JP2010093049A - ウェハの処理方法およびウェハの処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハ表面に形成したハンプを液浸露光処理前に除去することで、液浸露光装置の汚染を防止し、パターン不良の発生を防止する。
【解決手段】ウェハの処理方法は、ウェハの表面に反射防止膜、感光性膜および保護膜からなる積層膜を形成するステップ（Ｓ１〜Ｓ３）と、液浸法による露光処理（Ｓ５）前に、積層膜が形成されたウェハの表面側と裏面側とからそれぞれウェハの端部に向かって露光処理に用いられる液浸液を噴射させるステップ（エッジ洗浄処理、Ｓ４）を含む。エッジ洗浄処理（Ｓ４）では、液浸露光処理（Ｓ５）においてウェハが戴置されるステージが移動することによりウェハの端部にかかる液浸液の圧力以上の圧力で液浸液を噴射させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ウェハの処理方法およびこの方法に用いる装置に関する。

近年、半導体装置の高集積化及び微細化に伴い、微細なパターン形成が必要となっている。しかし、従来の縮小投影型露光装置や露光光源の短波長化には限界があり、微細パターンの形成が困難となっている。そこで、従来の縮小投影型露光装置の限界解像度を拡大する目的で、縮小投影レンズとレジスト膜を形成した半導体ウェハとの間に、空気よりも屈折率の高い液体（以下、「液浸液」という）で満たした状態で露光する液浸リソグラフィー法が検討されている。

液浸リソグラフィー法では、まずウェハの表面に感光性樹脂であるレジストを塗布機（コーター）と呼ばれる装置を用いて塗布する。

図７には、従来のコーターを示す。図示するように、ウェハ８０１を回転支持部８０９にウェハチャック８０８を用いて固定し、ノズル８０２からレジストをウェハ８０１表面に滴下し、かつ、回転支持部８０９によりウェハ８０１を回転させることによりレジストをウェハ８０１表面に均一に塗布する。このようにしてレジスト膜８０７を形成する方法を一般的にスピンコート法という。

レジストが塗布されたウェハは、プリベークと呼ばれる軽い焼きしめの後、露光工程に送られる。露光工程では、レジストを塗布したウェハを液浸露光装置にセットし、マスク・パターンを転写する。

ここで、液浸法による露光処理において、露光処理時に定在波およびハレーションが問題となる。そのため、ウェハの表面に反射防止膜が形成され、この反射防止膜の表面にレジスト膜が形成されるのが一般的である。

また、液浸露光中にレジスト膜に液浸液が浸透し、液浸液に反射防止膜やレジストの成分が溶出してしまうと、液浸露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。そのため、保護膜でレジスト膜の全面を覆うことが一般的になされている。

さらに、ウェハの端部において反射防止膜およびレジスト膜と液浸液とが接触すると、レジスト膜の成分等が液浸液に溶出してしまう。そうすると、上記のように、露光パターンに不良が発生する。そこで、ウェハの端部に形成された、反射防止膜、レジスト膜および保護膜をそれぞれ除去する機構がコーターに加えられている。

図７に戻り、その機構について以下説明する。反射防止膜、レジスト膜および保護膜（以下、総称して「積層膜」ともいう）の形成の際、ノズル８０２から膜形成のための材料を滴下するとともに、ウェハ８０１を回転させた状態で、ウェハ表面側に設置されたノズル８０３ａからシンナー等の有機溶剤８１０を噴射する。図示するように、ノズル８０３ａは、ウェハ縁部の上部に設置されているため、ウェハ８０１の縁部に向かって有機溶剤８１０が噴射される。したがって、ウェハ８０１の端部に形成された不要な膜のみを有機溶剤で溶解し、ウェハ８０１端部にレジスト膜等が形成されるのを防止することができる。また、ウェハ８０１裏面側に設置されたノズル８０３ｂから有機溶剤８１０を供給することで、ウェハ８０１裏面にレジスト等が回り込んでウェハ８０１裏面が汚れてしまうのを防止する。

図８は、従来の液浸リソグラフィー法を説明するフローチャートである。まず、ＢＡＲＣ（Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｃｏａｔ）剤をノズル８０２からウェハ８０１表面に供給することでウェハ８０１表面に反射防止膜を形成する。このとき、ウェハ８０１の端部に有機溶剤を噴射して、端部に形成された反射防止膜を除去する（Ｓ７１）。

ついで、ノズル８０２からレジストを反射防止膜の表面に供給することでレジスト膜を形成する。このとき、Ｓ７１と同様に、ウェハ８０１の端部には有機溶剤を噴射する。これにより、ウェハ８０１端部に形成されたレジスト膜を除去する（Ｓ７２）。

ついで、ノズル８０２からフッ素を含有した疎水性のトップコート（ＴＣ）剤をレジスト膜の表面に供給することでレジスト膜を覆う保護膜を形成する。このとき、ウェハ８０１の端部に有機溶剤を噴射して、ウェハ端部に形成された保護膜を除去する（Ｓ７３）。

その後、液浸露光処理を行い（Ｓ７４）、現像処理することでウェハにレジストパターンを形成する（Ｓ７５）。

一方、ウェハ８０１に付着した余分なパーティクルが露光処理に悪影響を与えることを防止するための各種の提案がある（例えば、特許文献１、２）。

また、特許文献３には、Ｓ７４の液浸露光処理前にウェハの端部を洗浄する３つの方法が示されている。これら３つの方法は、いずれも、液浸露光中に反射防止膜やレジストから液浸液へ溶出する成分を、液浸露光前に洗い流すことを目的としている。

第１の洗浄方法は、ウェハの端面（ベベル部）をブラシで直接擦りながら、かつ洗浄液をウェハ端部に噴射し直接的に洗浄する方法である。これにより、保護膜で覆われていない反射防止膜およびレジスト膜から溶出される成分を洗い流す作用がある。

また、第２の洗浄方法は、気体と流体からなる混合流体をウェハ端部に噴射し、非接触でウェハ端部を洗浄する方法である。混合流体は窒素ガス（あるいは、アルゴンガスやヘリウムガス等の他の不活性ガス)と液浸液とを混合したものが用いられる。

また、第３の方法は、超音波装置を介して液浸液をウェハ端部に噴射させ洗浄する方法である。

上記第２および第３の方法は、ウェハに非接触で行われるが、第１の方法と同様に、保護膜で覆われていない反射防止膜およびレジスト膜から溶出する成分を洗い流す効果がある。
特開２００６−８０４０３号公報 特開２００７−２１４２７９号公報 特開２００７−９５８９１号公報

しかしながら、上記文献記載の技術では、ウェハ表面に形成した積層膜の縁部にそれぞれハンプが発生してしまうという問題があった。ハンプとは、積層膜の縁部が盛り上がる現象をいう。

一般的な液浸露光装置では、ウェハをステージに戴置し、ステージを数百ｍｍ／ｓｅｃで移動しながら露光が行われる。すなわち、ウェハ端部の積層膜に対して液浸液の水圧による強い衝撃が加わることとなる。そのため、ハンプの破砕が起こり、液浸露光装置の内部を汚染してしまう可能性があった。また、これにより、ウェハに直接的なパターン欠陥が発生する可能性があった。

本発明によれば、ウェハの表面に感光性膜を含む積層膜を形成するステップと、
液浸法による露光処理前に、前記積層膜が形成された前記ウェハの表面側から前記ウェハの端部に向かって液体を噴射させるステップと、
を含み、
前記液体を噴射させるステップにおいて、前記露光処理の際に前記ウェハが戴置されるステージが移動することにより液浸液が前記ウェハの端部に加える圧力以上の圧力で前記液体を噴射させることを特徴とするウェハの処理方法
が提供される。

また、本発明によれば、ウェハの表面に感光性膜を含む積層膜を形成する積層膜形成部と、
前記積層膜が形成された前記ウェハの表面側に設置され、液浸法による露光処理前に、液体を前記ウェハの端部に向かって噴射する第一ノズルと、
前記積層膜が形成される前記ウェハの裏面側に設置され、前記第一ノズルが前記液体を噴射するとき、前記液体を噴射する第二ノズルと、
前記第一ノズルおよび前記第二ノズルが噴射する前記液体の噴射圧を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記露光処理の際に前記ウェハが戴置されるステージが移動することにより液浸液が前記ウェハの端部に加える圧力以上の圧力で前記液体を前記第一ノズルに噴射させるウェハの処理装置
が提供される。

この発明によれば、露光処理の際にウェハが戴置されるステージが移動することにより液浸液がウェハの端部に加える圧力以上の圧力の液体をウェハの表面側からウェハの端部に向かって噴射する。これにより、露光処理においてステージの移動速度に合わせてウェハ端部に衝突する液浸液により破砕されるハンプをあらかじめ露光処理前に除去することができる。したがって、ハンプの破砕によって液浸露光装置が汚染されてしまうことを防止し、かつ、パターン欠陥が発生してしまうのを抑制することができる。

本発明によれば、ウェハ表面に形成されたハンプを液浸露光処理前に除去することで、液浸露光装置の汚染を防止し、パターン不良の発生を防止する。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、本発明の実施の形態であるウェハの処理方法を説明するフローチャートである。このウェハの処理方法は、ウェハの表面に反射防止膜、感光性膜および保護膜からなる積層膜を順に形成するステップ（Ｓ１〜Ｓ３）と、液浸法による露光処理（Ｓ５）前に、積層膜が形成されたウェハの表面側と裏面側とからそれぞれウェハの端部に向かって露光処理に用いられる液浸液を噴射させるステップ（エッジ洗浄処理、Ｓ４）を含む。エッジ洗浄処理（Ｓ４）では、液浸露光処理（Ｓ５）においてウェハが戴置されるステージが移動することにより液浸液がウェハの端部に加える圧力以上の圧力で液浸液を噴射させる。

ついで、液浸露光処理を行い（Ｓ５）、レジストへパターンを感光させた後、現像処理を行い（Ｓ６）、レジストパターンをウェハに形成する。

以下、図１で示す各ステップについて図２を用いつつ詳細に説明する。

図２（ａ）〜（ｃ）に本実施の形態で示すウェハの処理方法に用いる装置（コーター）を示す。この装置は、ウェハ１０１の表面に積層膜１０７を形成する積層膜形成部（ノズル１０２、ウェハチャック１０８、回転支持部１０９）を有する。また、図２（ｃ）で示すように、積層膜１０７が形成されたウェハ１０１の表面側に設置され、液浸露光処理前に（図１、Ｓ５）液浸液１１１をウェハ１０１の端部に向かって噴射するノズル１０４ａ（第一ノズル）と、ウェハ１０１の裏面側に設置され、ノズル１０４ａが液浸液１１１を噴射するとき、液浸液１１１を噴射するノズル１０４ｂ（第二ノズル）と、ノズル１０４ａ、１０４ｂがそれぞれ噴射する液浸液の噴射圧を制御する制御部１０５と、を有する。制御部１０５は、液浸露光処理（図１、Ｓ５）においてウェハ１０１が戴置されるステージが移動することにより液浸液がウェハ１０１の端部に加える圧力以上の圧力で液浸液を噴射させる。また、制御部１０５は、ノズル１０４ａ、１０４ｂの設置角度を制御することもできる。

図２（ａ）は、積層膜１０７の形成工程（Ｓ１〜Ｓ３）を示す模式図である。反射防止膜の形成工程（Ｓ１）では、まず、ウェハチャック１０８を用いて積層膜１０７を形成したウェハ１０１を回転支持部１０９に固定する。ついで、ＢＡＲＣ剤をノズル１０２からウェハ１０１の表面に滴下し、かつ、回転支持部１０９によりウェハ１０１を回転させることによりＢＡＲＣ剤をウェハ１０１表面に均一に塗布する。このとき、ウェハ１０１裏面側に設置されたノズル１０３からウェハ裏面の端部に向かって有機溶剤１１２を噴射する。有機溶剤１１２としては、ＢＡＲＣ剤を可溶可能なシンナー等を用いる。また、有機溶剤１１２は、有機溶剤供給部１１３から供給される。こうすることで、ウェハ１０１の裏面側に付着したＢＡＲＣ剤を除去することができる。なお、このとき、ウェハ１０１の表面側からは有機溶剤１１２を噴射しない。

ついで、ノズル１０２からＢＡＲＣ剤の供給を停止し、反射防止膜のエッジ除去処理（Ｓ１）を行う。図２（ｂ）で示すように、ウェハ１０１の裏面側から積層膜１０７が形成されたウェハ１０１表面のベベル部に向かってレジスト膜を溶解する有機溶剤を噴射させる。なお、このときも、ウェハ１０１の表面側からは有機溶剤１１２を噴射しない。

具体的には、ウェハ１０１裏面下部に設置されたノズル１０３が、ウェハ１０１中心からウェハ端部に向けて有機溶剤を噴射する。このとき、ノズル１０３の角度および有機溶剤の噴射流量を制御部１０５で制御することで、有機溶剤１１２をウェハ１０１表面のベベル部に回り込ませることができる。また、回転支持部１０９の回転数や有機溶剤１１２の噴射時間を最適化することで反射防止膜の縁部からの除去範囲を制御することができる。これにより、ウェハ１０１端部のうち、エッジ平坦部には、有機溶剤が直接噴射されないように制御することができる。

ついで、レジスト膜の形成工程（Ｓ２）では、図２（ａ）で示すように、ウェハ１０１を回転させながらレジストをウェハ１０１の表面に滴下してレジスト膜を塗布する。このとき、Ｓ１と同様にノズル１０３からウェハ裏面の端部に向かって有機溶剤を噴射する。こうすることで、ウェハ１０１の裏面に付着したレジストを除去することができる。その後、図２（ｂ）で示すように、Ｓ１と同様にバックリンスによりウェハ１０１表面のベベル部におけるレジスト膜のエッジ除去処理（Ｓ２）を行う。なお、Ｓ２においても、ウェハ１０１の表面側からは有機溶剤を噴射しない。

エッジ除去処理では、ウェハの縁部からの除去幅はウェハの大きさに応じて任意の幅にすることができるが、たとえば直径３００ｍｍのウェハでは、ウェハの縁部から０．１５ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度の範囲とすることができる。ある装置におけるウェハ回転数とウェハ縁部（エッジ）からの除去幅との関係を図３で示す。材料Ａは、レジスト、材料Ｂは、ＢＡＲＣである。図３で示すように、材料ごとにウェハの回転数を変えることで除去幅を調整することができる。また、同様に、ノズル１０２からの有機溶剤の流量を変えることで除去幅を調整してもよい。ノズル１０２からは、たとえば、５０〜１５０ｍＬ／分で有機溶剤１１２を噴射させることができる。

ついで、保護膜の形成工程（Ｓ３）では、図２（ａ）で示すように、ノズル１０２からＴＣ剤をウェハ１０１の表面に滴下し、ウェハ１０１を回転させることでウェハ表面に均一にＴＣ剤を塗布する。これと同時に、Ｓ１と同様にノズル１０３からウェハ１０１裏面に向かって有機溶剤１１２を噴射することでウェハ１０１の裏面に付着したＴＣ剤を除去することができる。その後、図２（ｂ）で示すように、Ｓ１と同様に、ウェハ１０１表面のベベル部における保護膜のエッジ除去処理（Ｓ３）を行う。Ｓ３においても、ウェハ１０１の表面側からは有機溶剤を噴射しない。

このようにして、ウェハ１０１の表面に、反射防止膜、レジスト膜および保護膜からなる積層膜１０７が形成される。

ついで、Ｓ４において、ウェハ端部の洗浄処理が行われる。図２（ｃ）は、Ｓ４の洗浄処理を説明する模式図である。まず、回転支持部１０９により積層膜１０７を形成したウェハ１０１を回転させる。ウェハの回転速度は、積層膜１０７の材料等に合わせて最適化されるが、具体的には、数百〜数千ｒｐｍの回転数でウェハを回転させる。

そして、ウェハ１０１の表面側と裏面側との２箇所に設置されたノズル１０４ａ、１０４ｂから、液浸液をウェハの端部へ噴射する。なお、液浸液にかえて、純水を用いてもよい。液浸液供給部１０６がノズル１０４ａ、１０４ｂに液浸液を供給する。

ここで、制御部１０５は、ノズル１０４ａ、１０４ｂが、ウェハ１０１の中央から端部へ向かう向きに液浸液が噴射するように制御する。換言すると、ノズル１０４ａ、１０４ｂの設置角度は、ウェハ１０１の平面に対して角度θの鋭角に傾斜させた状態に制御される。特に、ノズル１０４ａの角度θは、なるべく液浸露光時に近い形態、即ちウェハ１０１に対してノズル角度がなるべく水平となる程度の鋭角な状態に設置されることが好ましい。

ノズル１０４ａ、１０４ｂから噴射される液浸液の流量は、液浸露光時のスキャンスピードと同等以上の圧力がウェハ１０１の端部に加わるように設計する。噴射する液浸液の流量を概算する方法については後述する。概算された流量値の液浸液をノズル１０４ａ、１０４ｂから噴射させることでウェハ１０１の端部の洗浄が行われる。

ついで、Ｓ５において、液浸露光処理を行う。液浸露光処理は、公知の液浸露光装置を用いて行う。この液浸露光装置としては、たとえば、図４で示すものが挙げられる。

図４は、液浸露光装置の断面図を示す。たとえば、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザーを露光光源とする１９３ｎｍ液浸リソグラフィーでは、液浸液６０５として屈折率が１．４４である純水を用いる。このような液浸液６０５を透過した露光光６０１は、実質１３４ｎｍの波長でウェハ１０１面に結像される。露光は、レチクル６０３に加工したパターン面上に露光光６０１を照射することにより行い、縮小投影レンズ６０４と液浸液６０５とを介し、ウェハ１０１上に形成したレジスト膜にパターンが転写される。なお、図４に示す積層膜が、レジスト膜を含んでいる。

縮小投影レンズ６０４の下部には、シャワーヘッド６０６が固定されている。シャワーヘッド６０６が、液浸液６０５をウェハ１０１上に供給、保持する。また、ステージ６１１が、ウェハ１０１の周囲を取り巻くようにして保持する。このステージ６１１を駆動することで、所望の位置でウェハ１０１の露光を行う。

ここで、ウェハ１０１周辺部の露光や、ウェハ１０１のロード及びアンロードの際、シャワーヘッド６０６で保持された液浸液６０５はウェハ１０１の端部を通過する。このため、ステージ６１１をウェハ１０１との高さが概略一定となるようにすることで、ウェハ１０１の端部を通過した液浸液６０５がステージ６１１で保持される。

Ｓ５では、図４で示す液浸露光装置を用い、液浸液が保持されたステージ６１１をウェハ１０１とともに移動させてスキャニングしながらウェハ１０１の露光処理を行い、レジストへパターンを感光させる。

その後、Ｓ６において、現像処理を行い、レジストパターンをウェハに形成する。

Ｓ４に戻り、ノズル１０４ａ、１０４ｂから噴射させる液浸液の流量の概算方法について図４を用いつつ説明する。この概算方法は、液浸露光処理（Ｓ４）においてステージ６１１が移動することでウェハ１０１の端部に衝突する液浸液６０５の流量を算出するものである。このように算出された液浸液１１１を図２（ｃ）で示すようにノズル１０４ａ、１０４ｂから噴射させることで、液浸露光処理時のスキャンスピードと同等以上の圧力が、ウェハ１０１の端部に加わる。概算される圧力は、液浸液１１１がウェハ１０１の端部に衝突する際の液浸液６０５の断面積とステージ６１１の移動速度との積で求められる。液浸液６０５の断面積の最大値は、図４で示すように、シャワーヘッド６０６とウェハ１０１との間の距離（ａ）とシャワーヘッド６０６の幅（ｂ）との積で求めることができる。

また、得られた断面積とステージ６１１の移動速度との積から、液浸液６０５がウェハ１０１に衝突する単位時間当たりの体積量（衝突体積量）を求めることができる。そこで、Ｓ４では、得られた衝突体積量以上の流量で液浸液１１１をノズル１０４ａ、１０４ｂから噴射させるとよい。

具体例を挙げて以下説明する。ある液浸露光装置のシャワーヘッド６０６とステージ６１１との間の距離（ａ）を０．００３［ｍ］、シャワーヘッド６０６の幅（ｂ）を０．１［ｍ］とすると、断面積は、ａ×ｂ＝３×１０^−４となる。ステージ６１１の移動速度が０．５［ｍ／ｓｅｃ］とした場合は、接触断面積とステージ６１１の移動速度との積から、衝突体積量１５×１０^−５［ｍ^３／ｓｅｃ］が求まる。この値から単位時間当たりの流量に換算すると、９［Ｌ／ｍｉｎ］の流量でウェハ１０１の端部に液浸液が衝突することとなる。そこで、９［Ｌ／ｍｉｎ］以上の液浸液をノズル１０４ａ、１０４ｂから噴射させてウェハ１０１端部の洗浄を行う。

図５に本実施の形態の洗浄処理を行ったウェハ端部の断面図を模式的に示す。また、図９には、従来の方法を用いて積層膜を形成したウェハを模式的に示す。本実施形態においてウェハ端部Ｒとは、ベベル部（ａ）とエッジ平坦部（ｂ）から構成される。ベベル部（ａ）とは、ウェハ端部Ｒのラウンドしている部分であり、エッジ平坦部（ｂ）とは、ウェハ端部Ｒの平坦な部分である。

図５で示すように、ウェハ１０１の表面に順に反射防止膜５０２、レジスト膜５０３および保護膜５０４からなる積層膜１０７が形成されている。これら積層膜１０７は、ベベル部（ａ）にも形成されているが、ウェハ１０１の縁部からｄ＝０．１５ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度の範囲で積層膜１０７が除去されている。また、積層膜１０７の縁部における変形が抑制され、ハンプも形成されていない。一方、図９で示す従来ウェハ９０１にも、反射防止膜９０２、レジスト膜９０３および保護膜９０４が順に形成されているが、ウェハ９０１の縁部からｄ＝０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度の範囲で積層膜１０７が除去されている。そのため、ベベル部（ａ）において積層膜は除去され、反射防止膜９０２や保護膜９０４の表面が盛り上がり、ハンプ９０５が形成されている。また、パーティクル９０６がベベル部（ａ）に付着している。

つづいて、本実施の形態の作用効果について図２、図４を用いつつ説明する。本実施の形態の方法によれば、露光処理の際にウェハ１０１が戴置されるステージ６１１が移動することにより液浸液６０５がウェハ１０１の端部に加える圧力以上の圧力の液浸液１１１をウェハ１０１の表面側からウェハ１０１の端部に向かって噴射する。これにより、露光処理においてステージ６１１の移動速度に合わせてウェハ端部に衝突する液浸液６０５により破砕されるハンプをあらかじめ露光処理前に除去することができる。したがって、ハンプの破砕によって液浸露光装置が汚染されてしまうことを防止し、かつ、パターン欠陥が発生してしまうのを抑制することができる。

ウェハ洗浄は、ウェハ中央からウェハ端部に向かってノズル１０４ａ、１０４ｂからジェット水流の如く噴射され、ウェハ端部の表面・裏面を洗浄する。これにより、ベベル部等に付着した異物や、積層膜のハンプ破砕物等を液浸露光前に完全に除外することができる。これにより、液浸露光装置の汚染を抑制することができる。

図６は、図８で示す従来のウェハ処理方法のフローにおいて、Ｓ７３後に本実施形態のエッジ洗浄処理（Ｓ４）を行ったウェハ端部を模式的に示す図である。積層膜１０７がベベル部（ａ）では完全に除去され、その除去幅は、従来どおりウェハの縁部からｄ＝０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度の範囲である。また、レジスト膜５０３の縁部や保護膜５０４の縁部が変形している。しかしながら、図９で示す従来のウェハとは異なり、積層膜１０７表面に形成されたハンプ９０５やベベル部（ａ）のパーティクル９０６が除去される。したがって、本実施形態のエッジ洗浄処理（Ｓ４）を採用するだけでも液浸露光装置を汚染させる懸念は低減される。

また、本実施の形態の処理方法では、ウェハ１０１表面のベベル部に形成された反射防止膜、レジスト膜および保護膜のエッジ除去をウェハ裏面側から行う。こうすることで有機溶剤を積層膜１０７に直接噴射する場合と比較して、有機溶剤の圧力による反射防止膜、レジスト膜および保護膜の縁部の変形を防ぐことができ、ハンプを小さくすることもできる。したがって、液浸露光装置の汚染をより確実に防止できる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

実施の形態に係るウェハの処理方法を説明するフローチャートである。 実施の形態に係るウェハ処理装置を示す模式図である。 ステージの回転数とウェハ除去幅との関係図である。 実施の形態に係る液浸露光装置を示す図である。 実施の形態に係る洗浄処理を行ったウェハ端部の断面図である。 実施の形態に係る洗浄処理を行ったウェハ端部の断面図である。 従来のウェハ処理装置を示す模式図である。 従来のウェハの処理方法を説明するフローチャートである。 従来の洗浄処理を行ったウェハ端部の断面図である。

符号の説明

１０１ ウェハ
１０２ ノズル
１０３ ノズル
１０４ａ ノズル
１０４ｂ ノズル
１０５ 制御部
１０６ 液浸液供給部
１０７ 積層膜
１０８ ウェハチャック
１０９ 回転支持部
１１１ 液浸液
１１２ 有機溶剤
１１３ 有機溶剤供給部
５０２ 反射防止膜
５０３ レジスト膜
５０４ 保護膜
６０１ 露光光
６０３ レチクル
６０４ 縮小投影レンズ
６０５ 液浸液
６０６ シャワーヘッド
６１１ ステージ
８０１ ウェハ
８０２ ノズル
８０３ａ ノズル
８０３ｂ ノズル
８０７ レジスト膜
８０８ ウェハチャック
８０９ 回転支持部
８１０ 有機溶剤
９０１ ウェハ
９０２ 反射防止膜
９０３ レジスト膜
９０４ 保護膜
９０５ ハンプ
９０６ パーティクル

Claims (7)

1. ウェハの表面に感光性膜を含む積層膜を形成するステップと、
   液浸法による露光処理前に、前記積層膜が形成された前記ウェハの表面側から前記ウェハの端部に向かって液体を噴射させるステップと、
   を含み、
   前記液体を噴射させるステップにおいて、前記露光処理の際に前記ウェハが戴置されるステージが移動することにより液浸液が前記ウェハの端部に加える圧力以上の圧力で前記液体を噴射させることを特徴とするウェハの処理方法。
2. 前記積層膜を形成する前記ステップにおいて、前記感光性膜の材料を塗布しつつ前記ウェハの表面側から前記感光性膜を溶解する有機溶剤を噴射しないステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のウェハの処理方法。
3. 前記ウェハの裏面側から前記積層膜が形成されたウェハ表面のベベル部に向かって前記有機溶剤を噴射させ、かつ、前記ウェハの表面側から前記感光性膜を溶解する有機溶剤を噴射しないステップをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載のウェハの処理方法。
4. 前記ウェハを前記ステージに戴置し、前記露光処理において、前記液浸液が保持された前記ステージを前記ウェハとともに移動させるステップをさらに含み、
   前記液浸液を噴射させる前記ステップにおいて、前記露光処理における前記ステージの移動により前記ウェハの端部に衝突する前記液浸液の流量を算出し、算出された前記流量以上の前記液体を噴射させることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のウェハの処理方法。
5. 前記積層膜を形成するステップは、
   前記感光性膜より下層に位置する反射防止膜を形成するステップと、
   前記感光性膜の表面に保護膜を形成するステップと、
   を含むことを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載のウェハの処理方法。
6. 前記ウェハの裏面側から前記積層膜が形成されたウェハ表面のベベル部に向かって前記感光性膜を溶解する有機溶剤を噴射させることにより前記ウェハ表面の前記ベベル部の前記感光性膜を除去するステップと、
   液浸法による露光処理を行うステップと、
   を含み、
   前記感光性膜を除去するステップにおいて、前記ウェハの表面側から前記有機溶剤を噴射しないステップを含む請求項１に記載のウェハの処理方法。
7. ウェハの表面に感光性膜を含む積層膜を形成する積層膜形成部と、
   前記積層膜が形成された前記ウェハの表面側に設置され、液浸法による露光処理前に、液体を前記ウェハの端部に向かって噴射する第一ノズルと、
   前記積層膜が形成される前記ウェハの裏面側に設置され、前記第一ノズルが前記液体を噴射するとき、前記液体を噴射する第二ノズルと、
   前記第一ノズルおよび前記第二ノズルが噴射する前記液体の噴射圧を制御する制御部と、
   を有し、
   前記制御部は、前記露光処理の際に前記ウェハが戴置されるステージが移動することにより液浸液が前記ウェハの端部に加える圧力以上の圧力で前記液体を前記第一ノズルに噴射させるウェハの処理装置。

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