JP2010152959A - 磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の磁気ディスク1の製造方法は、ディスク基体10上に直接又は中間層11を介して磁気記録層12を形成する工程と、前記磁気記録層12上に媒体保護層13を形成する工程と、前記媒体保護層13上に潤滑層14を形成する工程と、を具備する磁気ディスクの製造方法であって、固定層141と流動層142とを含む潤滑層14を形成する工程において、前記媒体保護層13に固定された分子層である固定層141を、相対的に極性の高い潤滑剤を用いて形成し、前記固定層上で流動する分子層である流動層142を、相対的に極性の低い潤滑剤を用いて形成することを特徴とする。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る磁気ディスクの概略構成を示す図である。図1に示す磁気ディスク媒体1は、ディスク基体10、中間層11、磁気記録層12、媒体保護層13、潤滑層14を順次積層することにより構成されている。
まず、本発明者は、流動層142の厚さ(量)に着目した。固定層141及び流動層142の厚さは、潤滑層14の成膜条件により制御することができる。例えば、媒体保護層13の吸着サイトの量を、媒体保護層13を構成する材料、例えばカーボンの酸化量や窒素化量で変えることができる。具体的には酸化量、窒素化量を増加させると、吸着サイトの量は増加する。このようにして、媒体保護層13の吸着サイトの量を増加させた場合には、吸着サイトと化学結合する固定層141が増加して相対的に流動層142が減少する。一方、媒体保護層13の吸着サイトの量を減少させた場合には、吸着サイトと化学結合する固定層141が減少して相対的に流動層142が増加する。また、熱処理や紫外線照射の条件を変えることにより、固定層141や流動層142の厚さを変えることができる。具体的には、熱処理またはUVの照射時間を増やすと固定層の量を増加させることが出来る。また、熱処理温度を上げる、UVの照度を上げることによっても固定層を増加させることが可能である。
X−CH2−CF2−(CF2−O)n−(CF2−CF2−O)m−CF2−CH2−X
末端の官能基Xとしては、(1)OH基(ZDOL:商品名)(1分子に含まれるOH基が2個)、(2)OCH2CH(OH)CH2OH(TETRAOL:商品名)(1分子に含まれるOH基が4個)、(3)OCH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH(Bis−Adduct:商品名)(1分子に含まれるOH基が6個)などが挙げられる。これらの官能基は、(1)から(3)に順に1分子中のOH基が多くなっており極性が高くなっている。これらの各分子は、超臨界精製法、ゲルパーミッションクロマトグラフィー法、分子蒸留法などの各種精製法にて分画が可能である。
(実施例)
アルミノシリケートガラスからなる2.5インチ型化学強化ガラスディスクを準備し、ディスク基体とした。このディスク基体上に、DCマグネトロンスパッタリング法により順次下地層及び磁気記録層を成膜した。下地層は、AlRu合金薄膜からなる第1の下地層上にCrW合金薄膜からなる第2の下地層を形成することにより成膜した。磁気記録層には、CoCrPtB合金薄膜を用いた。
潤滑層を形成する工程において、分子内OH基が2.0である潤滑剤(ZDOL)をディップコート法で媒体保護層上に塗布し、100℃で60分間の熱処理を施して第1潤滑層を形成し、前記潤滑剤に含まれる溶剤(Vertrel)に潤滑層まで形成したディスクを浸漬して媒体保護層13に化学的に結合していない部分(流動層相当部分)を除去し、その後、分子内OH基が6.0である潤滑剤(Bis−Adduct)をディップコート法で媒体保護層上に塗布し、80℃で30分間の熱処理を施して第2潤滑層を形成すること以外実施例と同様にして比較例1の磁気ディスクを作製した。この磁気ディスクの潤滑層の流動層をFT−IRで調べたところ、その厚さは0.1nmであった。
分子内OH基が4.0である潤滑剤(FomblinZ TETRAOL)をディップコート法で媒体保護層上に塗布し、100℃で60分間の熱処理を施して潤滑層を形成すること以外は、実施例と同様にして比較例2の磁気ディスクを作製した。この磁気ディスクの潤滑層の流動層をFT−IRで調べたところ、その厚さは0.5nmであった。
10 ディスク基体
11 中間層
12 磁気記録層
13 媒体保護層
14 潤滑層
141 固定層
142 流動層
Claims (6)
- ディスク基体上に直接又は中間層を介して磁気記録層を形成する工程と、前記磁気記録層上に保護層を形成する工程と、前記保護層上に固定層と流動層とを含む潤滑層を形成する工程と、を具備する磁気ディスクの製造方法であって、前記潤滑層を形成する工程において、前記保護層に固定された分子層である固定層を、相対的に極性の高い潤滑剤を用いて形成し、前記固定層上で流動する分子層である流動層を、相対的に極性の低い潤滑剤を用いて形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
- 前記固定層を形成する際に、前記相対的に極性の高い潤滑剤を前記保護層上に塗布し、乾燥した後に、前記保護層に固定していない潤滑剤を除去することを特徴とする請求項1記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記保護層に固定していない潤滑剤を除去する際に、前記相対的に極性の高い潤滑剤の溶剤を用いることを特徴とする請求項2記載の磁気ディスクの製造方法。
- ディスク基体上に少なくとも磁気記録層及び保護層を備えており、前記保護層上に潤滑層を有する磁気ディスクであって、前記潤滑層は、前記保護層に固定された分子層である固定層と、前記固定層上で流動する分子層である流動層とを有しており、前記固定層は、相対的に極性の高い潤滑剤で構成されており、前記流動層は、相対的に極性の低い潤滑剤で構成されていることを特徴とする磁気ディスク。
- 前記流動層の厚さが0.1nm〜0.3nmであり、前記固定層の厚さが0.5nm〜1.0nmであることを特徴とする請求項4記載の磁気ディスク。
- 前記相対的に極性の高い潤滑剤の分子内OH基の平均数が3.5〜5.0であり、前記相対的に極性の低い潤滑剤の分子内OH基の平均数が1.0〜3.0であることを特徴とする請求項4又は請求項5記載の磁気ディスク。
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JP2008327976A JP2010152959A (ja) | 2008-12-24 | 2008-12-24 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
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JP2001236638A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-31 | Fujitsu Ltd | 潤滑膜形成方法、記録媒体及び磁気記録装置 |
JP2004295992A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 記録媒体およびその製造方法 |
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2008
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