレーザ加工装置によれば、集光レンズの集光点におけるビームスポット間隔を、アナモルフィック光学手段による第1及び第2の作用を調整することで任意に設定することができるので、加工条件を被加工物毎に簡単に切り替えることができ、レーザ加工の効率化を図ることができる。
本発明によれば、単位面積当たり加工に寄与できるレーザパルスのエネルギーが限られていても、レーザ発振器の効力を十分に活用できて、短パルスレーザを効率良く加工に寄与させることができる。
一実施の形態に係るマルチビーム光学系の全体構成図 図1の光学系において1ラインマルチビームスポットを形成した状態を示す図 図2のビームスポットとはスポット間隔の異なるマルチビームスポットを形成した状態を示す図 (a)マルチビーム型のエネルギー分布及びビームプロファイルを示す図、(b)トップハット型のエネルギー分布及びビームプロファイルを示す図 他の実施の形態に係るマルチビーム光学系の全体構成図 (a)1ライン5スポットで3ライン同時加工のビーム配列を示す図、(b)トップハット型のラインビームで2ライン同時加工のビーム配列を示す図 反射型回折光学素子を用いたマルチビーム光学系の全体構成図 レーザ加工装置の外観図
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施の形態に係る光学系の駆動機構まで含んだ構成図である。本実施の形態に係る光学系は、レーザ光源11から出射された単一の短パルスレーザ光を透過型の回折光学素子12に入射してそれぞれ所定角度を持った複数の光に分岐し、分岐した光を集光レンズ13で被加工物W上にライン状又は2次マトリクス状に集光させるように構成されている。
本実施の形態では、回折光学素子12の光源側の光路上に、第1のビーム径変倍光学系14を配置し、回折光学素子12の集光レンズ13側の光路上に、第2のビーム径変倍光学系15を配置している。第1及び第2のビーム径変倍光学系14、15は、それぞれアナモルフィック光学部品を備えている。本例では、第1及び第2のビーム径変倍光学系14、15でアナモルフィック光学手段を構成している。
第1のビーム径変倍光学系14は、入射ビームの断面形状が楕円形状に変換されるような第1の作用を入射光に対して与える。また、第2のビーム径変倍光学系15は、回折光学素子12から出射した分岐光に対して第1のビーム径変倍光学系14によって与えられた第1の作用を打ち消すような第2の作用を与えるような光学部品配置(角度を含む)に設定されている。
第1及び第2のビーム径変倍光学系14、15は、アナモルフィック光学部品を構成するプリズム体(14a,14b)(15a,15b)をそれぞれ備えている。第1のビーム径変倍光学系14は、プリズム体を構成するプリズム14a,14bの光軸に対する入射面角度(回転角度)を個別に調整可能な第1のプリズム駆動機構16を備え、第2のビーム径変倍光学系15は、プリズムペアを構成するプリズム15a,15bの光軸に対する入射面角度(回転角度)を個別に調整可能な第2のプリズム駆動機構17を備える。第1及び第2のプリズム駆動機構16、17で回転機構を構成している。
各プリズム体を構成する個々のプリズム(14a,14b)、(15a,15b)の光軸に対する回転角度を調整することにより、第1及び第2のビーム径変倍光学系14、15における変倍倍率を変更できる。本実施の形態では、第1のビーム径変倍光学系14が入射ビームの断面ビーム形状を楕円形状に変換する第1の作用を与え、第2のビーム径変倍光学系15が第1の作用を打ち消すような第2の作用を与えるように、プリズム(14a,14b)、(15a,15b)の角度が調整される。具体的には、回折光学素子12に対してビームが垂直に入射する条件を保ちつつ、両側に配置された4個のプリズムについて外側同士(14a,15b)、内側同士(14b,15a)を逆方向に同一角度だけ回転させる。すなわち、回折光学素子12を対称面として、一方のプリズムペア(14a,14b)と他方のプリズムペア(15a,15b)を対称的に回転させることにより、集光レンズ13に入射する各ビームの成す角度を、ビーム径を変更せずに制御することができる。集光レンズ13に入射する各ビームの成す角度は、集光レンズ13による作用で被加工物(焦点位置)にライン状に配列されるスポット間隔の変化として現れる。
制御回路18は、CPU,ROM,RAM等のハードウエア資源で構成されており、CPUがROMに記憶されている制御用ソフトウエアを読み出してプログラムにしたがって処理を実行する。制御回路18は、被加工物Wに応じた加工条件にしたがって設定されるスポット間隔に対応した角度制御指令信号を生成し、第1及び第2のプリズム駆動機構16、17に入力する。図1には被加工物WをXY軸テーブル19a,19bによって光軸に対しXY平面内で二次元移動可能なシステムを例示している。制御回路18は、レーザ光源11及びXY軸テーブル19a,19bに対して動作タイミングを与えるタイミング指令信号を与える。これにより、被加工物Wに形成した複数のストリートに沿ったレーザ加工が実現される。
図2にマルチビームをスポット間隔=Dに設定した光学系及び該光学系の各図示位置におけるビーム断面形状を示している。回折光学素子12は、入射光をそれぞれ異なる角度をもった複数の光に分岐するように設計されている。本例では1軸方向に異なる角度をもって分岐されるように設計しているが、例えば2軸方向に異なる分岐角度をもって二次元的に分岐されるように設計しても良い。
第1のビーム径変倍光学系14の光源側のプリズム14aに対してレーザ光源11から出射した短パルスレーザ光が入射している。レーザ光源11は制御回路18からのタイミング信号を受けて、パルス幅がピコ秒領域又はナノ秒領域の短パルスレーザ光を出射する。但し、本発明はピコ秒領域又はナノ秒領域の短パルスレーザに限定されるものではなく、さらに短波長のフェムト領域又はナノ秒領域よりも長波長のパルスレーザにも適用可能である。
第1のビーム径変倍光学系14は、断面ビーム形状が略円形の入射ビームを1軸方向(図2に示すX方向)へ所定変倍率(N倍)で変倍し、楕円形状のビーム形状に変換する第1の作用を与える。第1のビーム径変倍光学系14の回折光学素子側のプリズム14bから出射した断面楕円形状のビームは、回折光学素子12に対して垂直に入射する。
回折光学素子12に垂直に入射した楕円形状のビームは、それぞれの入射点において同一軸方向に異なる角度をもった複数の光に分岐される。図2には1軸方向に異なる角度をもった3つの光に分岐される場合が例示されている。この結果、回折光学素子12に入射した1つのビームは、それぞれ同一角度の分岐光の束からなる複数の分岐ビームに変換される。たとえば、回折光学素子12において3つの光に分岐される場合であれば、回折光学素子12に入射した1つのビームを、それぞれ1/3にエネルギー分割された3つの分岐ビームに変換されたことになる。回折光学素子12で分岐された分岐ビームは、回折光学素子12を挟んで反対側に配置された第2のビーム径変倍光学系14に入射する。
第2のビーム径変倍光学系14では、入射光に対して第1のビーム径変倍光学系14で与えた第1の作用を打ち消す第2の作用を与える。具体的には、第1のビーム径変倍光学系14では第1の作用として図2に示すX方向へ所定変倍率(N倍)で変倍したので、第2の作用としてX軸方に逆変倍(1/N倍)する。これにより、第2のビーム径変倍光学系15を透過した分岐ビームは、ビームサイズ及び形状が、第1のビーム径変倍光学系14への入射前と同じでありながら、複数に分岐された状態(マルチビーム)で出てくる。第2のビーム径変倍光学系14から出射された分岐ビームは集光レンズ13へ入射する。
集光レンズ13は、第2のビーム径変倍光学系14から入射する分岐ビームを被加工物W上に集光し、1ライン状に配列されたマルチビームのスポットを形成する。図2にはスポット間隔=Dで1ライン状に配列されたマルチビームスポットを示している。
本実施の形態では、第1のビーム径変倍光学系14で入射ビームに与える変倍作用(及び第2のビーム径変倍光学系15で与える逆変倍作用)の変倍率により、図2に示す各分岐ビームのビームスポットのスポット間隔=Dを制御する。第1のビーム径変倍光学系14の変倍率を大きくすれば、各ビームのスポット間隔=Dを大きくでき、第1のビーム径変倍光学系14の変倍率を小さくすれば、スポット間隔=Dを小さくできる。制御回路18は、被加工物Wの加工条件に応じたスポット間隔=Dが与えられると、プリズムペア(14a,14b)、(15a,15b)の回転量を計算して第1及び第2のプリズム駆動機構16、17に角度制御指令信号を与えて、プリズム14a,14b、15a,15bの角度を、所要スポット間隔を実現する角度に制御する。
図3は、図2に示す光学系の状態よりもスポット間隔を小さくした光学系及び該光学系の各図示位置におけるビーム断面形状を示している。第1のビーム径変倍光学系14の拡大率を、図2に示す光学系の状態よりも小さい値に設定し、第2のビーム径変倍光学系15の逆変倍率を第1のビーム径変倍光学系14の拡大率に対応させて変更している。具体的には、回折光学素子12に対してビームが垂直に入射する条件は保ちつつ、第1のプリズム駆動機構16が第1のビーム径変倍光学系14のプリズム14aを反時計回りに所定角度回転すると共に、第2のプリズム駆動機構17が第2のビーム径変倍光学系15のプリズム15bを、プリズム14aとは逆方向の時計回りに同じ角度だけ回転する。また、第1のプリズム駆動機構16が第1のビーム径変倍光学系14のプリズム14bを時計回りに所定角度回転すると共に、第2のプリズム駆動機構17が第2のビーム径変倍光学系15のプリズム15aを、プリズム14bとは逆方向の反時計回りに同じ角度だけ回転する。この結果、図3に示すように、回折光学素子12に対してビームが垂直に入射する条件を保ちつつ、回折光学素子12で異なる角度に分岐される各分岐光の分岐角度が小さくなり、集光レンズ13で集光した分岐ビームのスポット間隔が狭くなっている。図3には被加工物W上に形成されたビームスポットが隙間無く配列される程度までスポット間隔が狭くなっている。
ここで、被加工物W上に形成された分岐ビームのビームプロファイルについて説明する。図4(a)は7ビームからなる分岐ビームによるビーム径方向のエネルギー分布とビームプロファイルを示している。被加工物Wに形成したストリート方向(加工方向)に7つのビームスポットを隙間なく並べることで、加工時間を大幅に短縮でき、レーザ光源11に搭載する発振器の出力を最大限利用することが可能になる。
図4(b)はトップハット型のビームのエネルギー分布とビームプロファイルを示している。トップハット用の回折光学素子を用いることで、トップハット型のビームを形成することができる。上述した光学系において回折光学素子12にトップハット用の回折光学素子を用いることでビームの長さを調整できる。また、エネルギー分布がガウシアン分布となるガウシアン型のビームは、ビーム径方向端部のエネルギーが低い部分は加工に寄与できない。図4(b)に示すトップハット型のビームの方がガウシアン型のビームよりもエネルギーを効率よく使用できる。さらに、トップハット型のビームは、トップハットラインを加工ラインに対して横にすれば加工ラインの幅を調整できる。また、レーザ加工された溝の底がフラットになるといった作用効果を奏することもできる。
以上のように本実施の形態によれば、透過型の回折光学素子12の両端に第1の変倍光学系14(アナモルフィックプリズムペア14a,14b))と第2の変倍光学系15(アナモルフィックプリズムペア15a,15b))を配置し、第2の変倍光学系15を透過した分岐光を集光レンズ13へ導くようにしたので、第1のビーム径変倍光学系14の変倍率(N)と第2のビーム径変倍光学系15の逆変倍率(1/N)を、プリズム(14a,14b)、(15a,15b)の角度調整で設定する簡単な制御で、所望のスポット間隔Dを設定できる。また、プリズムを回転させるだけで、大きなスペースも必要としないことから小型化を図ることもできる。
また、本実施の形態によれば、アナモルフィックプリズムペア(14a,14b)(15a,15b)で構成されるに第1の変倍光学系14、15及び回折光学素子12を全て非球面光学素子で構成できるので、球面光学素子を用いた場合に比べて、光軸合わせが非常に容易になる利点がある。
また、本実施の形態によれば、第1の変倍光学系14、15をアナモルフィックプリズムペア(14a,14b)(15a,15b)で構成しているので、プリズム14a,14b、15a,15bを回転させても、プリズムから出射する光の方向を一定方向に固定できるので、回折光学素子12及び集光レンズ13の位置を固定でき、簡単な機械的構成で光学系を実現できる。
次に、図5を参照して、分岐ビームによるスポットを2次元状に配列可能な光学系について説明する。図5には該光学系の各図示位置におけるビーム断面形状を併せて示している。本実施の形態に係る光学系は、図1に示す第1及び第2の変倍光学系14、15と回折光学素子12を第1セットとし、第1セットと同様の構成を有する第2セットを追加している。第1セットによって形成されるマルチビームが第1の方向に配列されるとすると、第2セットでは第1の方向と直交する第2の方向にマルチビームを配列させるように光学部品を配置している。
図5に示すマルチビーム光学系は、第1の変倍光学系14、回折光学素子12、第2の変倍光学系15からなる第1セットと、第3の変倍光学系21、透過型の回折光学素子22、第4の変倍光学系23からなる第2セットとを備える。第2の変倍光学系15を透過した分岐ビームは、第3の変倍光学系21へ入射する。
なお、図5における第1、第2、第3、第4の変倍光学系14、15、21、23の各プリズム配置は、構成要素を例示するために便宜的に示したに過ぎない。実際には、第1及び第2の変倍光学系14、15の変倍方向と、第3及び第4の変倍光学系21、23の変倍方向とが直交方向となるように各プリズムが配置される。
第3の変倍光学系21は、アナモルフィックプリズムペア(21a,21b)で構成されており、第1の変倍光学系14における変倍方向である第1方向と直交する第2方向に任意の変倍率で変倍する第3の作用を与える。その結果、図5に示すように、第2方向を長軸方向とする楕円ビームが第1方向に向けて複数配列された状態となる。複数の楕円ビームが第2セットの回折光学素子22に垂直に入射する。
第2セットの回折光学素子22は、第1セットの回折光学素子12と同一設計であるが、分岐方向が第1セットの回折光学素子12と直交する方向になるように配置角度が設定されている。前段に配置された回折光学素子12と後段に配置された回折光学素子22の互いの分岐方向を直交させることにより、最も効率よくマトリクス状にビームスポットを配列できる。但し、必ずしも直交させなくても双方の回折光学素子の分岐方向の角度が互いに異なっていれば、マトリクス状にビームスポットを配列できる。
回折光学素子22で分岐された光は第4の変倍光学系23に入射し、第3の変倍光学系21で与えられた第3の作用を解消する第4の作用を与える。すなわち、第1及び第2の変倍光学系14,15の関係と同様に、第4の変倍光学系23には第3の変倍光学系21に設定される変倍率に対する逆変倍率が設定される。第3及び第4の変倍光学系21、23に設定される変倍率は各プリズム21a,21b,23a,23bの角度を制御することで任意に設定可能である。制御回路18は、第3及び第4のプリズム駆動機構24,25を介して各プリズム21a,21b,23a,23bの角度を制御する。
第4の変倍光学系23を透過した二次元分岐ビームは集光レンズ13で集光することによりマトリクス状に配列されたビームスポットを形成する。図5には1ラインに4スポット形成された状態を例示している。第1方向のスポット間隔は第1セットにおける第1及び第2の変倍光学系14,15で任意に設定可能で、第2方向のスポット間隔は第2セットにおける第3及び第4の変倍光学系21,23で任意に設定可能である。第1方向及び第2方向のスポット間隔から制御回路18がプリズムの角度を計算し、計算した角度を実現する角度制御指令信号を生成し、第1〜第4のプリズム駆動回路16,17,24,25に入力する。このようにして、第1方向及び第2方向のスポット間隔が所望値に設定されたマトリクス状のビームスポットを形成することができる。
図6(a)には、1ラインに5スポット並べて、一度に3ラインを加工可能な二次元ビーム配列が示されている。たとえば、同一ライン上のスポット間隔は第1セットで設定し、ライン間隔は第2セットで設定することができる。尚、図中の矢印は加工進行方向を示す。
また、図6(b)に示すように、1ラインに10スポットを密に配列してトップハット型ラインビームを形成し、トップハット型ラインビームを同時に2ライン形成することも可能である。図6(b)に示すように、トップハット型ラインビームを複数ライン形成することにより、被加工物Wが長尺チップのようなワークであっても、一度に2ライン加工でき、加工時間を大幅に短縮できる。尚、図中の矢印は加工進行方向を示す。
なお、図1に示す光学系において、回折光学素子12に代えて入射光を2次元方向に分岐する2次元回折光学素子を用いることもできる。2次元回折光学素子を用いることにより、第2セット(21,22,23)が不要となり、光学系の簡素化及び小型化を図ることができる。ただし、第1方向及び第2方向のスポット間隔を個別に制御することができなくなる。
以上の説明では、別々の変倍光学系を回折光学素子の両側に配置しているが、反射型の回折光学素子を用いることにより、変倍光学系を回折光学素子の片側に配置するだけの光学系を構築することが可能である。
図7は、反射型の回折光学素子を用いた光学系の構成図である。
図7に示す光学系は、不図示のレーザ光源から入射する短パルスレーザ光を、光軸上に配置された偏光ビームスプリッタ31に入射して、所定の偏光面を有する反射成分を反射型回折光学素子側へ反射させる。偏光ビームスプリッタ31によって光軸上に導かれた短パルスレーザ光は変倍光学系32に入射する。変倍光学系32はアナモルフィックプリズムペア32a,32bで構成されており、制御回路18からプリズム駆動機構41を介してプリズム角度を個別に制御可能に構成されている。変倍光学系32は、一方のプリズム32a側から他方のプリズム32b側へ透過する往路において、所定方向に所定倍率で変倍する第1の作用を与える。
変倍光学系32の往路で第1の作用を与えられて楕円形状に変換された楕円レーザビームは1/4波長板33を介して反射型回折光学素子34に垂直に入射する。1/4波長板33は直線偏光として入ってきたビームを円偏光に変換する。
反射型回折光学素子34は、変倍光学系32で第1の作用が与えられた楕円レーザビームを、反射すると共に異なる角度に分岐して出射する。反射型回折光学素子34から出射する分岐ビームは再び1/4波長板33を通過する際に円偏光を往路と偏光面が90°回転した直線偏光に変換する。
さらに、反射型回折光学素子34から出射する分岐ビームは、変倍光学系32の逆方向から入射する。変倍光学系32は、逆方向から入射する復路では、往路において与えた第1の作用を解消する第2の作用を与える。
変倍光学系32の復路において第2の作用を与えられた分岐ビームは、偏光ビームスプリッタ31に入射する。偏光ビームスプリッタ31に入射した分岐ビームは、1/4波長板33を2回通過して直線偏光の偏光面が90°回転しているので、分岐面31aを透過する。偏光ビームスプリッタ31を透過した分岐ビームは集光レンズ35で被加工物W上に集光される。集光レンズ35に入射する分岐ビームは反射型回折光学素子34での分岐方向に対応して角度が異なるので、集光レンズ35による集光点には分岐数に応じたビームスポットが所定間隔で形成される。
以上のように、反射型回折光学素子34を用いてマルチビーム光学系を構成することにより、変倍光学系の数を削減することができ、構成を簡素化することができる。反射型回折光学素子34を用いた場合には、ビームが透過する光学部品が増えることにより多少のエネルギーロスが生じる場合があるが、省スペース化の利点を生かした光学系設計が可能になる。
また、1/4波長板33に代えてファラデー回転子を用いると、回折光学素子34でのエネルギーロスを低減できるのでより好ましい。
次に、上述した光学系を用いたレーザ加工装置について説明する。
図8はマルチビーム光学系を用いたレーザ加工装置の構成例である。
半導体ウェーハWは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス72が形成されている。また、半導体ウェーハWは、貼着テープ73を介して環状フレーム71に支持される。
なお、本実施の形態においては、ワークとしてシリコンウェーハ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではなく、半導体ウェーハWに貼着されるDAF(Die Attach Film)等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイヤ(Al2O3)系の無機材料基板、各種電気部品やミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料をワークとしてもよい。
レーザ加工装置50は、加工台51にY軸方向に形成された一対にY軸ガイドレール52a,52bが配設されている。Y軸テーブル53はY軸ガイドレール52a,52bに沿ってY軸方向に移動自在に載置されている。Y軸テーブル53の背面側には、図示しないナット部が形成され、ナット部にボールネジ54が螺合されている。そして、ボールネジ54の端部には、駆動モータ55が連結され、駆動モータ55によりボールネジ54が回転駆動される。
Y軸テーブル53上にはY軸方向と直交するX軸方向に形成された一対にX軸ガイドレール56a,56bが配設されている。X軸テーブル57はX軸ガイドレール56a,56bに沿ってX軸方向で移動自在に載置されている。X軸テーブル57の背面側には、図示しないナット部が形成され、ナット部にボールネジ58が螺合されている。そして、ボールネジ58の端部には、駆動モータ59が連結され、駆動モータ59によりボールネジ58が回転駆動される。
X軸テーブル57上にチャックテーブル60が設置されている。チャックテーブル60は、テーブル支持部61と、テーブル支持部61の上部に設けられた加工予定ラインであるストリートを持つ半導体ウェーハWを吸着保持するウェーハ保持部62と、環状フレーム71を保持するフレーム保持部63とを備える。テーブル支持部61の内部には、ウェーハ保持部62に半導体ウェーハWを吸着保持させる吸引源が設けられている。
また、加工台51には支柱部64が立設されており、支柱部64の上端部からチャックテーブル60の上方に伸びたアーム65にレーザ照射ユニット66が支持されている。レーザ照射ユニット66には、前述した光学系が収納されている。
以上のように構成されたレーザ加工装置50において、半導体ウェーハWがチャックテーブル60に載置される。そして、半導体ウェーハWは、図示しない吸引源によりウェーハ保持部62に吸着される。
次に、レーザ光線照射ユニット66が駆動し、X軸テーブル57、Y軸テーブル53により位置調整されてレーザ加工が開始される。この場合、レーザ光線照射ユニット66は、ストリートに向けてレーザ光線を照射する。このとき、図5に示す光学系を用いて、図6(a)に示す3ライン同時加工する場合、ライン間隔及び同一ライン状のスポット間隔に対応してレーザ光線照射ユニット66に搭載した光学系のプリズム角度を制御する。また、図6(b)に示すトップハット型ラインビームによる2ライン同時加工の場合は、第1セットでライン間隔を設定し、第2セットでトップハット型ラインビームを形成するようにスポット間隔を制御する。
このようにして、上述した光学系を用いたレーザ加工装置によれば、複数ライン同時加工が可能になると共に、ワークに応じたライン間隔及び同一ライン上でのスポット間隔を、プリズム角度を調整するだけで、任意に設定可能である。
また、上記したライン加工だけでなく、ビアホール加工の様な穴あけ加工、ウェーハの一部を陥没させる様な面加工にも適用できる。
今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物を、マルチビームを用いてレーザ加工するレーザ加工装置に適用可能である。
11 レーザ光源
12 回折光学素子(透過型)
13 集光レンズ
14 第1の変倍光学系
14a,14b プリズム
15 第2の変倍光学系
15a,15b プリズム
16 第1のプリズム駆動機構
17 第2のプリズム駆動機構
18 制御回路
21 第3の変倍光学系
21a,21b プリズム
22 回折光学素子
23 第4の変倍光学系
23a,23b プリズム
24 第3のプリズム駆動機構
25 第4のプリズム駆動機構
31 偏光ビームスプリッタ
32 変倍光学系
33 1/4波長板
34 反射型回折光学素子
35 集光レンズ
50 レーザ加工装置
60 チャックテーブル
66 レーザ照射ユニット

Claims (8)

  1. 光源と、
    前記光源から発した光が入射し、該入射光を複数の光に分岐する回折光学素子と、
    前記回折光学素子で分岐した光を分岐角度に応じた複数個所に集光する集光レンズと、
    前記光源側から前記回折光学素子に入射する光に少なくとも1軸方向へ変倍する第1の作用を与え、前記回折光学素子から出射して前記集光レンズ側へ向かう光に前記第1の作用を打ち消す第2の作用を与えるアナモルフィック光学手段と、
    を具備することを特徴とする光学系。
  2. 前記アナモルフィック光学手段に設定する変倍率を調整して、前記集光レンズの集光位置に形成されるスポット間隔を制御することを特徴とする請求項1記載の光学系。
  3. 前記アナモルフィック光学手段は、変倍光学系を構成するプリズム体を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光学系。
  4. 前記アナモルフィック光学手段は、前記プリズム体を回転させる回転機構を備えることを特徴とする請求項3記載の光学系。
  5. 前記回折光学素子は、透過型回折光学素子であり、
    前記アナモルフィック光学手段は、前記回折光学素子の光軸上の前後に配置された第1及び第2のプリズム体を有し、
    前記回転機構は、前記透過型回折光学素子を対称面として、前記第1のプリズム体と前記第2のプリズム体とを対称的に回転させることを特徴とする請求項4記載の光学系。
  6. 前記第1のプリズム体は、第1のプリズムと第2のプリズムを含み、
    前記第2のプリズム体は、第3のプリズムと第4のプリズムを含む、
    ことを特徴とする請求項5記載の光学系。
  7. 前記光源は、パルスレーザ光を発するレーザ光源であり、
    前記集光レンズは、被加工物に対して前記パルスレーザ光を集光させることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の光学系。
  8. 被加工物を保持する保持機構と、前記保持機構に保持された被加工物にパルスレーザを照射する加工機構とを備えたレーザ加工装置であって、
    前記加工機構は、請求項7記載の光学系を備えることを特徴とするレーザ加工装置。


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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103831529A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 三星显示有限公司 激光加工设备
CN103846547A (zh) * 2014-02-12 2014-06-11 苏州兰叶光电科技有限公司 多光束整形激光加工系统
JP5627760B1 (ja) * 2013-12-18 2014-11-19 三菱重工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2017208445A (ja) * 2016-05-18 2017-11-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2019098367A (ja) * 2017-12-01 2019-06-24 古河電気工業株式会社 レーザ加工装置
CN111263680A (zh) * 2017-10-25 2020-06-09 株式会社尼康 加工装置及移动体的制造方法
WO2022091253A1 (ja) * 2020-10-28 2022-05-05 株式会社ニコン 光加工装置

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101189526B1 (ko) * 2010-09-30 2012-10-11 주식회사 엘티에스 레이저를 이용한 와이드 프릿 실링방법
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9815144B2 (en) 2014-07-08 2017-11-14 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
WO2016010943A2 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Method and system for arresting crack propagation
CN208586209U (zh) 2014-07-14 2019-03-08 康宁股份有限公司 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统
JP6788571B2 (ja) 2014-07-14 2020-11-25 コーニング インコーポレイテッド 界面ブロック、そのような界面ブロックを使用する、ある波長範囲内で透過する基板を切断するためのシステムおよび方法
TWI659793B (zh) 2014-07-14 2019-05-21 美商康寧公司 用於使用可調整雷射束焦線來處理透明材料的系統及方法
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
WO2016115017A1 (en) 2015-01-12 2016-07-21 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multi photon absorption method
KR102546692B1 (ko) 2015-03-24 2023-06-22 코닝 인코포레이티드 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공
JP2018516215A (ja) 2015-03-27 2018-06-21 コーニング インコーポレイテッド 気体透過性窓、および、その製造方法
JP7082042B2 (ja) 2015-07-10 2022-06-07 コーニング インコーポレイテッド 可撓性基体シートに孔を連続形成する方法およびそれに関する製品
US11111170B2 (en) 2016-05-06 2021-09-07 Corning Incorporated Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
EP3490945B1 (en) 2016-07-29 2020-10-14 Corning Incorporated Methods for laser processing
JP2019532908A (ja) 2016-08-30 2019-11-14 コーニング インコーポレイテッド 強度マッピング光学システムによる材料のレーザー切断
US10730783B2 (en) 2016-09-30 2020-08-04 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
KR102428350B1 (ko) 2016-10-24 2022-08-02 코닝 인코포레이티드 시트형 유리 기판의 레이저 기반 기계 가공을 위한 기판 프로세싱 스테이션
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
KR102665199B1 (ko) 2018-11-15 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 이를 이용한 기판 식각 방법
KR102390023B1 (ko) * 2019-03-15 2022-04-26 에이피에스홀딩스 주식회사 멀티 빔 가공방법 및 멀티 빔 가공장치
JP2022014651A (ja) * 2020-07-07 2022-01-20 住友重機械工業株式会社 ビーム整形光学装置及び真円度調整方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63153514A (ja) * 1986-12-17 1988-06-25 Sony Corp 光照射装置
JPH10305420A (ja) * 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP2004136307A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Toshiba Corp レーザ加工方法とレーザ加工装置
JP2004268144A (ja) * 2003-02-21 2004-09-30 Seishin Shoji Kk レーザ加工装置
JP2006000888A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Laser Solutions Co Ltd レーザ光によるライン加工方法およびレーザ加工装置。
JP2009050869A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Laser Net Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19983939B4 (de) * 1999-03-05 2005-02-17 Mitsubishi Denki K.K. Laserstrahlmaschine
US6972268B2 (en) * 2001-03-29 2005-12-06 Gsi Lumonics Corporation Methods and systems for processing a device, methods and systems for modeling same and the device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63153514A (ja) * 1986-12-17 1988-06-25 Sony Corp 光照射装置
JPH10305420A (ja) * 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP2004136307A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Toshiba Corp レーザ加工方法とレーザ加工装置
JP2004268144A (ja) * 2003-02-21 2004-09-30 Seishin Shoji Kk レーザ加工装置
JP2006000888A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Laser Solutions Co Ltd レーザ光によるライン加工方法およびレーザ加工装置。
JP2009050869A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Laser Net Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103831529A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 三星显示有限公司 激光加工设备
US9643280B2 (en) 2012-11-20 2017-05-09 Samsung Display Co., Ltd. Laser processing apparatus
JP5627760B1 (ja) * 2013-12-18 2014-11-19 三菱重工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US10189115B2 (en) 2013-12-18 2019-01-29 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Laser processing apparatus and laser processing method
CN103846547A (zh) * 2014-02-12 2014-06-11 苏州兰叶光电科技有限公司 多光束整形激光加工系统
JP2017208445A (ja) * 2016-05-18 2017-11-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
US11348793B2 (en) * 2016-05-18 2022-05-31 Disco Corporation Laser processing apparatus and laser processing method
CN111263680A (zh) * 2017-10-25 2020-06-09 株式会社尼康 加工装置及移动体的制造方法
JP2019098367A (ja) * 2017-12-01 2019-06-24 古河電気工業株式会社 レーザ加工装置
JP6998745B2 (ja) 2017-12-01 2022-01-18 古河電気工業株式会社 レーザ加工装置
WO2022091253A1 (ja) * 2020-10-28 2022-05-05 株式会社ニコン 光加工装置

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