JP2010171106A - 半導体装置の製造方法およびフォトマスク - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、第1および第2の領域を有する半導体基板上にマスク材を形成する工程と、前記第1の領域の前記マスク材上に芯材をパターン形成する工程と、前記芯材の両側面に側壁マスクを形成した後、前記芯材を除去する工程と、前記芯材を除去した後、前記第1の領域の前記マスク材に前記側壁マスクのパターンを転写する工程と、前記第1の領域の前記側壁マスクのパターンを転写された前記マスク材のトリミングと、前記第2の領域の前記マスク材への所定のパターンの形成とを同時に行う工程と、を含む。
【選択図】図2C
Description
(半導体装置の構成)
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置1の上面図である。半導体装置1は、SRAM(Static Random Access Memory)が形成されるSRAM領域3と、活性領域5にフリップフロップやセンサアンプ等の周辺回路(図示しない)が形成される周辺回路領域4とを半導体基板2上に有する。
図2A(a)〜(d)、図2B(e)〜(i)、図2C(j)〜(n)は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示すフィンの長さ方向に垂直な方向の断面図である。また、図3A(a)〜(c)、図3B(d)〜(f)は、半導体装置1のSRAM領域3の製造工程を示す上面図である。ここで、図3A(a)は図2A(c)、図3A(b)は図2B(e)、図3A(c)は図2B(g)、図3B(d)は図2C(j)、図3B(e)は図2C(l)に対応する。
図5A(a)〜(d)、図5B(e)〜(g)は、比較例としての従来の一般的な方法による半導体装置の製造方法を示す断面図である。この比較例は、活性領域5をパターン形成するためのマスク材パターンの形成、およびSiN膜31aに形成されたパターンをトリミングするためのマスク材パターンの形成を別工程で行う点において、実施の形態と異なる。なお、この比較例において形成する半導体装置は、本実施の形態の半導体装置1と同様の構成を有するものとする。
上述した比較例においては、実施の形態と異なり、フィン12a、12bのパターンと活性領域5のパターンとをSiO2膜30およびSiN膜31に同時にパターニングする。このとき、図5A(c)に示すように、SiN膜31bの側面は垂直に加工されず、テーパー形状となるおそれがある。
本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば、SiO2膜30、SiN膜31、非晶質Si膜32またはTEOS膜36の代わりに異なる材料からなる膜を用いてもよい。また、SiO2膜30に相当する膜は用いなくてもよい。
Claims (5)
- 第1および第2の領域を有する半導体基板上にマスク材を形成する工程と、
前記第1の領域の前記マスク材上に芯材をパターン形成する工程と、
前記芯材の両側面に側壁マスクを形成した後、前記芯材を除去する工程と、
前記芯材を除去した後、前記第1の領域の前記マスク材に前記側壁マスクのパターンを転写する工程と、
前記第1の領域の前記側壁マスクのパターンを転写された前記マスク材のトリミングと、前記第2の領域の前記マスク材への所定のパターンの形成とを同時に行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記芯材のパターン形成は、クリティカルデザインレベルのフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用いて行われ、
前記第1の領域の前記マスク材への前記側壁マスクのパターンの転写は、ノンクリティカルデザインレベルのフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用いて前記第2の領域の前記マスク材上に前記所定のパターンよりも大きいパターンを有するレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜をマスクとして用いたエッチングにより行われ、
前記第1の領域の前記側壁マスクのパターンを転写された前記マスク材のトリミングと、前記第2の領域の前記マスク材への所定のパターンの形成とは、クリティカルデザインレベルのフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用いて行われる、
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の領域のトリミングされた前記マスク材のパターンと、前記第2の領域の前記マスク材の前記所定のパターンとを前記半導体基板に同時に転写し、前記第1の領域にSRAMに用いられるフィン、前記第2の領域に周辺回路の形成される活性領域を形成する工程、
をさらに含む請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にマスク材を形成する工程と、
前記マスク材を加工してリング状パターンが形成された領域とパターンのない領域とを形成する工程と、
被加工材のリング状パターンをトリミングしてラインアンドスペースパターンに加工するためのパターンと、前記被加工材のパターンのない領域にパターンを形成するためのパターンと、を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用いて、
前記マスク材の前記リングパターンのラインアンドスペースパターンへの加工と、前記マスク材の前記パターンのない領域への所定のパターンの形成を同時に行う工程と、
前記マスク材の前記ラインアンドスペースパターンおよび前記所定のパターンを前記半導体基板に転写する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 被加工材のリング状パターンをトリミングしてラインアンドスペースパターンに加工するためのパターンと、
前記被加工材のパターンのない領域にパターンを形成するためのパターンと、
を有するフォトマスク。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009010653A JP5322668B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 半導体装置の製造方法およびフォトマスク |
US12/556,152 US8329592B2 (en) | 2009-01-21 | 2009-09-09 | Method of fabricating semiconductor device, and photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009010653A JP5322668B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 半導体装置の製造方法およびフォトマスク |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010171106A true JP2010171106A (ja) | 2010-08-05 |
JP2010171106A5 JP2010171106A5 (ja) | 2011-07-07 |
JP5322668B2 JP5322668B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=42337219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009010653A Expired - Fee Related JP5322668B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 半導体装置の製造方法およびフォトマスク |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8329592B2 (ja) |
JP (1) | JP5322668B2 (ja) |
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-
2009
- 2009-01-21 JP JP2009010653A patent/JP5322668B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20100183958A1 (en) | 2010-07-22 |
JP5322668B2 (ja) | 2013-10-23 |
US8329592B2 (en) | 2012-12-11 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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