JP2010182720A - 有機光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の電極層と第2の電極層との間にバルクヘテロジャンクション構造を有する光電変換層を有し、該光電変換層と第1の電極間、もしくは光電変換層と第2の電極間に、正孔または電子のいずれかの電荷を主に輸送する電荷輸送層を有して成るバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子において、該電荷輸送層が少なくとも2層以上の層からなり、それぞれの導電率が異なることを特徴とする有機光電変換素子。
【選択図】なし
Description
本発明の有機光電変換素子は、第1の電極と第2の電極と、両者に挟まれた光電変換層(p型半導体とn型半導体が混合された層であり、バルクヘテロジャンクション層、またはBHJ層、i層、発電層とも言う)が少なくとも1層以上あり、光を照射すると電流を発生する素子である。
(a)第1の電極/HTL1/HTL2/光電変換層/第2の電極
(b)第1の電極/HTL1/HTL2/光電変換層/ETL/第2の電極
(c)第1の電極/HTL/光電変換層/ETL1/ETL2/第2の電極
(d)第1の電極/HTL1/ETL2/光電変換層/ETL1/ETL2/第2の電極
(e)第1の電極/HTL1/ETL2/ETL3/光電変換層/ETL/第2の電極
(f)第1の電極/HTL/光電変換層/ETL1/ETL2/ETL3/第2の電極
尚、HTL1〜3またはETL1〜3は、それぞれ導電率が異なる電荷輸送層を示す。
本発明の発電層(バルクヘテロジャンクション層)に用いられるp型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族低分子化合物や共役系ポリマー・オリゴマーが挙げられる。
本発明のバルクヘテロジャンクション層に用いられるn型半導体材料としては、特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン等、p型半導体のパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。
本発明の有機光電変換素子は、第1の電極と光電変換層との間に正孔輸送層を有することが特徴である。これらの層を構成する材料としては、例えば、スタルクヴイテック社製、商品名BaytronP等のPEDOT−PSS、ポリアニリン及びそのドープ材料、WO2006/019270号パンフレット等に記載のシアン化合物などを用いることができる。
本発明の有機光電変換素子は、光電変換層と第2の電極との間に電子輸送層を有することが特徴である。これらの層を構成する材料としては、例えば、オクタアザポルフィリン、p型半導体のパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)を用いることができる。
エネルギー変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層などを挙げることができる。
本発明の第1の電極(透明電極)は、陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することができるが、好ましくは透明電極を陽極として用いることである。例えば、陽極として用いる場合、好ましくは380〜800nmの光を透過する電極である。材料としては、例えば、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金、銀、白金等の金属薄膜、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ等を用いることができる。
本発明の第2の電極(対電極)は導電材単独層であっても良いが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用しても良い。対電極の導電材としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子の取り出し性能及び酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。対電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。
基板側から光電変換される光が入射する場合、基板はこの光電変換される光を透過させることが可能な、即ちこの光電変換すべき光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。基板は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。本発明で透明基板として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることができるが、可視域の波長(380〜800nm)における透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することができる。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。
本発明の有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していて良い。光学機能層としては、たとえば、反射防止膜、マイクロレンズアレイ等の集光層、陰極で反射した光を散乱させて再度発電層に入射させることができるような光拡散層などを設けても良い。
電子受容体と電子供与体とが混合された光電変換層、および輸送層・電極の形成方法としては、蒸着法、塗布法(キャスト法、スピンコート法を含む)等を例示することができる。このうち、光電変換層の形成方法としては、蒸着法、塗布法(キャスト法、スピンコート法を含む)等を例示することができる。このうち、前述の正孔と電子が電荷分離する界面の面積を増大させ、高い光電変換効率を有する素子を作製するためには、塗布法が好ましい。また塗布法は、製造速度にも優れている。
本発明に係る電極、発電層、正孔輸送層、電子輸送層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。
作製した有機光電変換素子が大気中の酸素、水分等で劣化しないために、有機光電変換素子だけでなく有機エレクトロルミネッセンス素子などで公知の手法によって封止することが好ましい。例えば、アルミまたはガラスでできたキャップを接着剤によって接着することによって封止する手法、アルミニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等のガスバリア層が形成されたプラスチックフィルムと有機光電変換素子上を接着剤で貼合する手法、ガスバリア性の高い有機高分子材料(ポリビニルアルコール等)をスピンコートする方法、ガスバリア性の高い無機薄膜(酸化ケイ素、酸化アルミニウム等)または有機膜(パリレン等)を真空下で堆積する方法、及びこれらを複合的に積層する方法等を挙げることができる。
表1に示すHTL−1〜HTL−4の材料について、白板ガラス基板上にスピンコーターを用いて膜厚が100nmになるように製膜した。乾燥させてから、150℃のホットプレート上で30分間処理し、テストピースHTL−1〜HTL−4を作製した。
白板ガラス上に、化1に示す高分子型材料(poly−TPD、Mw:約4万)の1.0質量%トルエン溶液を、スピンコーターを用いて膜厚が100nmになるように製膜しHTL−5を作製した。
エタノールにTi−イソプロポキシドを0.5mol/lになるように溶解した液を調製し、白板ガラス上に膜厚100nmになるように塗布を行い、水蒸気量を調節した窒素中放置してETL−1を成膜した。
Alがアルミナ換算で3質量%添加されたAZO(アルミドープ酸化亜鉛)をターゲットに、RFスパッタリング装置を用いて、白板ガラス上に膜厚が100nmになる様に製膜し、ETL−2を得た。
上記作製したテストピースについて、JIS K 7194:1994(導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法)を参考に、膜面抵抗率計を用いて測定した抵抗率から導電率を見積もり、表1に示した。
ガラス基板上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を110nm堆積したもの(シート抵抗13Ω/□)を、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅にパターニングして、透明電極を形成した。
上記のSC−101の作製において、正孔輸送層をHTL−1から、Baytron PH500(スタルクヴィテック社製)(HTL−2)に変更した以外は、SC−101の作製と同様にしてSC−102を得た。
上記のSC−101の作製において、正孔輸送層をHTL−1から、Baytron PH500(スタルクヴィテック社製)にDMSOを5質量%加えた塗布液(HTL−3)を準備し、30nmの膜厚に製膜し、正孔輸送層とした以外は、SC−101の作製と同様にしてSC−103を得た。
上記のSC−101の作製において、HTL−1の単独層に換えて、SC−102で用いたHTL−2を15nmの膜厚で形成した後、更にSC−103に用いたHTL−3を15nmの膜厚で積層させ正孔輸送層とした以外はSC−101と同様にしてSC−104を得た。
上記のSC−104の作製において、まずHTL−3を15nmの膜厚になるように形成した後、更にHTL−1を15nmの膜厚で積層させ正孔輸送層とした以外はSC−104と同様にしてSC−105を得た。
上記のSC−104の作製において、まずHTL−3を15nmの膜厚になるように形成した後、更にHTL−2を15nmの膜厚で積層させ正孔輸送層とした以外はSC−104と同様にしてSC−106を得た。
上記のSC−104の作製において、まずHTL−2を15nmの膜厚になるように形成した後、更にBaytron P8000(スタルクヴィテック社製)(HTL−4)を15nmの膜厚で積層させ正孔輸送層とした以外はSC−104と同様にしてSC−107を得た。
上記のSC−104の作製において、まずHTL−4を15nmの膜厚になるように形成した後、更にHTL−2を15nmの膜厚で積層させ正孔輸送層とした以外はSC−104と同様にしてSC−108を得た。
上記のSC−104の作製において、まずHTL−2を10nmの膜厚になるように形成した後、次にHTL−1を10nmの膜厚になるように積層させ、更にHTL−4を10nmの膜厚になるように積層して正孔輸送層とした以外はSC−104と同様にしてSC−109を得た。
上記のSC−109の作製において、HTL−4に換えて、化1で示されるポリマー材料(poly−TPD、Mw:約4万)(HTL−5)を10nmの膜厚になるように積層して正孔輸送層とした以外はSC−109と同様にしてSC−110を得た。
上記のSC−101の作製において、光電変換層を形成した後、エタノールにTi−イソプロポキシドを0.05mol/lになるように溶解した液(ETL−1)を調製し、光電変換層上に膜厚が10nmになるように塗布を行い、水蒸気量を調節した窒素中放置して電子輸送層を成膜した。
上記のSC−111の作製において、ETL−1を10nmの膜厚になるよう製膜した上に、RFスパッタ装置を用い、Alがアルミナ換算で3質量%添加されたAZO(アルミドープ酸化亜鉛)(ETL−2)をターゲットに、10nmの膜厚になるよう製膜し電子輸送層を形成させた以外は、SC−111と同様にしてSC−112を得た。
上記作製した光電変換素子について、ソーラーシミュレーター(AM1.5Gフィルタ)の100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、IV特性を評価することで、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)及びフィルファクターFFを、同素子上に形成した4箇所の受光部をそれぞれ測定し、平均値を見積もった。JscおよびFFの値を表2に示す。
上記作製した素子を、100Wハロゲンランプの光に1000時間暴露した。続いて、暴露後の素子について、上述の方法と同様にして短絡電流密度Jscを見積もり、式1に従って保持率を求め、表2に示した。
(式1)保持率(%)=暴露後の短絡電流密度/暴露前の短絡電流密度×100
11 第1の電極(透明電極)
12 第1の正孔輸送層
13 第2の正孔輸送層
14 光電変換層(バルクヘテロジャンクション層)
15 第1の電子輸送層
16 第2の電子輸送層
17 第2の電極(対電極)
Claims (6)
- 第1の電極層と第2の電極層との間にバルクヘテロジャンクション構造を有する光電変換層を有し、該光電変換層と第1の電極間、もしくは該光電変換層と第2の電極間に、正孔または電子のいずれかの電荷を主に輸送する電荷輸送層を有して成るバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子において、該電荷輸送層が少なくとも2層以上の層からなり、それぞれの導電率が異なることを特徴とする有機光電変換素子。
- 前記電荷輸送層において、それぞれの導電率が隣接する電極に近いほど高くなることを特徴とする請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 前記電荷輸送層において、それぞれの導電率が光電変換層側に対して電極側が少なくとも相対的に1×103S/cm以上高いことを特徴とする請求項1、2のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。
- 前記電荷輸送層が正孔輸送層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。
- 前記電荷輸送層が電子輸送層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。
- 前記電荷輸送層が、少なくとも3層以上積層されて成ることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。
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