JP2010174349A - 蒸着装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ホローカソード型プラズマガン3を使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン3のプラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室101へ通過可能な孔21を有する隔壁2を有する。プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン3と、蒸着室101と、プラズマガン3のプラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室101へ通過可能な孔21を有する隔壁2とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン3のプラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室101へ通過可能な孔21を有する隔壁2を有する。プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン3と、蒸着室101と、プラズマガン3のプラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室101へ通過可能な孔21を有する隔壁2とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、蒸着装置に関し、特に、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置に関する。
従来より、酸化物膜等の薄膜の成膜装置として蒸着装置が広く使われている。また最近では、ホローカソード型ガンや、圧力勾配型プラズマガン等のプラズマガンを備え、アーク放電により発生したプラズマ流を原料まで導いて原料を加熱したり、該プラズマ流の高い反応性を利用してイオンプレーティングを高速に行う蒸着装置がある。
また、大面積基体への成膜をそれらのプラズマガンを用いて蒸着する場合は、それらのプラズマガンを複数配置して装置を構成すれば実現でき得ることは知られている。
また、大面積基体への成膜をそれらのプラズマガンを用いて蒸着する場合は、それらのプラズマガンを複数配置して装置を構成すれば実現でき得ることは知られている。
しかしながら、プラズマガンを配置して装置を構成する場合、プラズマを発生させるためのArなど希ガスにより真空蒸着室(プロセス室とも称する)の圧力が高くなり、蒸着やイオンプレーティングなどで形成される蒸着膜の膜質や蒸着原料の蒸着効率に影響を及ぼすという問題があった。
特許文献1には、上記問題を解決すべく、蒸着原料の蒸発部の両側に真空排気口と真空排気手段とを有する蒸着装置が開示されている。
特許文献1には、上記問題を解決すべく、蒸着原料の蒸発部の両側に真空排気口と真空排気手段とを有する蒸着装置が開示されている。
しかしながら、上記特許文献1に開示の蒸着装置を用いても、蒸着プロセス室の圧力上昇による問題を十分に解決することができなかった。
本発明は、上記の従来の技術の問題点を克服し、ホローカソード型プラズマガンを使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供しようとするものである。
本発明は、上記の従来の技術の問題点を克服し、ホローカソード型プラズマガンを使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供しようとするものである。
本発明者らは、鋭意検討した結果、下記の構成を採ることにより、上記の従来の技術の問題点を克服できることを見出した。
即ち、本発明の構成は、以下の通りである。
(1)ホローカソード型プラズマガンを使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置であって、ホローカソード型プラズマガンのプラズマ放出部と蒸着室との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室へ通過可能な孔を有する隔壁を有する蒸着装置。
(2)プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガンと、蒸着室と、該プラズマガンのプラズマ放出部と該蒸着室との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室へ通過可能な孔を有する隔壁とを有する蒸着装置。
(3)前記プラズマガンと前記隔壁との間に電位差を付与する手段を有する前記(1)又は(2)の蒸着装置。
即ち、本発明の構成は、以下の通りである。
(1)ホローカソード型プラズマガンを使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置であって、ホローカソード型プラズマガンのプラズマ放出部と蒸着室との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室へ通過可能な孔を有する隔壁を有する蒸着装置。
(2)プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガンと、蒸着室と、該プラズマガンのプラズマ放出部と該蒸着室との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室へ通過可能な孔を有する隔壁とを有する蒸着装置。
(3)前記プラズマガンと前記隔壁との間に電位差を付与する手段を有する前記(1)又は(2)の蒸着装置。
なお、「ホローカソード型プラズマガンのプラズマ放出部と蒸着室との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室へ通過可能な孔を有する隔壁」における「圧力的に仕切り」とは、該隔壁が、プラズマガンから放出されたプラズマを蒸着室へ通過可能な微小径の孔を有するが、プラズマガンからのプラズマ放出時に、プラズマ放出部と蒸着室とが異なる圧力になるようにすることを意味するものである。
より詳細には、プラズマ放出時において、プラズマ放出部の圧力を高く、蒸着室内の圧力は蒸着に適した真空度となるように低くすることを意味する。
より詳細には、プラズマ放出時において、プラズマ放出部の圧力を高く、蒸着室内の圧力は蒸着に適した真空度となるように低くすることを意味する。
本発明の蒸着装置は、プラズマ放出部と蒸着室との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室へ通過可能な孔を有する隔壁を有することにより、プロセス室へのプラズマ発生ガスの流入を少なくし、プロセス室の圧力を下げることができ、透明で緻密な酸化物膜等を得ることができる。
本発明の蒸着装置を実施の形態に沿って以下に詳細に説明する。
図1は本発明の蒸着装置の1例の概略説明図である。図1に示す蒸着装置1は、筐体内部に蒸着室101及び被蒸着基体収容室102を有し、筐体外部より蒸着室101に向けてプラズマを放出できるように設置したホローカソード型プラズマガン3を有し、蒸着室101内部に蒸着源4及びガス導入孔8を有し、被蒸着基体収容室102内部に蒸着ドラム5、基体送出しロール6及び基体巻取りロール7を有し、そして、プラズマガン3からのプラズマが放出されるプラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室101へ通過可能な孔21を有する隔壁2を有する。
蒸着室101と被蒸着基体収容室102は、蒸着成分が、被蒸着基体収容室102内部に入り込まないように仕切11で仕切られている。
蒸着ドラム5は、その一部分上で基体9に蒸着膜を成膜できるように、当該一部分が蒸着室101の内部に位置するように配置されている。
図1は本発明の蒸着装置の1例の概略説明図である。図1に示す蒸着装置1は、筐体内部に蒸着室101及び被蒸着基体収容室102を有し、筐体外部より蒸着室101に向けてプラズマを放出できるように設置したホローカソード型プラズマガン3を有し、蒸着室101内部に蒸着源4及びガス導入孔8を有し、被蒸着基体収容室102内部に蒸着ドラム5、基体送出しロール6及び基体巻取りロール7を有し、そして、プラズマガン3からのプラズマが放出されるプラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室101へ通過可能な孔21を有する隔壁2を有する。
蒸着室101と被蒸着基体収容室102は、蒸着成分が、被蒸着基体収容室102内部に入り込まないように仕切11で仕切られている。
蒸着ドラム5は、その一部分上で基体9に蒸着膜を成膜できるように、当該一部分が蒸着室101の内部に位置するように配置されている。
隔壁2が有するプラズマが通過可能な孔21の数と孔径は、プラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切ることができる範囲であれば、特に限定されない。
プラズマガン3にAr等の不活性ガスを送気しながらプラズマガン3より不活性ガスのプラズマを放出させる。
プラズマガン3より放出されたプラズマは隔壁2の孔21を通過して蒸着室101内でプラズマ領域104を形成する。
また、隔壁2により、プラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切ることにより、プラズマガン3からのプラズマ放出時に、プラズマ放出部103の圧力が高くなるが、別途設けた排気手段31により差圧排気(差動排気)される。
プラズマガン3にAr等の不活性ガスを送気しながらプラズマガン3より不活性ガスのプラズマを放出させる。
プラズマガン3より放出されたプラズマは隔壁2の孔21を通過して蒸着室101内でプラズマ領域104を形成する。
また、隔壁2により、プラズマ放出部103と蒸着室101との間を圧力的に仕切ることにより、プラズマガン3からのプラズマ放出時に、プラズマ放出部103の圧力が高くなるが、別途設けた排気手段31により差圧排気(差動排気)される。
蒸発源4から蒸発した蒸着原料粒子は、プラズマ領域104を通過する際に該プラズマにより活性化される。
また、ガス導入孔8から、O2やN2などの反応性ガスを導入することにより、酸化物膜や窒化物膜を形成することができる。
なお、蒸発源4から蒸着原料を蒸発させる際の加熱方式としては、特に限定されず、抵抗加熱方式、電子ビーム加熱方式、誘導加熱方式等の公知公用の方式を始めとし、様々な加熱方式を採ることができる。
また、ガス導入孔8から、O2やN2などの反応性ガスを導入することにより、酸化物膜や窒化物膜を形成することができる。
なお、蒸発源4から蒸着原料を蒸発させる際の加熱方式としては、特に限定されず、抵抗加熱方式、電子ビーム加熱方式、誘導加熱方式等の公知公用の方式を始めとし、様々な加熱方式を採ることができる。
また、プラズマガン3と隔壁2との間に電位差を付与する手段(電圧供給部X)を設けることが好ましい。この電位差を付与する手段によりプラズマの蒸着室へ通過量を制御することが可能になる。電位差を付与する手段としては、特に限定されないが、図1に示す蒸着装置1では、直流電源が使用され、図示しない可変手段により印加する電圧を適宜制御可能であることが好ましい。
以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。なお、ここに示す内容は本発明の精神から逸脱しない範囲で変更し得るものであり、下記の実施例に制限されるべきものではない。
〔実施例〕
図1に示す装置を用いた。詳細には、蒸着室101内部が幅1m、奥行1m、高さ0.9mで、ホローカソード型プラズマガン3のプラズマ出射孔径が30mm、隔壁2は孔径60mmの孔がプラズマ出射孔のプラズマ出射方向前方0.1mに位置するようにし、蒸着源4と蒸着ドラム5との距離を0.5mとし、プラズマ放出部103から装置外部に差圧排気するための排気手段31は、口径150mmの排気口より排気速度1000l/secのターボ分子ポンプを用いた。プラズマガン3と隔壁2に印加する直流電源は600V/5Aを使った。印加する電圧は、〜100Vで安定した蒸着を行うことができた。基体の搬送速度は50m/minで、蒸着源の蒸着原料はAlとし、蒸着原料を誘導加熱方式で約1350℃に加熱して蒸発させた。
プラズマガンにArを100sccmで流し、ガス導入孔8からはO2ガスを1000sccmで流し、排気手段31で差圧排気を行いながらプラズマ照射した際に、蒸着時の蒸着室101内の圧力は2×10-2Paとなった。
得られた酸化アルミニウム膜は透明で、SEM画像の肉眼観察において緻密であることが確認された。
図1に示す装置を用いた。詳細には、蒸着室101内部が幅1m、奥行1m、高さ0.9mで、ホローカソード型プラズマガン3のプラズマ出射孔径が30mm、隔壁2は孔径60mmの孔がプラズマ出射孔のプラズマ出射方向前方0.1mに位置するようにし、蒸着源4と蒸着ドラム5との距離を0.5mとし、プラズマ放出部103から装置外部に差圧排気するための排気手段31は、口径150mmの排気口より排気速度1000l/secのターボ分子ポンプを用いた。プラズマガン3と隔壁2に印加する直流電源は600V/5Aを使った。印加する電圧は、〜100Vで安定した蒸着を行うことができた。基体の搬送速度は50m/minで、蒸着源の蒸着原料はAlとし、蒸着原料を誘導加熱方式で約1350℃に加熱して蒸発させた。
プラズマガンにArを100sccmで流し、ガス導入孔8からはO2ガスを1000sccmで流し、排気手段31で差圧排気を行いながらプラズマ照射した際に、蒸着時の蒸着室101内の圧力は2×10-2Paとなった。
得られた酸化アルミニウム膜は透明で、SEM画像の肉眼観察において緻密であることが確認された。
〔比較例〕
隔壁2及び差圧排気のための排気手段31を設けなかった以外は実施例と同様の装置で同様の処理を行ったところ、蒸着時の蒸着室101内の圧力は5×10-2Paとなった。得られた蒸着膜は、SEM画像の肉眼観察において緻密でないことが確認された。
隔壁2及び差圧排気のための排気手段31を設けなかった以外は実施例と同様の装置で同様の処理を行ったところ、蒸着時の蒸着室101内の圧力は5×10-2Paとなった。得られた蒸着膜は、SEM画像の肉眼観察において緻密でないことが確認された。
1 蒸着装置
2 隔壁
3 ホローカソード型プラズマガン
4 蒸着源
5 蒸着ドラム
6 基体送出しロール
7 基体巻取りロール
8 ガス導入孔
9 基体
11 仕切
21 孔
31 排気手段
101 蒸着室
102 被蒸着基体収容室
103 プラズマ放出部
104 プラズマ領域
X 電圧供給部
2 隔壁
3 ホローカソード型プラズマガン
4 蒸着源
5 蒸着ドラム
6 基体送出しロール
7 基体巻取りロール
8 ガス導入孔
9 基体
11 仕切
21 孔
31 排気手段
101 蒸着室
102 被蒸着基体収容室
103 プラズマ放出部
104 プラズマ領域
X 電圧供給部
Claims (3)
- ホローカソード型プラズマガンを使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置であって、ホローカソード型プラズマガンのプラズマ放出部と蒸着室との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室へ通過可能な孔を有する隔壁を有する蒸着装置。
- プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガンと、蒸着室と、該プラズマガンのプラズマ放出部と該蒸着室との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室へ通過可能な孔を有する隔壁とを有する蒸着装置。
- 前記プラズマガンと前記隔壁との間に電位差を付与する手段を有する請求項1又は2記載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009019610A JP2010174349A (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009019610A JP2010174349A (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010174349A true JP2010174349A (ja) | 2010-08-12 |
Family
ID=42705590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009019610A Pending JP2010174349A (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010174349A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011021214A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Toppan Printing Co Ltd | 成膜装置およびガスバリア性積層体ならびに光学部材 |
JP2011029238A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Fujifilm Corp | 結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法及び電界効果型トランジスタ |
JP2015514864A (ja) * | 2012-02-27 | 2015-05-21 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウFraunhofer−Gesellschaft zur Foerderung der angewandten Forschung e.V. | 基板にLiPON層を析出させる方法 |
-
2009
- 2009-01-30 JP JP2009019610A patent/JP2010174349A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011021214A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Toppan Printing Co Ltd | 成膜装置およびガスバリア性積層体ならびに光学部材 |
JP2011029238A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Fujifilm Corp | 結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法及び電界効果型トランジスタ |
JP2015514864A (ja) * | 2012-02-27 | 2015-05-21 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウFraunhofer−Gesellschaft zur Foerderung der angewandten Forschung e.V. | 基板にLiPON層を析出させる方法 |
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