JP2010193329A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010193329A JP2010193329A JP2009037338A JP2009037338A JP2010193329A JP 2010193329 A JP2010193329 A JP 2010193329A JP 2009037338 A JP2009037338 A JP 2009037338A JP 2009037338 A JP2009037338 A JP 2009037338A JP 2010193329 A JP2010193329 A JP 2010193329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type mosfet
- voltage
- type
- terminal
- drain terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6874—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor in a symmetrical configuration
Landscapes
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
【解決手段】最も絶対値の大きい正電圧VPP1及び負電圧VNN1が供給された従来のパルス発生回路部10と、2番目に絶対値が大きい正電圧VPP2が供給されたP型アナログスイッチタイプのパルス発生回路部20と、2番目に絶対値が大きい負電圧VNN2が供給されたN型アナログスイッチタイプのパルス発生回路部30と、接地電位が供給されたN型アナログスイッチタイプの接地レベルダンピング回路部40とを備える送信回路において、10、20、30、及び40がそれぞれ出力端子OUTに接続される。スイッチ制御信号S1〜S5によって10、20、30、及び40を各別にオンオフして超音波振動子50を駆動する。
【選択図】図1A
Description
20…P型アナログスイッチ、
30,40…N型アナログスイッチ、
50…振動子、
23,33,43,A…アナログスイッチの浮動電圧型低耐圧ゲート駆動回路、
13,14…ゲートドライブバッファ(ゲート駆動回路部)、
I…電流源、
Sn(nは2以上の整数)…ゲート電圧制御入力信号、
11,21,22,MP5,MP6,MP7,MP8,PSW1,PSW2…P型高耐圧MOSFET、
12,31,32,41,42,MN5,MN6,MN7,MN8,NSW1,NSW2…N型高耐圧MOSFET、
MP1,MP2,MP3…P型低耐圧MOSFET、
MN1,MN2,MN4…N型低耐圧MOSFET、
VPPn(nは2以上の整数)…正電位高電圧電源、
VNNn(nは2以上の整数)…正電位高電圧電源、
GND…送信回路のグラウンド、
VA…アナログスイッチ供給電圧、
VDD…正電位低電圧電源、
OUT…出力端子、
S…アナログスイッチのソース端子。
Claims (14)
- 複数の異なる正電圧及び負電圧がそれぞれ複数の半導体スイッチング素子の一方の端子に各別に接続され、かつ、前記複数の半導体スイッチング素子の他方の端子が出力端子として共通に接続されて成る電圧パルス発生回路が半導体基板上に形成されて成る半導体集積回路装置であって、
前記電圧パルス発生回路は、前記複数の半導体スイッチング素子の制御端子に入力される制御パルス信号に基づいて接地電位を含む正負複数の電位を有する電圧パルス信号を発生させるよう構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1において、
前記複数の半導体スイッチング素子は、第1のN型MOSFETと第2のN型MOSFETとのソース端子同士が互いに接続され、かつ、前記第1のN型MOSFETと前記第2のN型MOSFETとのゲート端子同士が互いに制御端子として共通に接続され、かつ、前記第1のN型MOSFETのドレイン端子に前記複数の異なる正電圧及び負電圧のいずれか一つである第1の電圧が供給され、かつ、前記第2のN型MOSFETのドレイン端子が前記出力端子に接続されて成るN型アナログスイッチ回路を含んで構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2において、
前記制御端子から入力される制御信号に基づいて前記N型アナログスイッチ回路のゲート端子にゲート制御信号を与えるラッチ回路を更に備え、
前記ラッチ回路の低電位側電源に前記第1のN型MOSFETと前記第2のN型MOSFETとのソース端子が前記第2のN型MOSFETのドレイン端子に接続された前記出力端子の電圧によって変動する第1の浮動電圧として接続され、
前記ラッチ回路の高電位側電源に前記第1のN型MOSFETのドレイン端子に供給される前記第1の電圧より低い低圧部電源として用いられる第2の電圧分だけ高い第3の電圧が供給される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項3において、
前記ラッチ回路は、
第3及び第4のP型MOSFETのソース端子に前記第3の電圧が供給され、
前記第3のP型MOSFETのドレイン端子に、前記第1及び第2のN型MOSFETのいずれよりも耐圧の低い第7のN型MOSFETのドレイン端子、前記第1及び第2のN型MOSFETのいずれよりも耐圧の低い第8のN型MOSFETのゲート端子、第5のP型MOSFETのドレイン端子、及び前記第1乃至第5のP型MOSFETのいずれよりも耐圧の低いP型MOSFETと前記第1及び第2のN型MOSFETのいずれよりも耐圧の低いN型MOSFETとの対から成る第1のインバータの高電位側が共通に接続され、
前記第4のP型MOSFETのドレイン端子に、前記第7のN型MOSFETのゲート端子、前記第8のN型MOSFETのドレイン端子、第6のP型MOSFETのドレイン端子、及び前記第1のインバータの入力端子が共通に接続され、
前記第1のインバータの出力端子に前記第1及び前記第2のN型MOSFETのゲート端子が共通に接続され、
前記第5及び前記第6のP型MOSFETのソース端子は共通に第1の電流源を介して前記第3の電圧に接続され、
前記第7のN型MOSFETのゲート端子に第1の容量の一方の電極及び第1のツェナーダイオードのカソードが共通に接続され、
前記第7のN型MOSFETのソース端子に前記第1の容量の他方の電極及び前記第1のツェナーダイオードのアノードが共通に接続され、
前記第8のN型MOSFETのゲート端子に第2の容量の一方の電極及び第2のツェナーダイオードのカソードが共通に接続され、
前記第8のN型MOSFETのソース端子に前記第2の容量の他方の電極及び前記第2のツェナーダイオードのアノードが共通に接続され
て構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1おいて、
前記複数の半導体スイッチング素子は、第1のP型MOSFETと第2のP型MOSFETとのソース端子同士が互いに接続され、かつ、前記第1のP型MOSFETと前記第2のP型MOSFETとのゲート端子同士が互いに制御端子として共通に接続され、かつ、前記第1のP型MOSFETのドレイン端子に前記複数の異なる正電圧及び負電圧のいずれか一つである第1の電圧が供給され、かつ、前記第2のP型MOSFETのドレイン端子が前記出力端子に接続されて成るP型アナログスイッチ回路を含んで構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項5において、
前記制御端子から入力される制御信号に基づいて前記P型アナログスイッチ回路のゲート端子にゲート制御信号を与えるラッチ回路を更に備え、
前記ラッチ回路の高電位側電源に前記第1のP型MOSFETと前記第2のP型MOSFETとのソース端子が前記第2のP型MOSFETのドレイン端子に接続された前記出力端子の電圧によって変動する第2の浮動電圧として接続され、
前記ラッチ回路の低電位側電源に前記第1のP型MOSFETのドレイン端子に供給される前記第1の電圧より低い低圧部電源として用いられる第2の電圧分だけ低い第4の電圧が供給される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6において、
前記ラッチ回路は、
第3及び第4のN型MOSFETのソース端子に前記第4の電圧が供給され、
前記第3のN型MOSFETのドレイン端子に、前記第1及び第2のP型MOSFETのいずれよりも耐圧の低い第7のP型MOSFETのドレイン端子、前記第1及び第2のP型MOSFETのいずれよりも耐圧の低い第8のP型MOSFETのゲート端子、第5のN型MOSFETのドレイン端子、及び前記第1乃至第5のN型MOSFETのいずれよりも耐圧の低いN型MOSFETと前記第1及び第2のP型MOSFETのいずれよりも耐圧の低いP型MOSFETとの対から成る第2のインバータの低電位側が共通に接続され、
前記第4のN型MOSFETのドレイン端子に、前記第7のP型MOSFETのゲート端子、前記第8のP型MOSFETのドレイン端子、第6のN型MOSFETのドレイン端子、及び前記第2のインバータの入力端子が共通に接続され、
前記第2のインバータの出力端子に前記第1及び前記第2のP型MOSFETのゲート端子が共通に接続され、
前記第5及び前記第6のN型MOSFETのソース端子は共通に第2の電流源を介して前記第4の電圧に接続され、
前記第7のP型MOSFETのゲート端子に第3の容量の一方の電極及び第3のツェナーダイオードのアノードが共通に接続され、
前記第7のP型MOSFETのソース端子に前記第3の容量の他方の電極及び前記第3のツェナーダイオードのカソードが共通に接続され、
前記第8のP型MOSFETのゲート端子に第4の容量の一方の電極及び第4のツェナーダイオードのアノードが共通に接続され、
前記第8のP型MOSFETのソース端子に前記第4の容量の他方の電極及び前記第4のツェナーダイオードのカソードが共通に接続され
て構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 複数の異なる正電圧及び負電圧がそれぞれ複数の半導体スイッチング素子の一方の端子に各別に接続され、かつ、前記複数の半導体スイッチング素子の他方の端子が出力端子として共通に接続されて成る複数の電圧パルス発生回路が共通の半導体基板上に一体に形成されて成る半導体集積回路装置であって、
前記複数の電圧パルス発生回路の各々は、前記複数の半導体スイッチング素子の制御端子に入力される制御パルス信号に基づいて接地電位を含む正負複数の電位を有する電圧パルス信号を発生させるよう構成され、
前記複数の電圧パルス発生回路は、その各々が一単位のチャネルに対応する複数チャネル構成の超音波振動子を駆動する超音波診断装置用送信回路として機能する
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項8おいて、
前記複数の半導体スイッチング素子は、第1のN型MOSFETと第2のN型MOSFETとのソース端子同士が互いに接続され、かつ、前記第1のN型MOSFETと前記第2のN型MOSFETとのゲート端子同士が互いに制御端子として共通に接続され、かつ、前記第1のN型MOSFETのドレイン端子に前記複数の異なる正電圧及び負電圧のいずれか一つである第1の電圧が供給され、かつ、前記第2のN型MOSFETのドレイン端子が前記出力端子に接続されて成るN型アナログスイッチ回路を含んで構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項9において、
前記制御端子から入力される制御信号に基づいて前記N型アナログスイッチ回路のゲート端子にゲート制御信号を与えるラッチ回路を更に備え、
前記ラッチ回路の低電位側電源に前記第1のN型MOSFETと前記第2のN型MOSFETとのソース端子が前記第2のN型MOSFETのドレイン端子に接続された前記出力端子の電圧によって変動する第1の浮動電圧として接続され、
前記ラッチ回路の高電位側電源に前記第1のN型MOSFETのドレイン端子に供給される前記第1の電圧より低い低圧部電源として用いられる第2の電圧分だけ高い第3の電圧が供給される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項10において、
前記ラッチ回路は、
第3及び第4のP型MOSFETのソース端子に前記第3の電圧が供給され、
前記第3のP型MOSFETのドレイン端子に、前記第1及び第2のN型MOSFETのいずれよりも耐圧の低い第7のN型MOSFETのドレイン端子、前記第1及び第2のN型MOSFETのいずれよりも耐圧の低い第8のN型MOSFETのゲート端子、第5のP型MOSFETのドレイン端子、及び前記第1乃至第5のP型MOSFETのいずれよりも耐圧の低いP型MOSFETと前記第1及び第2のN型MOSFETのいずれよりも耐圧の低いN型MOSFETとの対から成る第1のインバータの高電位側が共通に接続され、
前記第4のP型MOSFETのドレイン端子に、前記第7のN型MOSFETのゲート端子、前記第8のN型MOSFETのドレイン端子、第6のP型MOSFETのドレイン端子、及び前記第1のインバータの入力端子が共通に接続され、
前記第1のインバータの出力端子に前記第1及び前記第2のN型MOSFETのゲート端子が共通に接続され、
前記第5及び前記第6のP型MOSFETのソース端子は共通に第1の電流源を介して前記第3の電圧に接続され、
前記第7のN型MOSFETのゲート端子に第1の容量の一方の電極及び第1のツェナーダイオードのカソードが共通に接続され、
前記第7のN型MOSFETのソース端子に前記第1の容量の他方の電極及び前記第1のツェナーダイオードのアノードが共通に接続され、
前記第8のN型MOSFETのゲート端子に第2の容量の一方の電極及び第2のツェナーダイオードのカソードが共通に接続され、
前記第8のN型MOSFETのソース端子に前記第2の容量の他方の電極及び前記第2のツェナーダイオードのアノードが共通に接続され
て構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項8おいて、
前記複数の半導体スイッチング素子は、第1のP型MOSFETと第2のP型MOSFETとのソース端子同士が互いに接続され、かつ、前記第1のP型MOSFETと前記第2のP型MOSFETとのゲート端子同士が互いに制御端子として共通に接続され、かつ、前記第1のP型MOSFETのドレイン端子に前記複数の異なる正電圧及び負電圧のいずれか一つである第1の電圧が供給され、かつ、前記第2のP型MOSFETのドレイン端子が前記出力端子に接続されて成るP型アナログスイッチ回路を含んで構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項12において、
前記制御端子から入力される制御信号に基づいて前記P型アナログスイッチ回路のゲート端子にゲート制御信号を与えるラッチ回路を更に備え、
前記ラッチ回路の高電位側電源に前記第1のP型MOSFETと前記第2のP型MOSFETとのソース端子が前記第2のP型MOSFETのドレイン端子に接続された前記出力端子の電圧によって変動する第2の浮動電圧として接続され、
前記ラッチ回路の低電位側電源に前記第1のP型MOSFETのドレイン端子に供給される前記第1の電圧より低い低圧部電源として用いられる第2の電圧分だけ低い第4の電圧が供給される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項13において、
前記ラッチ回路は、
第3及び第4のN型MOSFETのソース端子に前記第4の電圧が供給され、
前記第3のN型MOSFETのドレイン端子に、前記第1及び第2のP型MOSFETのいずれよりも耐圧の低い第7のP型MOSFETのドレイン端子、前記第1及び第2のP型MOSFETのいずれよりも耐圧の低い第8のP型MOSFETのゲート端子、第5のN型MOSFETのドレイン端子、及び前記第1乃至第5のN型MOSFETのいずれよりも耐圧の低いN型MOSFETと前記第1及び第2のP型MOSFETのいずれよりも耐圧の低いP型MOSFETとの対から成る第2のインバータの低電位側が共通に接続され、
前記第4のN型MOSFETのドレイン端子に、前記第7のP型MOSFETのゲート端子、前記第8のP型MOSFETのドレイン端子、第6のN型MOSFETのドレイン端子、及び前記第2のインバータの入力端子が共通に接続され、
前記第2のインバータの出力端子に前記第1及び前記第2のP型MOSFETのゲート端子が共通に接続され、
前記第5及び前記第6のN型MOSFETのソース端子は共通に第2の電流源を介して前記第4の電圧に接続され、
前記第7のP型MOSFETのゲート端子に第3の容量の一方の電極及び第3のツェナーダイオードのアノードが共通に接続され、
前記第7のP型MOSFETのソース端子に前記第3の容量の他方の電極及び前記第3のツェナーダイオードのカソードが共通に接続され、
前記第8のP型MOSFETのゲート端子に第4の容量の一方の電極及び第4のツェナーダイオードのアノードが共通に接続され、
前記第8のP型MOSFETのソース端子に前記第4の容量の他方の電極及び前記第4のツェナーダイオードのカソードが共通に接続され
て構成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009037338A JP5337523B2 (ja) | 2009-02-20 | 2009-02-20 | 半導体集積回路装置 |
KR1020100001274A KR101216765B1 (ko) | 2009-02-20 | 2010-01-07 | 반도체 집적 회로 장치 |
US12/685,024 US8143924B2 (en) | 2009-02-20 | 2010-01-11 | Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009037338A JP5337523B2 (ja) | 2009-02-20 | 2009-02-20 | 半導体集積回路装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010193329A true JP2010193329A (ja) | 2010-09-02 |
JP2010193329A5 JP2010193329A5 (ja) | 2012-03-22 |
JP5337523B2 JP5337523B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=42630428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009037338A Active JP5337523B2 (ja) | 2009-02-20 | 2009-02-20 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8143924B2 (ja) |
JP (1) | JP5337523B2 (ja) |
KR (1) | KR101216765B1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012209763A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Hitachi Ltd | スイッチ回路及び半導体回路 |
JP2013052154A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | 超音波診断装置 |
JP2014028027A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Toshiba Corp | 超音波診断装置、スイッチング制御プログラムおよびスイッチング制御方法 |
JP2017123893A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 国立大学法人東北大学 | 超音波の送信回路 |
JP2018537185A (ja) * | 2015-12-02 | 2018-12-20 | バタフライ ネットワーク,インコーポレイテッド | マルチレベルパルサーならびに関連する装置および方法 |
US10707886B2 (en) | 2015-12-02 | 2020-07-07 | Butterfly Network, Inc. | Asynchronous successive approximation analog-to-digital converter and related methods and apparatus |
JP2021104276A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-26 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | 電圧出力回路、超音波診断装置、および超音波プローブ |
US11128267B2 (en) | 2015-12-02 | 2021-09-21 | Bfly Operations, Inc. | Trans-impedance amplifier for ultrasound device and related apparatus and methods |
US11169248B2 (en) | 2015-12-02 | 2021-11-09 | Bfly Operations, Inc. | Multi-level pulser and related apparatus and methods |
US11215703B2 (en) | 2015-12-02 | 2022-01-04 | Bfly Operations, Inc. | Time gain compensation circuit and related apparatus and methods |
US11275161B2 (en) | 2015-12-02 | 2022-03-15 | Bfly Operations, Inc. | Ultrasound receiver circuitry and related apparatus and methods |
US11662447B2 (en) | 2018-11-09 | 2023-05-30 | Bfly Operations, Inc. | Trans-impedance amplifier (TIA) for ultrasound devices |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011128809A2 (en) * | 2010-04-12 | 2011-10-20 | Sapiens Steering Brain Stimulation B.V. | Control circuitry and method for controlling a bi-directional switch system, a bi-directional switch, a switching matrix and a medical stimulator |
JP6555465B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2019-08-07 | 横河電機株式会社 | 超音波流量計 |
WO2018152719A1 (zh) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 方波产生方法及方波产生电路 |
JP7329411B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-08-18 | エイブリック株式会社 | アナログスイッチ |
GB2601803A (en) * | 2020-12-11 | 2022-06-15 | Univ Leeds Innovations Ltd | Ultrasound transmitter |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1156839A (ja) * | 1997-08-14 | 1999-03-02 | Ge Yokogawa Medical Syst Ltd | 超音波送波パルス発生回路および超音波診断装置 |
JP2006261790A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レベル生成装置 |
JP2008252436A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2010042146A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 超音波撮像装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5632019A (en) * | 1994-07-15 | 1997-05-20 | Seagate Technology, Inc. | Output buffer with digitally controlled power handling characteristics |
JP3665408B2 (ja) | 1996-02-29 | 2005-06-29 | 株式会社東芝 | 駆動パルス発生装置 |
JPH1051285A (ja) * | 1996-05-28 | 1998-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧制御型トランジスタの駆動回路 |
JP4657497B2 (ja) * | 2001-06-07 | 2011-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 可変インピーダンス回路 |
JP4471967B2 (ja) | 2006-12-28 | 2010-06-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 双方向スイッチモジュール |
-
2009
- 2009-02-20 JP JP2009037338A patent/JP5337523B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-07 KR KR1020100001274A patent/KR101216765B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-11 US US12/685,024 patent/US8143924B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1156839A (ja) * | 1997-08-14 | 1999-03-02 | Ge Yokogawa Medical Syst Ltd | 超音波送波パルス発生回路および超音波診断装置 |
JP2006261790A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レベル生成装置 |
JP2008252436A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2010042146A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 超音波撮像装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012209763A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Hitachi Ltd | スイッチ回路及び半導体回路 |
JP2013052154A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | 超音波診断装置 |
JP2014028027A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Toshiba Corp | 超音波診断装置、スイッチング制御プログラムおよびスイッチング制御方法 |
US11169248B2 (en) | 2015-12-02 | 2021-11-09 | Bfly Operations, Inc. | Multi-level pulser and related apparatus and methods |
JP2018537185A (ja) * | 2015-12-02 | 2018-12-20 | バタフライ ネットワーク,インコーポレイテッド | マルチレベルパルサーならびに関連する装置および方法 |
US10707886B2 (en) | 2015-12-02 | 2020-07-07 | Butterfly Network, Inc. | Asynchronous successive approximation analog-to-digital converter and related methods and apparatus |
US11128267B2 (en) | 2015-12-02 | 2021-09-21 | Bfly Operations, Inc. | Trans-impedance amplifier for ultrasound device and related apparatus and methods |
US11215703B2 (en) | 2015-12-02 | 2022-01-04 | Bfly Operations, Inc. | Time gain compensation circuit and related apparatus and methods |
US11275161B2 (en) | 2015-12-02 | 2022-03-15 | Bfly Operations, Inc. | Ultrasound receiver circuitry and related apparatus and methods |
US11573309B2 (en) | 2015-12-02 | 2023-02-07 | Bfly Operations, Inc. | Time gain compensation circuit and related apparatus and methods |
US11808899B2 (en) | 2015-12-02 | 2023-11-07 | BFLY Operations, Inc | Ultrasound receiver circuitry and related apparatus and methods |
US11863133B2 (en) | 2015-12-02 | 2024-01-02 | Bfly Operations, Inc. | Trans-impedance amplifier for ultrasound device and related apparatus and methods |
JP2017123893A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 国立大学法人東北大学 | 超音波の送信回路 |
US11662447B2 (en) | 2018-11-09 | 2023-05-30 | Bfly Operations, Inc. | Trans-impedance amplifier (TIA) for ultrasound devices |
JP2021104276A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-26 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | 電圧出力回路、超音波診断装置、および超音波プローブ |
JP7362474B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-10-17 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | 電圧出力装置、超音波診断装置、および超音波プローブ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100095366A (ko) | 2010-08-30 |
JP5337523B2 (ja) | 2013-11-06 |
KR101216765B1 (ko) | 2012-12-28 |
US8143924B2 (en) | 2012-03-27 |
US20100214006A1 (en) | 2010-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5337523B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP4946572B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP5048081B2 (ja) | バッファおよび表示装置 | |
US7956653B1 (en) | Complementary high voltage switched current source integrated circuit | |
US8542037B2 (en) | Multi-level high voltage pulser integrated circuit using low voltage MOSFETs | |
US8451155B2 (en) | Transmission circuit, ultrasonic probe and ultrasonic image display apparatus | |
US20080100342A1 (en) | Circuit arrangement comprising a level shifter and method | |
WO2014035653A1 (en) | Circuits and related techniques for driving a high side of a half bridge circuit | |
KR101736075B1 (ko) | 버퍼 회로 | |
EP0395387B1 (en) | Display drive circuit | |
JP3022815B2 (ja) | 中間電位生成回路 | |
JP5410508B2 (ja) | 超音波診断装置、及び送波信号発生回路 | |
JP2010081365A (ja) | 高周波半導体スイッチ装置 | |
CN213152036U (zh) | 电平移位电路以及集成电路 | |
JP2008136262A (ja) | Dc−dcコンバータ及び表示装置 | |
JP2010256734A (ja) | 表示パネルドライバ | |
JP2002344303A (ja) | レベルシフト回路 | |
JP2011061262A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
Vaishnavi et al. | Design and analysis of level shifter in high voltage transmitter | |
JP4631399B2 (ja) | 超音波診断装置 | |
CN112242838A (zh) | 电平移位电路以及集成电路 | |
US20080030230A1 (en) | Apparatus and method to reduce voltage swing for control signals | |
WO2020208122A1 (en) | Ultrasound transducer half-bridge driver circuit | |
JPH11346473A (ja) | 電源回路 | |
JPS6096025A (ja) | 電子スイツチ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120202 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130805 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5337523 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |