JP2010129763A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】へき開ラインLには、溝45Aと、少なくとも溝45Aの内部に形成された溝45Bとを含む多段溝45が形成されている。溝45A,45Bは、へき開ラインLと平行な帯状の形状となっており、ウェハWの表面のうち、ウェハW上に形成されたリッジ部20A同士の間であって、かつ上部電極32の未形成領域に形成されている。多段溝45を利用して基板10をへき開し、へき開ラインLに沿って前端面S1および後端面S2を形成する。
【選択図】図8
Description
(A)半導体基板上に、帯状の光導波路を有する半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行な第1の溝を、半導体基板のうち半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも第1の溝の内部に第2の溝を形成することにより第1の溝および第2の溝を含む多段溝を形成する第1の工程
(B)多段溝を利用して半導体基板をへき開することにより、光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を形成する第2の工程
1.実施の形態(第1の溝の内部にだけ第2の溝あり)
2.変形例(第1の溝と第2の溝の位置関係のバリエーション)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ1の概略構成を斜視的に表したものである。なお、図1は、模式的に表したものであり、実際の寸法,形状とは異なっている。
このような構成を有する半導体レーザ1は、例えば次のようにして製造することができる。
次に、本実施の形態の半導体レーザ1の作用および効果について説明する。
上記実施の形態では、例えばドライエッチングプロセスにおいて、開口31B内に露出している半導体層20を基板10のエッチングを遅らせるマスクとして使いながら、基板10を選択的にエッチングすることにより、溝45A,45Bを一括で形成していたが、他の方法を用いて溝45A,45Bを一括で形成することも可能である。例えば、まず、図10(A),(B)に示したように、絶縁層31上に形成したレジスト層46を多重露光したのち、例えばドライエッチングにより選択的に除去(現像)することにより、レジスト層46に多段開口46Aを形成する。ここで、多段開口46A内には、貫通孔の他に、他の部分よりも薄くなっている箇所が存在する。この薄い部分が、次のエッチングプロセスにおいて、基板10のエッチングを遅らせるマスクとして機能する。次に、例えばドライエッチングにより、多段開口46Aを介して、絶縁層31、半導体層20および基板10を選択的に除去する。このとき、多段開口46A内には、上述したように基板10のエッチングを遅らせるマスクとして機能する薄い部分があるので、この薄い部分の無いところに溝部45Bが形成され、薄い部分のあるところに溝部45Aが形成される。このように、レジスト層46に多段開口46Aを設け、その多段開口46Aを介して、絶縁層31、半導体層20および基板10を選択的に除去することによっても、溝45A,45Bを一括で形成することができる。また、この方法を用いた場合には、上記実施の形態で説明したプロセスよりも工程数を減らすことができるので、上記実施の形態で説明した方法よりも、安価に半導体レーザ1を製造することができる。
Claims (8)
- 半導体基板上に、帯状の光導波路を有すると共に、前記光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を備え、
前記レーザ構造部は、前記半導体基板上に、前記光導波路を有する半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行な第1の溝を、前記半導体基板のうち前記半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも前記第1の溝の内部に第2の溝を形成することにより前記第1の溝および前記第2の溝を含む多段溝を形成し、前記多段溝を利用して前記半導体基板をへき開することにより形成されたものである半導体レーザ。 - 前記第1の溝および前記第2の溝のそれぞれの短手方向の幅は以下の関係を満たす請求項1に記載の半導体レーザ。
W1/W2≧3/1
W1:前記第1の溝の幅
W2:前記第2の溝の幅 - 前記第1の溝の長手方向の端部は積層方向から見て尖形状となっている請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記第2の溝は前記第1の溝の短手方向の中央部分に形成されている請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記第2の溝は前記第1の溝の短手方向の中央から外れた部分に形成されている請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記半導体基板は、III−V族窒化物半導体からなる請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
- 半導体基板上に、帯状の光導波路を有する半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行な第1の溝を、前記半導体基板のうち前記半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも前記第1の溝の内部に第2の溝を形成することにより前記第1の溝および前記第2の溝を含む多段溝を形成する第1の工程と、
前記多段溝を利用して前記半導体基板をへき開することにより、前記光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を形成する第2の工程と
を含む半導体レーザの製造方法。 - 前記第1の工程において、多重露光および現像によって形成された多段開口を有するレジスト層を配置したのち、前記多段開口を介して前記半導体基板をエッチングすることにより、前記第1の溝および前記第2の溝を一括で形成する請求項7に記載の半導体レーザの製造方法。
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