JP2010150229A

JP2010150229A - 新規化合物及びその製造方法、並びに有機半導体材料、及び有機半導体デバイス

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Publication number: JP2010150229A
Application number: JP2009080527A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Takimiya; 和男瀧宮
Original assignee: Hiroshima University NUC
Current assignee: Hiroshima University NUC
Priority date: 2008-11-21
Filing date: 2009-03-27
Publication date: 2010-07-08
Anticipated expiration: 2029-03-27
Also published as: CN102224157B; WO2010058692A1; EP2368892A4; KR101399770B1; US20140051865A1; EP2368892B1; JP5544650B2; EP2368892A1; CN102224157A; US20110224445A1; KR20110075024A; US8816100B2

Abstract

【課題】電子移動度の良好な新規な化合物の提供。
【解決手段】ナフタレンの両ベンゼン環にそれぞれチオフェン環或いはセレノフェン環が結合した構造を有する化合物で、例えば、下式の反応で得られる化合物である。

該化合物は、電子移動度が良好であり、有機ＦＥＴデバイスの有機半導体材料として使用される。
【選択図】なし

Description

本発明は、新規化合物及びその製造方法、並びに有機半導体材料、及び有機半導体デバイスに関する。

近年、有機半導体材料を用いた有機ＥＬデバイス、有機ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）デバイス、有機薄膜光電変換デバイス等の薄膜デバイスが注目されており、実用化が始まっている。

これらの薄膜デバイスに用いる有機半導体材料の基本的物性の中では、キャリアの移動度が重要である。例えば、有機ＥＬデバイスにおいて、キャリアの移動度は、電荷の輸送効率に影響するため、高効率での発光或いは低電圧での駆動のために重要である。また、有機ＦＥＴデバイスにおいて、キャリアの移動度は、スイッチング速度や駆動する装置の性能に直接影響するので、有機ＦＥＴデバイスの実用化のためにも重要である。

このような状況下、有機半導体材料として利用可能な種々の有機化合物の研究、開発が進められており、好適なキャリアの移動度を有するものとして、ベンゼン−チオフェン骨格を有する化合物について検討されている。非特許文献１には、種々のベンゼン−チオフェン骨格を有する化合物について例示されている。

ＶｉｂｒｏｎｉｃＣｏｕｐｌｉｎｇｉｎＯｒｇａｎｉｃＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ：ＴｈｅＣａｓｅｏｆＦｕｓｅｄＰｏｌｙｃｙｃｌｉｃＢｅｎｚｅｎｅ−ＴｈｉｏｐｈｅｎｅＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓ；ＶｅａｃｅｓｌａｖＣｏｒｏｐｃｅａｎｕ，ＯｈｙｕｎＫｗｏｎ，ＢｒｉｇｉｔｔｅＷｅｘ，ＢｉｌａｌＲ．Ｋａａｆａｒａｎｉ，ＮａｄｉｎｅＥ．Ｇｒｕｈｎ，ＪａｓｏｎＣ．Ｄｕｒｉｖａｇｅ，ＤｏｕｇｌａｓＣ．Ｎｅｃｋｅｒｓ，ａｎｄＪｅａｎ−ＬｕｃＢｒｅｄａｓ；Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２００６，Ｖｏｌ．１２，ｐ２０７３−２０８０

非特許文献１では、ナフタレン−チオフェン骨格を有する化合物の構造式が挙げられている。しかし、この化合物は現在のところ合成が成功していない化合物、いわば実在しない化合物の構造式を挙げているに過ぎない。これまでの有機合成化学の知見によると、ナフタレンにチオフェン環を導入することは極めて困難なためである。

本発明の目的とするところは、ナフタレン−チオフェン骨格或いはナフタレン−セレノフェン骨格を有し、キャリアの移動度が良好な新規な化合物を提供すること、及び、この化合物の製造方法を提供すること、並びにこの化合物を含有する有機半導体材料及び有機半導体デバイスを提供することにある。

本発明の第１の態様に係る化合物は、下記一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、又は一般式（４）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｒは水素原子、アルキル基、又はフェニル基のいずれかを示す）で表されることを特徴とする。

本発明の第２の態様に係る化合物は、下記一般式（５）、一般式（６）、一般式（７）、又は一般式（８）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｘはハロゲン原子を示す）で表されることを特徴とする。

本発明に係る化合物の製造方法は、
ジハロゲノジヒドロキシナフタレンと無水トリフルオロメタンスルホン酸とを反応させ、ジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを得る工程と、
前記ジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンと末端アセチレン化合物とを反応させ、ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体を得る工程と、
前記ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体と硫化物塩或いはセレン化物塩とを反応させ、下記一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、又は一般式（４）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｒは水素原子、アルキル基、或いはフェニル基のいずれかを示す）で表されるいずれかの化合物を得る工程と、
を含むことを特徴とする。

更に、ジヒドロキシナフタレンとハロゲン化剤とを反応させ、前記ジハロゲノジヒドロキシナフタレンを得る工程を含んでいてもよい。

また、前記ジヒドロキシナフタレンとして２，６−ジヒドロキシナフタレンを用い、前記一般式（１）或いは前記一般式（３）で表される化合物を得てもよい。

また、前記ジヒドロキシナフタレンとして２，７−ジヒドロキシナフタレンを用い、前記一般式（２）で表される化合物を得てもよい。

また、前記ジヒドロキシナフタレンとして１，５−ジヒドロキシナフタレンを用い、前記一般式（４）で表される化合物を得てもよい。

また、前記ハロゲン化剤として臭素化剤或いは塩素化剤を用いることが望ましい。

また、触媒を添加し、前記臭素化剤を複数回順次添加しながら反応させることが望ましい。

また、前記末端アセチレン化合物としてトリメチルシリルアセチレン、フェニルアセチレン、或いは１−デシンのいずれかを用いることができる。

また、前記ジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを極性溶媒に溶解して前記末端アセチレン化合物と反応させることが望ましい。

また、前記極性溶媒として非プロトン性極性溶媒を用いることが望ましい。

また、前記非プロトン性極性溶媒として、ジメチルホルムアミドを用いることが望ましい。

更に、前記一般式（１）、前記一般式（２）、前記一般式（３）、又は、前記一般式（４）で表される化合物（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｒは水素原子を示す）にハロゲン化剤を添加して、下記一般式（５）、一般式（６）、一般式（７）、又は、一般式（８）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｘはハロゲン原子を示す）で表される化合物を得る工程を含んでいてもよい。

本発明に係る有機半導体材料は、下記一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、又は一般式（４）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｒは水素原子、アルキル基、又はフェニル基のいずれかを示す）で表される化合物を少なくとも一種以上含むことを特徴とする。

本発明に係る有機半導体デバイスは、前記有機半導体材料を含むことを特徴とする。

本発明に係る化合物は、ナフタレン−チオフェン骨格或いはナフタレン−セレノフェン骨格を有する構造であり、π電子が存在すること、また、チオフェン環或いはセレノフェン環を有しており、硫黄原子或いはセレン原子を介した強い分子間相互作用を有することから、効果的なキャリアの移動が可能である。良好な電界移動度を有するので、有機半導体材料として利用でき、これを用いた有機半導体デバイスを構成することができる。

また、本発明に係る化合物の製造方法によれば、ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体を経ることで、ナフタレン−チオフェン骨格或いはナフタレン−セレノフェン骨格を有する化合物を製造することができる。

また、ナフタレンの水素原子を選択的にハロゲン化できることから、ナフタレン−チオフェン骨格或いはナフタレン−セレノフェン骨格を有する化合物の収率を高めることができる。

実施例にて作製したＦＥＴ素子の概略構成を示す断面図（Ａ）、及び平面図（Ｂ）である。化合物Ａを用いて作製したＦＥＴ素子のＶｇ−Ｉｄ曲線（Ａ）、及びＶｄ−Ｉｄ曲線（Ｂ）である。化合物Ｂを用いて作製したＦＥＴ素子のＶｇ−Ｉｄ曲線（Ａ）、及びＶｄ−Ｉｄ曲線（Ｂ）である。化合物Ｃを用いて作製したＦＥＴ素子のＶｇ−Ｉｄ曲線（Ａ）、及びＶｄ−Ｉｄ曲線（Ｂ）である。化合物Ｄを用いて作製したＦＥＴ素子のＶｇ−Ｉｄ曲線（Ａ）、及びＶｄ−Ｉｄ曲線（Ｂ）である。

以下に、本実施形態に係る新規化合物、その製造方法、有機半導体材料、及び有機半導体デバイスについて説明する。

（新規化合物）
本実施形態の第１の態様に係る新規化合物は、一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、或いは、一般式（４）

で表されるように、ナフタレンの両ベンゼン環にそれぞれチオフェン環或いはセレノフェン環が結合した化合物である。上記一般式（１）から一般式（４）中に示すＺは、硫黄原子或いはセレン原子を表す。

また、上記一般式（１）から一般式（４）中に示すＲは、水素原子、アルキル基、或いはフェニル基のいずれかの置換基を表す。これらの置換基は同一の置換基が結合したものでも、異なる置換基が結合したものでもよいが、同一の置換基が結合していることが好ましい。

アルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基等の直鎖の飽和アルキル基、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の分岐鎖の飽和アルキル基、シクロプロピル基、シクロブチル基等の環状の飽和アルキル基、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル等の不飽和アルキル基が挙げられる。

上記一般式（１）から一般式（４）に示す化合物は、π電子が存在すること、また、チオフェン環或いはセレノフェン環を有しており、硫黄原子或いはセレン原子を介した強い分子間相互作用により、効果的なキャリアの移動が可能であることから、良好な電界移動度を有し、有機半導体材料として利用可能である。

本実施形態の第２の態様に係る新規化合物は、下記一般式（５）、一般式（６）、一般式（７）、又は、一般式（８）で表される。

一般式（５）から一般式（８）におけるＺは、硫黄原子或いはセレン原子を表し、また、Ｘがハロゲン原子を示す。ハロゲン原子として、臭素或いはヨウ素が挙げられる。

（化合物の製造方法）
続いて、上述した一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、及び一般式（４）に示される化合物の製造方法について段階的に説明する。

まず、ジヒドロキシナフタレンとハロゲン化剤とを反応させ、ジハロゲノジヒドロキシナフタレンを合成する。

ジヒドロキシナフタレンとして、ナフタレンの両ベンゼン環にそれぞれヒドロキシ基が結合したジヒドロキシナフタレンを用い、好ましくは、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、或いは１，５−ジヒドロキシナフタレンを用いるとよい。

ハロゲン化剤として、臭素、Ｎ−ブロモスクシンイミド、過臭化ピリジニウムハイドロブロミド、又は、テトラアルキルアンモニウムトリブロミド等の臭素化剤、或いは、塩素、Ｎ−クロロスクシンイミド、テトラアルキルアンモニウムトリクロリド、塩化チオニル、塩化スルフリル等の塩素化剤を好適に使用することができる。

得られたジハロゲノジヒドロキシナフタレンと無水トリフルオロメタンスルホン酸（ＣＦ_３ＳＯ_２−Ｏ−ＳＯ_２ＣＦ_３）とを反応させる。２つのヒドロキシ基がトリフルオロメタンスルフォニル基に置換され、ジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンが得られる。

得られたジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンと末端アセチレン化合物とを反応させ、ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体を合成する。

末端アセチレン化合物として、トリメチルシリルアセチレン（ＨＣ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_３）、フェニルアセチレン（Ｃ_８Ｈ_６）、１−デシン（Ｃ_１０Ｈ_１８）等を用いることができる。

ジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンは、極性溶媒に溶解して末端アセチレン化合物と反応させるとよい。極性溶媒により、トリフルオロメタンスルフォニル基が選択的に末端アセチレン化合物に置換されることとなる。これにより、得られるジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体の収率を高めることができる。ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体の収率を高めることは、用いる試薬等の無駄がなくなるので、製造コストの低下につながる。

極性溶媒として、非プロトン性極性溶媒を用いることが好ましく、例えば、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等が挙げられる。用いる非プロトン性極性溶媒の極性が高いほど、得られるジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体の収率が高くなるので、このなかで最も極性の高いジメチルホルムアミドを用いることがより好ましい。

得られたジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体と硫化物塩或いはセレン化物塩とを反応させる。ハロゲン原子が硫黄原子或いはセレン原子に置換される。そして、この硫黄原子或いはセレン原子と、これらに隣接するアセチレン部とで環化して、チオフェン環或いはセレノフェン環が構成される。このようにして、上記した一般式（１）から一般式（４）に示した化合物を得ることができる。

硫化物塩として、硫化物金属塩を用いることが好ましく、硫化物アルカリ金属塩を用いることがより好ましい。例えば、硫化ナトリウム・９水和物（Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ）、硫化ナトリウム・５水和物（Ｎａ_２Ｓ・５Ｈ_２Ｏ）、硫化ナトリウム無水物（Ｎａ_２Ｓ）、水硫化ナトリウム水和物（ＮａＳＨ・ｎＨ_２Ｏ）等が挙げられる。

反応に用いる硫化物塩は、ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体に対して、通常１〜１６モル使用すればよく、好ましくは２〜８モル、より好ましくは２〜５モルである。

反応溶媒は使用しても使用しなくてもよいが、用いるジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体が固体である場合、溶媒を使用するとよい。また、沸点１００℃以上の溶媒を反応混合物中に含有するのが好ましい。これにより、反応速度が向上する。

沸点１００℃以上の溶媒とは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール等のグリコール類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類が挙げられる。

上記の溶媒は、ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体１モルに対して、０．０１〜１００モル、好ましくは０．１〜８０モル、より好ましくは２０〜５０モル使用するとよい。

反応温度は−５０℃〜３００℃で行うとよく、好ましくは−１０℃〜２５０℃、より好ましくは４０℃〜２００℃である。

また、触媒を添加することは必須ではないが、触媒を添加することにより反応が円滑に進行する場合は、触媒を添加するとよい。上記触媒として、銅原子、塩化銅（I）、塩化銅（II）、臭化銅（I）、臭化銅（II）、ヨウ化銅（I）、ヨウ化銅（II）等の金属ハロゲン化物が挙げられる。好ましくは銅原子、及び臭化銅（I）、臭化銅（II）等の銅ハロゲン化物である。

また、必要に応じて公知の方法により、反応混合物から目的化合物を単離・精製してもよい。高純度の目的化合物を得るために、昇華精製、特に真空昇華精製を行うことも可能である。

続いて、上記一般式（１）の製造方法について具体的に説明する。上記一般式（１）に示すトランス型の直線構造の化合物を合成する場合、２，６−ジヒドロキシナフタレンを用い、また、ハロゲン化剤として臭化剤を用いるとよい。一般式（１）のように直線構造の化合物を得るには、２，６−ジヒドロキシナフタレンの３位及び７位の炭素に結合している水素原子をハロゲン原子に置換する必要がある。例えば、塩素化剤を用いた場合、ジヒドロキシナフタレンの反応性の高い１位及び５位の炭素に結合する水素原子が塩素原子に置換されるが、３位及び７位の炭素に結合している水素原子は塩素原子に置換されにくい。

臭素等の臭化剤を用いれば、後述のように１位及び５位の炭素に結合する水素原子が臭素原子に置換された後、３位及び７位の炭素に結合している水素原子が臭素原子に置換される。

まず、臭化剤によって、反応性の高い１位及び５位の炭素に結合する水素原子が臭素原子に置換された後、更に、鉄等の触媒を添加し、臭化剤を複数回順次添加することにより、３位、及び７位の炭素に臭素原子が結合した１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンを得ることができる。

上記手法によると、１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンを高い収率（５０％以上）で得ることができる。これは、「ＲｅａｃｔｉｏｎｏｆＴｅｔｒａｓｕｌｆｕｒＴｅｔｒａｎｉｔｒｉｄｅｗｉｔｈＮａｐｈｔｈａｌｅｎｏｌｓａｎｄＲｅｌａｔｅｄＣｏｍｐｏｕｄｓ」（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ，Ｖｏｌ．６４，ｐ６８−７３；ＳｈｕｎｔａｒｏＭａｔａｋａ，ＫａｚｕｆｕｍｉＴａｋａｈａｓｈｉ，ＹｏｕｊｉＩｋｅｚａｋｉ，ＴａｉｚｏＨａｔｔａ，ＡｋｉｙｏｓｈｉＴｏｒｉｉ，ＭａｓａｓｈｉＴａｓｈｉｒｏ）で報じられている１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンの合成の収率４％に比べて非常に高いことがわかる。

この１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンを華状錫（フレーク状のスズ）等により還元して、１位及び５位に結合した臭素原子を水素原子に置換することにより、３，７−ジブロモ−２，６ジヒドロキシナフタレンを得ることができる。

この３，７−ジブロモ−２，６ジヒドロキシナフタレンを用い、上述した無水トリフルオロメタンスルホン酸との反応、末端アセチレン化合物との反応、硫化物塩或いはセレン化物塩との反応の各工程を経ることで、一般式（１）に表されるトランス型の直線構造の化合物を選択的に得ることができる。また、上述のように高い収率で１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンを得ることができるので、試薬を効率的に利用することが可能であり、製造コストを安くすることも実現している。

続いて、上記一般式（２）に示す化合物の製造方法について具体的に説明する。上記一般式（２）に示すシス型の直線構造の化合物を合成する場合、ジヒドロキシナフタレンとして、２，７−ジヒドロキシナフタレンを用い、また、ハロゲン化剤として臭化剤を用いるとよい。２，７−ジヒドロキシナフタレンと臭素等の臭化剤とを反応させると、８位の立体障害のため、三臭化物で反応が止まり、１，３，６−トリブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレンが得られる。これを、華状錫等で還元させることで、３，６−ジブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレンを得ることができる。この３，６−ジブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレンを用い、上述した無水トリフルオロメタンスルホン酸との反応、末端アセチレン化合物との反応、硫化物塩或いはセレン化物塩との反応の各工程を経ることで、一般式（２）に表されるシス型の直線構造の化合物を選択的に得ることができる。

続いて、上記一般式（３）に示す化合物の製造方法について具体的に説明する。一般式（３）に示す化合物を合成する場合、ジヒドロキシナフタレンとして２，６−ジヒドロキシナフタレンを用い、塩素等の塩素化剤を用いるとよい。２，６−ジヒドロキシナフタレンと塩素化剤とを反応させることで、一段階で１，５−ジクロロ−２，６−ジヒドロキシナフタレンが得られる。この１，５−ジクロロ−２，６−ジヒドロキシナフタレンを用い、上述した無水トリフルオロメタンスルホン酸との反応、末端アセチレン化合物との反応、硫化物塩或いはセレン化物塩との反応の各工程を経ることで、一般式（３）に表される化合物を選択的に得ることができる。

続いて、上記一般式（４）に示す化合物の製造方法について具体的に説明する。一般式（４）に示す化合物を合成する場合、ジヒドロキシナフタレンとして１，５−ジヒドロキシナフタレンを用い、臭素等の臭素化剤を用いるとよい。１，５−ジヒドロキシナフタレンと臭素化剤とを反応させることで、一段階で２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレンが得られる。この２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレンを用い、上述した無水トリフルオロメタンスルホン酸との反応、末端アセチレン化合物との反応、硫化物塩或いはセレン化物塩との反応の各工程を経ることで、一般式（４）に表される化合物を選択的に得ることができる。

続いて、上記一般式（５）から一般式（８）で表される化合物の製造方法について説明する。

上述のようにして得られた一般式（１）から一般式（４）で示される化合物に、ハロゲン化剤を添加する。具体的には、一般式（１）から一般式（４）においてＲが水素原子で示される化合物をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の溶媒に溶解し、ｎ−ＢｕＬｉを添加後、これにジブロモテトラクロロエタン等のハロゲン化剤をＴＨＦに溶解した溶液を滴下すればよい。

ｎ−ＢｕＬｉを添加することで、硫黄或いはセレンの隣接炭素に結合している水素が引き抜かれてリチウム塩となり、これとハロゲン化剤が反応し、ハロゲン化反応が生じる。

これにより、一般式（１）から一般式（４）においてＲが水素原子で表される化合物の水素原子がハロゲン原子に置換され、析出した固体を濾取等により分離することで、一般式（５）から一般式（８）で表される化合物が得られる。

ハロゲン化剤として、臭素化剤或いはヨウ素化剤を用いることができる。臭素化剤としては、ジブロモテトラクロロエタン、臭素、過臭化ピリジニウムハイドロブロミド、テトラアルキルアンモニウムトリブロミド等、ヨウ素化剤としては、ヨウ素、ジヨードエタン、ヨウ化パーフルオロヘキシル、テトラアルキルアンモニウムトリヨージド等を好適に使用することができる。

ｎ−ＢｕＬｉを、一般式（１）から一般式（４）においてＲが水素原子で表される化合物に対して、少なくとも２当量以上添加するとよい。一般式（１）から一般式（４）で表される化合物は、Ｒで示される置換基をそれぞれ２つ備えているためである。Ｒで示される置換基以外の部位との反応が遅い場合、また、一般式（１）から一般式（４）で表される化合物の溶解性が低い場合には、過剰のｎ−ＢｕＬｉを加えてもよい。また、ハロゲン化剤は、添加したｎ−ＢｕＬｉ以上のモル比で加えるとよい。これらの配合比として、例えば、一般式（１）から一般式（４）で表される化合物１モルに対し、ｎ−ＢｕＬｉを３〜５モル程度、ハロゲン化剤を１０モル程度添加すればよい。

反応時間は、３０分〜１時間程度でよく、３０分未満であってもｎ−ＢｕＬｉによる水素の引き抜き反応が完結する時間であればこれよりも短くて構わない。

（有機半導体材料）
本実施形態に係る有機半導体材料は、上述した一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、或いは、一般式（４）に表される化合物を少なくとも１種以上含むものである。

一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、及び一般式（４）に表される化合物は、いずれもナフタレン−チオフェン骨格或いはナフタレン−セレノフェン骨格を有しており、π電子が存在すること、また、チオフェン環或いはセレノフェン環を備えており、チオフェン環或いはセレノフェン環を構成する硫黄原子を介した強い分子間相互作用により、キャリアの移動が可能となる。従って、良好な電界移動度を有する有機半導体材料として利用することができる。

有機半導体材料は、一般式（１）から一般式（４）で表される化合物一種のみ、或いはこれらの化合物を組み合わせた混合物から構成されていてもよいし、一般式（１）から一般式（４）で表される化合物の特性を阻害しない限り、他の物質を含んでいてもよい。また、既知の手法により不純物をドープして電界移動度を調整したものであってもよい。

（有機半導体デバイス）
本実施形態に係る有機半導体デバイスは、上述した一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、或いは、一般式（４）で表される化合物を少なくとも１種以上含む有機半導体材料が用いられたデバイスである。この有機半導体デバイスとして、例えば、有機半導体層を有する薄膜トランジスタや、有機キャリア輸送層及び／又は発光層を有する発光デバイスが挙げられる。

上述した本実施形態に係る有機半導体材料を使用する以外は、既知の材料及び構造を採用することができ、特に制限されない。

有機半導体デバイスは、従来公知の種々の製造方法を用いて製造することができ、特に限定されるものではない。なお、有機半導体材料は溶解性がやや低いため、塗布法を用いることが困難な場合、真空蒸着法等によって製造することが好ましい。

前述の有機半導体材料を用いることから、シリコンを用いた場合におけるコストを要する製造プロセスを必要とせず、有機半導体デバイスを製造することができる。

また、有機半導体材料を用いることから、シリコンを用いたデバイスに比べ、機械的フレキシビリティに優れ、軽量である。これにより、軽量ディスプレイやスマートタグ等への応用も可能である。

一般式（１）に示した直線状の骨格を有する化合物の合成について説明する。なお、化合物の構造は、^１ＨＮＭＲ（^１Ｈ核磁気共鳴スペクトル）、ＥＩＭＳ（質量分析スペクトル）により決定した。使用した機器は以下の通りである。
^１ＨＮＭＲ：ＪＥＯＬＬａｍｂｄａ４００ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ
：ＪＥＯＬＥＸ−２７０ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ
ＥＩＭＳ：ＳｈｉｍａｄｚｕＱＰ−５０５０Ａ
なお、これらの機器は後述の他の実施例においても同様に使用した。

まず、ナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンの合成について、段階的に説明する。

（１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンの合成）
２，６−ジヒドロキシナフタレン（２ｇ，１２．５ｍｏｌ）を酢酸（６０ｍｌ）に溶解し、そこへ臭素（２．６ｍｌ，５０．７ｍｏｌ）を滴下し、還流温度下（１２０℃〜１２５℃）で反応させた。

この段階では、２，６−ジヒドロキシナフタレンの反応性の高い１位及び５位にある水素が臭素に置換されるに留まり、１，５−ジブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンが生成する。しかし、最終的に直線状の骨格を有するナフトジチオフェンを得るためには、３位及び７位の水素を臭素に置換させておく必要がある。

このため、更に臭素（２．６ｍｌ）を５回ほど順次滴下すること、及び触媒として鉄粉（５０ｍｇ，１．３ｍｏｌ）を加えることを行い、７６時間反応させた。

その後、室温まで冷却し、純水（５０ｍｌ）を加え、析出した固体を濾取した。得られた反応混合物をアセトンで洗浄し、減圧下で乾燥させた。

得られた粗精製物を１，４−ジオキサンから再結晶することで、無色針状結晶の１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレン（３．０ｇ，収率５１％）を得た。

上記のように、臭素を順次滴下すること、及び、触媒として鉄粉を添加することにより、１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンを高い収率で合成することができた。

上記反応の反応式を下記に示す。

得られた１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 6.18 (s, 2H, OH), 8.31 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 476 (M⁺).
という測定結果であった。

（３，７−ジブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンの合成）
１，３，５，７−テトラブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレン（１．０ｇ，２．１ｍｍｏｌ）を酢酸（２０ｍｌ）に溶解させ、華状錫（フレーク状のスズ）（４９９ｍｇ，４．２ｍｍｏｌ）を加えた後、還流温度下で６２時間攪拌した。

室温まで冷却し、純水（２０ｍｌ）を加え、析出した固体を濾取した。得られた反応混合物を減圧下で乾燥させることで、白色固体の３，７−ジブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレン（５３０ｍｇ，７９％）を得た。

上記反応の反応式を下記に示す。

得られた３，７−ジブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 5.58 (s, 2H, OH) , 7.25 (s, 2H, ArH), 7.89 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 318 (M⁺).
という測定結果であった。

（３，７−ジブロモ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンの合成）
窒素雰囲気下、３，７−ジブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレン（６３６ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）、ピリジン（１．０ｍｌ，１２ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（２０ｍｌ）に溶解した。

更に、氷浴下で無水トリフルオロメタンスルホン酸（０．７ｍｌ，４．４ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。室温で１５時間半攪拌した後、純水（１０ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１０ｍｌ）を加えた。

溶液を塩化メチレン（２０ｍｌ）で抽出した。なお、この抽出は同様の手法で３回行った。その後、有機相を飽和食塩水（２０ｍｌ）で洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

無水硫酸マグネシウムを用いて有機相を乾燥し、ろ過した後、溶媒を減圧下で留去した。塩化メチレンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．９５）で得られた反応混合物を分離精製して、白色固体の３，７−ジブロモ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（９７０ｍｇ，収率８４％）を得た。

上記反応の反応式を下記に示す。

得られた３，７−ジブロモ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.14 (s, 2H, ArH), 8.25 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 582 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，６−ジブロモ−３，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンの合成）
窒素雰囲気下で３，７−ジブロモ−２、６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（５８２ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（７ｍｌ）、ジイソプロピルアミン（７ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

これに触媒としてＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（７０ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）及びＣｕＩ（３８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、更に試薬としてトリメチルシリルアセチレン（０．２８ｍｌ，２．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１１時間攪拌した後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。

この反応溶液を、塩化メチレン（５ｍｌ）を用いて抽出した。この抽出は同様の手法で３回行った。抽出後、飽和食塩水（５ｍｌ）を用い、有機相を洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

無水硫酸マグネシウムを用いて洗浄した有機相を乾燥し、ろ過した後、溶媒を減圧下で留去した。得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．２）で分離精製し、白色固体の２，６−ジブロモ−３，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン（１６２ｍｇ，収率３４％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた２，６−ジブロモ−３，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.29 (s, 18H, TMS), 7.87 (s, 2H, ArH), 7.97 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 478 (M⁺).
という測定結果であった。

（ナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（１０１ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌｍｍｏｌ）をＮＭＰ（３ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

そこに２，６−ジブロモ−３，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン（５０ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１０時間攪拌した。

これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（２０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。

ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．９５）で得られた反応混合物を分離精製し、橙色固体のナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン（２６ｍｇ，収率１００％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られたナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.43 (d, 2H, J = 5.8 Hz, ArH), 7.51 (d, 2H, J = 5.8 Hz, ArH), 8.41 (s, 2H, ArH), 8.52 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 240 (M⁺); mp >300 ℃
という測定結果であった。

続いて、２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンの合成について、段階的に説明する。

（２，６−ジブロモ−３、７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンの合成）
まず、前述のように合成した３，７−ジブロモ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを用いて、２，６−ジブロモ−３，７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンを合成する。

窒素雰囲気下で、２，６−ジブロモ−３，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（５８２ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ（７ｍｌ）、ジイソプロピルアミン（７ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

これに触媒としてＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（７０ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）及びＣｕＩ（３８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、更に試薬としてフェニルアセチレン（０．２２ｍｌ，２．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１１時間攪拌して反応させた後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。

無水硫酸マグネシウムを用い、洗浄した有機相を乾燥、ろ過した後、溶媒を減圧下で留去した。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．１）で分離精製することで、白色固体の２，６−ジブロモ−３，７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（３９７ｍｇ，収率８２％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた２，６−ジブロモ−３，７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 7.39-7.41 (m, 6H, ArH), 7.62-7.64 (m, 4H, ArH) 7.97 (s, 2H, ArH), 8.07 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 486 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（２０２ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（３ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

そこに２，６−ジブロモ−３，７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（１００ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１０時間攪拌した。

これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（２０ｍｌ）に注ぎ、析出した黄色固体（７５ｍｇ，収率９６％）を濾取した。

得られた黄色固体を昇華精製し、２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン（２５ｍｇ，収率３２％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンは、
EIMS (70 eV) m/z = 392 (M⁺)
という測定結果であった。なお、２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンは難溶性であるため、^１ＨＮＭＲ測定は行えなかった。

続いて、２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンの合成について、段階的に説明する。

（２，６−ジブロモ−３、７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンの合成）
まず、前述のように合成した２，６−ジブロモ−３，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを用いて、２，６−ジブロモ−３、７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンを合成する。

窒素雰囲気下で、２，６−ジブロモ−３，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（４９３ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ（１０ｍｌ）、ジイソプロピルアミン（０．４２ｍｌ，３．０ｍｍｏｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

これに触媒としてＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（７０ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）及びＣｕＩ（３８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、更に試薬として１−デシン（０．５４ｍｌ，３．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２７時間攪拌して反応させた後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。

この反応溶液から、塩化メチレン（１０ｍｌ）を用い、有機相を抽出した。この抽出は同様の手法で３回行った。抽出後、飽和食塩水（１０ｍｌ）を用い、有機相を洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．３）で分離精製することで、白色固体の２，６−ジブロモ−３，７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレン（４８８ｍｇ，収率８７％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた２，６−ジブロモ−３，７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.89 (t, 6H, J = 7.02 Hz, CH₂), 1.27-1.37 (m, 20H, CH₂), 1.61-1.72 (m, 4H, CH₂), 2.51 (t, 4H, J = 6.62 Hz, CH₂) 7.79 (s, 2H, ArH), 7.95 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 558 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（３４６ｍｇ，１．４４ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１２ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

そこに２，６−ジブロモ−３，７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレン（２００ｍｇ，０．３６ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で９時間攪拌した。

これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（３０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。

得られた反応混合物を、塩化メチレンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．９５）とクロロホルムからの再結晶により分離精製することで、黄色針状結晶の２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン（１３０ｍｇ，収率７８％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 0.89 (t, 6H, J = 7.4 Hz, CH₂), 1.28-1.50 (m, 20H, CH₂), 1.75-1.83 (m, 4H, CH₂), 2.92 (t, 4H, J = 7.4 Hz, CH₂), 7.06 (s, 2H, ArH), 8.16 (s, 2H, ArH), 8.32 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 464 (M⁺) ; mp 269-271 °C.
という測定結果であった。

続いて、一般式（２）に表される化合物の合成例を具体的に記す。

まず、２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンの合成について、以下に段階的に説明する。

（１，３，６−トリブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレンの合成）
窒素雰囲気下、２，７−ジヒドロキシナフタレン（５ｇ，３１ｍｍｏｌ）を酢酸（１５０ｍｌ）に溶解した。なお、酢酸は溶媒として用いた。

これに臭素（５．３ｍｌ，１０３ｍｍｏｌ）を滴下し、還流温度下で反応させた。

４１時間後、室温まで冷却し、純水（５０ｍｌ）を加えて、析出した固体を濾取した。この固体を純水で洗浄し、減圧下で乾燥し、白色固体の１，３，６−トリブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレン（１０ｇ，収率８３％）を得た。

上記反応式を下記に示す。

得られた１，３，６−トリブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 5.88 (s, 1H, OH), 6.24 (s, 1H, OH), 7.60 (s, 1H, ArH), 7.88 (s, 1H, ArH), 7.89 (s, 1H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 396 (M⁺).
という測定結果であった。

（３，６−ジブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレンの合成）
１，３，６−トリブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレン（５．０ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）を酢酸（２０ｍｌ）に溶解させ、華状錫（フレーク状のスズ）（１．６ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）を加えた後、還流温度下で１２０時間攪拌した。

室温まで冷却し、純水（１００ｍｌ）を加え、析出した固体を濾取した。この固体を減圧下で乾燥し、白色固体の３，６−ジブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレン（３．４ｇ，収率８５％）を得た。

上記反応の反応式を下記に示す。

得られた３，６−ジブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 5.67 (s, 2H, OH), 7.24 (s, 2H, ArH), 7.87 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 318 (M⁺).
という測定結果であった。

（３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンの合成）
窒素雰囲気下、３，６−ジブロモ−２，７−ジヒドロキシナフタレン（３．０ｇ，９．４ｍｍｏｌ）、ピリジン（４．５ｍｌ，５６ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（９０ｍｌ）に溶解した。

更に、氷浴下で無水トリフルオロメタンスルホン酸（３．３ｍｌ，２１ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。室温で４時間半攪拌した後、純水（１０ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１０ｍｌ）を加えてクエンチした。

この溶液から、塩化メチレン（２０ｍｌ）を用いて有機相を抽出した。なお、この抽出は同様の手法で３回行った。その後、有機相を飽和食塩水（２０ｍｌ）で洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

無水硫酸マグネシウムを用いて有機相を乾燥し、ろ過した後、溶媒を減圧下で留去した。塩化メチレンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．９５）で得られた反応混合物を分離精製して、白色固体の３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（３．３ｇ，収率６０％）を得た。
上記反応の反応式を下記に示す。

得られた３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 7.86 (s, 2H, ArH), 8.19 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 582 (M⁺).
という測定結果であった。

（３，６−ジブロモ−２，７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンの合成）
窒素雰囲気下で、３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（５８２ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ（７ｍｌ）、ジイソプロピルアミン（７ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

この反応溶液から、塩化メチレン（５ｍｌ）を用いて有機相を抽出した。この抽出は同様の手法で３回行った。抽出後、飽和食塩水（５ｍｌ）を用い、有機相を洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．１）で分離精製することで、白色固体の３，６−ジブロモ−２，７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（２４３ｍｇ，収率５０％）を得た。
上記反応の反応式を下記に示す。

得られた３，６−ジブロモ−２，７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.38-7.42 (m, 6H, ArH), 7.62-7.65 (m, 4H, ArH), 8.01 (s, 2H, ArH), 8.03 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 486 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（４０４ｍｇ，１．６８ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１２ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

そこに３，６−ジブロモ−２，７−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（２００ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１４時間攪拌した。

得られた固体を純水、エタノール、ヘキサン、塩化メチレン、熱クロロホルムで洗浄し、２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン（７３ｍｇ，収率４５％）を得た。
上記反応の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンは、
EIMS (70 eV) m/z = 392 (M⁺)
という測定結果であった。なお、２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンは難溶性のため、ＮＭＲ測定はできなかった。

続いて、２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンの合成について、以下に段階的に説明する。
（３，６−ジブロモ−２，７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンの合成）

まず、前述のように合成した３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを用いて、３，６−ジブロモ−２，７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンを合成する。

窒素雰囲気下で、３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（５８２ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ（７ｍｌ）、ジイソプロピルアミン（７ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

これに触媒としてＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（７０ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）及びＣｕＩ（３８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、更に試薬として１−デシン（０．３６ｍｌ，２．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１１時間攪拌して反応させた後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．３）で分離精製し、白色固体の３，６−ジブロモ−２，７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレン（４４４ｍｇ，収率８０％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた３，６−ジブロモ−２，７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.89 (t, 6H, J = 6.8 Hz, CH₂), 1.27-1.72 (m, 24H, CH₂), 2.50 (t, 4H, J = 6.9 Hz, CH₂) 7.81 (s, 2H, ArH), 7.93 (s, 2H, ArH), EIMS (70 eV) m/z = 558 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（３４６ｍｇ，１．４４ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１２ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

これに３，６−ジブロモ−２，７−ジ（デシン−１−イル）ナフタレン（２００ｍｇ，０．３６ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１２時間攪拌した。これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（３０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。

濾取した固体を純水、エタノールで洗浄し、淡黄色固体の２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン（１６８ｍｇ，収率１００％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 0.88 (t, 6H, J = 7.0 Hz, CH₃), 1.28-1.81 (m, 24H, CH₂), 2.92 (t, 4H, J = 7.3 Hz, CH₂), 7.05 (s, 2H, ArH), 8.21 (s, 2H, ArH), 8.26 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 464 (M⁺)
という測定結果であった。

続いて、ナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンの合成について、以下に段階的に説明する。

（３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンの合成）

まず、前述のように合成した３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを用いて、３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンを合成する。

窒素雰囲気下で、３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（５８２ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ（７ｍｌ）、ジイソプロピルアミンアミン（７ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

これに触媒としてＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（７０ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）及びＣｕＩ（３８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、更に試薬としてトリメチルシリルアセチレン（０．２２ｍｌ，２．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１１時間攪拌して反応させた。この反応溶液に純水（１ｍｌ）、ヘキサン（２０ｍｌ）を加え、不溶性固体をスーパーハイフロセルを用いたろ過で取り除いた。

この濾液から、ヘキサン（５ｍｌ）を用いて有機相を抽出した。この抽出は同様の手法で３回行った。抽出後、飽和食塩水（５ｍｌ）を用い、有機相を洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．２）で分離精製し、白色固体の３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン（９２ｍｇ，収率１９％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.30 (s, 18H, TMS), 7.90 (s, 2H, ArH), 7.95 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 478 (M⁺).
という測定結果であった。

（ナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（１０１ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（３ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

これに３，６−ジブロモ−２，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン（５０ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１２時間攪拌した。これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（２０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。

濾取した固体を純水、エタノール、ヘキサンで洗浄し、黄色固体のナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン（７３ｍｇ，収率４５％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られたナフト［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.43 (d, 2H, J = 5.5 Hz, ArH), 7.50 (d, 2H, J = 5.5 Hz ArH), 8.45 (s, 2H, ArH), 8.47 (s, 2H, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 240 (M⁺).
という測定結果であった。

続いて、一般式（３）に表される化合物の合成例を具体的に記す。なお、化合物の構造は、^１ＨＮＭＲ（^１Ｈ核磁気共鳴スペクトル）、ＥＩＭＳ（質量分析スペクトル）により決定した。

まず、ナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの合成について、以下に段階的に説明する。

（１，５−ジクロロ−２，６−ジヒドロキシナフタレンの合成）
窒素雰囲気下、２，６−ジヒドロキシナフタレン（３．０ｇ，１８．７ｍｍｏｌ）を、酢酸（９０ｍｌ）に溶解した。なお、酢酸は溶媒として用いた。

これに塩化スルフリル（３．０ｍｌ，３７．５ｍｍｏｌ）を滴下した。これを室温で５時間攪拌した後、純水（５０ｍｌ）を加えて析出した固体を濾取し、減圧下で乾燥させて、白色固体の１，５−ジクロロ−２，６−ジヒドロキシナフタレン（３．３ｇ，収率７８％）を得た。

上記反応式を下記に示す。

得られた１，５−ジクロロ−２，６−ジヒドロキシナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 5.79 (s, 2H, OH), 7.35 (d, 2H, J = 8.9 Hz, ArH), 7.96 (d, 2H, J = 8.9 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 228 (M⁺).
という測定結果であった。

（１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンの合成）
窒素雰囲気下、１，５−ジクロロ−２，６−ジヒドロキシナフタレン（２．３ｇ，１０ｍｍｏｌ）及びピリジン（４．８ｍｌ，６０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１００ｍｌ）に溶解した。ピリジンは不要物を除去するための添加剤、また、塩化メチレンは溶媒として用いた。

これに氷浴下で無水トリフルオロメタンスルホン酸（３．６ｍｌ，２２ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。これを室温で１８時間攪拌した後、純水（１０ｍｌ）及び１Ｎ塩酸（１０ｍｌ）を加え、反応を停止した。

この溶液を塩化メチレン（２０ｍｌ）で抽出した。なお、この抽出は同様の手法で計３回行った。抽出後、有機相を飽和食塩水（２０ｍｌ）で洗浄した。なお、この洗浄は同様に計３回行った。

洗浄した有機相を、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥、ろ過した後、溶媒を減圧下で留去した。

得られた反応混合物を、塩化メチレンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．９５）で分離精製し、白色固体の１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（４．９ｇ，収率９９％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.68 (d, 2H, J = 9.3 Hz, ArH), 8.40 (d, 2H, J = 9.3 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 492 (M⁺).
という測定結果であった。

（１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンの合成）
窒素雰囲気下で、１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（２４７ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン（０．２１ｍｌ，１．５ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（５ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

これに触媒としてＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（３５ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）及びＣｕＩ（１９ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、更に試薬としてトリメチルシリルアセチレン（０．２１ｍｌ，１５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１７時間３０分攪拌した後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。

この反応溶液から、塩化メチレン（５ｍｌ）を用いて、有機相を抽出した。この抽出は同様の手法で３回行った。抽出後、飽和食塩水（５ｍｌ）を用い、有機相を洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．２）で分離精製し、白色固体の１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン（８９ｍｇ，４６％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.31 (s, 18H, TMS), 7.61 (d, 2H, J = 8.8 Hz, ArH), 8.12 (d, 2H, J = 8.8 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 388 (M⁺).
という測定結果であった。

（ナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（６１５ｍｇ，２．５６ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１５ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

これに、１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン（２５０ｍｇ，０．６４ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１２時間攪拌した。これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。

ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．２）で得られた反応混合物を分離精製し、白色固体のナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（１３９ｍｇ，９０％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られたナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.50 (d, 2H, J = 5.3 Hz, ArH), 7.54 (d, 2H, J = 5.3 Hz, ArH), 7.95 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH), 8.07 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 240 (M⁺); mp 150.4-150.8 ℃.
という測定結果であった。

続いて、２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの合成について段階的に説明する。

（１，５−ジクロロ−２，６−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンの合成）
まず、前述のように合成した１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを用いて、１，５−ジクロロ−２，６−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンを合成する。

窒素雰囲気下で、１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（４９３ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）、及びトリエチルアミン（０．４２ｍｇ，３．０ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（１０ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

これに触媒としてＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（７０ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）及びＣｕＩ（３８ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ，２０ｍｏｌ％）、更に試薬としてフェニルアセチレン（０．３３ｍｌ，３．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２７時間攪拌して反応させた後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．２）で分離精製した後、ヘキサンで洗浄して、淡黄色固体の１，５−ジクロロ−２，６−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（１８０ｍｇ，収率４５％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた１，５−ジクロロ−２，６−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.39-7.42 (m, 6H, ArH), 7.63-7.67 (m, 4H, ArH), 7.74 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH), 8.25 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 396 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（６０８ｍｇ，２．５３ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１５ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

これに、１，５−ジクロロ−２，６−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（２５０ｍｇ，０．６３ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１２時間攪拌した。これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。

得られた固体を昇華精製し、２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（１４７ｍｇ，６０％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.34-7.40 (m, 2H, ArH), 7.45-7.57 (m, 4H, ArH), 7.71 (s, 2H, ArH), 7.79-7.82 (m, 4H, ArH), 7.91 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH), 8.05 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 392 (M⁺); mp > 300 ℃.
という測定結果であった。

続いて、２，７−ジオクチルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの合成について、段階的に説明する。

（１，５−ジクロロ−２，６−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンの合成）
まず、前述のように合成した１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを用いて、１，５−ジクロロ−２，６−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンを合成する。

この反応溶液を、塩化メチレン（１０ｍｌ）を用いて抽出した。この抽出は同様の手法で３回行った。抽出後、飽和食塩水（１０ｍｌ）を用い、有機相を洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．３）で分離精製し、白色固体の１，５−ジクロロ−２，６−ジ（デシン−１−イル）ナフタレン（４０８ｍｇ，収率８７％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた１，５−ジクロロ−２，６−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンは、
1H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.89 (t, 6H, J = 7.0 Hz, CH₃), 1.23-1.71 (m, 24H, CH₂), 2.53 (t, 4H, J = 7.0 Hz, CH₂), 7.56 (d, 2H, J = 8.5 Hz, ArH), 8.13 (d, 2H, J = 8.5 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 468 (M+).
という測定結果であった。

（２，７−ジオクチルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（２０４ｍｇ，０．８５ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（５ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

これに１，５−ジクロロ−２，６−ジ（デシン−１−イル）ナフタレン（１００ｍｇ，０．２１ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１３時間攪拌した。これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（３０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。

ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．５）で得られた固体を分離精製し、白色固体の２，７−ジオクチルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（１４７ｍｇ，６０％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジオクチルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.88 (t, 6H, J = 6.8 Hz, CH₃), 1.21-1.83 (m, 24H, CH₂), 2.97 (t, 4H, J = 7.4 Hz, CH₂), 7.14 (s, 2H, ArH), 7.77 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH), 7.91 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 464 (M⁺); mp 92-93 ℃.
という測定結果であった。

（ナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジセレノフェンの合成）
窒素雰囲気下、セレン（７２ｍｇ，０．９１ｍｍｏｌ）をエタノール（３ｍｌ）に懸濁させ、氷浴温度下で水素化ホウ素ナトリウム（３４ｍｇ，０．９１ｍｍｏｌ）を加え、４０分攪拌した。

そこにＮＭＰ（１０ｍｌ）と、前述のように合成した１，５−ジクロロ−２，６−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン（１００ｍｇ，０．２６ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１２時間攪拌した。

室温まで冷却した後、反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．２）で、得られた反応混合物を分離精製し、白色固体のナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジセレノフェン（７０ｍｇ，収率８１％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られたナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジセレノフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.73 (d, 2H, J = 5.8 Hz, ArH), 7.92 (s, 4H, ArH), 8.08 (d, 2H, J = 5.9 Hz, ArH);¹³C-NMR (100 MHz, CDCl₃) δ 123.56, 124.40, 128.37, 128.39, 129.22, 139.95, 142.23; EIMS (70 eV) m/z = 336 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジセレノフェンの合成）
窒素雰囲気下、セレン（１４１ｍｇ，１．８ｍｍｏｌ）をエタノール（４ｍｌ）に懸濁させ氷浴温度下で水素化ホウ素ナトリウム（６８ｍｇ，１．８ｍｍｏｌ）を加え、４０分間攪拌した。

そこにＮＭＰ（２０ｍｌ）と、前述のように合成した１，５−ジクロロ−２，６−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（２００ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）を加え、１９０度で１２時間攪拌した。室温まで冷却した後、反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍＬ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。

この固体を温度勾配熱昇華法により精製することで、淡黄色固体の２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジセレノフェン（６６ｍｇ，収率２７％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジセレノフェンは、
EIMS (70 eV) m/z = 488 (M⁺).
という測定結果であった。

続いて、一般式（４）に表される化合物の合成例を具体的に記す。

まず、ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの合成について、以下に段階的に説明する。

（２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレンの合成）
窒素雰囲気下、１，５−ジヒドロキシナフタレン（５．０ｇ，３１ｍｍｏｌ）と少量のヨウ素を、酢酸（１５０ｍｌ）に溶解し、８０℃まで加熱した。なお、酢酸は溶媒として用いた。

これに臭素（３．２ｍｌ，６２．４ｍｍｏｌ）を滴下し、還流温度下で１２時間反応させた。その後、室温まで冷却し、純水（５０ｍｌ）を加えて析出した固体を濾取した。これを純水で洗浄し、減圧下で乾燥させて、白色固体の２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレン（８．２ｇ，収率８３％）を得た。

上記反応式を下記に示す。

得られた２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 5.99 (s, 2H, OH), 7.39 (d, 2H, J = 9.4 Hz, ArH), 7.70 (d, 2H, J = 9.4 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 318 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンの合成）
窒素雰囲気下、２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレン（３．０ｇ，９．４ｍｍｏｌ）及びピリジン（４．５ｍｌ，５６ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（９０ｍｌ）に溶解した。ピリジンは不要物を除去するための添加剤、また、塩化メチレンは溶媒として用いた。

これに氷浴下で無水トリフルオロメタンスルホン酸（３．３ｍｌ，２１ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。これを室温で４時間３０分攪拌した後、純水（１０ｍｌ）及び１Ｎ塩酸（１０ｍｌ）を加え、反応を停止した。

この溶液から、塩化メチレン（２０ｍｌ）を用いて有機相を抽出した。なお、この抽出は同様の手法で計３回行った。抽出後、有機相を飽和食塩水（２０ｍｌ）で洗浄した。なお、この洗浄は同様に計３回行った。

得られた反応混合物を、塩化メチレンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．９５）で分離精製し、白色固体の２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（３．２ｇ，収率５８％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.89 (d, 2H, J = 9.2 Hz, ArH), 8.03 (d, 2H, J = 9.2 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 582 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンの合成）
窒素雰囲気下で、２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（５８２ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ（７ｍｌ）及びジイソプロピルアミン（７ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．２）で分離精製し、白色固体の２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンの粗生成物（２３４ｍｇ，収率４９％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.29 (s, 18H, TMS), 7.71 (d, 2H, J = 8.8 Hz, ArH), 8.14 (d, 2H, J = 8.8 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 478 (M⁺).
という測定結果であった。

（ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（２０２ｍｇ，０．８４ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（６ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

これに、２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン（１００ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１４時間攪拌した。これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（２０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取し、ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの粗生成物（６２ｍｇ）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られたナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.43 (d, 2H, J = 5.4 Hz, ArH), 8.05 (d, 2H, J = 5.5 Hz ArH), 8.05 (d, 2H, J = 8.9 Hz, ArH), 8.30 (d, 2H, J = 8.9 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 240 (M⁺).
という測定結果であった。

続いて、２，７−ジフェニルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの合成について、段階的に説明する。

（２，６−ジブロモ−１，５−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンの合成）
まず、前述のように合成した２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを用いて、２，６−ジブロモ−１，５−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンを合成する。

窒素雰囲気下で、２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレン（５８２ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ（７ｍｌ）及びジイソプロピルアミン（７ｍｌ）に溶解し、３０分間脱気した。

無水硫酸マグネシウムを用い、洗浄した有機相を乾燥し、ろ過した後、溶媒を減圧下で留去した。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．１）で分離精製し、白色固体の２，６−ジブロモ−１，５−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（４３７ｍｇ，収率９０％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた２，６−ジブロモ−１，５−ビス（フェニルエチニル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.42-7.44 (m, 6H, ArH), 7.69-7.72 (m, 4H, ArH), 7.79(d, 2H, J = 8.9 Hz, ArH), 8.27 (d, 2H, J = 8.9 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 486 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジフェニルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（４０４ｍｇ，１．６８ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１２ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

これに、２，６−ジブロモ−１，５−ビス（フェニルエチニル）ナフタレン（２００ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１４時間攪拌した。これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（２０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取し、２，７−ジフェニルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの粗生成物（１９２ｍｇ）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジフェニルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 7.39-7.40 (m, 2H, ArH), 7.47-7.51 (m, 4H, ArH), 7.82-7.84 (m, 4H, ArH), 8.01 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH), 7.71 (s, 2H, ArH), 8.05 (d, 2H, J = 8.6 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 392 (M⁺).
という測定結果であった。

続いて、２，７−ジオクチルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの合成について、段階的に説明する。

（２，６−ジブロモ−１，５−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンの合成）
まず、前述のように合成した２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを用いて、２，６−ジブロモ−１，５−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンを合成する。

得られた反応物を、ヘキサンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．２）で分離精製し、白色固体の２，６−ジブロモ−１，５−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンの粗生成物（３４０ｍｇ，収率６１％）を得た。

上記の反応式を以下に示す。

得られた２，６−ジブロモ−１，５−ジ（デシン−１−イル）ナフタレンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 0.89 (t, 6H, J = 7.0 Hz, CH₃), 1.26-1.70 (m, 24H, CH₂), 2.62 (t, 4H, J = 7.3 Hz, CH₂), 7.68 (d, 2H, J = 9.4 Hz, ArH), 8.10 (d, 2H, J = 9.4 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 558 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジオクチルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下で、Ｎａ_２Ｓ・９Ｈ_２Ｏ（４０４ｍｇ，１．６８ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１２ｍｌ）に懸濁させ、１５分間攪拌した。

これに、２，６−ジブロモ−１，５−ジ（デシン−１−イル）ナフタレン（２００ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を加え、１９０℃で１４時間攪拌した。これを室温まで冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（２０ｍｌ）に注ぎ、析出した固体を濾取し、２，７−ジオクチルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの粗生成物（２００ｍｇ，収率１００％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジオクチルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 0.88 (t, 6H, J = 7.0 Hz, CH₃), 1.26-1.70 (m, 24H, CH₂), 3.02 (t, 4H, J = 7.3 Hz, CH₂), 7.68 (s, 2H, ArH), 7.89 (d, 2H, J = 8.8 Hz, ArH), 8.12 (d, 2H, J = 8.8 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 464 (M⁺).
という測定結果であった。

続いて、一般式（５）で表される化合物の合成例を具体的に示す。

（２，７−ジブロモナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下、実施例１で合成したナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン（５０ｍｇ，０．２１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１０ｍｌ）に懸濁させた後、−７８℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（０．４ｍｌ，０．６３ｍｍｏｌ，１．５９Ｍ）を加えた。これを３０分間攪拌した後、１，２−ジブロモ−１，１，２，２，−テトラクロロエタン（１５０ｍｇ，０．４６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３ｍＬ）溶液を滴下した。

これを室温まで昇温させて１６時間攪拌した後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。そして、析出した固体を濾取することで、２，７−ジブロモナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン（１５ｍｇ，収率１８％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジブロモナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 7.43 (s, 2H, ArH), 8.22 (s, 2H, ArH), 8.31 (s, 2H, ArH);
EIMS (70 eV) m/z = 398 (M⁺)
という測定結果であった。

続いて、一般式（７）で表される化合物の合成例について、具体的に説明する。
（２，７−ジブロモナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下、実施例７で合成したナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（５０ｍｇ，０．２１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５ｍｌ）に溶解した後、−７８℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（０．４ｍｌ，０．６３ｍｍｏｌ，１．５９Ｍ）を加えた。これを３０分間攪拌した後、１，２−ジブロモ−１，１，２，２，−テトラクロロエタン（６５１ｍｇ，２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３ｍＬ）溶液を滴下した。

これを室温まで昇温して１６時間攪拌した後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。この反応溶液から、塩化メチレン（５ｍｌ）を用いて有機相を抽出した。この抽出は同様の手法で３回行った。抽出後、飽和食塩水（５ｍｌ）を用い、有機相を洗浄した。この洗浄は同様の手法で３回行った。

無水硫酸マグネシウムを用いて有機相を乾燥し、ろ過した後に、溶媒を減圧下で留去した。得られた反応混合物を塩化メチレンを移動相とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．９５）で分離精製することで、白色固体の２，７−ジブロモナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（６８ｍｇ，収率８１％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジブロモナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.48 (s, 2H, ArH), 7.80 (d, 2H, J = 8.5 Hz, ArH), 7.87 (d, 2H, J = 8.5 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 398 (M⁺).
という測定結果であった。

（２，７−ジヨードナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンの合成）
窒素雰囲気下、実施例７で合成したナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（５０ｍｇ，０．２１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５ｍｌ）に溶解した後、−７８℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（０．４ｍｌ，０．６３ｍｍｏｌ，１．５９Ｍ）を加えた。これを３０分間攪拌した後、ヨウ素（１１７ｍｇ，０．４６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３ｍＬ）溶液を滴下した。

これを室温まで昇温させて１０時間攪拌した後、純水（１ｍｌ）、１Ｎ塩酸（１ｍｌ）を加えてクエンチした。そして、析出した固体を濾取することで、白色固体の２，７−ジヨードナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（８２ｍｇ，収率８０％）を得た。

上記の反応式を下記に示す。

得られた２，７−ジヨードナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンは、
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.68 (s, 2H, ArH), 7.82 (d, 2H, J = 8.8 Hz, ArH), 7.86 (d, 2H, J = 8.8 Hz, ArH); EIMS (70 eV) m/z = 492 (M⁺)
という測定結果であった。

（ＦＥＴ特性）
実施例２で合成した２，７−ジフェニルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン（以下、化合物Ａ）、実施例３で合成した２，７−ジオクチルナフト［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン（以下、化合物Ｂ）、実施例８で合成した２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（以下、化合物Ｃ）、実施例１１で合成した２，７−ジフェニルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジセレノフェン（以下、化合物Ｄ）を用いてそれぞれＦＥＴ素子を作製し、ＦＥＴ特性を検証した。

まず、ＳｉＯ_２基板を面積１ｃｍ×１ｃｍの大きさに切り出し、裏面をフッ化水素酸で処理し、空気中で酸化されているシリカを取り除いた後、Ａｕを真空蒸着してゲート電極を形成した。次に、ＳｉＯ_２基板表面上に、真空蒸着法で化合物Ａの有機薄膜を形成した。なお、ＳｉＯ_２基板は、オクチルトリクロロシランで表面処理を施して用いた。

形成した有機薄膜上にシャドウマスクを用いてＡｕを真空蒸着することでソース電極とドレイン電極とを形成した。

作製したＦＥＴ素子の概略構成を図１（図１（Ａ）はＦＥＴ素子の断面図、図１（Ｂ）はＦＥＴ素子の平面図）に示す。作製したＦＥＴ素子はトップコンタクト型で、チャネル長は５０μｍ、チャネル幅は１．５ｍｍである。

上記と同様にして、化合物Ｃを用いたＦＥＴ素子、及び、化合物Ｄを用いたＦＥＴ素子をそれぞれ作成した。

また、化合物Ｂを用いたＦＥＴ素子は以下のようにして作成した。ＳｉＯ_２基板を面積１ｃｍ×１ｃｍの大きさに切り出し、裏面をフッ化水素酸で処理し、空気中で酸化されているシリカを取り除いた後、Ａｕを真空蒸着してゲート電極を形成した。次に、ＳｉＯ_２基板表面上に、０．４ｗｔ％に調製した化合物Ｂのクロロホルム溶液を用いてスピンコート法（有機薄膜作成条件：３０００ｒｐｍ，３０ｓｅｃ）により有機薄膜を形成した。

形成した有機薄膜上にシャドウマスクを用いてＡｕを真空蒸着することでソース電極とドレイン電極とを形成した。なお、ＦＥＴ素子の構造等については、上記他のＦＥＴ素子と同様である。

ＦＥＴ素子の性能は、ゲート電極に電位をかけた状態でソース電極とドレイン電極との間に電位をかけたときに流れた電流量に依存する。この電流値を測定することでＦＥＴ素子の特性である電解移動度を決めることができる。電解移動度は、絶縁体としてのＳｉＯ_２にゲート電圧を印加した結果、有機半導体層中に生じるキャリア種の電気的特性を表現する式（ａ）から求めることができる。
Ｉｄ＝ＷμＣｏ（Ｖｇ−Ｖｔ）^２／２Ｌ …（ａ）

ここで、Ｉｄは飽和したソース−ドレイン電流値、Ｗはチャネル幅、Ｃｏはゲート電気容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔは閾値電圧、Ｌはチャネル長であり、μが決定する電解移動度（ｃｍ^２／Ｖｓ）である。Ｃｏは用いたＳｉＯ_２絶縁膜の誘電率、Ｗ及びＬはＦＥＴ素子の素子構造によって決まり、Ｉｄ及びＶｇはＦＥＴ素子の電流値の測定時に決まり、ＶｔはＩｄ、Ｖｇから求めることができる。式（ａ）に各値を代入することで、それぞれのゲート電位での電解移動度を算出することができる。なお、閾値電圧［Ｖｔ］は、Ｉｄの平方根をＹ軸に、ＶｇをＸ軸に取り、Ｉｄの平方根が立ち上がるＶｇ値として求めた。

それぞれのＦＥＴ素子について、ｐ型ＦＥＴ特性を調べるために、負のゲート電圧をかけ、大気中にて駆動させて評価した。

図２は、化合物Ａを用いて作成したＦＥＴ素子のＦＥＴ特性結果である。また、図３は、化合物Ｂを用いて作成したＦＥＴ素子のＦＥＴ特性結果である。また、図４は、化合物Ｃを用いて作成したＦＥＴ特性結果である。また、図５は、化合物Ｄを用いて作成したＦＥＴ特性の結果である。

ここで、図２（Ａ）、図３（Ａ）、図４（Ａ）、及び図５（Ａ）は、それぞれのＦＥＴ素子のＶｇ−Ｉｄ曲線、また、図２（Ｂ）、図３（Ｂ）、図４（Ｂ）、及び図５（Ｂ）は、それぞれのＦＥＴ素子のＶｄ−Ｉｄ曲線である。

Ｖｇ−Ｉｄ曲線は、アウトプット特性において、電流（Ｉｄ）が飽和電流になる値になるようソース−ドレイン間の電圧（Ｖｄ）を固定した時の、ゲート電圧（Ｖｇ）と電流（Ｉｄ）との関係を表す。すなわち、Ｖｇ−Ｉｄ曲線は、当該ＦＥＴ素子のトランスファー特性（伝達特性）を示している。当該Ｖｇ−Ｉｄ曲線において、ｏｆｆ状態からｏｎ状態への立ち上がりが急なほど、スイッチング特性が良好であることを示しており、トランジスタ特性は優れていると言える。また、ｏｆｆ電流が低ければ低いほど、ｏｎ電流が高ければ高いほどｏｎ／ｏｆｆ比が大きくなるので、良好なトランジスタであるといえる。

一方、Ｖｄ−Ｉｄ曲線は、ゲート電圧（Ｖｇ）を段階的に変化させた時の、ソース−ドレイン間の電圧（Ｖｄ）と電流（Ｉｄ）との関係を表す。すなわち、Ｖｄ−Ｉｄ曲線は、当該ＦＥＴ素子のアウトプット特性（出力特性）を示している。当該ＦＥＴ素子において、Ｖｄ−Ｉｄ曲線が、いずれのＶｇにおいても、ソース−ドレイン間の高い電圧（Ｖｄ）領域で電流（Ｉｄ）が飽和すること（飽和電流）、および、ソース−ドレイン間の低い電圧（Ｖｄ）領域で電流（Ｉｄ）が直線的に立ち上がっていることを示せば、アウトプット特性が良く、そのＦＥＴ素子は高性能であるといえる。

図２（Ａ）、図３（Ａ）、図４（Ａ）、及び図５（Ａ）をみると、ゲート電圧（Ｖｇ）の印加により、いずれも電流（Ｉｄ）が急峻に立ち上がっている。また、図２（Ｂ）図３（Ｂ）、図４（Ｂ）、及び図５（Ｂ）をみると、ソース−ドレイン間の電圧（Ｖｄ）の低い領域では、いずれもほぼ直線状に立ち上がっており、また、ソース−ドレイン間の電圧（Ｖｄ）の高い領域では、ドレイン電流が一定となっており、飽和電流が観測された。

化合物Ａを用いたＦＥＴ素子では、電界移動度：０．７ｃｍ^２／Ｖｓ、ｏｎ／ｏｆｆ比：１０^６、化合物Ｃを用いたＦＥＴ素子では、電界移動度：０．２ｃｍ^２／Ｖｓ、ｏｎ／ｏｆｆ比：１０^７、また、化合物Ｄを用いたＦＥＴ素子では、電界移動度：０．２ｃｍ^２／Ｖ、ｏｎ／ｏｆｆ比：１０^７と良好な測定結果を得た。なお、ｏｎ／ｏｆｆ比は、それぞれのＶｇ−Ｉｄ曲線において、Ｖｇが０〜−１０Ｖ程度と小さいときをオフ状態とし、Ｖｇが−６０Ｖのときをオン状態として、オフ状態及びオン状態それぞれにおけるＩｄの値の比で表している。

また、化合物Ｂを用い、塗布法にて製造したＦＥＴ素子の電解移動度は１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓ台、また、ｏｎ／ｏｆｆ比は１０^５と、化合物Ａ、化合物Ｃ、及び化合物Ｄを用いたＦＥＴ素子に比べてやや劣る結果となったものの、ＦＥＴ特性を備えていることから、塗布法も利用可能であることがわかる。

このように、本実施例で合成した化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃ、及び化合物Ｄを用いたＦＥＴ素子はｐ型トランジスタとして使用することができる。

上記の化合物は、ナフタレンにチオフェン環或いはセレノフェン環が結合した構造であり、π電子が存在すること、また、チオフェン環或いはセレノフェン環を有しており、硫黄原子或いはセレン原子を介した強い分子間相互作用を有することから、効果的なキャリアの移動が可能である。良好な電界移動度を有するので、有機半導体材料として利用でき、これを用いた有機半導体デバイスを構成することができる。

Claims

下記一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、又は一般式（４）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｒは水素原子、アルキル基、又はフェニル基のいずれかを示す）で表されることを特徴とする化合物。
下記一般式（５）、一般式（６）、一般式（７）、又は一般式（８）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｘはハロゲン原子を示す）で表されることを特徴とする化合物。
ジハロゲノジヒドロキシナフタレンと無水トリフルオロメタンスルホン酸とを反応させ、ジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを得る工程と、
前記ジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンと末端アセチレン化合物とを反応させ、ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体を得る工程と、
前記ジハロゲノ−ジエチニルナフタレン誘導体と硫化物塩或いはセレン化物塩とを反応させ、下記一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、又は一般式（４）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｒは水素原子、アルキル基、或いはフェニル基のいずれかを示す）で表されるいずれかの化合物を得る工程と、
を含むことを特徴とする化合物の製造方法。
更に、ジヒドロキシナフタレンとハロゲン化剤とを反応させ、前記ジハロゲノジヒドロキシナフタレンを得る工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の化合物の製造方法。
前記ジヒドロキシナフタレンとして２，６−ジヒドロキシナフタレンを用い、前記一般式（１）或いは前記一般式（３）で表される化合物を得ることを特徴とする請求項４に記載の化合物の製造方法。
前記ジヒドロキシナフタレンとして２，７−ジヒドロキシナフタレンを用い、前記一般式（２）で表される化合物を得ることを特徴とする請求項４に記載の化合物の製造方法。
前記ジヒドロキシナフタレンとして１，５−ジヒドロキシナフタレンを用い、前記一般式（４）で表される化合物を得ることを特徴とする請求項４に記載の化合物の製造方法。
前記ハロゲン化剤として臭素化剤或いは塩素化剤を用いることを特徴とする請求項４に記載の化合物の製造方法。
触媒を添加し、前記臭素化剤を複数回順次添加しながら反応させることを特徴とする請求項８に記載の化合物の製造方法。
前記末端アセチレン化合物としてトリメチルシリルアセチレン、フェニルアセチレン、或いは１−デシンのいずれかを用いることを特徴とする請求項３に記載の化合物の製造方法。
前記ジハロゲノ−ビス（トリフルオロメタンスルフォニル）ナフタレンを極性溶媒に溶解して前記末端アセチレン化合物と反応させることを特徴とする請求項３に記載の化合物の製造方法。
前記極性溶媒として非プロトン性極性溶媒を用いることを特徴とする請求項１１に記載の化合物の製造方法。
前記非プロトン性極性溶媒として、ジメチルホルムアミドを用いることを特徴とする請求項１２に記載の化合物の製造方法。
更に、前記一般式（１）、前記一般式（２）、前記一般式（３）、又は、前記一般式（４）で表される化合物（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｒは水素原子を示す）にハロゲン化剤を添加して、下記一般式（５）、一般式（６）、一般式（７）、又は、一般式（８）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｘはハロゲン原子を示す）で表される化合物を得る工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の化合物の製造方法。
下記一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、又は一般式（４）

（式中、Ｚは硫黄原子又はセレン原子のいずれかを示し、Ｒは水素原子、アルキル基、又はフェニル基のいずれかを示す）で表される化合物を少なくとも一種以上含むことを特徴とする有機半導体材料。
請求項１５に記載の前記有機半導体材料を含むことを特徴とする有機半導体デバイス。