JP2010206014A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置10は、基板領域1と、基板領域1上に設けられ、炭化珪素を含む半導体材料からなり、複数の凹部が形成されたドリフト領域2と、側壁に配設されたアノード電極3と、凹部の側壁を挟んでアノード電極3と互いに対面するように側壁に配設され、かつ、アノード電極3と絶縁されたカソード電極4とを有する。
【選択図】図1
Description
図1を用いて、本発明における半導体装置の第1実施形態を説明する。図1は本発明の実施形態を説明する断面図の一例である。
図5〜図12を用いて、本発明における半導体装置10の第2実施形態を説明する。本実施形態においては、第1実施形態と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
図13〜図15を用いて、本発明における半導体装置の第3実施形態を説明する。本実施形態においては、第1実施形態並びに第2実施形態と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
図16〜図27を用いて、本発明における半導体装置の第4実施形態を説明する。本実施形態においては、第1実施形態〜第3実施形態で説明した内容と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
図28〜図39を用いて、本発明における半導体装置の第5実施形態を説明する。本実施形態においては、第1実施形態〜第4実施形態で説明した内容と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
図40〜図42を用いて、本発明における半導体装置の第6実施形態を説明する。本実施形態においては、第1実施形態〜第5実施形態で説明した内容と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
図43〜図45を用いて、本発明における半導体装置の第7実施形態を説明する。本実施形態においては、第1実施形態〜第6実施形態で説明した内容と同様の動作をする部分の説明は省略し、異なる特徴ついて詳しく説明する。
2 ドリフト領域
3、13、23アノード電極
4、14、24カソード電極
5 絶縁膜
6、7 電界緩和領域
8 高濃度領域
10 半導体装置
11 基板領域
15 アノード領域
16 カソード領域
26 反対導電型領域
31 ソース領域
32 ウェル領域
33 ソース電極
34 ドレイン電極
35 ゲート絶縁膜
36 ゲート電極
51〜55、57〜62 マスク材
56 ポリシリコン層
d 深さ
p ピッチ
Claims (16)
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられ、炭化珪素を含む半導体材料からなり、複数の凹部が形成されたドリフト領域と、
前記凹部に配設された第1の電極と、
前記第1の電極が配設された凹部とは異なる凹部に配設された第2の電極と、
を有し、
前記第1の電極と前記第2の電極とが絶縁されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の電極の少なくとも一部が、前記ドリフト領域とショットキー接合を有しており、前記第1の電極と前記第2の電極間に、ショットキーバリアダイオードが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の電極の少なくとも一部が、前記ドリフト領域とはバンドギャップが異なった半導体材料からなるヘテロ半導体領域からなり、前記第1の電極と前記第2の電極間に、ヘテロ接合ダイオードが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ドリフト領域の少なくとも一部が、第1導電型である第1導電型領域と、第2導電型である第2導電型領域とからなり、前記第1の電極と前記第2の電極間に、PN接合ダイオードが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の電極と前記第2の電極とは絶縁された第3の電極を有し、前記第3の電極は前記第1の電極と前記第2の電極との間を流れる電流を制御する制御電極であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の前記凹部が前記ドリフト領域の同一主面側に形成されており、前記第1の電極と前記第2の電極とが同一主面側に形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記複数の前記凹部が前記ドリフト領域の互いに対向する2つの主面にそれぞれ形成されており、前記第1の電極と前記第2の電極とが互いに対向するように2つの主面にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記凹部の深さが、前記第1の電極と前記第2の電極とがそれぞれ形成された凹部の中心間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記凹部の側壁表層部に電界集中を緩和する表層部電界緩和領域が形成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記凹部の側壁底部に電界集中を緩和する底部電界緩和領域が形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記凹部の底部が前記支持基板まで延びるように、前記ドリフト領域を貫通していることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記支持基板が半導体材料からなることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記支持基板が前記ドリフト領域とは反対導電型の前記半導体材料からなることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記支持基板が絶縁性を有する材料からなることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記支持基板が前記ドリフト領域と同じ半導体材料で、かつ、絶縁性を有する材料からなることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記支持基板が炭化珪素材料からなることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体装置。
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