JPH0490118A - 薄膜磁気ヘッド素子の電磁変換特性測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、薄膜磁気ヘッド素子の電磁変換特性測定方法
に関し、ヘッドピース集合体に整列して設けられた複数
の薄膜磁気ヘッド素子のスロートハイトが、薄膜磁気ヘ
ッド素子毎に異なるように、ヘッドピース集合体を構成
するセラミック構進体の端面を研磨し、薄膜磁気ヘッド
素子のそれぞれについて、スロートハイトと電磁変換特
性との関係を測定することにより、種々のスロートハイ
トと共に、各スロートハイトに対応する電磁変換特性の
データを得て、所要の電磁変換特性を有する薄膜磁気ヘ
ッドを高歩留で製造で参るようにしたものである。

〈従来の技術〉 薄Ｍｌｉｉ１気ヘッドにおいて、電磁変換特性を定める
重要な一つの要素にスロートハイトがある。スロートハ
イトと電磁変換特性との関係については、例えば特開昭
５５−８４０１９号公報に記載されている。薄膜磁気ヘ
ッドは、上記公開公報に開示されているように、コイル
膜とともに磁気回路を構成する下部磁性膜及び上部磁性
膜の各ポール部のうち、上部磁性膜のポール部は、セラ
ミック構造体の面に対して実質的に平行となるように形
成された先端部領域の後方に、セラミック構造体の面か
ら離れる方向に立ち上が変位領域を有し、変位領域を経
てヨークに連なっている。ポール部の先端から変位点ま
での深さが、通常、スロートハイトまたはギャップディ
ブスと呼ばれている。スロートハイトは、例えば１μｍ
程度の微小寸法であって、電磁変換特性を定めるのに極
めて重要な部分である。従って、所定の電磁変換特性を
得るためには、スロートハイトを高精度で設定しなけれ
ばならない。スロートハイトが所定の寸法から外れると
、規格外製品となり歩留りの低下を招く。

スロートハイトを設定する手段として、従来は、ウェハ
ーからバー状に切出されたヘッドピース集合体の状態で
、ポール部の端部が現れる端面を、薄膜磁気ヘッド素子
毎に設けられた加工マークを基準にして、所定のスロー
トハイトが得られる位置まで研磨していた。加工マーク
は、薄膜磁気ヘッド素子のそれぞれにおいて、スロート
ハイトを定める基準となる変位開始点に対して、所定の
位置関係となるように付されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、ウェハー間の製造条件は必ずしモ一定テ
はなく、ウェハー上でのフォトリングラフィ工程におけ
るマスクずれや、眉間絶縁膜のキュア条件の変動等によ
って、ウェハー毎にかなりの変動を生じるのが普通であ
り、実際に得られたベツドピース集合体に対して、設計
上のデータに基づくスロートハイトとなるように研磨を
施しても、予定した電磁変換特性が得られるとは限らな
い。このため、一定の電磁変換特性を有する薄膜磁気ヘ
ッドを、歩留よく製造することが困難であった。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、種々のスロートハイトと、対応する電磁変換特性の
データを得て、所要の電磁変換特性を有する薄１ｇ！磁
気ヘッドを高歩留で製造できるようにした薄膜磁気ヘッ
ド素子の電磁変換特性測定方法を提供することである。

く課題を解決するための手段〉 上述した課題解決のため、本発明は、セラミック構造体
の一面上に複数の薄膜磁気ヘッド素子を設けたベツドピ
ース集合体の状態で、前記薄膜磁気ヘッド素子の電磁変
換特性を測定する方法であって、 前記薄膜磁気ヘッド素子のそれぞれは、磁気回路を構成
する下部磁性膜、上部磁性膜及びコイル膜を有していて
、前記セラミック構造体の一方向に間隔をおいて整列さ
れており、 前記下部磁性膜及び前記上部磁性膜は、ギャップ膜を介
して対向するポール部と、前記ポール部に連なり後方領
竣石いて互いに結合されるヨーク部とを有しており、 前記上部磁性膜のポール部は、前記セラミック構造体の
面に対して実質的に平行となるように形成された先端部
領域の後方に、前記セラミック構造体の前記一面から離
れる方向に立ち上がる変位領域を有し、前記変位領域を
経て前記ヨーク部に連なっており１ 前記ポール部の先端から前記変位領域の変位開始点まで
の深さで与えられるスロートハイトが、前記薄膜磁気ヘ
ッド素子の整列方向において薄膜磁気ヘッド素子毎に異
なるように、前記ポール部の先端が現われる前記セラミ
ック構造体の端面を研磨し、 前記薄膜磁気ヘッド素子のそれぞれについて、前記スロ
ートハイトと前記電磁変換特性との関係を測定すること を特徴とする。

〈作用〉 スロートハイトが、薄膜磁気ヘッド素子の整列方向にお
いて磁気ヘッド素子毎に異なるように、ポール部の先端
が現われるセラミック構造体の端面を研磨し、薄膜磁気
ヘッド素子のそれぞれについて、スロートハイトと電磁
変換特性との関係を測定するので、種々のスロートハイ
トと共に、各スロートハイトに対応する電磁変換特性の
データを得ることができる。

この測定工程に付された薄膜磁気ヘッド素子と同一のウ
ェハー内の薄膜磁気ヘッド素子であれば、マスク位置、
層間絶縁膜のキュア等の製造条件が同じであると見るこ
とができるから、スロートハイトと電磁変換特性との相
関関係は、先に得られた結果とほぼ同一と推定しても、
大きな誤りは生じない。

従って、得られたスロートハイトと、対応する電磁変換
特性との関係を基礎として、同一ウェハー内の他の薄膜
磁気ヘッド素子の研磨量を設定することにより、所要の
電磁変換特性を有する薄膜磁気ヘッドを歩留よく製造で
きる。

〈実施例〉 第１図は薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性測定方法の一例
を示している。第１図のうち、第１図（ａ）、（ｂ）は
薄膜磁気ヘッドの通常の製造工程の一部でもある。まず
、第１図（ａ）に示すように、１面側に多数の薄膜磁気
ヘッド素子Ｑ１〜Ｑｎを格子状に整列したウェハー１を
製造する。

ウェハー１は、例えばＡｌ２Ｏ！・ＴｉＣ等のセラミッ
ク構造体で構成されていて、薄膜磁気ヘッド素子Ｑ１〜
Ｑｎは、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁膜を介して、ウェハー１の
１面側に形成されている。

薄膜磁気ヘッド素子Ｑ１〜Ｑｎは、周知のように、フォ
トリソグラフィを主体とした高精度パターン形成技術に
よって形成される。第２図は薄膜磁気ヘッド素子ＱＩ−
Ｑｎの平面拡大部分破断面図、第３図は同じく第２図Ａ
　１Ａ　１線上における断面図を示している。第２図及
び第３図はスケールを異ならせて示しである。図におい
て、ウェハー１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣでなる基体１ａの
表面にＡｌ２Ｏ３でなる絶縁膜１ｂを被着させ、この絶
縁膜１ｂの上に、薄膜磁気ヘッド素子Ｑ＋〜Ｑ、を形成
しである。薄膜磁気ヘッド素子Ｑｌ−Ｑｎは、下部磁性
＠２、ギャップ膜３、上部磁性膜４、コイル膜５及び眉
間絶縁［６の薄膜積層構造を有し、全体をＡｌ２Ｏ３等
の保護膜７によ）て被覆した構造となっている。

下部磁性膜２及び上部磁性ｗＡ４はギャップＭ３を介し
て対向するポール部２１．４１と、ポール部２１．４１
に連続するヨーク部２２．４２とを有している。上部磁
性膜４のポール部４１はセラミック構造体であるウェハ
ー１の面に対して実質的に平行となるように形成された
先端部領域４１１の後方に、ウェハー１の面から離れる
方向に立ち上がる変位領域４１２を有し、変位領域４１
２を経てヨーク４２に連なっている。ポール部４１の先
端から変位開始点Ｙまでの深さＴｈがスロートハイトで
ある。ヨーク２２及びヨーク４２は後方領域で磁気回路
を完成するように結合されている。

薄膜磁気ヘッド素子Ｑ、〜Ｑｎのそれぞれは、第２図に
示すように、加工マーク８を有している。加工マーク８
は、薄膜磁気ヘッド素子Ｑ１〜Ｑ、のそれぞれにおいて
、スロートハイトＴｈを定める基準となる変位開始点Ｙ
に対して、所定の位置関係となるように付されている。

再び、第１図を参照して説明する。ウェハー１を切断位
置（Ｘｏ　−Ｘｏ）　〜（Ｘ、−Ｘ、）で列単位で切断
して、第１図（ｂ）に示すように、複数の薄膜磁気ヘッ
ド素子Ｑ　ｒ１％Ｑ　ｒ２、Ｑｒ３−　、　、　、を含
むバー状のヘッド集合体Ｈな取り出す。

次に、第１図（Ｃ）に示すように、取出されたヘッド集
合体Ｈの一つを、治具９に接着し、ポール部２１．４１
の端部の現れる端面２Ａを研磨する、研磨に当っては、
スロートハイトＴｈ　（ｉ２図及び第３図参照）が、薄
膜磁気ヘッド素子Ｑｒ＋、Ｑｒ２、Ｑｒｓ、−−、の整
列方向において薄膜磁気ヘッド素子毎に異な゛るように
研磨する。通常は、変位開始点Ｙを間接的に表示する加
工マーク８の位置Ｙ０に対して研磨面２Ａが角度θで傾
斜するように研磨する。鎖線Ｙ１は最終研磨位置の例を
示している。

この研磨工程により、第１図（ｄ）に示すように、スロ
ートハイトＴｈが、薄膜磁気ヘッド素子Ｑｒ＋、Ｑｒｚ
、Ｑｒｓ９．−　、の整列方向において薄Ｉｌｊ磁気ヘ
ッド素子毎に異なるヘッドピース集合体Ｈが得られる。

このようにして得られたベツドピース集合体について、
薄膜磁気ヘッド素子Ｑｒ＋、Ｑｒ２、Ｑｒｓ−、−−の
それぞれについて、スロートハイ）−Ｔｈと電磁変換特
性との関係を測定する。測定値はコンピュータ等でデー
タ処理する。

上述の測定工程に付されたヘラとピース集合体Ｈと同一
のウェハーから得られたベツドピース集合体であれば、
製造条件が同じであると見ることができるから、スロー
トハイトＴｈと電磁変換特性は、先に得られた結果とほ
ぼ同一と推定しても、大きな誤りは生じない。

従って、得られたスロートハイトＴｈと、電磁変換特性
との関係を基礎として、同一ウェハー内の他の薄膜磁気
ヘッド素子の研磨量を設定することにより、所要の電磁
変換特性を有する薄膜磁気ヘッドを歩留よく製造できる
。

ヘッドピース集合体の研磨は、特開平１−１５３２６４
号公報、特開平１−１５３２６５号公報等に開示された
技術を適用して実行できる。

実施例では、２つの素子を有する薄膜磁気ヘッド素子を
示したが、１つの素子だけを有する構造であってもよい
。また、媒体対向面側にレールを有するタイプのものも
、レールを有しないタイプのものにも適用できる。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明は、スロートハイトが、薄膜
磁気ヘッド素子の整列方向において磁気ヘッド素子毎に
異なるように、ポール部の先端が現われるセラミック構
造体の端面を研磨し、薄膜磁気ヘッド素子のそれぞれに
ついて、スロートハイトと電磁変換特性との関係を測定
するので、種々のスロートハイトと、対応する電磁変換
特性のデータを得て、所要の電磁変換特性を有する薄膜
磁気ヘッドを高歩留で製造できるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
電磁変換特性測定方法を示す図、第２図はウェハー上の
薄膜磁気ヘッド素子の平面拡大部分破断面図、第３図は
同じく第２図Ａ、−Ａ、線上における断面図である。 １＋壷−ウェハー Ｑ１〜Ｑ、　・・・薄膜磁気ヘッド素子Ｈ・・・ヘッド
集合体　　２・・・下部磁性膜３・・・ギャップ膜　　
　４・・・上部磁性膜５・・・コイル膜 Ｔｈ・・・スロートハイト Ｙ・・・変位開始点 ×ｍ 第１図 （ｂ） Ｘ＾ 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック構造体の一面上に複数の薄膜磁気ヘッ
   ド素子を設けたヘッドピース集合体の状態で、前記薄膜
   磁気ヘッド素子の電磁変換特性を測定する方法であって
   、 前記薄膜磁気ヘッド素子のそれぞれは、磁気回路を構成
   する下部磁性膜、上部磁性膜及びコイル膜を有していて
   、前記セラミック構造体の一方向に間隔をおいて整列さ
   れており、前記下部磁性膜及び前記上部磁性膜は、ギャ
   ップ膜を介して対向するポール部と、前記ポール部に連
   なり後方領域において互いに結合されるヨーク部とを有
   しており、 前記上部磁性膜のポール部は、前記セラミック構造体の
   面に対して実質的に平行となるように形成された先端部
   領域の後方に、前記セラミック構造体の前記一面から離
   れる方向に立ち上がる変位領域を有し、前記変位領域を
   経て前記ヨーク部に連なっており、 前記ポール部の先端から前記変位領域の変位開始点まで
   の深さで与えられるスロートハイトが、前記薄膜磁気ヘ
   ッド素子の整列方向において薄膜磁気ヘッド素子毎に異
   なるように、前記ポール部の先端が現われる前記セラミ
   ック構造体の端面を研磨し、 前記薄膜磁気ヘッド素子のそれぞれについて、前記スロ
   ートハイトと前記電磁変換特性との関係を測定すること を特徴とする薄膜磁気ヘッド素子の電磁変換特性測定方
   法。