JP4305784B1 - 薄膜磁気ヘッド素子の特性検査方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサユニット17は、微動ユニット15による支持によりX,Y,Z方向に微動可能である。この微動ユニット15をX,Y方向に所定量だけ移動させ、その位置で薄膜磁気ヘッド素子21が発生する磁界をセンサユニット17で読み取り、読み取った結果としてセンサユニット17から出力される電圧を記録する。これを所定回数繰り返して得られた記録データに基づいて薄膜磁気ヘッド素子21の記録特性を検査ユニット19が評価する。
【選択図】図1
Description
磁気センサを有するセンサユニットと、
1対のライト素子とリード素子を有する薄膜磁気ヘッド素子が複数個1列に整列して一体とされ、個片に切断することで1つの薄膜磁気ヘッド素子をそれぞれ有する複数のスライダとなるローバーとを用い、
前記磁気センサで読み取った前記ローバーに含まれる所定のライト素子の発生する磁界の測定値が前記ライト素子の磁界発生面に平行な第1及び第2の方向に関する所定位置において所定の条件を満たすように、前記磁界発生面と垂直な第3の方向についての前記ライト素子と前記磁気センサとの相対位置を、前記センサユニットを前記ライト素子に対して相対的に前記第3の方向に微動させるとともに前記ライト素子の発生する前記磁界を前記磁気センサで読み取りながら決定する第1工程と、
前記第1工程で決定した前記第3の方向についての前記相対位置を維持しながら前記磁気センサと前記ライト素子との前記第1及び第2の方向に関する相対位置を所定の範囲内で変化させる第2工程と、
前記第2工程で変化させた前記相対位置において前記ライト素子の発生する磁界を前記磁気センサで読み取る第3工程と、
前記第2及び第3工程を所定回数繰り返した後で、前記第1及び第2の方向に関する複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界の測定値に基づいて前記ライト素子の特性を評価する第4工程とを有し、
前記ローバーに含まれる複数のライト素子に関して前記第1ないし第4工程を実行するものである。
1対のライト素子とリード素子を有する薄膜磁気ヘッド素子が複数個1列に整列して一体とされ、個片に切断することで1つの薄膜磁気ヘッド素子をそれぞれ有する複数のスライダとなるローバーを、所定位置に保持する保持手段と、
前記ローバーに含まれる所定のライト素子の発生する磁界を読み取る磁気センサを有するセンサユニットと、
前記センサユニットと前記ライト素子との相対位置を制御する相対位置制御手段と、
前記相対位置制御手段によって所定の範囲内で変化させた複数の相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界の測定値に基づいて前記ライト素子の特性を評価する検査ユニットとを備え、前記相対位置制御手段は、
前記センサユニットを前記ローバーに対して相対的に、前記ローバーの長手方向と平行に移動可能な直線移動手段と、
前記センサユニットを前記ライト素子に対して相対的に、前記ライト素子の磁界発生面に平行な第1及び第2の方向にそれぞれ微動可能な第1及び第2の微動手段と、
前記センサユニットを前記ライト素子に対して相対的に、前記磁界発生面と垂直な第3の方向に微動可能な第3の微動手段とを有し、本特性検査装置は、
前記磁気センサで読み取った前記磁界の測定値が前記第1及び第2の方向に関する所定位置において所定の条件を満たすように、前記第3の微動手段によって前記第3の方向についての前記相対位置を、前記ライト素子の発生する前記磁界を前記磁気センサで読み取りながら決定し、
当該決定した前記第3の方向についての前記相対位置を維持しながら前記第1及び第2の微動手段によって変化させた前記第1及び第2の方向についての複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界の測定値に基づいて前記ライト素子の特性を前記検査ユニットが評価するものであり、前記ローバーに含まれる複数のライト素子の特性を評価するものである。
12 固定台
13 X方向移動軸
14 直線移動ユニット
15 微動ユニット
16 センサホルダ
17 センサユニット
18 撮像装置
19 検査ユニット
20 ローバー
21 薄膜磁気ヘッド素子
22 電極
31 ライト素子
41 リード素子
100 薄膜磁気ヘッド素子の特性検査装置
130 搬送ホルダ
170 検査ユニット
201 筐体
205 制御盤
206 カバー
207 モニタ
210 供給部
215 搬送軸
220 排出部
Claims (10)
- 磁気センサを有するセンサユニットと、
1対のライト素子とリード素子を有する薄膜磁気ヘッド素子が複数個1列に整列して一体とされ、個片に切断することで1つの薄膜磁気ヘッド素子をそれぞれ有する複数のスライダとなるローバーとを用い、
前記磁気センサで読み取った前記ローバーに含まれる所定のライト素子の発生する磁界の測定値が前記ライト素子の磁界発生面に平行な第1及び第2の方向に関する所定位置において所定の条件を満たすように、前記磁界発生面と垂直な第3の方向についての前記ライト素子と前記磁気センサとの相対位置を、前記センサユニットを前記ライト素子に対して相対的に前記第3の方向に微動させるとともに前記ライト素子の発生する前記磁界を前記磁気センサで読み取りながら決定する第1工程と、
前記第1工程で決定した前記第3の方向についての前記相対位置を維持しながら前記磁気センサと前記ライト素子との前記第1及び第2の方向に関する相対位置を所定の範囲内で変化させる第2工程と、
前記第2工程で変化させた前記相対位置において前記ライト素子の発生する磁界を前記磁気センサで読み取る第3工程と、
前記第2及び第3工程を所定回数繰り返した後で、前記第1及び第2の方向に関する複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界の測定値に基づいて前記ライト素子の特性を評価する第4工程とを有し、
前記ローバーに含まれる複数のライト素子に関して前記第1ないし第4工程を実行する、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査方法。 - 請求項1に記載の特性検査方法において、前記所定の条件は、前記磁気センサで読み取った前記ライト素子の発生する磁界の測定値が所定値以上となることである、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査方法。
- 請求項1に記載の特性検査方法において、前記所定の条件は、前記磁気センサで読み取った前記ライト素子の発生する磁界の測定値の前記第3の方向への微動に対する増加率が所定値以下となることである、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載の特性検査方法において、前記センサユニットは磁界発生手段をさらに有し、前記第3工程では前記薄膜磁気ヘッド素子の前記リード素子によって前記磁界発生手段の発生する磁界を読み取り、当該読み取った磁界に基づいて前記第4工程で前記リード素子の特性も評価する、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査方法。
- 1対のライト素子とリード素子を有する薄膜磁気ヘッド素子が複数個1列に整列して一体とされ、個片に切断することで1つの薄膜磁気ヘッド素子をそれぞれ有する複数のスライダとなるローバーを、所定位置に保持する保持手段と、
前記ローバーに含まれる所定のライト素子の発生する磁界を読み取る磁気センサを有するセンサユニットと、
前記センサユニットと前記ライト素子との相対位置を制御する相対位置制御手段と、
前記相対位置制御手段によって所定の範囲内で変化させた複数の相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界の測定値に基づいて前記ライト素子の特性を評価する検査ユニットとを備え、前記相対位置制御手段は、
前記センサユニットを前記ローバーに対して相対的に、前記ローバーの長手方向と平行に移動可能な直線移動手段と、
前記センサユニットを前記ライト素子に対して相対的に、前記ライト素子の磁界発生面に平行な第1及び第2の方向にそれぞれ微動可能な第1及び第2の微動手段と、
前記センサユニットを前記ライト素子に対して相対的に、前記磁界発生面と垂直な第3の方向に微動可能な第3の微動手段とを有し、本特性検査装置は、
前記磁気センサで読み取った前記磁界の測定値が前記第1及び第2の方向に関する所定位置において所定の条件を満たすように、前記第3の微動手段によって前記第3の方向についての前記相対位置を、前記ライト素子の発生する前記磁界を前記磁気センサで読み取りながら決定し、
当該決定した前記第3の方向についての前記相対位置を維持しながら前記第1及び第2の微動手段によって変化させた前記第1及び第2の方向についての複数の前記相対位置の各々において前記磁気センサで読み取った前記磁界の測定値に基づいて前記ライト素子の特性を前記検査ユニットが評価するものであり、前記ローバーに含まれる複数のライト素子の特性を評価する、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査装置。 - 請求項5に記載の特性検査装置において、前記所定の条件は、前記磁気センサで読み取った前記ライト素子の発生する磁界の測定値が所定値以上となることである、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査装置。
- 請求項5に記載の特性検査装置において、前記所定の条件は、前記磁気センサで読み取った前記ライト素子の発生する磁界の測定値の前記第3の方向への微動に対する増加率が所定値以下となることである、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査装置。
- 請求項5から7のいずれかに記載の特性検査装置において、前記第1ないし第3の微動手段のうち、少なくともひとつはピエゾ素子を用いたものである、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査装置。
- 請求項5から8のいずれかに記載の特性検査装置において、前記検査ユニットは、前記磁界を読み取った結果としての前記磁気センサからの出力値を所定の基準値と比較することにより前記ライト素子の良否を判定するものである、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査装置。
- 請求項5から9のいずれかに記載の特性検査装置において、前記センサユニットは磁界発生手段をさらに有し、前記薄膜磁気ヘッド素子の前記リード素子によって前記磁界発生手段の発生する磁界を読み取った結果に基づいて前記検査ユニットが前記リード素子の特性も評価する、薄膜磁気ヘッド素子の特性検査装置。
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