JP2010206137A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体領域2上にゲート絶縁膜5を形成するステップと、第1金属元素と、OH基、NOx(x=1,2)基のうち少なくとも一つを含有する酸素含有金属層6をゲート絶縁膜上に形成するステップと、酸素含有金属層上に第2金属元素を含むゲート電極膜7を形成するステップと、ゲート電極膜を形成した後、酸素含有金属層の熱分解反応或いは脱水反応が生じる温度以上に加熱するステップと、を備えている。
【選択図】図2
Description
を備えたことを特徴とする。
本発明の各実施形態を説明する前に、本発明の一実施形態による半導体装置の概要を説明する。
本発明の第1実施形態によるPMOSトランジスタの製造方法について、図1(a)乃至図3を参照して説明する。
HfClx + xH2O → Hf(OH)x + xHCl↑
を生じさせて、HfSiON層5bの表面に約0.5nmのHf(OH)x(x=1〜4)層(酸素含有金属層)6を形成する(図1(b)参照)。
Ti + xH2O → TiOx + xH2↑
をすることで生じたと考えられる。
2M−OH → M−O−M+H2O
これはOH基の濃度が高くなければ、脱水反応が生じにくいことを意味する。
本発明の第2実施形態によるPMOSトランジスタの製造方法について、図4を参照して説明する。
Hf + (x/2)H2O2 → Hf(OH)x
の反応を生じさせて、ハフニアからなる高誘電体層5cの表面に約0.5nmのHf(OH)x(x=1〜4)層(酸素含有金属層)6を形成する。その後、Ta2C膜の堆積を行い、Ta2C膜からなるゲート電極7aを形成する。その後、N2ガス中で300℃、30分間の熱処理を施す。このようにして作製したPMOSキャパシタのC−V特性の測定を行い、フラットバンド電圧の絶縁膜の膜厚依存性からTa2C膜からなるゲート電極7aの実効仕事関数を算出する。すると、実効仕事関数として約4.7Vの値が得られる。このPMOSキャパシタの構造をXPSとHR−RBSで評価したところ、Ta2Cのゲート電極7aと、ハフニアからなる高誘電体層5cの間に、酸化金属層11a(Ta2OyC層11a;Oは主にTaと結合)が形成されていることが確認される(図4)。このTa2OyC層11aは、熱処理の際にHf(OH)xが脱水反応を起こしてHfO2とH2Oとが生成される。さらにこのH2Oが、Ta2C膜中の、Cよりも電気陰性度の小さなTaと、下記のような反応
Ta2C + yH2O → Ta2OyC +yH2↑
をすることで生じたと考えられる。
のゲート電極7a側に酸化金属層11aを形成することで、PMOSキャパシタのゲート電極の実効仕事関数を増加させることができる。
本発明の第3実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法について、図5(a)〜図7を参照して説明する。
本発明の第4実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法について、図8(a)〜図10を参照して説明する。
本発明の第5実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法について、図11(a)〜図12を参照して説明する。
HfO2 + yH2O → Hf(OH)x
により、N型ウェル領域2aのハフニア(HfO2)からなる高誘電体層5cの表面のみにHf(OH)x(x=1〜4)層(酸素含有金属層)6が形成される。
2a N型ウェル領域
2b P型ウェル領域
3 素子分離層
5 ゲート絶縁膜
5a 界面層(SiO2層)
5b 高誘電体層(HfSiON層)
5c 高誘電体層(ハフニア層)
5d 酸化ランタン層
6 Hf(OH)x層
6a Hf(NOx)y層
6b Al(OH)x層
7 ゲート電極(Ti膜)
7a ゲート電極(Ta2C膜)
7b TiN膜
7c 多結晶シリコン膜
10 HfOx層
10a 酸化アルミニウム層
11 酸素含有金属層(AlOx層)
11a 酸素含有金属層(Ta2OyC層)
11b 酸素含有金属層(酸素が含有されたTiN層)
12a P型ソース領域
12b P型ドレイン領域
13a P型エクステンション領域
13b P型エクステンション領域
14a P型不純物領域
14b P型不純物領域
16 ゲート側壁
17 フォトレスト
22a N型ソース領域
22b N型ドレイン領域
23a N型エクステンション領域
23b N型エクステンション領域
24a N型不純物領域
24b N型不純物領域
30 層間絶縁膜
Claims (7)
- 半導体領域上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
第1金属元素と、OH基、NOx(x=1,2)基のうち少なくとも一つを含有する酸素含有金属層を前記ゲート絶縁膜上に形成するステップと、
前記酸素含有金属層上に第2金属元素を含むゲート電極膜を堆積するステップと、
前記ゲート電極膜を堆積した後、前記酸素含有金属層の熱分解反応或いは脱水反応が生じる温度以上に加熱するステップと、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板に設けられたN型半導体領域およびP型半導体領域にゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記N型半導体領域の前記ゲート絶縁膜上にのみ、第1金属元素と、OH基、NOx(x=1,2)基のうち少なくとも一つを含有する酸素含有金属層を形成するステップと、
前記N型半導体領域の前記酸素含有金属層上および前記P型半導体領域の前記ゲート絶縁膜上に第2金属元素を含むゲート電極膜を形成するステップと、
前記ゲート電極膜を形成した後、前記酸素含有金属層の熱分解反応或いは脱水反応が生じる温度以上に加熱するステップと、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1金属元素は、その酸化物が、シリコン酸化物よりも誘電率が高いことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸素含有金属層はOH基を含み、前記酸素含有金属層を形成するステップは、
前記第1金属元素のハロゲン化物ガスを含む雰囲気に暴露するステップと、
H2O雰囲気に暴露するステップと、
を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸素含有金属層はOH基を含み、前記酸素含有金属層を形成するステップは、
前記第1金属元素を含む層を前記ゲート絶縁膜上に形成するステップと、
H2O2ガス雰囲気曝露、H2O2水溶液浸漬、オゾン水溶液浸漬のいずれかを施すステップと、
を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜は、最表面に前記第1金属元素と同じ金属の酸化物層を含み、
前記酸素含有金属層はOH基を含み、前記酸素含有金属層を形成するステップは、
前記酸化物層をH2O雰囲気に暴露するステップ、
を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸素含有金属層はNOx(x=1,2)基を含み、前記酸素含有金属層を形成するステップは、
前記第1金属元素とNOx(x=1,2)とを含む化合物の水溶液を前記ゲート絶縁膜上に塗布し、乾燥させるステップ、
を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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