JP2010147298A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲートトレンチ6を有するエピタキシャル層3に、ボディ領域5、ドレイン領域4、ソース領域9およびボディコンタクト領域10を形成する。ゲートトレンチ6には、ゲート電極8を埋設する。エピタキシャル層3には、層間絶縁膜11を積層する。ゲート電極8と層間絶縁膜11との間には、エピタキシャル層3とはエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層14を介在させる。そして、エッチングにより、ゲート電極8およびボディコンタクト領域10それぞれとのコンタクトのための、ゲートコンタクトホール13およびソースコンタクトホール15を同時に形成する。ゲートコンタクトホール13は、平面視でエッチングストッパ層14と重なるように形成する。
【選択図】図1A
Description
3 エピタキシャル層(半導体層)
4 ドレイン領域
5 ボディ領域
6 ゲートトレンチ
8 ゲート電極
9 ソース領域
10 ボディコンタクト領域
11 層間絶縁膜(絶縁膜)
12 表面(絶縁膜の表面)
13 ゲートコンタクトホール(第1コンタクトホール)
14 エッチングストッパ層
15 ソースコンタクトホール(第2コンタクトホール)
16 ゲートコンタクトプラグ(第1導電プラグ)
17 ソースコンタクトプラグ(第2導電プラグ)
31 表面(半導体層の表面)
41 半導体装置
Claims (3)
- 半導体層と、
前記半導体層の表面から堀り下がったゲートトレンチと、
前記半導体層において、前記ゲートトレンチの側方に形成された第1導電型のボディ領域と、
前記半導体層の表層部に形成され、前記ボディ領域に前記半導体層の表面側から接する第2導電型のソース領域と、
前記半導体層の表面から前記ソース領域を貫通して、前記ボディ領域に接続される第2導電型のボディコンタクト領域と、
前記半導体層の基層部に形成され、前記ボディ領域に前記半導体層の表面側とは反対側の裏面側から接する第1導電型のドレイン領域と、
前記ゲートトレンチに埋設されたゲート電極と、
前記半導体層上に積層された絶縁膜と、
前記絶縁膜における前記ゲート電極に対向する部分に形成され、前記絶縁膜を貫通する第1コンタクトホールと、
前記絶縁膜における前記ボディコンタクト領域に対向する部分に形成され、前記絶縁膜を貫通する第2コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホールを介して、前記ゲート電極に電気的に接続される第1導電プラグと、
前記第2コンタクトホールを介して、前記ソース領域および前記ボディコンタクト領域に電気的に接続される第2導電プラグと、
平面視で前記第1コンタクトホールと重なる領域において、前記ゲート電極と前記絶縁膜との間に介在され、前記ゲート電極の材料と異なり、かつ、前記半導体層の材料とエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層とを備える、半導体装置。 - 前記エッチングストッパ層が、絶縁材料からなり、
前記第1導電プラグが、前記エッチングストッパ層を貫通して前記ゲート電極に接続されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記エッチングストッパ層が、導電材料からなる、請求項1に記載の半導体装置。
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