TWI766935B - 塗布膜去除裝置、塗布膜去除方法及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的為在藉由去除液將形成於基板亦即晶圓表面之塗佈膜的周緣部去除時，抑制塗佈膜端部產生隆起(hump)。 當要從去除液噴嘴將去除液噴出至藉由旋轉卡盤旋轉之晶圓W的周緣部，以去除塗佈膜的周緣部之不必要的膜時，在使晶圓W以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下，使去除液的供應位置從周緣位置移動到比該周緣位置更內方側的切割位置。之後供應位置到達切割位置後，在1秒內使供應位置從切割位置移動到晶圓W的周緣側。晶圓W以2300rpm以上的高轉速旋轉，藉以對晶圓表面上去除液的液流作用較大的離心力，使去除液被推動到晶圓W的外側。藉此抑制去除液往塗佈膜端部滲透並抑制塗佈膜端部產生隆起。

Description

塗布膜去除裝置、塗布膜去除方法及記錄媒體
本發明係關於藉由去除液將被形成在圓形基板的表面之塗佈膜的周緣部去除之塗布膜去除裝置、塗佈膜去除方法及記錄媒體。
在將塗佈膜圖案形成在基板上也就是半導體晶圓(以下簡稱晶圓)上之光蝕刻流程所進行之處理的一環中，存在對表面形成了塗佈膜之晶圓供應溶劑呈環狀去除塗佈膜周緣部不必要的膜之晶邊去除(Edge Bead Removal：EBR)處理。該EBR處理中，從溶劑噴嘴局部對被載置於旋轉卡盤上旋轉之晶圓的周緣部噴出塗佈膜的溶劑。
該EBR處理，當要去除晶邊的膜時，為了要確保電路圖案的形成區域以使半導體裝置的良品率提高，有必要抑制與膜的去除區域邊界附近也就是塗佈膜端部產生隆起(hump)。伴隨著電路細微化會增加光蝕刻流程，預料EBR處理中針對缺陷會嚴格的要求，故期待開發出一種可抑制隆起產生的技術。
專利文獻1中記載著一種從溶劑噴嘴噴出溶劑將基板端緣的薄膜溶解並且從氣體噴嘴對已噴過溶劑後的部位噴出氣體以將溶劑向比基板端緣更外方吹散去除之技術。該例子中，從斜後方的上方側藉由氣體噴嘴對溶劑噴出氣體，所以該方法應用於EBR處理，塗佈膜上的溶劑則會飛濺，連晶圓周緣部以外的塗佈膜也會被去除，結果是會有塗佈膜端部的形狀惡化的顧慮。
另外，專利文獻2中記載著一種當要從處理液供應部對基板的周緣部供應處理液時，在比處理液供應部更基板周緣部的內側設置氣體噴出部，以矯正基板的翹曲之技術。該方法應用於EBR處理，氣體則會從比塗佈膜上的溶劑更接近晶圓外緣的位置噴出，故無法指望會針對溶劑的供應區域附近之塗佈膜端部的形狀有所改善。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平6-196401號公報(圖3等) [專利文獻2] 日本特開2012-99833號公報(段落0031等)
[發明所欲解決的課題]
本發明係鑒於上述的問題點而提案，其目的為提供一種當要藉由去除液將被形成在圓形基板的表面之塗佈膜的周緣部去除時，可抑制與塗佈膜的去除區域邊界附近也就是塗佈膜端部產生隆起之技術。 [解決課題的技術手段]
本發明的塗佈膜去除裝置，係藉由去除液將對圓形基板的表面供應塗佈液而被形成之塗佈膜的周緣部去除，其特徵為，具備： 旋轉保持部，其保持並旋轉基板； 去除液噴嘴，其去除液朝向基板旋轉方向的下游側，對被保持在該旋轉保持部之基板表面的周緣部噴出去除液；及 控制部，其輸出控制訊號，以使噴出去除液時基板以2300rpm以上的轉速旋轉。
另外，本發明的塗佈膜去除方法，係藉由去除液將對圓形基板的表面供應塗佈液而被形成之塗佈膜的周緣部去除之塗佈膜去除方法，其特徵為，包含下列2個程序： 呈水平將基板保持在保持部之程序；及 之後在使基板以2300rpm以上的轉速旋轉的狀態下，從去除液噴嘴朝向基板旋轉方向的下游側，對基板表面的周緣部噴出去除液之程序。
再則，本發明的紀錄媒體，記錄有用於塗佈膜去除裝置之電腦程式， 該程式之特徵為：包含執行本發明的塗佈膜去除方法之步驟群。 [發明功效]
依據本發明，當要藉由去除液將基板表面之塗佈膜的周緣部去除時，從去除液噴嘴對基板表面的周緣部噴出去除液，並且噴出去除液時基板以2300rpm以上的轉速旋轉。基板以2300rpm以上的高轉速旋轉，藉以對晶圓表面上去除液的液流作用較大的離心力，使去除液被推動到晶圓W的外側。藉此抑制去除液往塗佈膜端部滲透並抑制塗佈膜端部產生隆起。
(第1實施形態)
參考圖1的縱向側視圖和圖2的俯視圖說明應用本發明的塗佈膜去除裝置之塗佈裝置1的一個實施形態。該塗佈裝置1構成為可進行對基板也就是晶圓W塗上塗佈液形成塗佈膜的之處理及EBR處理。晶圓W為圓形而其直徑例如為300mm。另外，在晶圓W的周緣部形成凹槽N，作為表示晶圓W的方向之凹口。
圖中，圖號11為形成保持晶圓W並旋轉的旋轉保持部之旋轉卡盤。該旋轉卡盤11構成為吸持晶圓W的背面中央部而呈水平保持晶圓W，並且藉由旋轉機構21沿著鉛直軸以平面觀看時順時鐘旋轉自如。該旋轉卡盤11及旋轉機構21藉由軸211連接，在被保持在旋轉卡盤11之晶圓W的周圍設置杯體22。杯體22構成為透過排氣管23排氣，並且藉由排液管24去除從晶圓W溢出流到杯體22內的液體。
排氣管23例如透過由擋板所組成之排氣量調節部231，例如連接到工廠內排氣管道也就是排氣機構232，構成為可調節杯體內的壓力。圖中，圖號25為頂銷，構成為藉由升降機構26升降，晶圓在W在晶圓W的搬送機構與旋轉卡盤11之間進行移轉。
塗佈裝置1具備：塗佈液噴嘴41，其將塗佈液朝向鉛直下方噴出、及溶劑噴嘴42，其將塗佈液的溶媒也就是溶劑朝向鉛直下方噴出。塗佈液噴嘴41透過裝有開關閥V1之流路43連接至對該噴嘴41供應塗佈液之塗佈液供應機構44。另外，溶劑噴嘴42為用於塗佈液對晶圓W噴出前進行的前處理之噴嘴，透過裝有開關閥V2的流路45，連接至對該噴嘴42供應溶劑之溶劑供應機構46。如圖2所示，塗佈液噴嘴41和溶劑噴嘴42被支撐於構成為藉由移動機構47升降且在水平方向上移動自如之臂48，以構成為在晶圓W的中心部上與杯體22外側的撤離位置之間移動自如。圖中，圖號49為用以使移動機構47如同上述在水平方向上移動之導桿。
進而，塗佈裝置1具備為進行該EBR處理所要用的去除液噴嘴3。該去除液噴嘴3使去除液朝向晶圓W旋轉方向的下游側對被保持在旋轉卡盤11之晶圓W表面的周緣部噴出去除液。去除液噴嘴3例如形成為直管狀，其前端開孔作為去除液的噴出口30。
本例子中去除液為塗佈液的溶媒也就是溶劑，去除液噴嘴3構成為透過裝有開關閥V3的流路31連接至該溶劑供應機構46，從共用的溶劑供應機構46，溶劑(去除液)彼此獨立供應給溶劑噴嘴42和去除液噴嘴3。另外，如圖2所示，去除液噴嘴3被支撐於構成為藉由移動機構32升降自如且在水平方向上移動自如之臂33，以構成為在對晶圓周緣部噴出去除液的處理位置與杯體22外側的撤離位置之間移動自如。圖2中， Y方向表示去除液噴嘴3的移動方向而X方向表示與Y方向正交的水平方向。圖中，圖號34為如同上述用以使移動機構32在水平方向上移動之導桿。
如圖3所示，去除液噴嘴3當俯視觀看時，將去除液噴嘴3的噴出口30與供應位置P連結的直線、與該供應位置P上晶圓W的切線形成的夾角θ例如設定在0°。該夾角θ基於抑制液體噴濺的這個觀點，最好是小的夾角。即，最好是供應位置P上的切線L與去除液的噴出方向切齊，但若為6°以內的話則更佳。去除液的供應位置P是指從去除液噴嘴3噴出的去除液到達晶圓表面時的著陸位置。圖3中，晶圓W的外緣Lw一部分以實線表示，供應位置P上晶圓W的切線L及去除液的噴出方向以虛線表示。
另外，如圖4所示，去除液噴嘴3當以鉛直面觀看時，將去除液噴嘴3與供應位置P連結的直線、與晶圓W的表面形成的夾角Z例如設定在10°。該夾角Z基於抑制液體噴濺的觀點，最好是小的夾角。因此，最好是20°以下，但若為15°以下的話則更佳。進而，去除液噴嘴3之噴出口30的口徑A例如設定在0.15mm~0.35mm，最好是設定在0.15mm~0.25mm。
再則，塗佈裝置1具備控制部7。該控制部7例如由電腦所組成，具有程式儲存部(未圖示)。該程式儲存部儲存一種含有可進行後述塗佈膜的形成處理和EBR處理的指令(步驟群)之程式。然而依據該程式從控制部7對塗佈裝置的各部位輸出控制訊號，以控制塗佈裝置1各部位的動作。具體而言，控制下列裝置的各動作，開關閥V1~V3的開關、移動機構32和47致使去除液噴嘴3、塗佈液噴嘴41及溶劑噴嘴42的移動、排氣量調節機構231致使杯體22內壓力的調節、升降機構26致使頂銷25的升降等。例如在記錄於硬碟、光碟、磁光碟或記憶卡等的記錄媒體的狀態下，該程式被儲存於程式儲存部。
另外，本例子中控制部7構成為EBR處理時輸出控制訊號用以執行第1步驟及第2步驟。第1步驟是指在晶圓W以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下，使去除液的供應位置P從晶圓W表面的周緣位置移動到比該周緣位置更靠近晶圓W的中心部之塗佈膜的切割位置的同時從該去除液噴嘴3噴出去除液之步驟。在晶圓W的周緣設置斜面部位W1，但本例子中，周緣位置為比斜面部位W1更內方側之平坦面的部位，而靠近離該平坦面部位的邊緣(與斜面部位的邊界)0.1mm~0.3mm內方側的位置。另外，第2步驟為供應位置P到達切割位置後，在1秒以內最好是0.5秒以內去除液噴嘴3從切割位置往晶圓W的周緣側離開之步驟。
再則，控制部7構成為輸出控制訊號用以在第2步驟之後，執行將供應位置P設定在切割位置與周緣位置之間或周緣位置，使晶圓W以比第1轉速低的第2轉速旋轉的同時從去除液噴嘴3噴出去除液之步驟。在第2位置，第2轉速例如設定在500~2000rpm。
接著針對用塗佈裝置1進行之塗佈膜的形成處理(塗佈膜形成步驟)和EBR處理(EBR步驟)作說明。先藉由搬送機構(未圖示)將搬送晶圓W載置在旋轉卡盤11上。例如以65Pa的排氣壓力將杯體22內排氣，再從溶劑噴嘴42對晶圓W的中心部上噴出溶劑，另一方面晶圓W開始旋轉，藉由離心力將溶劑塗佈在晶圓W的整個表面上，以提高塗佈液在晶圓W表面的潤濕性。然後在已使晶圓W旋轉的狀態下，從塗佈液噴嘴41對晶圓W的中心部上噴出塗佈液(本例子中為光阻劑液)，藉由離心力將塗佈液塗佈在晶圓W的整個表面上。之後使晶圓W旋轉預定時間以使液膜乾燥，形成塗佈膜10。
之後執行EBR步驟。該處理中，例如將杯體22內的排氣量設定在比塗佈膜的形成步驟大的50Pa以上的排氣壓力(例如，75Pa)。然而如圖5(a)所示，使去除液噴嘴3從晶圓外方的撤離位置移動以使去除液的供應位置變成周緣位置，執行第1步驟。然而在晶圓W以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下，使去除液的供應位置P從周緣位置移動到切割位置也就是第1位置的同時例如以20ml/分~60ml/分的流量(最好是55ml/分以上的流量)從去除液噴嘴3噴出去除液(圖5(b))。本例子中的第1位置(切割位置)例如為從晶圓W的外緣往晶圓W的中心部側靠近2mm的位置。此外，圖面上，以達到理解技術為優先，尺寸的比例未必正確顯示。
第1步驟中，為防止塗佈膜端部產生隆起(hump)，必須使晶圓W以2300rpm以上的轉速旋轉，但若為2500rpm以上的話較佳，若為3000rpm以上的話更佳，若為4000rpm以上的話最佳。此外，第1步驟時晶圓W的轉速上限例如為5000rpm。
接著執行第2步驟。也就是去除液的供應位置P到達切割位置後，立即(例如沒有待機時間)使去除液噴嘴3從第1位置移動到晶圓W的周緣側。沒有待機時間是指例如即使在去除液噴嘴3的移動配方中不含待機時間的情況，驅動機構的動作上去除液噴嘴3仍會在切割的位置停止例如0.1~0.5秒程度(本例子為0.1秒)的狀態。必須在去除液的供應位置到達第1位置後，立即使去除液噴嘴3移動到周緣側，立即是指例如1秒以內。因此例如該步驟為在去除液的供應位置P到達切割位置後並沒有實質停止，去除液噴嘴3即往晶圓W的周緣側離開之步驟。
從去除液噴嘴3係朝向晶圓W旋轉方向的下游側且去除液噴出軌跡的延長線朝向塗佈膜周緣部的外側噴出去除液。另外，晶圓W以2300rpm以上的高轉速旋轉，故產生較大的離心力，去除液的液流朝向晶圓W的外方側推動迅速流過去。藉此去除液的供應區域上，塗佈膜10被去除液軟化並溶解，成分中含有被溶解的塗佈膜之去除液藉由較大的離心力朝向晶圓W的外方推動而被去除。
就這樣執行第2步驟後，執行清洗晶圓端面的斜面部位W1的步驟。該步驟為將去除液的供應位置P設定在第1位置與周緣位置之間或周緣位置，使晶圓W以第2轉速也就是500rpm~2000rpm(例如，1000rpm)旋轉的同時從去除液噴嘴3噴出去除液之步驟(圖5(c))。例如如圖5(c)所示，該步驟時去除液的供應位置(第2位置)例如為從晶圓W的外緣往晶圓W的內方靠近0.5mm的位置，該步驟時對該第2位置持續例如1秒以上(本例子為5秒)供應去除液 。
對第2位置噴出去除液時的第2轉速比對第1位置噴出去除液時的第1轉速低。因而去除液的液流以比對第1位置噴出時緩慢的速度，藉由離心力朝向晶圓W的外方推動，抑制對晶圓噴出之去除液從旋轉的晶圓W上彈飛之液體飛濺現象的同時從晶圓W的外緣繞到背面側流過去。就這樣在晶圓W端面的斜面部位W1上，去除液也擴展到背面側，藉由去除液清洗附著於斜面部位W1的成分。
以這種方式進行去除塗佈膜不必要的周緣部及清洗斜面部位W1後，例如將排氣量回到塗佈膜形成時的排氣量，停止從去除液噴嘴3噴出去除液，移動到待機位置(圖5(d))。然而停止晶圓W旋轉，藉由搬送機構(未圖示)從塗佈裝置1內搬出該晶圓W。
依據上述的實施形態，當要對晶圓表面上塗佈膜的周緣部供應去除液去除該周緣部不必要的塗佈膜時，噴出去除液時使晶圓W以2300rpm以上的轉速旋轉。因而產生較大的離心力，去除液的液流朝向晶圓W的外方側推動流過去。藉此抑制切割位置上的去除液滲透到塗佈膜端部並抑制產生欲升高塗佈膜端部的力量。就這樣在抑制了塗佈膜端部產生隆起(hump)的狀態下，去除塗佈膜不必要的周緣部。另外，由後述評估測試就會明白，無關去除液的類別，降低EBR處理造成的隆起高度。
另外，去除液的供應位置P到達切割位置後，立即例如在1秒以內從切割位置移動到周緣側，故被供應到切割位置之去除液，藉由較大的離心力從該切割位置朝向晶圓W的周緣側迅速流過去，因而抑制切割位置上的去除液滲透到塗佈膜端部，更加抑制隆起的形成。進而去除液的供應位置P到達切割位置後，在1秒以內從切割位置移動到周緣側，藉以縮短EBR處理所要的時間，期予提高產量。
此外，恐會有EBR步驟時晶圓W的轉速高及斜面部位W1的清洗不完全之虞，不過可執行對比塗佈膜的切割位置更外側的位置噴出去除液之清洗步驟，藉以提高斜面部位W1的清潔度。於該清洗步驟，第2轉速比第1轉速低，第2位置上去除液的供應時間長，不過第2位置比第1位置更晶圓W的周緣側，因而抑制去除液滲透到塗佈膜端部。如此於清洗步驟，決定第2轉速的大小、第2位置、將供應位置設在第2位置時的停止時間，以使可抑制隆起產生的同時充分進行斜面部位W1的清洗。
另一方面，被認定提高供應去除液時晶圓W的轉速則會產生液體飛濺現象，因液體飛濺而濺起之去除液的霧氣再度附著在晶圓W而成為霧氣狀的缺陷(濕潤微粒)致使晶圓周緣部的缺陷數增加。因而上述的實施形態，達到去除液噴嘴3的夾角最佳化，藉以抑制產生液體飛濺現象，該結果減少缺陷數。即，本實施形態中的去除液噴嘴3，該形成的夾角θ被設定在6°以內，該形成的夾角Z被設定在20°以內。藉此從離水平面稍向上方側傾斜的去除液噴嘴3，大致沿著旋轉方向對晶圓W的表面噴出去除液。因而對高轉速的晶圓W供應去除液時去除液衝撞晶圓W表面時的衝擊力變小，並且去除液易於親和晶圓W，防止液體飛濺。另外，因防止液體飛濺，所以也會減少濕潤微粒附著到晶圓周緣部。
再則，於EBR步驟，可將杯體22內例如設定在50Pa以上的高排氣狀態，藉以改善濕潤微粒。這點是因液體飛濺而成為霧氣狀之去除液迅速從排氣管道排出之故。
再則，被認定提高供應去除液時晶圓W的轉速則會降低塗佈膜之切割面(切割位置上塗佈膜的端面)的切割精度，俯視觀看切割面粗糙，平滑度降低。因而本實施形態中，縮小去除液噴嘴3之噴出口30的口徑A，也就是設定在0.15mm~0.35mm，藉此使去除液噴出的壓力變大，而使塗佈膜的切割位置上去除液的切削力增大，因而提高切割面的切削精度。另外，本例子中，將供應位置P從周緣位置移動到第1位置(切割位置)時去除液噴出的流量設定在20ml/分~60ml/分。藉此使去除液噴出的壓力變大，更加提高切割面的切削精度。
(第2實施形態) 本實施形態與上述實施形態的相異點在於構成為控制部7輸出控制訊號用以重複該第1步驟及第2步驟多次。首先，如圖6(a)所示，使去除液噴嘴3從晶圓外方的撤離位置移動到周緣位置。然而在使晶圓W以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下，使去除液的供應位置P從晶圓W表面的周緣位置移動到切割位置也就是第1位置的同時例如以20ml/分~60ml/分的流量從去除液噴嘴3噴出去除液(第1步驟，圖6(b))。接著去除液的供應位置P到達切割位置後，立即例如在1秒以內從第1位置例如移動到周緣位置(第2步驟，圖6(c))。於該第2步驟，也就是在使晶圓W以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下，以20ml/分~60ml/分的流量從去除液噴嘴3噴出去除液。就這樣重複第1步驟及第2步驟多次(例如，5次)。
如此進行第1步驟及第2步驟，如同已述說過的，可抑制隆起產生的同時去除塗佈膜不必要的周緣部。另外，重複第1步驟及第2步驟，藉以使塗佈膜位置上去除液的切削力增大，因而由後述的評估測試可明白，切割面的切削精度提高。再重複第1步驟及第2步驟，藉以可使去除液易於從晶圓W的端部繞到背面側，進行斜面部位W1的清洗。此外，如同第2實施形態，構成為重複進行第1步驟及第2步驟後，實施第1實施形態的清洗步驟亦可。
如同已述說過的，噴出去除液時晶圓W以高轉速旋轉，藉以可抑制隆起產生的同時去除塗佈膜不必要的周緣部，此時隆起的高度，由後述的評估測試可明白，晶圓W的轉速越高則會變低。另一方面晶圓的轉速變高，則會有容易產生液體飛濺現象致使有時產生缺陷有時降低切割面的平滑度的傾向。基於這點，本發明團隊發現當噴出去除液時使晶圓W以2300rpm以上的轉速旋轉，與過去作比較，可抑制隆起產生的同時去除不必要的周緣部。 (實施例)
接著由圖7~圖19來說明本發明的評估測試。 (評估測試1：隆起高度的評估) 在使晶圓W以1000rpm、2000rpm、3000rpm、4000rpm旋轉的狀態下，進行塗佈膜的形成步驟及EBR步驟，針對處理過後塗佈膜端部的隆起高度進行評估。塗佈膜設為SOC(Spin On Carbon)材料也就是液劑A，去除液設為OK-73稀釋劑，切割位置設為離晶圓外緣2.5mm內側的位置，針對切割位置上供應位置的停止時間為5秒時和該停止時間為0秒時，測量各個轉速下隆起的高度。隆起高度用高低差測量器測出，以離塗佈膜的高度作為隆起的高度，針對多片晶圓W，同樣評估隆起高度。
其結果表示在圖7中。圖中，縱軸為隆起高度(nm)，橫軸上記載著切割位置上去除液供應位置的停止時間及轉速。停止時間為5秒時隆起高度的平均值，轉速1000rpm時為724.92nm，轉速2000rpm時為481.31nm，轉速3000rpm時為302.48nm，轉速4000rpm時為256.49nm。另外，停止時間為0秒時隆起高度的平均值，轉速1000rpm時為512.99nm，轉速2000rpm時為312.97nm，轉速3000rpm時為240.76nm，轉速4000rpm時為209.35nm。
如此被認定停止時間為5秒、0秒兩者均轉速越高則隆起高度越低。另外，確認轉速相同時即使停止時間為0秒仍可去除不必要的膜，隆起高度變低。藉此可理解轉速提高則會使藉由較大的離心力對切割位置供應之去除液朝向晶圓W的外緣推動之力量增大並且使切割位的切削力增加，因而即使停止時間為0秒仍可充分去除不必要的膜。
另外，確認分別將塗佈膜改成光阻劑也就是液劑B、SOC材料也就是液劑C、光阻劑也就液劑D、SiARC材料也就是液劑E，將去除液改成OK-73稀釋劑、環己酮，進行同樣的評估時，與評估測試1同樣，轉速越高則隆起高度越低，轉速相同時停止時間為0秒，隆起高度變低。因此可理解本發明的方法可在不依賴塗佈膜或去除液的種類下降低隆起高度。
如此，發現晶圓W的轉速越高則隆起高度越降低，不過基於隆起高度的變遷，超過3000rpm則隆起高度的變化變小，因而若為2300rpm以上轉速的話，可充分期以隆起高度降低。另外，發現針對供應位置上的停止時間，隆起高度的平均值在停止時間5秒、轉速3000rpm時比在停止時間0秒、轉速2000rpm時低，因而該停止時間在1秒以內的話，可達到降低隆起高度。
(評估測試2：液體飛濺的評估) 進行塗佈膜的形成步驟及EBR步驟，將處理狀態拍攝成影像針對有無存在液體飛濺進行評估。此時去除液噴嘴3分別將該形成的夾角θ改成0°、8.5°，將該形成的夾角Z改成10°、20°、30°，將去除液的噴出流量改成13ml/分、20ml/分、30ml/分，進行同樣的評估，針對各個的情況找出沒有產生液體飛濺的最大轉速。塗佈膜設為液劑A，去除液設為OK-73稀釋劑，切割位置設為離晶圓外緣2.5mm內側的位置，切割位置上供應位置的停止時間設為10秒。
此結果表示在圖8中，圖中，橫軸表示沒有產生液體飛濺的最大轉速(rpm)，縱軸表示去除液噴嘴3的夾角(形成的夾角θ、Z)及噴出流量(ml/分)。該結果分別被認定比較去除液噴嘴3與切線形成的夾角θ，則該最大轉速在0°時會變大，比較與晶圓表面形成的夾角Z，則該最大轉速在10°、20°時比在30°時更會變大。藉此可理解藉由調整該形成的夾角θ或形成的夾角Z可降低液體飛濺。另外，被認定即使去除液噴嘴3之形成的夾角θ與形成的夾角Z相同，仍藉由噴出流量改變該最大轉速。進而確認在具有±300μm凹凸的晶圓W上形成塗佈膜，用形成的夾角θ為8.5°而形成的夾角Z為30度之去除液噴嘴3、及形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°之去除液噴嘴3，分別進行EBR處理時，形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°之去除液噴嘴3會改善切割精度。
以上的結果被認定形成的夾角θ為8.5°時，若形成的夾角Z為20°的話，該最大轉速超過2300rpm。基於這點發現若形成的夾角θ為6°以內的話，藉由調整噴出流量或形成的夾角Z，即使該最大轉速為2300rpm以上仍可降低液體飛濺，形成的夾角Z為20°以內的話，藉由調整噴出流量或形成的夾角θ，即使該最大轉速為2300rpm以上仍可降低液體飛濺。
(評估測試3：缺陷的評估) 進行塗佈膜的形成步驟後，使晶圓W以4000rpm旋轉，從去除液噴嘴3噴出去除液的同時在晶圓W的周緣位置與切割位置之間來回移動1次以進行EBR步驟，針對缺陷(濕潤微粒)的數量，用SEM(掃描式電子顯微鏡)抽出霧氣狀缺陷，進行評估。
此時，用形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°、噴出口30的口徑A為0.2mm之去除液噴嘴3、及形成的夾角θ為8.5°而形成的夾角Z為30°、噴出口30的口徑A為0.3mm之去除液噴嘴3。塗佈膜用液劑A、去除液用OK-73稀釋劑，塗佈膜的形成步驟時排氣壓力設為65Pa，EBR步驟時杯體22內的排氣壓力設為75Pa。另外，切割位置上供應位置的停止時間設為0秒，改變切割位置(切割寬度)進行評估。
在各條件下，分別對3片晶圓W進行同樣的評估，其結果表示在圖9中。圖中，橫軸表示切割寬度及去除液噴嘴3的條件，縱軸表示50nm以上大小霧氣狀的缺陷數(個)。該結果確認用形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°之去除液噴嘴3，大幅降低霧氣狀的缺陷。由評估測試2被認定達到去除液噴嘴3之形成的夾角θ最佳化，藉以降低液體飛濺，因而推斷藉由抑制液體飛濺使霧氣狀的缺陷降低。
(評估測試4-1：排氣壓力的評估) 塗佈膜的形成步驟後，使晶圓W以4000rpm旋轉，從去除液噴嘴3噴出去除液的同時在晶圓W的周緣位置與切割位置之間來回移動60次進行EBR步驟，針對缺陷的數量用SEM進行評估。此時用形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°、噴出口30的口徑A為0.2mm之去除液噴嘴3。塗佈膜用光阻劑也就是液劑B，去除液用OK-73稀釋劑，切割位置上供應位置的停止時間設為0秒，切割寬度設為2mm，噴出流量設為25ml/分，改變EBR步驟時杯體22的排氣壓力進行處理並進行評估。此外，使去除液噴嘴3移動60次是因處理次數增加致使缺陷數變多，因而使缺陷數增加以更正確掌握缺陷產生的狀況之故。
在各條件下，分別對3片晶圓進行同樣的評估，其結果表示在圖10中，圖中，橫軸表示杯體22內的排氣壓力，縱軸表示50nm以上大小的缺陷數。該結果確認杯體22內的排氣壓力變高則缺陷數會降低，轉速為4000rpm在50Pa以下時會產生缺陷。
(評估測試4-2：排氣壓力的評估) 將晶圓W的轉速變更為3500rpm，其他的條件同樣，與(評估測試4-1)同樣進行評估。在各條件下，分別對3片晶圓W進行同樣的評估，其結果表示在圖11中。圖中，橫軸表示杯體22內的排氣壓力，縱軸表示50nm以上大小的缺陷數。該結果確認轉速為3500rpm在30Pa以下時會產生缺陷。
(評估測試4-3：排氣壓力的評估) 將晶圓W的轉速變更為3000rpm，其他的條件同樣，與(評估測試4-1)同樣進行評估。在各條件下，分別對3片晶圓W進行同樣的評估，其結果表示在圖12中。圖中，橫軸表示杯體22內的排氣壓力，縱軸表示50nm以上大小的缺陷數。該結果確認轉速為3000rpm在23Pa以下的排氣壓力時會產生缺陷。
(評估測試4-4：排氣壓力的評估) 塗佈膜的形成步驟後，將晶圓W的轉速設為3000rpm、3500rpm、4000rpm，從去除液噴嘴3噴出去除液的同時從晶圓W的周緣位置到切割位置移動1次進行EBR步驟，其他的條件同樣，與(評估測試4-1)同樣進行評估。在各條件下，分別對3片晶圓W進行同樣的評估，其結果表示在圖13中。圖中，橫軸表示杯體22內的排氣壓力，縱軸表示50nm以上大小的霧氣狀缺陷數。該結果認定晶圓W的轉速變高則容易產生缺陷，但增大杯體22內的排氣壓力可使缺陷數降低。另外，確認以相同排氣壓力(75Pa、90Pa)作比較，則高轉速時霧氣狀缺陷數較少。這點推斷降低轉速則在晶圓W的凹槽部容易產生液體飛濺這就是霧氣狀缺陷增加的原因。
(評估測試5-1：斜面部位清洗的評估) 塗佈膜的形成步驟後，使晶圓W以4000rpm旋轉，第1位置(切割位置)上的停止時間設為0秒進行EBR步驟，之後將供應位置移動到第2位置，使晶圓W以2000rpm旋轉進行清洗步驟，在1秒~5秒之間改變第2位置的停止時間，用斜面檢查裝置來確認斜面部位W1的清潔度。用形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°、噴出口30的口徑A為0.2mm之去除液噴嘴3，塗佈膜設為液劑B，去除液設為OK-73稀釋劑，切割位置設為離晶圓外緣2mm內側，第2位置設為離晶圓外緣0.5mm內側。
該結果被認定EBR步驟後進行清洗步驟，藉以改善斜面部位W1的清潔度，延長第2位置上去除液的供應時間，藉以使斜面部位W1的清潔度提高。確認第2位置上去除液的供應時間若為3秒以上的話會改善斜面部位W1的污點。
(評估測試5-2：斜面部位清洗的評估) 與(評估測試5-1)同樣，實施EBR步驟及清洗步驟。第2位置的停止時間設為5秒，改變清洗步驟之晶圓W的轉速(第2轉速)及杯體22內排氣壓力，確認斜面部位的清潔度。塗佈膜設為液劑B，去除液設為OK-73稀釋劑，切割位置設為離晶圓外緣2mm內側，第2位置設為離晶圓外緣0.5mm內側。另外，針對沒有實施清洗步驟的情況也同樣進行評估。
在各條件下，分別對3片晶圓W進行同樣的評估，其結果表示在圖14中，圖中，橫軸為排氣壓力、轉速等的處理條件，縱軸為50nm以上大小的缺陷數，沒有記載第2位置的停止時間及第2轉速的條件為沒有進行清洗步驟的情況。該結果由於在排氣壓力為90Pa、第2轉速為1000rpm的條件下，仍存在缺陷數很多的晶圓，但針對相同條件下其餘的晶圓W則缺陷數很少，因而即使實施清洗步驟仍稱得上不被認定缺陷數惡化。
另外，針對(評估測試5-2)中霧氣狀50nm大小以上的缺陷數，用缺陷再檢測SEM(Defect Review-SEM:Defect Review-Scanning Electron Microscope)進行評估。該結果表示在圖15中。確認即使在這情況下藉由實施清洗步驟，仍不被認定缺陷數惡化。
(評估測試6-1：切割面的評估) 塗佈膜的形成步驟後，切割位置上的停止時間設為0秒進行EBR步驟。此時用形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°、噴出口30的口徑A為0.3mm之去除液噴嘴3及形成的夾角θ為8.5°而形成的夾角Z為30°、噴出口30的口徑A為0.3mm之去除液噴嘴3。塗佈膜設為液劑A，去除液設為OK-73稀釋劑，切割寬度設為2.5mm，改變噴出流量及轉速進行EBR步驟並進行評估。用斜面檢查裝置評估切割片的平滑度。
在各條件下，分別對3片晶圓W進行同樣的評估，其結果表示在圖16中，圖中，橫軸表示噴出流量、轉速等的處理條件，縱軸表示切割面的平滑度(mm)，數字越小則切割面的粗糙越少，平滑度越高。該結果認定用形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°之去除液噴嘴3會使切割面的平滑度惡化，確認轉速增大會使平滑度變差，但可藉由增加噴出流量改善。
(評估測試6-2：切割面的評估) 用形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°之去除液噴嘴3，將噴出口30的口徑A設定在0.3mm及0.2mm，其他的條件與(評估測試6-1)同樣，針對切割面進行評估。該結果表示在圖17中。圖中，橫軸為噴出流量、轉速等的處理條件，縱軸為切割面的平滑度(mm)。該結果被認定針對形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°之去除液噴嘴3，經由縮小噴出口30的口徑A，改善切割面平滑度。另外，確認也可藉由增加噴出流量改善。
發現去除液噴嘴3的口徑A為0.3mm時，將噴出流量設為27ml/分，則轉速為3500rpm及4000rpm時的平滑度大致相同，因而去除液噴嘴3之噴出口30的口徑A若為0.15mm~0.35mm的話較佳。另外，噴出流量為20ml/分時口徑A為0.3mm與0.2mm作比較，轉速2900rpm以上時，0.2mm時平滑度良好，因而去除液噴嘴3之噴出口30的口徑A若為0.15mm~0.25mm的話，稱得上切割面的平滑度被充分改善。
(評估測試6-3：切割面的評估) 塗佈膜的形成步驟後，使晶圓W以4000rpm旋轉，切割位置上的停止時間設為0進行EBR步驟。之後將供應位置移動到第2位置，第2位置的停止時間設為5秒，使晶圓W以2000rpm旋轉實施清洗步驟。改變EBR步驟及清洗步驟之去除液的噴出流量，確認切割面的平滑度。塗佈液設為液劑A，去除液設為OK-73稀釋劑，噴出口30的口徑A設為0.2mm，切割位置設為離晶圓外緣2mm內側，第2位置設為離晶圓外緣0.5mm內側。
該結果表示在圖18中。圖中，橫軸為噴出流量，縱軸為切割面的平滑度，Ref為用形成的夾角θ為8.5°而形成的夾角Z為30°之去除液噴嘴3，在切割位置上的停止時間為5秒而晶圓W的轉速為2000rpm的條件下實施時的資料。該結果被認定針對形成的夾角θ為0°而形成的夾角Z為10°之去除液噴嘴3，藉由增加噴出流量，改善切割面的平滑度。發現噴出流量變成40ml/分以上則大幅改善平滑度，因而噴出流量若為40ml/分~70ml/分的話，切割面的平滑度可充分改善。
(評估測試7：噴出流量的評估) 針對與(評估測試6-3)同樣進行處離之晶圓W，用高低差測量器確認隆起高度。該結果表示在圖19中。圖中，橫軸為噴出流量，縱軸為隆起高度(nm)。該結果被認定沒有因增加噴出流量而增加隆起高度之虞。
以上，為達到隆起高度降低，本發明的塗佈裝置1若為從去除液噴嘴3噴出去除液時晶圓W以2300rpm以上的轉速旋轉較佳。另外，塗佈裝置1中，以下的(a)~(g)項能夠適度作組合。 (a)執行第1步驟及第2步驟 (b)執行清洗步驟 (c)重複第1步驟及第2步驟多次 (d)去除液噴嘴3之與切線形成的夾角θ設定在6°以內 (e)去除液噴嘴3之與晶圓表面形成的夾角設定在20°以下 (f)去除液噴嘴3之噴出口30的口徑A設定在0.15mm~0.35mm (g)從去除液噴嘴3去除液的噴出流量設定在20ml/分~60ml/分
以上，塗佈裝置1可對已在外部的裝置形成了塗佈膜之晶圓W進行EBR處理。也就是該塗佈裝置1亦可構成為只進行EBR處理之專用裝置，在這情況下不必設置塗佈液噴嘴41和溶劑噴嘴42。作為塗佈液可應用於使塗佈膜的成分在溶媒中溶解之例如光阻劑、SOD材料、SOC材料、SiARC材料、BARC材料或以碳等作為主要成分的有機膜等藉由溶媒軟化塗佈膜之各種塗佈膜。
可是例如為了要形成配線被形成在稱作為3D NAND的多數層之NAND快閃記憶體，會有對被堆積多數膜之晶圓W藉由塗佈裝置形成抗蝕膜等的塗佈膜的情況。針對在那樣形成了多數膜的狀態下搬送到塗佈裝置之各晶圓W，會有因至此為止進行過處理的影響或受各膜的應力而翹曲成為彼此不同形狀的情況。
然而，該塗佈裝置1的旋轉卡盤11由於只吸持晶圓W的中心部，成為被搬送時具翹曲之晶圓W在翹曲的狀態下接受處理。基於這種情況，該塗佈裝置1的去除液噴嘴3最好是構成為不會因該翹曲而降低EBR處理的精度。具體而言，為了要抑制即使晶圓W具翹曲仍會偏離從晶圓W的端緣到供應位置P(參考圖3)的距離並防止切割寬度偏離設定值，針對圖3中說明過之去除液噴嘴3的夾角θ，設定在趨近0°的值(具體上，例如設定在0°~5°，更好是設定在0°~3°)。此外，補足切割寬度則該切割寬度為藉由從去除液噴嘴3噴出的去除液對晶圓W的表面去除塗佈膜之環狀區域的寬度。
另外，針對以圖4作說明過的夾角Z，抑制越接近90°晶圓W的翹曲造成被設定之噴出位置與實際的噴出位置的偏差，切割寬度變成不易受翹曲的影響。但是當要如同已述說過的對以較高速旋轉的晶圓W噴出去除液時，由於可抑制夾角Z越接近0°去除液附著到晶圓W上時的壓力，晶圓W表面上去除液飛濺的抑制效果變高。因此如同上述當夾角θ設定在0°~5°時，夾角Z最好是設為5°~20°。
以下詳述為了要確認該夾角θ、夾角Z的適當值而進行之評估測試。該評估測試在進行測試前預先測量晶圓W的翹曲量，參考圖20說明該翹曲的測量。圖20中，晶圓W的表面以W1表示而背面以W2表示。圖中，圖號51為晶圓W的載置部，以從下方只支撐晶圓W的周緣部的方式載置晶圓W。圖號52為雷射位移感測器，為了要測量被載置在載置部51之晶圓W上面各部位的高度而被構成為將晶圓W的上方相對於該晶圓W橫向移動自如。
在如圖20(a)所示晶圓W的表面W1朝上載置在載置部51的狀態下取得晶圓W的表面W1內各部位的高度，從被取得之各部位的高度取得翹曲量(表面翹曲量)。另外在如圖20(b)所示背面W2朝上載置晶圓W的狀態下取得晶圓W的背面W2內各部位的高度，從被取得之各部位的高度取得翹曲量(背面翹曲量)。然而以表面翹曲量及背面翹曲量的平均值作為晶圓W的翹曲量。載置部51只支撐晶圓W的表面一部分，晶圓W因自重而變形，所以如此經由根據表面翹曲量和背面翹曲量算出晶圓W的翹曲量，得以忽略該自重造成的測量誤差。針對該表面翹曲量，例如測量表面1內多點的高度，由取得之所有點的高度藉由最小平方法算出基準面的高度，與被測量的點當中的最高點高度相對該基準面的距離及與被測量的點當中的最低點高度相對該基準面的距離兩者相加而算出。背面翹曲量則用與算出該表面側翹曲量的方法相同的方法算出。
後述的評估測試中，如圖20所示將晶圓W的表面朝上時晶圓W的全圓周周緣部高度比中心高度高之晶圓W以凹型晶圓W記載。另外，將晶圓W的表面朝上時晶圓W的全圓周周緣部高度比中心高度低之晶圓W以凸型晶圓W記載。另外，沿著晶圓W的周向觀看時以晶圓W周端的高度分別位於比晶圓W的中心更往上側、更往下側的方式翹曲之晶圓W以凹凸型晶圓W記載。
(評估測試8) 評估測試8中，針對翹曲量彼此相異之晶圓W，將切割寬度設定在1mm進行EBR處理，處理後測量晶圓W圓周的多個部位的切割寬度，算出該切割寬度的平均值。該EBR處理用設定成夾角θ和夾角Z的組和彼此相異之3個去除液噴嘴3中其中1個進行。3個去除液噴嘴3當中的1個設定在θ＝0°、Z＝10°，該噴嘴設為3-1。去除液噴嘴3當中的另1個設定在θ＝8.5°、Z＝30°，該噴嘴設為3-2。去除液噴嘴3當中最後1個設定在θ＝30°、Z＝30°，該噴嘴設為3-3。針對晶圓W，用無翹曲即翹曲量0μm、上述圖20中的凹型晶圓W其翹曲量為196μm、凸型晶圓W其翹曲量為232μm之晶圓W進行測試。
圖21中的圖形表示評估測試8的結果。該圖形中，橫軸表示晶圓W的翹曲量(單位：μm)，縱軸表示切割寬度的平均值(單位：mm)，凹型晶圓W的翹曲量附註＋的符號，凸型晶圓W的翹曲量附註－的符號。如圖形所示用噴嘴3-3時，晶圓W有翹曲，則切割寬度的平均值比設定值的1mm有較大的偏差。用噴嘴3-2時與用噴嘴3-3時作比較，該偏差受到抑制。但是翹曲量為＋196μm時切割寬度的平均值與設定值1mm的偏差量比實用上水準稍偏大。用噴嘴3-1時，翹曲量為0μm、＋196μm、－232μm時所有切割寬度的平均值與切割寬度的設定值大致一致。因此由評估測試8確認在晶圓W的翹曲量為＋196μm~232μm的範圍內用該噴嘴3-3時有效提高切割寬度的精度。
從用夾角θ、Z當中只θ值不同之噴嘴3-2、3-3的各結果得知，經由變更夾角θ，可抑制晶圓W的翹曲造成切割寬度平均值的變動。然而，當用θ＝0°的噴嘴3-1時，可充分抑制切割寬度平均值相對切割寬度設定值的偏差。另外，θ＝8.5°則如同上述該偏差量稍大。因此，被認為比0°以上~8.5°低若干的值，具體而言例如如同上述若為θ＝0°~ 8.5°的話可充分抑制該偏差。另外，考量到用噴嘴3-1時Z的值為10°，雖切割寬度的平均值與翹曲量的偏差被抑制，但用角度Z的值為30°之噴嘴3-2、3-3時該偏差較大，則夾角Z最好是在10°左右，例如最好是如同上述在5°~ 20°。
(評估測試9) 評估測試9中，用評估測試8所用的噴嘴3-1、3-2或3-3，對翹曲量為428μm之凹凸型晶圓W進行EBR處理，測量晶圓W在圓周方向上各位置的EBR切割寬度，算出最大值－最小值，作為針對該切割寬度的偏差。該評估測試9中，切割寬度的設定值也設定在1mm。
圖22的圖形為描繪評估測試9的結果，圖形上，縱軸表示切割寬度(單位：mm)。有針對割寬度的偏差(大值－最小值)，用噴嘴3-1時為0.041mm，用噴嘴3-2時為0.099mm，用噴嘴3-1時為0.205mm。如此用噴嘴3-1時，切割寬度的偏差最被抑制。因此，從評估測試8、9中確認即使在處理凹型晶圓W、凸型晶圓W、凹凸型晶圓W中任何一種時用噴嘴3-1皆可提高切割寬度的精度。
(評估測試10) 評估測試10-1中，針對翹曲量為150μm的多個凹型晶圓W，分別變更去除液噴嘴3的夾角θ進行EBR處理，測量切割寬度的偏差。另外，評估測試10-2中，針對翹曲量為250μm的多個凸型晶圓W，分別變更去除液噴嘴3的夾角θ進行EBR處理，測量切割寬度的偏差。評估測試10-1、10-2中，如在已述說過的圖3或圖23中以實線表示來配置去除液噴嘴3而平面觀看以從晶圓W的內方向外方噴出去除液的方式設定夾角θ，另外如圖23中以點劃線表示來配置去除液噴嘴3，以從晶圓W的外方向內方噴出去除液的方式設定夾角θ進行測試。本評估測試10中，以去除液的噴出方向從晶圓W的內方向外方的方式設定夾角θ時該夾角θ的數字附註＋的符號，以該噴出方向從晶圓W的外方向內方的方式設定夾角θ時該夾角θ的數字附註－的符號。此外，圖23中晶圓W的切線以L1表示，通過供應位置P(從去除液噴嘴3噴出的液劑在晶圓W上的附著位置)，與切線L1平行的線以L表示。
圖24、圖25中的各圖形分別表示評估測試10-1、10-2的結果。各圖形中，縱軸表示切割寬度的偏差(單位：mm)，橫軸表示夾角θ。如圖形所示隨著夾角θ的絕對值變大致使切割寬度的偏差變大。實用上將該切割寬度的偏差抑制在0.1mm以下最佳。評估測試10-1、10-2中均在夾角θ為－3 °~ ＋3 °的範圍內，那樣切割寬度的偏差為0.1mm。因此，確認在晶圓W的翹曲量為＋150μm~ －250μm的範圍內，經由將夾角θ設定在那樣的範圍內，可抑制切割寬度的偏差。在夾角θ為－時由於會有去除液移動到比供應位置P更晶圓W的中心側並切割寬度偏離期待值的顧慮，夾角θ最好是0°以上。因此夾角θ最好是設為0°~ ＋3 °
1‧‧‧塗佈裝置11‧‧‧旋轉卡盤21‧‧‧旋轉機構3‧‧‧去除液噴嘴30‧‧‧噴出口7‧‧‧控制部W‧‧‧晶圓P‧‧‧供應位置
圖1係表示應用塗佈膜去除裝置之塗佈裝置的一個實施形態之縱向側視圖。 圖2係表示塗佈裝置之俯視圖。 圖3係被設置在塗佈裝置的去除液噴嘴之俯視圖。 圖4係表示去除液噴嘴之縱向側視圖。 圖5(a)~(d)係表示塗佈裝置的作用之縱向側視圖。 圖6(a)~(d)係表示塗佈裝置的作用之縱向側視圖。 圖7係表示評估測試的結果之特性圖。 圖8係表示評估測試的結果之特性圖。 圖9係表示評估測試的結果之特性圖。 圖10係表示評估測試的結果之特性圖。 圖11係表示評估測試的結果之特性圖。 圖12係表示評估測試的結果之特性圖。 圖13係表示評估測試的結果之特性圖。 圖14係表示評估測試的結果之特性圖。 圖15係表示評估測試的結果之特性圖。 圖16係表示評估測試的結果之特性圖。 圖17係表示評估測試的結果之特性圖。 圖18係表示評估測試的結果之特性圖。 圖19係表示評估測試的結果之特性圖。 圖20(a)~(b)係晶圓之縱向側視圖。 圖21係表示評估測試的結果之特性圖。 圖22係表示評估測試的結果之特性圖。 圖23係前述晶圓和前述去除液噴嘴之俯視圖。 圖24係表示評估測試的結果之特性圖。 圖25係表示評估測試的結果之特性圖。
3‧‧‧去除液噴嘴
10‧‧‧塗佈膜
11‧‧‧旋轉卡盤
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧斜面部位

Claims (13)

  1. 一種塗布膜去除裝置，係藉由去除液將對圓形基板的表面供應塗佈液而形成之塗佈膜的周緣部予以去除，其特徵為具備：旋轉保持部，保持並旋轉基板；去除液噴嘴，係以使去除液朝向基板旋轉方向的下游側的方式，對被保持在該旋轉保持部之基板的表面周緣部噴出去除液；及控制部，其輸出控制訊號，以於噴出去除液時令基板以2300rpm以上的轉速旋轉；該控制部輸出控制訊號，用以執行下列2個步驟：第1步驟，在該基板以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下，使該去除液的供應位置從基板表面的周緣位置移動到比該周緣位置更靠近基板的中心部之塗佈膜的切割位置的同時從該去除液噴嘴噴出去除液；及第2步驟，於該供應位置到達該切割位置後，在1秒內從該切割位置往基板的周緣側離開。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之塗布膜去除裝置，其中，該控制部輸出控制訊號，用以執行以下的步驟：該步驟為在該第2步驟後，將該供應位置設定在該切割位置與該周緣位置之間或設定在該周緣位置，使基板以比該第1轉速低的第2轉速旋轉的同時從該去除液噴嘴噴出去除液。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之塗布膜去除裝置，其中，該第2轉速設定為500~2000rpm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之塗布膜去除裝置，其中，該控制部輸出用以重複進行該第1步驟和第2步驟多次之控制訊號。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之塗布膜去除裝置，其中，將俯視觀看時，連結該去除液噴嘴的噴出口和供應位置的直線、與在該供應位置處之基板的切線所形成的夾角設定在6°以內。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之塗布膜去除裝置，其中，當在鉛直面觀察時，將該去除液噴嘴和供應位置連結的直線、與基板的表面所形成的夾角設定在20°以下。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之塗布膜去除裝置，其中，該去除液噴嘴之噴出口的口徑設定在0.15~0.25mm。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之塗布膜去除裝置，其中，該供應位置從周緣部移動到切割位置時去除液的噴出流量設定在55ml/分以上。
  9. 一種塗布膜去除方法，係藉由去除液將對圓形基板的表面供應塗佈液而形成之塗佈膜的周緣部予以去除，其特徵為包含下列2個程序： 將基板水平地保持在保持部之程序；及之後，在使基板以2300rpm以上的轉速旋轉的狀態下，從去除液噴嘴朝向基板旋轉方向的下游側對基板表面的周緣部噴出去除液之程序；該塗布膜去除方法更包含：第1程序，在該基板以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下，使該去除液噴嘴的供應位置從基板表面的周緣位置移動到比該周緣位置更靠近基板的中心部之塗佈膜的切割位置的同時，從該去除液噴嘴噴出去除液；及第2程序，於該供應位置到達該切割位置後，在1秒內從該切割位置往基板的周緣側離開。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之塗布膜去除方法，其中，包含下列的程序：該程序為在該第2程序後，將該供應位置設定在該切割位置與該周緣位置之間或設定在該周緣位置，使基板以比該第1轉速低的第2轉速旋轉的同時，從該去除液噴嘴噴出去除液。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之塗布膜去除方法，其中，該第2轉速為500~2000rpm。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之塗布膜去除方法，其中，重複進行該第1程序和第2程序多次。
  13. 一種記錄媒體，記錄有用於塗布膜去除裝置的電腦程式， 該塗布膜去除裝置藉由去除液將對圓形基板的表面供應塗佈液而形成之塗佈膜的周緣部去除，該電腦程式之特徵為：包含執行申請專利範圍第9至12項中任一項所述之塗布膜去除方法之步驟群。
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