JP2010092532A - 磁気特性検査方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサユニット17は、微動ユニットによる支持によりX,Y,Z方向に微動可能である。この微動ユニットをX,Y方向に所定量だけ移動させ、その位置で薄膜磁気ヘッド素子のライト素子31が発生する磁界をセンサユニット17の磁気センサ175で読み取る。その際、センサユニット17はローバーへの対向面に凸部17a,17b,17cを有しているため、ローバー20にクラウン加工が施されていてもヘッド素子21と磁気センサ175の対向間隔を所定値に維持でき、ばらつきの無い測定値が得られる。
【選択図】図1
Description
前記センサ保持手段により前記磁気センサを前記磁界発生素子に近接する方向に駆動して前記凸部を前記磁界発生素子に接触させる第1工程と、
前記凸部の接触状態を維持して前記磁気センサと前記磁界発生素子との相対位置を所定の範囲内で変化させる第2工程と、
前記第2工程で変化させた前記相対位置において前記磁界発生素子の発生磁界を前記磁気センサで読み取る第3工程と、
前記第2及び第3工程を所定回数繰り返した後で、複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界に基づいて前記磁界発生素子の特性を評価する第4工程とを有するものである。
前記センサ保持手段により前記磁気センサを前記ローバーに近接する方向に駆動して前記凸部を前記ローバーに接触させる第1工程と、
前記凸部の接触状態を維持して前記磁気センサと前記ライト素子との相対位置を所定の範囲内で変化させる第2工程と、
前記第2工程で変化させた前記相対位置において前記ライト素子の発生磁界を前記磁気センサで読み取る第3工程と、
前記第2及び第3工程を所定回数繰り返した後で、複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界に基づいて前記ライト素子の特性を評価する第4工程とを有し、
複数のライト素子に関して前記第1ないし第4工程を実行するものである。
前記磁界発生素子の発生磁界を読み取る磁気センサを有するともに、前記磁界発生素子に対する前記磁気センサの対向間隔を所定値に維持するための凸部を有するセンサユニットと、
前記センサユニットを保持する、少なくとも一部に可撓性を有するセンサ保持手段と、
前記センサ保持手段を駆動して、前記磁界発生素子と前記磁気センサとの相対位置を制御する相対位置制御手段と、
前記相対位置制御手段によって前記磁界発生素子に前記磁気センサを接触させた状態としつつ前記相対位置を所定の範囲内で変化させ、複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界に基づいて前記磁界発生素子の特性を評価する検査ユニットとを備える。
前記薄膜磁気ヘッド素子のライト素子の発生磁界を読み取る磁気センサを有するともに、前記ローバーに対する前記磁気センサの対向間隔を所定値に維持するための凸部を有するセンサユニットと、
前記センサユニットを保持する、少なくとも一部に可撓性を有するセンサ保持手段と、
前記センサ保持手段を駆動して、前記ライト素子と前記磁気センサとの相対位置を制御する相対位置制御手段と、
前記相対位置制御手段によって前記ローバーに前記磁気センサを接触させた状態としつつ前記相対位置を所定の範囲内で変化させ、複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界に基づいて前記ライト素子の特性を評価する検査ユニットとを備える。
前記センサユニットを、前記ライト素子に対して相対的に、前記ローバーの長手方向に平行な第1の方向に移動可能な第1の移動手段と、前記第1の方向に直交し前記ローバーの磁界発生面に略平行な第2の方向に移動可能な第2の移動手段と、
前記センサユニットを、前記ライト素子に対して相対的に、前記ローバーの磁界発生面に接離自在とする第3の方向に移動可能な第3の移動手段とを有するとよい。
12 保持台
13 XY調整部
15 微動ユニット
16 センサホルダ
17 センサユニット
17a〜17h 凸部
18 狭焦点カメラ
19 検査ユニット
20 ローバー
21 薄膜磁気ヘッド素子
22 電極
31 ライト素子
41 リード素子
100 磁気特性検査装置
130 搬送ホルダ
172 DLC膜
175 磁気センサ
176,206 マーカー
201 筐体
205 制御盤
206 カバー
207 モニタ
210 供給部
215 搬送軸
220 排出部
300 固定・測定部
Claims (23)
- 所定の電流が供給されて前記所定の電流に基づく磁界を発生する磁界発生素子を検査対象とし、前記磁界発生素子の発生磁界を読み取る磁気センサを有するともに、前記磁界発生素子に対する前記磁気センサの対向間隔を所定値に維持するための凸部を有するセンサユニットと、
前記センサユニットを保持する、少なくとも一部に可撓性を有するセンサ保持手段とを用い、
前記センサ保持手段により前記磁気センサを前記磁界発生素子に近接する方向に駆動して前記凸部を前記磁界発生素子に接触させる第1工程と、
前記凸部の接触状態を維持して前記磁気センサと前記磁界発生素子との相対位置を所定の範囲内で変化させる第2工程と、
前記第2工程で変化させた前記相対位置において前記磁界発生素子の発生磁界を前記磁気センサで読み取る第3工程と、
前記第2及び第3工程を所定回数繰り返した後で、複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界に基づいて前記磁界発生素子の特性を評価する第4工程とを有する、磁気特性検査方法。 - 請求項1に記載の磁気特性検査方法において、前記磁界発生素子の磁界発生面が凸面である、磁気特性検査方法。
- 1対のライト素子とリード素子を有する薄膜磁気ヘッド素子が複数個1列に整列して一体とされ、個片に切断することで1つの薄膜磁気ヘッド素子をそれぞれ有する複数のスライダとなるローバーを検査対象とし、前記薄膜磁気ヘッド素子のライト素子の発生磁界を読み取る磁気センサを有するともに、前記ローバーに対する前記磁気センサの対向間隔を所定値に維持するための凸部を有するセンサユニットと、
前記センサユニットを保持する、少なくとも一部に可撓性を有するセンサ保持手段とを用い、
前記センサ保持手段により前記磁気センサを前記ローバーに近接する方向に駆動して前記凸部を前記ローバーに接触させる第1工程と、
前記凸部の接触状態を維持して前記磁気センサと前記ライト素子との相対位置を所定の範囲内で変化させる第2工程と、
前記第2工程で変化させた前記相対位置において前記ライト素子の発生磁界を前記磁気センサで読み取る第3工程と、
前記第2及び第3工程を所定回数繰り返した後で、複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界に基づいて前記ライト素子の特性を評価する第4工程とを有し、
複数のライト素子に関して前記第1ないし第4工程を実行する、磁気特性検査方法。 - 請求項3に記載の磁気特性検査方法において、前記センサユニットは磁界発生部をさらに有し、前記第3工程では前記薄膜磁気ヘッド素子の前記リード素子によって前記磁界発生部の発生する磁界を読み取り、当該読み取った磁界に基づいて前記第4工程で前記リード素子の特性も評価する、磁気特性検査方法。
- 請求項3又は4に記載の磁気特性検査方法において、前記ローバーの磁界発生面が凸面である、磁気特性検査方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載の磁気特性検査方法において、前記第4工程では、前記第3工程で前記磁界を読み取った前記磁気センサからの出力値を所定の基準値と比較することにより前記ライト素子の良否を判定する、磁気特性検査方法。
- 所定の電流が供給されて前記所定の電流に基づく磁界を発生する磁界発生素子を検査対象として所定位置に保持する素子保持手段と、
前記磁界発生素子の発生磁界を読み取る磁気センサを有するともに、前記磁界発生素子に対する前記磁気センサの対向間隔を所定値に維持するための凸部を有するセンサユニットと、
前記センサユニットを保持する、少なくとも一部に可撓性を有するセンサ保持手段と、
前記センサ保持手段を駆動して、前記磁界発生素子と前記磁気センサとの相対位置を制御する相対位置制御手段と、
前記相対位置制御手段によって前記磁界発生素子に前記磁気センサを接触させた状態としつつ前記相対位置を所定の範囲内で変化させ、複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界に基づいて前記磁界発生素子の特性を評価する検査ユニットとを備える、磁気特性検査装置。 - 請求項7に記載の磁気特性検査装置において、前記磁界発生素子の磁界発生面が凸面である、磁気特性検査装置。
- 1対のライト素子とリード素子を有する薄膜磁気ヘッド素子が複数個1列に整列して一体とされ、個片に切断することで1つの薄膜磁気ヘッド素子をそれぞれ有する複数のスライダとなるローバーを、所定位置に保持するローバー保持手段と、
前記薄膜磁気ヘッド素子のライト素子の発生磁界を読み取る磁気センサを有するともに、前記ローバーに対する前記磁気センサの対向間隔を所定値に維持するための凸部を有するセンサユニットと、
前記センサユニットを保持する、少なくとも一部に可撓性を有するセンサ保持手段と、
前記センサ保持手段を駆動して、前記ライト素子と前記磁気センサとの相対位置を制御する相対位置制御手段と、
前記相対位置制御手段によって前記ローバーに前記磁気センサを接触させた状態としつつ前記相対位置を所定の範囲内で変化させ、複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界に基づいて前記ライト素子の特性を評価する検査ユニットとを備える、磁気特性検査装置。 - 請求項9に記載の磁気特性検査装置において、前記ローバーの磁界発生面が凸面である、磁気特性検査装置。
- 請求項9又は10に記載の磁気特性検査装置において、前記相対位置制御手段は、前記ローバーを前記センサユニットに対して相対的に、前記ローバーの長手方向と平行に移動可能な直線移動手段と、
前記センサユニットを、前記ライト素子に対して相対的に、前記ローバーの長手方向に平行な第1の方向に移動可能な第1の移動手段と、前記第1の方向に直交し前記ローバーの磁界発生面に略平行な第2の方向に移動可能な第2の移動手段と、
前記センサユニットを、前記ライト素子に対して相対的に、前記ローバーの磁界発生面に接離自在とする第3の方向に移動可能な第3の移動手段とを有する、磁気特性検査装置。 - 請求項11に記載の磁気特性検査装置において、前記第1ないし第3の移動手段のうち、少なくともひとつはピエゾ素子を用いたものである、磁気特性検査装置。
- 請求項9から12のいずれかに記載の磁気特性検査装置において、前記センサユニットと前記ローバーとを撮像可能な撮像装置と、前記撮像装置の撮像信号を画像処理する画像処理装置とを有し、前記センサユニット及び前記ローバーにそれぞれ設けられたマーカーを前記撮像装置で撮像し、各マーカーを基準として、前記センサユニットと前記ライト素子との位置合わせを行う、磁気特性検査装置。
- 請求項13に記載の磁気特性検査装置において、前記画像処理装置は、各マーカを撮像した撮像信号の画像処理によって、前記撮像装置の光軸と略垂直な第1の軸方向の位置合わせと共に、前記撮像装置の光軸と略平行な第2の軸方向に対しての位置合わせを行なう、磁気特性検査装置。
- 請求項14に記載の磁気特性検査装置において、前記撮像装置は高倍率狭焦点カメラであり、前記第2の軸方向に対しての位置合わせは、前記高倍率狭焦点カメラにより撮像された各マーカのコントラスト差によって、各マーカの前記第2の軸方向における距離を測定することにより行う、磁気特性検査装置。
- 請求項9から15のいずれかに記載の磁気特性検査装置において、前記検査ユニットは、前記磁界を読み取った結果としての前記磁気センサからの出力値を所定の基準値と比較することにより前記ライト素子の良否を判定するものである、磁気特性検査装置。
- 請求項9から16のいずれかに記載の磁気特性検査装置において、前記センサユニットは磁界発生部をさらに有し、前記薄膜磁気ヘッド素子の前記リード素子によって前記磁界発生部の発生する磁界を読み取った結果に基づいて前記検査ユニットが前記リード素子の特性も評価する、磁気特性検査装置。
- 請求項7から17のいずれかに記載の磁気特性検査装置において、前記センサユニットに前記凸部が少なくとも2カ所設けられている、磁気特性検査装置。
- 請求項7から18のいずれかに記載の磁気特性検査装置において、前記磁気センサを覆う位置に前記凸部が位置するか、あるいは前記凸部に前記磁気センサが含まれている、磁気特性検査装置。
- 請求項18に記載の磁気特性検査装置において、対をなした前記凸部の間に前記磁気センサが位置している、磁気特性検査装置。
- 請求項7から20のいずれかに記載の磁気特性検査装置において、前記凸部の少なくとも表面がDLC膜である、磁気特性検査装置。
- 請求項21に記載の磁気特性検査装置において、前記DLC膜の膜厚を変化させることによって、前記磁気センサと、前記ローバー側の薄膜磁気ヘッド素子との対向間隔を制御する、磁気特性検査装置。
- 請求項22に記載の磁気特性検査装置において、前記DLC膜の膜厚は最大50nmである、磁気特性検査装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9837108B2 (en) | 2010-11-18 | 2017-12-05 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensor and a method and device for mapping the magnetic field or magnetic field sensitivity of a recording head |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0490118A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-24 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド素子の電磁変換特性測定方法 |
JP2000076633A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドの検査素子及びウエハ |
JP2000155921A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-06-06 | Alps Electric Co Ltd | 浮上式磁気ヘッドのクラウン形成方法及びクラウン形成装置 |
JP2002092833A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録装置 |
JP2002216326A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド試験装置 |
JP2003077109A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド検査装置及び磁気ヘッド検査方法 |
JP2003217245A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-31 | Hitachi Ltd | 記憶装置およびヘッドジンバルアセンブリ |
JP2004253133A (ja) * | 2004-05-06 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | 記録装置 |
JP2005093046A (ja) * | 2004-09-01 | 2005-04-07 | Agilent Technol Inc | 磁気ヘッドを試験する方法および装置 |
JP2005302070A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 薄膜磁気ヘッドおよびヘッド・ジンバル・アセンブリ |
JP2008146787A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Shinka Jitsugyo Kk | スライダの製造方法 |
JP2009277328A (ja) * | 2008-05-17 | 2009-11-26 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド素子の特性検査方法及び装置 |
-
2008
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0490118A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-24 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド素子の電磁変換特性測定方法 |
JP2000076633A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドの検査素子及びウエハ |
JP2000155921A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-06-06 | Alps Electric Co Ltd | 浮上式磁気ヘッドのクラウン形成方法及びクラウン形成装置 |
JP2002092833A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録装置 |
JP2002216326A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド試験装置 |
JP2003077109A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド検査装置及び磁気ヘッド検査方法 |
JP2003217245A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-31 | Hitachi Ltd | 記憶装置およびヘッドジンバルアセンブリ |
JP2005302070A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 薄膜磁気ヘッドおよびヘッド・ジンバル・アセンブリ |
JP2004253133A (ja) * | 2004-05-06 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | 記録装置 |
JP2005093046A (ja) * | 2004-09-01 | 2005-04-07 | Agilent Technol Inc | 磁気ヘッドを試験する方法および装置 |
JP2008146787A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Shinka Jitsugyo Kk | スライダの製造方法 |
JP2009277328A (ja) * | 2008-05-17 | 2009-11-26 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド素子の特性検査方法及び装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9837108B2 (en) | 2010-11-18 | 2017-12-05 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensor and a method and device for mapping the magnetic field or magnetic field sensitivity of a recording head |
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