JP2010177659A - セラミックコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
セラミックコンデンサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010177659A JP2010177659A JP2009246624A JP2009246624A JP2010177659A JP 2010177659 A JP2010177659 A JP 2010177659A JP 2009246624 A JP2009246624 A JP 2009246624A JP 2009246624 A JP2009246624 A JP 2009246624A JP 2010177659 A JP2010177659 A JP 2010177659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- internal electrode
- ceramic capacitor
- internal
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 34
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000011536 re-plating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 6
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明に係るセラミックコンデンサ1Aにおいては、内部電極18a、18b、18cの電極片19及びセラミック誘電体21の誘電体片21aが基板10の基板面に対して垂直に立設されているため、複数の電極片19と複数の誘電体片21aとは基板面に対して平行な方向に沿って交互に配列される。すなわち、電極片19と誘電体片21aとは基板面に対して平行な方向に沿って多層化されているため、公知のパターニング技術によって容易にセラミックコンデンサの多層化が実現される。
【選択図】 図11
Description
る。
(第1実施形態)
(第2実施形態)
10・・・基板
14・・・第1のシード層
17・・・第1の厚膜マスク
18A、18B・・・第1のメッキ層
18a、18b、18c・・・第1の内部電極
19、19A・・・電極片
19a・・・枝葉部
19b・・・再付着部
21・・・第1のセラミック誘電体
21a・・・誘電体片
22・・・絶縁層
24A、24B・・・外部電極
34・・・第2のシード層
37・・・第2の厚膜マスク
38・・・第2のメッキ層
38a、38b、38c・・・第2の内部電極
39・・・電極片
39a・・・再付着部
41・・・第2のセラミック誘電体
41a・・・誘電体片
50a、50b・・・接続領域
G、g・・・間隙
L、L1、L2・・・積層体
S1、S2・・・端面
Claims (13)
- 基板上に、その基板面に対して垂直に立設され、それぞれ複数の電極片を有する一対の第1の内部電極と、
前記基板上に、前記基板面に対して垂直に立設され、複数の誘電体片を有する第1のセラミック誘電体と、
前記一対の第1の内部電極に接続された一対の外部電極と
を備え、
前記第1の内部電極の前記複数の電極片と前記第1のセラミック誘電体の前記複数の誘電体片とが交互に配列されている、セラミックコンデンサ。 - 前記第1の内部電極上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に、前記基板面に対して垂直に立設され、それぞれ複数の電極片を有する一対の第2の内部電極と、
前記絶縁層上に、前記基板面に対して垂直に立設され、複数の誘電体片を有する第2のセラミック誘電体と
をさらに備え、
前記一対の外部電極のうち、一方が前記第1の内部電極に接続され、他方が前記第2の内部電極に接続されている、請求項1記載のセラミックコンデンサ。 - 前記絶縁層、前記第2の内部電極及び前記第2のセラミック誘電体を含む構造体を複数備える、請求項2記載のセラミックコンデンサ。
- 前記一対の内部電極が、前記セラミック誘電体を介して櫛歯状にかみ合う形状を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
- 前記一対の内部電極の面のうちの互いに対向する面に、一方の前記内部電極から他方の前記内部電極に向かって延びて櫛歯状にかみ合う枝葉部が形成されている、請求項4に記載のセラミックコンデンサ。
- 表面に第1のシード層が形成された基板表面に、所定パターンの第1の厚膜マスクを形成するステップと、
前記第1のシード層のメッキをおこない、前記第1の厚膜マスクから露出する部分の前記第1のシード層上に、前記基板の厚さ方向に延び、それぞれ複数の電極片を有する一対の第1の内部電極を形成するステップと、
前記第1の厚膜マスクを除去するステップと、
前記第1の厚膜マスクの除去により形成された前記一対の第1の内部電極の間隙に、複数の誘電体片を有する第1のセラミック誘電体を充填するステップと、
前記一対の第1の内部電極に接続される一対の外部電極を形成するステップと
を含み、
前記第1の内部電極の複数の電極片と前記第1のセラミック誘電体の複数の誘電体片とが交互に配列される、セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記第1のセラミック誘電体を充填するステップの後に、前記第1の内部電極上に、絶縁層、第2のシード層及び所定パターンの第2の厚膜マスク層を順次形成するステップと、
前記第2のシード層のメッキをおこない、前記第2の厚膜マスクから露出する部分の前記第2のシード層上に、前記基板の基板面に対して略垂直方向に延び、櫛歯状にかみ合う一対の第2の内部電極を形成するステップと、
前記第2の厚膜マスクを除去するステップと、
前記第2の厚膜マスクの除去により形成された前記一対の前記第2の内部電極の間隙に、第2のセラミック誘電体を充填するステップと
をさらに含み、
前記第1の内部電極及び前記第2の内部電極に接続されるように前記一対の外部電極を形成する、請求項6記載のセラミックコンデンサの製造方法。 - 前記絶縁層、前記第2のシード層及び所定パターンの前記第2の厚膜マスク層を順次形成するステップ、前記第2の内部電極を形成するステップ、前記第2の厚膜マスクを除去するステップ及び前記第2のセラミック誘電体を充填するステップを複数回繰り返して多層化する、請求項7記載のセラミックコンデンサの製造方法。
- 前記内部電極を形成するステップの際に用いるメッキ材料が、Ni、Cu、Cr及びRuのいずれかである、請求項6〜8のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
- 前記内部電極の幅を拡げるステップをさらに含む、請求項6〜9のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
- 前記内部電極の幅を拡げるステップとして、イオンビームエッチングにより、前記内部電極の間隙から露出する前記シード層材料を前記内部電極の側面に再付着させる、請求項10記載のセラミックコンデンサの製造方法。
- 前記内部電極の幅を拡げるステップとして、前記内部電極に対して再メッキをおこなう、請求項10記載のセラミックコンデンサの製造方法。
- 前記一対の内部電極の面のうちの互いに対向する面に、一方の前記内部電極から他方の前記内部電極に向かって延びて櫛歯状にかみ合う枝葉部が形成されている、請求項6〜12のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/362,830 | 2009-01-30 | ||
US12/362,830 US8432662B2 (en) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | Ceramic capacitor and method of manufacturing same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177659A true JP2010177659A (ja) | 2010-08-12 |
JP5739611B2 JP5739611B2 (ja) | 2015-06-24 |
Family
ID=42397529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009246624A Expired - Fee Related JP5739611B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-10-27 | セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8432662B2 (ja) |
JP (1) | JP5739611B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9208951B2 (en) | 2014-01-24 | 2015-12-08 | Fujitsu Limited | Capacitor and method of manufacturing capacitor |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9384891B2 (en) * | 2013-08-22 | 2016-07-05 | Maxlinear, Inc. | Method and system for a metal finger capacitor with a triplet repeating sequence incorporating a metal underpass |
US10283274B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-05-07 | Headway Technologies, Inc. | Capacitor including dielectric structure formed of sintered body, and manufacturing method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172530A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Toppan Printing Co Ltd | 誘電体積層シート、基板内蔵キャパシターシート及び素子内蔵基板 |
JP2004289051A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 基板内蔵型コンデンサ構造及びその製造方法 |
JP2006287201A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサ製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0157912B1 (ko) | 1995-11-28 | 1998-12-15 | 문정환 | 반도체 장치의 축전기 전극구조 및 제조 방법 |
JPH1197280A (ja) | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP2001085271A (ja) | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
US6542351B1 (en) | 2001-06-28 | 2003-04-01 | National Semiconductor Corp. | Capacitor structure |
US6559004B1 (en) | 2001-12-11 | 2003-05-06 | United Microelectronics Corp. | Method for forming three dimensional semiconductor structure and three dimensional capacitor |
KR100464860B1 (ko) | 2002-06-12 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 패턴 형성 방법, 이를 이용한 캐패시터 형성방법 및 캐패시터 |
TWI229354B (en) | 2003-12-31 | 2005-03-11 | Via Tech Inc | Capacitor pair structure for increasing the match thereof |
US7022581B2 (en) | 2004-07-08 | 2006-04-04 | Agere Systems Inc. | Interdigitaded capacitors |
JP2007161527A (ja) | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チタン酸バリウム粉末の製造方法および積層セラミックコンデンサ |
JP4884101B2 (ja) | 2006-06-28 | 2012-02-29 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
US20080293209A1 (en) | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Radall Michael S | Thin film multiplayer ceramic capacitor devices and manufacture thereof |
US8085522B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-12-27 | Headway Technologies, Inc. | Capacitor and method of manufacturing the same and capacitor unit |
US8378450B2 (en) | 2009-08-27 | 2013-02-19 | International Business Machines Corporation | Interdigitated vertical parallel capacitor |
-
2009
- 2009-01-30 US US12/362,830 patent/US8432662B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-27 JP JP2009246624A patent/JP5739611B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172530A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Toppan Printing Co Ltd | 誘電体積層シート、基板内蔵キャパシターシート及び素子内蔵基板 |
JP2004289051A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 基板内蔵型コンデンサ構造及びその製造方法 |
JP2006287201A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサ製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9208951B2 (en) | 2014-01-24 | 2015-12-08 | Fujitsu Limited | Capacitor and method of manufacturing capacitor |
US9865396B2 (en) | 2014-01-24 | 2018-01-09 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing capacitor including intermediate dielectric layer with first internal electrodes and second internal electrodes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8432662B2 (en) | 2013-04-30 |
JP5739611B2 (ja) | 2015-06-24 |
US20100195262A1 (en) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4225349B2 (ja) | 電子部品の製造方法および親基板および電子部品 | |
JP5167280B2 (ja) | 圧電セラミック多層アクチュエータ及びその製造方法 | |
WO2010038478A1 (ja) | 電磁バンドギャップ構造、これを備える素子、基板、モジュール、半導体装置及びこれらの製造方法 | |
JP2006041474A (ja) | 薄膜型多層セラミックキャパシター及びその製造方法 | |
JP5739611B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JP5666799B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
US10090454B2 (en) | Method for producing an electric contact connection of a multilayer component | |
JP2008243931A (ja) | 積層型薄膜コンデンサの製造方法及び積層型薄膜コンデンサ | |
JP2010177658A (ja) | セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP5585576B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP4374880B2 (ja) | 積層コイル及びその製造方法 | |
JP5356434B2 (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
KR100846079B1 (ko) | 적층 콘덴서의 제조 방법 및 적층 콘덴서 | |
WO2012014646A1 (ja) | 基板内蔵用キャパシタの製造方法、及びこれを備えたキャパシタ内蔵基板 | |
US20220246715A1 (en) | Capacitor unit and manufacturing process thereof | |
JP2000232019A (ja) | インダクタ、およびインダクタの製造方法 | |
JP2011003847A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2008172048A (ja) | チップ部品の製造方法 | |
JP2008172049A (ja) | チップ部品の製造方法 | |
JP2008227228A (ja) | チップ部品の製造方法 | |
JP2006245042A (ja) | セラミック素子 | |
KR100856242B1 (ko) | 초고용량 캐패시터 및 그 제조방법 | |
JP2006237317A (ja) | コンデンサ内蔵セラミック配線基板およびその製造方法 | |
KR100476027B1 (ko) | 내장형 캐패시터를 갖는 세라믹 적층 소자의 제조방법 | |
JP2024014743A (ja) | 積層型電子部品及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131203 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140922 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141106 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150424 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5739611 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |