JP2010073741A - 微小薄膜キャパシタンス素子及びそれを用いた薄膜誘電特性測定評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜誘電体7の誘電特性測定に用いる微小薄膜キャパシタンス素子1であって、被測定試料としての誘電体薄膜7が第1の電極層2aと第2の電極層6との間に挟まれてなるキャパシタ部2と、前記第1の電極層2aに電気的に接続されたコンタクト電極3と、前記第2の電極層6に電気的に接続され、前記コンタクト電極3の周りに形成されたグランド電極4とを備える。
【選択図】図1
Description
このような高速信号伝送系においては、信号配線として、インピーダンス整合のためのマイクロストリップ線路、コプレーナ線路等の高周波伝送に対応した伝送線路構造を導入することが必須となる。
伝送線路の高周波特性は、線路の断面形状と絶縁層の誘電特性で決まるため、絶縁層の高周波誘電特性を測定評価して、線路の設計にフィードバックすることが重要である。
従来、高周波誘電特性の測定方法として、空洞共振器法、Sパラメータ法、静電容量法などがある(非特許文献1、特許文献1等を参照)。
JIS R1641
即ち、誘電材料の膜厚の大きな被測定試料では、実際のLSIデバイス等に使用したい膜厚の誘電材料の誘電特性と異なることもあるため、またLSIデバイス等に使用する膜厚での作製プロセスのため、膜厚の大きな被測定試料の作製が困難であった。
また、前記コンタクト電極と前記グランド電極との間のピッチ寸法は、10μm以上30μm以下であり、前記コンタクト電極の面積は、100μm2以上10000μm2以下であることが望ましい。
また、前記第1の電極層の面形状は円形または方形であるが、キャパシタンス素子の精密な寸法が必要であることから、作製する上では円形であることが望ましい。
図1は、本発明の微小薄膜キャパシタンス素子が適用されるキャパシタンス素子1の平面図、図2は、図1のA−A矢視断面図である。
ここで、キャパシタ部2における誘電体層7の膜厚及び面積は、LSIデバイスに用いられる所望の寸法に合わせて形成されている。
また、グランド層6の下層には、例えばSiO2或いはSi或いは、シリコンナイトライド、シリコンカーバイドなどの無機絶縁材料、ポリイミドやエポキシ樹脂などの有機絶縁材料からなる絶縁基板層5が設けられている。
尚、本実施の形態においては、被検査試料となる誘電体層7は例えばSiO2等の無機絶縁体材料、およびポリイミド、ベンゾシクロブテン等の有機誘電体材料より形成され、キャパシタ部2の第1の電極層としての金属層2a、コンタクトパッド3、及びグランド電極4は、銅、銀、金、アルミニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニオブのような金属層となされている。
また、さらに図3(b)のように、誘電体層7と電極層6との間に、チタン、チタンナイトライド、タンタル、タンタルナイトライド、パラジウム、アルミニウムなどの密着保護層8を用いることで、誘電体層7と電極層6との密着が強固となり、誘電体層7の剥離を防ぎ、キャパシタンス評価時の寄生効果を抑制できる。
また、さらに図3(c)のように、電極層2a上部に、金、チタン、チタンナイトライド、タンタル、タンタルナイトライド、パラジウム、アルミニウムなどの保護層8を用いることで、電極層2aの酸化等の劣化を防ぎ、電極層の抵抗値が上昇する等のキャパシタンス評価時の寄生効果を抑制できる。
また、図1に示す円形のキャパシタ部2の面積a1は例えば1600μm2に形成され、コンタクトパッド3とグランド電極4との間の電極間ピッチ寸法d1は、例えば30μmに形成されている。
ピッチ寸法d1を微細ピッチで形成することにより、測定装置のコンタクトプローブが接触した際に、コンタクトパッド3の寄生効果を極力排除し、より高精度の測定を行うことができる。
先ず、SiO2或いはSi或いは、シリコンナイトライド、シリコンカーバイドなどの無機絶縁材料、ポリイミドやエポキシ樹脂などの有機絶縁材料からなる絶縁基板層5上に真空蒸着法により金属層を成膜し、グランド層6を形成する(図4(a))。
次いで、グランド層6上にSiO2等の無機絶縁体材料、およびポリイミド、ベンゾシクロブテン等の有機誘電体材料を被測定試料として、誘電体層7(薄膜誘電体)を形成する(図4(b))。
次いで、フォトレジスト10を除去し(図4(e))、さらにフォトリソグラフィ工程により、誘電体層7上に金属層を形成する部分のフォトレジストパターン11を形成する(図4(f))。
先ず、SiO2或いはSi或いは、シリコンナイトライド、シリコンカーバイドなどの無機絶縁材料、ポリイミドやエポキシ樹脂などの有機絶縁材料からなる絶縁基板層5上に真空蒸着法により密着保護層8、金属層6bを成膜する。
次いで、金属層6b上にめっき法により金属膜6aを成膜し、金属膜6aおよび金属膜6bを合わせてグランド層6を形成する(図5(b))。
次いで、グランド層6上にSiO2等の無機絶縁体材料、およびポリイミド、ベンゾシクロブテン等の有機誘電体材料を被測定試料として、誘電体層7(薄膜誘電体)を形成する(図5(c))。
次いで、誘電体層7上に真空蒸着法により密着保護層9、金属層2bを成膜し(図5(g))、さらにフォトリソグラフィ工程により、誘電体層7上に金属層を形成する部分のフォトレジストパターン11を形成する(図5(h))。
即ち、図6に示すように、金属層6上に誘電体層7を形成後(図6(a))、フォトマスクを用いてグランド層6への接続穴部分へ紫外線露光15を行い(図6(b))、露光部分を現像(エッチング16)する(図6(c))。これにより、誘電体層7に、グランド層6への接続穴を形成することができる(図6(d))。
そして、前記高周波プローブを介して測定信号を得て、測定機器を用いて高周波数領域におけるアドミッタンスを求める。また、このときキャパシタ素子1と同様のコンタクトパッド構造をもつオープン素子と、ショート素子を、前記高周波プローブを解して測定信号を得て、オープン素子およびショート素子のアドミッタンスを求める。キャパシタンス素子、オープン素子、ショート素子の3つのアドミッタンスから、キャパシタ部2における薄膜誘電体の誘電特性の測定評価を行うことができる。
したがって、伝送線路の設計等において、誘電特性の測定評価を高精度にフィードバックすることができる。
コンタクトパッド3とグランド電極4との間のピッチ寸法d1は図8に示すように、例えば、誘電体層7の膜厚が500nmの場合、30μm以下では、誘電特性である誘電率および誘電正接損の真値からのずれが5パーセント以内となり、ピッチ寸法d1を微細ピッチで形成することにより、測定装置のコンタクトプローブが接触した際に、コンタクトパッド3の寄生効果を極力排除し、より高精度の測定を行うことができる。
例えば、図10(a)に示すように、コンタクトパッド3とグランド電極4との間のピッチ寸法d1の寸法を小さく(例えば、ピッチ寸法d1=20μm)形成することがより好ましい。また、図10(b)に示すように、グランド電極4の構造はコンタクトパッドの左右に分割されていても良い。
また、前記実施の形態においては、キャパシタ部2の好ましい平面形状として、円形を示したが、本発明にあっては、それに限定されず、例えば、図11に示すような方形状であってもよい。
2 キャパシタ部
2a 金属層(第1の電極層)
3 コンタクトパッド(コンタクト電極)
4 グランド電極
5 絶縁基板層
6 グランド層(第2の電極層)
7 誘電体層(誘電体薄膜)
8 密着保護層
Claims (6)
- 薄膜誘電体の誘電特性測定に用いる微小薄膜キャパシタンス素子であって、
被測定試料としての誘電体薄膜が第1の電極層と第2の電極層との間に挟まれてなるキャパシタ部と、
前記第1の電極層に電気的に接続されたコンタクト電極と、
前記第2の電極層に電気的に接続され、前記コンタクト電極の周りに形成されたグランド電極とを備えることを特徴とする微小薄膜キャパシタンス素子。 - 前記誘電体膜上に、前記第1の電極層と、前記コンタクト電極と、前記グランド電極とが形成されていることを特徴とする請求項1に記載された微小薄膜キャパシタンス素子。
- 前記コンタクト電極と前記グランド電極との間のピッチ寸法は、10μm以上30μm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された微小薄膜キャパシタンス素子。
- 前記コンタクト電極の面積は、100μm2以上10000μm2以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された微小薄膜キャパシタンス素子。
- 前記第1の電極層の面形状は円形または正方形であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された微小薄膜キャパシタンス素子。
- 前記請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の微小薄膜キャパシタンス素子を用いた薄膜誘電特性測定評価方法であって、
信号電極とグランド電極との間の電極間ピッチが10μm以上30μm以下の範囲で形成されたコンタクトプローブの信号電極を、前記微小薄膜キャパシタンス素子のコンタクトパッドに接続し、且つ、該プローブのグランド電極を前記微小薄膜キャパシタンス素子の前記グランド電極に接続するステップと、
前記コンタクトプローブを介して測定信号を得るステップとを実行することを特徴とする薄膜誘電特性測定評価方法。
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