JP2010140654A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板1上に透明導電膜となる金属膜2を不活性気体雰囲気中で形成する工程と、前記金属膜に酸化雰囲気中でレーザビームを照射し、該金属膜を酸化させる工程とを含む透明導電膜8の製造方法である。前記金属膜の酸化工程において、酸化雰囲気中に水を供給し、レーザビームの照射で基板上の金属膜を加熱すると同時に水を分解させ、生じた酸素分子を基板上の金属膜に供給することで金属膜の酸化を促進させることが好ましい。前記基板は可撓性を有した絶縁性の連続シートまたは連続フィルムであることが好ましい。
【選択図】 図1
Description
生じた酸素分子を基板上の金属膜に供給することで金属膜の酸化を促進させることができ、酸化の効率が向上する。
図1において、透明導電膜の製造装置は、前流側の金属膜形成区画(A)とこれの後流端に連設された金属膜酸化区画(B)とからなる。(1)は巻取り装置によって金属膜形成区画(A)および金属膜酸化区画(B)を流れ方向に連続的に通過させられる透明基板で、可撓性を有した絶縁性の連続シートまたは連続フィルムからなる。(2)は同基板(1)上に対向ターゲット式スパッタ方式により形成された金属膜、(9)は金属膜形成区画(A)の頂壁に開けられたガス通過スリットで、ここから同区画(A)内にアルゴンガスが導入される。(3)(3)はガス通過スリット(9)内面に対向状に設けられた一対のターゲット、(4)(4)は一対の磁石、(5)は金属膜形成区画(A)の底壁に設けられたターボ分子ポンプ、(6)は金属膜酸化区画(B)の上方に下向きに設けられかつ下端に1軸ガルバノスキャナ(7)を備えたレーザ発振器で、同区画(B)の頂壁に開けられた開口(10)を経て同区画(B)内にレーザビームを照射する。(11)は金属膜酸化区画(B)の頂壁に設けられたガス導入口で、ここから同区画(B)内に酸化性ガスが導入され、同区画(B)内が酸化雰囲気とされる。(12)は金属膜酸化区画(B)の底壁に設けられたターボ分子ポンプである。
次いで固体レーザやCO2レーザを1秒未満照射し、透明基板上に面抵抗(10Ω/□)のスズ添加酸化インジウム(ITO)を得た。
図2において、透明導電膜の製造装置は、前流側の金属膜形成区画(A)とこれの後流側に所定間隔を置いて設けられた箱形の金属膜酸化区画(C)とからなる。金属膜酸化区画(C)は、その下端部が金属膜(2)のレーザビーム照射部(透明導電膜の生成部分)を覆い、その上端部はレーザ発振器(6)のガルバノスキャナ(7)を覆っている。ガス導入口(11)は金属膜酸化区画(C)の側部に設けられている。
参考例1
図3に、本発明方法により製造された透明導電膜を用いて構成した光電変換素子の例を示す。光電変換素子は、本発明方法により製造された透明導電膜を含む透明な電極と、これに対向する対極と、両極間に配される電解質層および光触媒膜とを有する。
図4において、各区画において、集電電極(29)は透明基板(21)内に埋め込まれ、透明基板(21)から露出した上面が透明導電膜(22)で覆われている。したがって、集電電極(29)に直接電解液が触れることがなく電解液による腐食の恐れがなくない。
(B)(C) 金属膜酸化区画
(1) 透明基板
(2) 金属膜
(3) ターゲット
(4) 磁石
(5)(12) ターボ分子ポンプ
(6) レーザ発振器
(7) 1軸ガルバノスキャナ
(8) 透明導電膜
(9) ガス通過スリット
(10) 開口
(11) ガス導入口
Claims (3)
- 透明基板上に透明導電膜となる金属膜を不活性気体雰囲気中で形成する工程と、前記金属膜に酸化雰囲気中でレーザビームを照射し、該金属膜を酸化させる工程とを含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法。
- 前記金属膜の酸化工程において、酸化雰囲気中に水を供給し、レーザビームの照射で基板上の金属膜を加熱すると同時に水を分解させ、生じた酸素分子を基板上の金属膜に供給することで金属膜の酸化を促進させることを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
- 前記基板は可撓性を有した絶縁性の連続シートまたは連続フィルムであることを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電膜の製造方法。
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