JP2010147250A5 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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  1. 複数枚の基板を保持するロードロック室と、
    前記ロードロック室に連通可能に構成された第１搬送室と、
    前記第１搬送室に連通可能に構成され基板を処理する第１処理室と、
    前記第１搬送室に連通可能に構成された中継室と、
    前記中継室に連通可能に構成された第２搬送室と、
    前記第２搬送室に連通可能に構成され基板を処理する第２処理室と、
    前記第１搬送室内に設けられ前記ロードロック室、前記第１処理室、前記中継室間での基板の搬送及び基板の保持を行う第１搬送ロボットと、
    前記第２搬送室内に設けられ、前記中継室、前記第２処理室間での基板の搬送及び基板の保持を行う第２搬送ロボットと、
    前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットによる搬送動作の制御を含む制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記第１搬送ロボットによる前記第１処理室内外への基板の搬送時間帯が、前記第２搬送ロボットによる前記第２処理室内外への基板の搬送時間帯と少しでも重なり合うように、前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットを制御する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記制御部は、
    前記第２処理室で処理する未処理基板を、前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内へ搬送させた後、
    前記第１処理室で処理する未処理基板を、前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内へ搬送させるように、前記第１搬送ロボットを制御する
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、
    前記第２処理室で処理する未処理基板を、前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記中継室内へ搬送させた後、
    前記第１処理室で処理する未処理基板を、前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記第１処理室内へ搬送させると共に、前記第２処理室で処理する未処理基板を、前記第２搬送ロボットにより前記中継室内から前記第２搬送室内を介して前記第２処理室内へ搬送させるようにし、前記第２搬送ロボットが動作するときに常に前記第１搬送ロボットも動作するように前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットを制御する
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットは、基板を一時的に保持して搬送する一対のアームをそれぞれ備えており、
    前記制御部は、
    前記第１搬送ロボットの一方の前記アームが前記ロードロック室内から前記中継室内へ未処理基板を搬送する際には、前記第１搬送ロボットの他方の前記アームが前記中継室内から前記ロードロック室内へ処理済み基板を搬送した後、
    前記第１搬送ロボットの一方の前記アームが前記ロードロック室内から前記第１処理室内へ未処理基板を搬送する際の、前記第１搬送ロボットの他方の前記アームが前記第１処理室内から前記ロードロック室内へ処理済み基板を搬送する時間帯が、
    前記第２搬送ロボットの一方の前記アームが前記中継室内から前記第２処理室内へ未処理基板を搬送する際の、前記第２搬送ロボットの他方の前記アームが前記第２処理室内から前記中継室内へ処理済み基板を搬送する時間帯と少しでも重なり合うように、前記第１搬送ロボット及び前記第２ロボットを制御する
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットによる基板の搬送状態を示す搬送状態表示画面を表示する画面表示装置を備える
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 複数枚の基板を保持するロードロック室と、
    前記ロードロック室に連通可能に構成された第１搬送室と、
    前記第１搬送室に連通可能に構成され基板を処理する第１処理室と、
    前記第１搬送室に連通可能に構成された中継室と、
    前記中継室に連通可能に構成された第２搬送室と、
    前記第２搬送室に連通可能に構成され基板を処理する第２処理室と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
    前記第２処理室で処理する未処理基板を前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記中継室内へ搬送させる工程と、
    前記第１処理室で処理する未処理基板を前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記第１処理室内へ搬送させると共に、前記第２処理室で処理する基板を前記第２搬送ロボットにより前記中継室内から前記第２搬送室内を介して前記第２処理室内へ搬送させる工程と、を実施した後、
    前記第２処理室で処理する未処理基板を前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を
    介して前記中継室内へ搬送させつつ、前記第２処理室で処理した処理済み基板を前記中継室内から前記第１搬送室内を介して前記ロードロック室内へ搬送させる工程と、
    前記第１処理室で処理する未処理基板を前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記第１処理室内へ搬送させつつ、前記第１処理室で処理した処理済み基板を前記第１処理室内から前記第１搬送室内を介して前記ロードロック室内へ搬送させると共に、前記第２処理室で処理する未処理基板を前記中継室内から前記第２搬送室内を介して前記第２処理室内へ搬送させつつ、前記第２処理室で処理した処理済み基板を前記第２処理室内から前記第２搬送室内を介して前記中継室内へ搬送させる工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを繰り返す半導体装置の製造方法。

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