JPH08226941A - 誘電体薄膜の高周波特性測定法 - Google Patents
誘電体薄膜の高周波特性測定法Info
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- JPH08226941A JPH08226941A JP7055097A JP5509795A JPH08226941A JP H08226941 A JPH08226941 A JP H08226941A JP 7055097 A JP7055097 A JP 7055097A JP 5509795 A JP5509795 A JP 5509795A JP H08226941 A JPH08226941 A JP H08226941A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上の誘電体薄膜の高周波特性の測
定につき、半導体基板と対応の基板上に、下部電極層、
誘電体薄膜と同様の測定用誘電体薄膜、上部電極層の積
層構成の測定用素子を形成し、その両電極層間の高周波
特性の測定結果を用いる測定法において、誘電体薄膜の
高周波特性をより正確に測定可能にする。 【構成】 基板上に、上部電極層が下部電極層と対向
していないことを除いて測定用素子と同様形成の第１の
補正用素子を形成し、その両電極層間の高周波特性を測
定用素子の場合と同様に測定するとともに、基板上
に、上部電極が下部電極層と対向していないこと及び下
部電極層に連結していることを除いて測定用素子と同様
形成の第２の補正用素子を形成し、その両電極層間の高
周波特性を測定用素子の場合と同様に測定し、測定用
素子の測定結果を、第１及び第２の補正用素子の測定結
果で補正し、それを測定用素子の測定結果として用い
る。
定につき、半導体基板と対応の基板上に、下部電極層、
誘電体薄膜と同様の測定用誘電体薄膜、上部電極層の積
層構成の測定用素子を形成し、その両電極層間の高周波
特性の測定結果を用いる測定法において、誘電体薄膜の
高周波特性をより正確に測定可能にする。 【構成】 基板上に、上部電極層が下部電極層と対向
していないことを除いて測定用素子と同様形成の第１の
補正用素子を形成し、その両電極層間の高周波特性を測
定用素子の場合と同様に測定するとともに、基板上
に、上部電極が下部電極層と対向していないこと及び下
部電極層に連結していることを除いて測定用素子と同様
形成の第２の補正用素子を形成し、その両電極層間の高
周波特性を測定用素子の場合と同様に測定し、測定用
素子の測定結果を、第１及び第２の補正用素子の測定結
果で補正し、それを測定用素子の測定結果として用い
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に形成さ
ている誘電体薄膜を有する半導体装置を製造する場合に
適用される、半導体基板上に形成される誘電体薄膜の高
周波特性を測定する誘電体薄膜の高周波特性測定法に関
する。
ている誘電体薄膜を有する半導体装置を製造する場合に
適用される、半導体基板上に形成される誘電体薄膜の高
周波特性を測定する誘電体薄膜の高周波特性測定法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板Ｂ上に形成される誘電
体薄膜Ｆの高周波特性Ｈを測定するにつき、図４に示す
ように、（ａ）半導体基板Ｂに対応している基板ＢＢ上
に形成されている測定用下部電極層ＥＬＭと（ｂ）基板
ＢＢ上に、測定用下部電極層ＥＬＭ上に延長して、半導
体基板Ｂ上に形成されている誘電体薄膜と材質上から
も、形状上からも同様に形成されている測定用誘電体薄
膜ＦＭと（ｃ）測定用誘電体薄膜ＦＭ上に、測定用下部
電極層ＥＬＭと対向するように延長して形成されている
測定用上部電極層ＥＵＭとを有する測定用素子ＤＭを形
成し、そして、その測定用素子ＤＭの測定用下部電極層
ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみた高周波特性
ＨＭを測定し、その測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの
測定結果を用いる、という誘電体薄膜の高周波特性測定
法が提案されている。
体薄膜Ｆの高周波特性Ｈを測定するにつき、図４に示す
ように、（ａ）半導体基板Ｂに対応している基板ＢＢ上
に形成されている測定用下部電極層ＥＬＭと（ｂ）基板
ＢＢ上に、測定用下部電極層ＥＬＭ上に延長して、半導
体基板Ｂ上に形成されている誘電体薄膜と材質上から
も、形状上からも同様に形成されている測定用誘電体薄
膜ＦＭと（ｃ）測定用誘電体薄膜ＦＭ上に、測定用下部
電極層ＥＬＭと対向するように延長して形成されている
測定用上部電極層ＥＵＭとを有する測定用素子ＤＭを形
成し、そして、その測定用素子ＤＭの測定用下部電極層
ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみた高周波特性
ＨＭを測定し、その測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの
測定結果を用いる、という誘電体薄膜の高周波特性測定
法が提案されている。
【０００３】この場合、測定用素子ＤＭの高周波特性Ｈ
Ｍの測定は、測定用素子ＤＭの測定用下部電極層ＥＬＭ
及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタンスＹA
の測定とし得る。
Ｍの測定は、測定用素子ＤＭの測定用下部電極層ＥＬＭ
及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタンスＹA
の測定とし得る。
【０００４】また、測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの
測定結果の用い方は、測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭ
の測定を、測定用素子ＤＭの測定用下部電極層ＥＬＭ及
び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタンスＹA の
測定とする場合、そのアドミタンスＹA から、周波数ｆ
に対する測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層
ＥＵＭ間の容量Ｃの関係を求め、その求められた容量Ｃ
が周波数ｆのどのような値またはどのような範囲の値で
どのような値を呈するのかとか、測定されたアドミタン
スＹA から測定用誘電体薄膜ＦＭの誘電損失ｔａｎδを
求め、その誘電損失ｔａｎδがどのような値を呈してい
るのか、測定されたアドミタンスＹA から測定用誘電体
薄膜ＦＭの比誘電率εを求め、その比誘電率εがどのよ
うな値を呈するかなどの判知ができるように用い得る。
測定結果の用い方は、測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭ
の測定を、測定用素子ＤＭの測定用下部電極層ＥＬＭ及
び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタンスＹA の
測定とする場合、そのアドミタンスＹA から、周波数ｆ
に対する測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層
ＥＵＭ間の容量Ｃの関係を求め、その求められた容量Ｃ
が周波数ｆのどのような値またはどのような範囲の値で
どのような値を呈するのかとか、測定されたアドミタン
スＹA から測定用誘電体薄膜ＦＭの誘電損失ｔａｎδを
求め、その誘電損失ｔａｎδがどのような値を呈してい
るのか、測定されたアドミタンスＹA から測定用誘電体
薄膜ＦＭの比誘電率εを求め、その比誘電率εがどのよ
うな値を呈するかなどの判知ができるように用い得る。
【０００５】以上が、従来提案されている誘電体薄膜の
高周波特性測定法である。
高周波特性測定法である。
【０００６】このような従来の誘電体薄膜の高周波特性
測定法によれば、測定用素子ＤＭを、半導体装置を製造
するのに従来用いている方法によって、容易に形成する
ことができるので、半導体基板Ｂ上に形成される誘電体
薄膜Ｆの高周波特性Ｈを、容易に測定することができ
る。
測定法によれば、測定用素子ＤＭを、半導体装置を製造
するのに従来用いている方法によって、容易に形成する
ことができるので、半導体基板Ｂ上に形成される誘電体
薄膜Ｆの高周波特性Ｈを、容易に測定することができ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図４に示す従来の誘電
体薄膜の高周波特性測定法の場合、測定用素子ＤＭの高
周波特性ＨＭの測定は、それを測定用素子ＤＭの測定用
下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみた
アドミタンスＹA の測定とする場合、その測定用素子Ｄ
ＭのアドミタンスＹA が、一般に、周波数ｆに対する測
定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の
容量ＣのアドミタンスＹC だけからなる等価アドミタン
ス回路で表されず、図５に示すような、測定用下部電極
層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃのアド
ミタンスＹC と、それと直列な寄生アドミタンスＹ
S と、アドミタンスＹC と並列な寄生アドミタンスＹP
とを有する等価アドミタンス回路で表されるので、測定
用素子ＤＭの測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電
極層ＥＵＭでみたアドミタンスＹM から周波数ｆに対す
る測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ
間の容量Ｃの関係を求めるとすれば、その周波数ｆに対
する測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵ
Ｍ間の容量Ｃが、測定用素子ＤＭが容量Ｃのアドミタン
スＹC だけからなる等価アドミタンス回路で表されると
すれば、例えば図６の線ａに示すように、周波数ｆの５
０ＧＨｚ以下の値において一定値であるとして得られる
にも拘らず、図６の線ｂに示すように、周波数ｆの１０
ＧＨｚから５０ＧＨｚの範囲の値において周波数ｆが高
くなるに従い大きくなる値を呈して得られる。
体薄膜の高周波特性測定法の場合、測定用素子ＤＭの高
周波特性ＨＭの測定は、それを測定用素子ＤＭの測定用
下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみた
アドミタンスＹA の測定とする場合、その測定用素子Ｄ
ＭのアドミタンスＹA が、一般に、周波数ｆに対する測
定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の
容量ＣのアドミタンスＹC だけからなる等価アドミタン
ス回路で表されず、図５に示すような、測定用下部電極
層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃのアド
ミタンスＹC と、それと直列な寄生アドミタンスＹ
S と、アドミタンスＹC と並列な寄生アドミタンスＹP
とを有する等価アドミタンス回路で表されるので、測定
用素子ＤＭの測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電
極層ＥＵＭでみたアドミタンスＹM から周波数ｆに対す
る測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ
間の容量Ｃの関係を求めるとすれば、その周波数ｆに対
する測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵ
Ｍ間の容量Ｃが、測定用素子ＤＭが容量Ｃのアドミタン
スＹC だけからなる等価アドミタンス回路で表されると
すれば、例えば図６の線ａに示すように、周波数ｆの５
０ＧＨｚ以下の値において一定値であるとして得られる
にも拘らず、図６の線ｂに示すように、周波数ｆの１０
ＧＨｚから５０ＧＨｚの範囲の値において周波数ｆが高
くなるに従い大きくなる値を呈して得られる。
【０００８】このようなことから、図４に示す従来の誘
電体薄膜の高周波特性測定法の場合、半導体基板Ｂ上に
形成される誘電体薄膜Ｆの高周波特性Ｈを、正確に測定
することができない、という欠点を有していた。
電体薄膜の高周波特性測定法の場合、半導体基板Ｂ上に
形成される誘電体薄膜Ｆの高周波特性Ｈを、正確に測定
することができない、という欠点を有していた。
【０００９】よって、本発明は、上述した欠点のない新
規な誘電体薄膜の高周波特性測定法を提案せんとするも
のである。
規な誘電体薄膜の高周波特性測定法を提案せんとするも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による誘電体薄膜
の高周波特性測定法は、半導体基板上に形成される誘電
体薄膜の高周波特性を測定するにつき、図４で上述した
従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合と同様に、
（ａ）上記半導体基板に対応している基板上に形成され
ている測定用下部電極層と（ｂ）上記基板上に、上記測
定用下部電極層上に延長して、上記半導体基板上に形成
されている上記誘電体薄膜と同様に形成されている測定
用誘電体薄膜と（ｃ）上記測定用誘電体薄膜上に、上記
測定用下部電極層と対向するように延長して形成されて
いる測定用上部電極層とを有する測定用素子を形成し、
そして、上記測定用素子の上記測定用下部電極層及び上
記測定用上部電極層間でみた高周波特性を測定し、その
測定用素子の高周波特性の測定結果を用いる。
の高周波特性測定法は、半導体基板上に形成される誘電
体薄膜の高周波特性を測定するにつき、図４で上述した
従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合と同様に、
（ａ）上記半導体基板に対応している基板上に形成され
ている測定用下部電極層と（ｂ）上記基板上に、上記測
定用下部電極層上に延長して、上記半導体基板上に形成
されている上記誘電体薄膜と同様に形成されている測定
用誘電体薄膜と（ｃ）上記測定用誘電体薄膜上に、上記
測定用下部電極層と対向するように延長して形成されて
いる測定用上部電極層とを有する測定用素子を形成し、
そして、上記測定用素子の上記測定用下部電極層及び上
記測定用上部電極層間でみた高周波特性を測定し、その
測定用素子の高周波特性の測定結果を用いる。
【００１１】しかしながら、本発明による誘電体薄膜の
高周波特性測定法は、このような誘電体薄膜の高周波特
性測定法において、（ｉ）（ａ）上記基板上に、上記基
板上に形成されている上記測定用下部電極層と同様に形
成されている第１の補正用下部電極層と（ｂ）上記基板
上に、上記測定用下部電極層上に延長している上記測定
用誘電体薄膜と同様に上記第１の補正用下部電極層上に
延長して、上記基板上に形成されている上記測定用誘電
体薄膜と同様に形成されている第１の補正用誘電体薄膜
と（ｃ）上記第１の補正用誘電体薄膜上に、上記測定用
誘電体薄膜上に形成されている上記測定用上部電極層
と、それが上記測定用下部電極層と対向して延長してい
るようには上記第１の補正用下部電極層と対向するよう
に延長していないことを除いて、同様に形成されている
第１の補正用上部電極層とを有する第１の補正用素子を
形成し、そして、その第１の補正用素子の上記第１の補
正用下部電極層及び上記第１の補正用上部電極層間でみ
た高周波特性を、上記測定用素子の高周波特性の測定の
場合と同様に測定するとともに、（ｉｉ）（ａ）上記基
板上に、上記基板上に形成されている上記測定用下部電
極層と同様に形成されている第２の補正用下部電極層と
（ｂ）上記基板上に、上記測定用下部電極層上に延長し
ている上記測定用誘電体薄膜と同様に上記第２の補正用
下部電極層上に延長して、上記基板上に形成されている
上記測定用誘電体薄膜と同様に形成されている第２の補
正用誘電体薄膜と（ｃ）上記第２の補正用誘電体薄膜上
に、上記測定用誘電体薄膜上に形成されている上記測定
用上部電極層と、それが上記測定用下部電極層と対向し
て延長しているようには上記第２の補正用下部電極層と
対向して延長していないこと及び上記第２の補正用下部
電極層に連結していることを除いて、同様に形成されて
いる第２の補正用上部電極層とを有する第２の補正用素
子を形成し、そして、その第２の補正用素子の上記第２
の補正用下部電極層及び上記第２の補正用上部電極層間
でみた高周波特性を、上記測定用素子の高周波特性の測
定の場合と同様に測定し、（ｉｉｉ）上記測定用素子の
高周波特性の測定結果を、上記第１の補正用素子の高周
波特性の測定結果及び上記第２の補正用素子の高周波特
性の測定結果で補正し、その補正された上記測定用素子
の高周波特性の測定結果を、上記測定用素子の高周波特
性の測定結果として用いる。
高周波特性測定法は、このような誘電体薄膜の高周波特
性測定法において、（ｉ）（ａ）上記基板上に、上記基
板上に形成されている上記測定用下部電極層と同様に形
成されている第１の補正用下部電極層と（ｂ）上記基板
上に、上記測定用下部電極層上に延長している上記測定
用誘電体薄膜と同様に上記第１の補正用下部電極層上に
延長して、上記基板上に形成されている上記測定用誘電
体薄膜と同様に形成されている第１の補正用誘電体薄膜
と（ｃ）上記第１の補正用誘電体薄膜上に、上記測定用
誘電体薄膜上に形成されている上記測定用上部電極層
と、それが上記測定用下部電極層と対向して延長してい
るようには上記第１の補正用下部電極層と対向するよう
に延長していないことを除いて、同様に形成されている
第１の補正用上部電極層とを有する第１の補正用素子を
形成し、そして、その第１の補正用素子の上記第１の補
正用下部電極層及び上記第１の補正用上部電極層間でみ
た高周波特性を、上記測定用素子の高周波特性の測定の
場合と同様に測定するとともに、（ｉｉ）（ａ）上記基
板上に、上記基板上に形成されている上記測定用下部電
極層と同様に形成されている第２の補正用下部電極層と
（ｂ）上記基板上に、上記測定用下部電極層上に延長し
ている上記測定用誘電体薄膜と同様に上記第２の補正用
下部電極層上に延長して、上記基板上に形成されている
上記測定用誘電体薄膜と同様に形成されている第２の補
正用誘電体薄膜と（ｃ）上記第２の補正用誘電体薄膜上
に、上記測定用誘電体薄膜上に形成されている上記測定
用上部電極層と、それが上記測定用下部電極層と対向し
て延長しているようには上記第２の補正用下部電極層と
対向して延長していないこと及び上記第２の補正用下部
電極層に連結していることを除いて、同様に形成されて
いる第２の補正用上部電極層とを有する第２の補正用素
子を形成し、そして、その第２の補正用素子の上記第２
の補正用下部電極層及び上記第２の補正用上部電極層間
でみた高周波特性を、上記測定用素子の高周波特性の測
定の場合と同様に測定し、（ｉｉｉ）上記測定用素子の
高周波特性の測定結果を、上記第１の補正用素子の高周
波特性の測定結果及び上記第２の補正用素子の高周波特
性の測定結果で補正し、その補正された上記測定用素子
の高周波特性の測定結果を、上記測定用素子の高周波特
性の測定結果として用いる。
【００１２】
【実施例】次に、図１を伴って、本発明による誘電体薄
膜の高周波特性測定法の実施例を述べよう。
膜の高周波特性測定法の実施例を述べよう。
【００１３】図１において、図４との対応部分には同一
符号を付して示す。
符号を付して示す。
【００１４】図１に示す本発明による誘電体薄膜の高周
波特性測定法の実施例は、半導体基板Ｂ上に形成される
誘電体薄膜Ｆの高周波特性Ｈを測定するにつき、図４に
示す従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合と同様
に、（ａ）半導体基板Ｂに対応している基板ＢＢ上に形
成されている測定用下部電極層ＥＬと（ｂ）基板ＢＢ上
に、測定用下部電極層ＥＬＭ上に延長して、誘電体薄膜
Ｆが半導体基板Ｂ上に形成されているのと同様に形成さ
れている測定用誘電体薄膜ＦＭと（ｃ）測定用誘電体薄
膜ＦＭ上に、測定用下部電極層ＥＬＭと対向するように
延長して形成されている測定用上部電極層ＥＵＭとを有
する測定用素子ＤＭを形成し、その測定用素子ＤＭの測
定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間で
みた高周波特性ＨＭを測定し、その測定用素子ＤＭの高
周波特性ＨＭの測定結果を用いる。
波特性測定法の実施例は、半導体基板Ｂ上に形成される
誘電体薄膜Ｆの高周波特性Ｈを測定するにつき、図４に
示す従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合と同様
に、（ａ）半導体基板Ｂに対応している基板ＢＢ上に形
成されている測定用下部電極層ＥＬと（ｂ）基板ＢＢ上
に、測定用下部電極層ＥＬＭ上に延長して、誘電体薄膜
Ｆが半導体基板Ｂ上に形成されているのと同様に形成さ
れている測定用誘電体薄膜ＦＭと（ｃ）測定用誘電体薄
膜ＦＭ上に、測定用下部電極層ＥＬＭと対向するように
延長して形成されている測定用上部電極層ＥＵＭとを有
する測定用素子ＤＭを形成し、その測定用素子ＤＭの測
定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間で
みた高周波特性ＨＭを測定し、その測定用素子ＤＭの高
周波特性ＨＭの測定結果を用いる。
【００１５】この場合、測定用素子ＤＭの高周波特性Ｈ
Ｍの測定は、図４に示す従来の誘電体薄膜の高周波特性
測定法の場合と同様に、測定用素子ＤＭの測定用下部電
極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミ
タンスＹA の測定とし得る。
Ｍの測定は、図４に示す従来の誘電体薄膜の高周波特性
測定法の場合と同様に、測定用素子ＤＭの測定用下部電
極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミ
タンスＹA の測定とし得る。
【００１６】また、測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの
測定結果の用い方は、図４に示す従来の誘電体薄膜の高
周波特性測定法の場合と同様に、測定用素子ＤＭの高周
波特性ＨＭの測定を、測定用素子ＤＭの測定用下部電極
層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタ
ンスＹA の測定とする場合、図４に示す従来の誘電体薄
膜の高周波特性測定法の場合に準じて、そのアドミタン
スＹA の後述するように補正されたアドミタンスＹA ′
から、周波数ｆに対する測定用下部電極層ＥＬＭ及び測
定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃの関係を求め、その求
められた容量Ｃが周波数ｆのどのような値またはどのよ
うな範囲の値でどのような値を呈するのかとか、補正さ
れたアドミタンスＹA から測定用誘電体薄膜ＦＭの誘電
損失ｔａｎδを求め、その誘電損失ｔａｎδがどのよう
な値を呈しているのか、補正されたアドミタンスＹA ′
から測定用誘電体薄膜ＦＭの比誘電率εを求め、その比
誘電率εがどのような値を呈するかなどの判知ができる
ように用いる。
測定結果の用い方は、図４に示す従来の誘電体薄膜の高
周波特性測定法の場合と同様に、測定用素子ＤＭの高周
波特性ＨＭの測定を、測定用素子ＤＭの測定用下部電極
層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタ
ンスＹA の測定とする場合、図４に示す従来の誘電体薄
膜の高周波特性測定法の場合に準じて、そのアドミタン
スＹA の後述するように補正されたアドミタンスＹA ′
から、周波数ｆに対する測定用下部電極層ＥＬＭ及び測
定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃの関係を求め、その求
められた容量Ｃが周波数ｆのどのような値またはどのよ
うな範囲の値でどのような値を呈するのかとか、補正さ
れたアドミタンスＹA から測定用誘電体薄膜ＦＭの誘電
損失ｔａｎδを求め、その誘電損失ｔａｎδがどのよう
な値を呈しているのか、補正されたアドミタンスＹA ′
から測定用誘電体薄膜ＦＭの比誘電率εを求め、その比
誘電率εがどのような値を呈するかなどの判知ができる
ように用いる。
【００１７】図１に示す本発明による誘電体薄膜の高周
波特性測定法の実施例においては、上述した誘電体薄膜
の高周波特性測定法において、（ｉ）（ａ）上述した測
定用素子ＤＭを形成するのに用いている同じ基板ＢＢ上
に、基板ＢＢ上に形成されている測定用素子ＤＭの測定
用下部電極層ＥＬＭと材質上からも、形状上からも同様
に形成されている第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１と
（ｂ）基板ＢＢ上に、測定用素子ＭＭの測定用下部電極
層ＥＬＭ上に延長している測定用誘電体薄膜ＦＭと形状
上からも同様に第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１に延長
して、基板ＢＢ上に形成されている測定用素子ＤＭの測
定用誘電体薄膜ＦＭと材質上からも、形状上からも同様
に形成されている第１の補正用誘電体薄膜ＦＣ１と
（ｃ）その第１の補正用誘電体薄膜ＦＣ１上に、測定用
素子ＤＭの測定用誘電体薄膜ＦＭ上に形成されている測
定用上部電極層ＥＵＭと、それが測定用下部電極層ＥＬ
Ｍと対向して延長しているようには第１の補正用下部電
極層ＥＬＣ１と対向して延長していないことを除いて、
材質上からも、形状上からも同様に形成されている第１
の補正用上部電極層ＥＵＣ１とを有する第１の補正用素
子ＤＣ１を形成し、そして、その第１の補正用素子ＤＣ
１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１及び第１の補正用
上部電極層ＥＵＣ１間でみた高周波特性ＨＣ１を、測定
用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの測定の場合と同様に測定
する。
波特性測定法の実施例においては、上述した誘電体薄膜
の高周波特性測定法において、（ｉ）（ａ）上述した測
定用素子ＤＭを形成するのに用いている同じ基板ＢＢ上
に、基板ＢＢ上に形成されている測定用素子ＤＭの測定
用下部電極層ＥＬＭと材質上からも、形状上からも同様
に形成されている第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１と
（ｂ）基板ＢＢ上に、測定用素子ＭＭの測定用下部電極
層ＥＬＭ上に延長している測定用誘電体薄膜ＦＭと形状
上からも同様に第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１に延長
して、基板ＢＢ上に形成されている測定用素子ＤＭの測
定用誘電体薄膜ＦＭと材質上からも、形状上からも同様
に形成されている第１の補正用誘電体薄膜ＦＣ１と
（ｃ）その第１の補正用誘電体薄膜ＦＣ１上に、測定用
素子ＤＭの測定用誘電体薄膜ＦＭ上に形成されている測
定用上部電極層ＥＵＭと、それが測定用下部電極層ＥＬ
Ｍと対向して延長しているようには第１の補正用下部電
極層ＥＬＣ１と対向して延長していないことを除いて、
材質上からも、形状上からも同様に形成されている第１
の補正用上部電極層ＥＵＣ１とを有する第１の補正用素
子ＤＣ１を形成し、そして、その第１の補正用素子ＤＣ
１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１及び第１の補正用
上部電極層ＥＵＣ１間でみた高周波特性ＨＣ１を、測定
用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの測定の場合と同様に測定
する。
【００１８】この場合、第１の補正用素子Ｃ１の高周波
特性ＨＣ１の測定は、上述した測定用素子ＤＭの高周波
特性ＨＭの測定が、測定用素子ＤＭの測定用下部電極層
ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタン
スＹA の測定であるとするとき、第１の補正用素子ＤＣ
１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１及び第１の補正用
上部電極層ＥＵＣ１間でみたアドミタンスＹB の測定と
し得る。
特性ＨＣ１の測定は、上述した測定用素子ＤＭの高周波
特性ＨＭの測定が、測定用素子ＤＭの測定用下部電極層
ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタン
スＹA の測定であるとするとき、第１の補正用素子ＤＣ
１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１及び第１の補正用
上部電極層ＥＵＣ１間でみたアドミタンスＹB の測定と
し得る。
【００１９】また、（ｉｉ）（ａ）基板ＢＢ上に、基板
ＢＢ上に形成されている測定用下部電極層ＥＬＭと材質
上からも、形状上からも同様に形成されている第２の補
正用下部電極層ＥＬＣ２と（ｂ）基板ＢＢ上に、測定用
素子ＤＭの測定用下部電極層ＥＬＭ上に延長している測
定用誘電体薄膜ＦＭと形状的にも同様に第２の補正用下
部電極層ＥＬＣ２上に延長して、基板ＢＢ上に形成され
ている測定用素子ＤＭの測定用誘電体薄膜ＦＭと材質上
からも、形状上からも同様に形成されている第２の補正
用誘電体薄膜ＦＣ２と（ｃ）その第２の補正用誘電体薄
膜ＦＣ２上に、測定用素子ＤＭの測定用誘電体薄膜ＦＭ
上に形成されている測定用上部電極層ＥＵＭと、それが
測定用下部電極層ＥＬＭと対向して延長しているように
は第２の補正用下部電極層と対向して延長していないこ
と及び第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２に連結している
ことを除いて、材質上からも、形状上からも同様に形成
されている第２の補正用上部電極層ＥＵＣ２とを有する
第２の補正用素子ＤＣ２を形成し、そして、その第２の
補正用素子ＤＣ２の第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２及
び第２の補正用上部電極層ＥＵＣ２間でみた高周波特性
ＨＣ２を測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの測定の場合
と同様に測定する。
ＢＢ上に形成されている測定用下部電極層ＥＬＭと材質
上からも、形状上からも同様に形成されている第２の補
正用下部電極層ＥＬＣ２と（ｂ）基板ＢＢ上に、測定用
素子ＤＭの測定用下部電極層ＥＬＭ上に延長している測
定用誘電体薄膜ＦＭと形状的にも同様に第２の補正用下
部電極層ＥＬＣ２上に延長して、基板ＢＢ上に形成され
ている測定用素子ＤＭの測定用誘電体薄膜ＦＭと材質上
からも、形状上からも同様に形成されている第２の補正
用誘電体薄膜ＦＣ２と（ｃ）その第２の補正用誘電体薄
膜ＦＣ２上に、測定用素子ＤＭの測定用誘電体薄膜ＦＭ
上に形成されている測定用上部電極層ＥＵＭと、それが
測定用下部電極層ＥＬＭと対向して延長しているように
は第２の補正用下部電極層と対向して延長していないこ
と及び第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２に連結している
ことを除いて、材質上からも、形状上からも同様に形成
されている第２の補正用上部電極層ＥＵＣ２とを有する
第２の補正用素子ＤＣ２を形成し、そして、その第２の
補正用素子ＤＣ２の第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２及
び第２の補正用上部電極層ＥＵＣ２間でみた高周波特性
ＨＣ２を測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの測定の場合
と同様に測定する。
【００２０】この場合、第２の補正用素子Ｃ２の高周波
特性ＨＣ２の測定は、上述した測定用素子ＤＭの高周波
特性ＨＭの測定を、測定用素子ＤＭの測定用下部電極層
ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタン
スＹA の測定であるとするとき、第２の補正用素子ＤＣ
２の第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２及び第２の補正用
上部電極層ＥＵＣ２間でみたアドミタンスＹD の測定と
し得る。
特性ＨＣ２の測定は、上述した測定用素子ＤＭの高周波
特性ＨＭの測定を、測定用素子ＤＭの測定用下部電極層
ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアドミタン
スＹA の測定であるとするとき、第２の補正用素子ＤＣ
２の第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２及び第２の補正用
上部電極層ＥＵＣ２間でみたアドミタンスＹD の測定と
し得る。
【００２１】そして、（ｉｉｉ）測定用素子ＤＭの高周
波特性ＨＭの測定結果を、第１の補正用素子ＤＣ１の高
周波特性ＨＣ１の測定結果及び第２の補正用素子ＤＣ２
の高周波特性ＨＣ２の測定結果で補正し、その補正され
た測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの測定結果を、測定
用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの測定結果として用いる。
波特性ＨＭの測定結果を、第１の補正用素子ＤＣ１の高
周波特性ＨＣ１の測定結果及び第２の補正用素子ＤＣ２
の高周波特性ＨＣ２の測定結果で補正し、その補正され
た測定用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの測定結果を、測定
用素子ＤＭの高周波特性ＨＭの測定結果として用いる。
【００２２】この場合、測定用素子ＤＭの高周波特性Ｈ
Ｍの測定結果の補正は、測定用素子ＤＭの高周波特性Ｈ
Ｍの測定を上述したように測定用素子ＤＭの測定用下部
電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアド
ミタンスＹA の測定とし、また第１の補正用素子ＤＣ１
の高周波特性ＨＣ１の測定を上述したように第１の補正
用素子ＤＣ１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１及び第
１の補正用上部電極層ＥＵＣ１間でみたアドミタンスＹ
B の測定とし、さらに第２の補正用素子ＤＣ２の高周波
特性ＨＣ２の測定を上述したように第２の補正用素子Ｄ
Ｃ２の第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２及び第２の補正
用上部電極層ＥＵＣ２間でみたアドミタンスＹD の測定
とする場合、アドミタンスＹA をアドミタンスＹB 及び
ＹC を用いてアドミタンスＹA ′に補正するものとし得
る。
Ｍの測定結果の補正は、測定用素子ＤＭの高周波特性Ｈ
Ｍの測定を上述したように測定用素子ＤＭの測定用下部
電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみたアド
ミタンスＹA の測定とし、また第１の補正用素子ＤＣ１
の高周波特性ＨＣ１の測定を上述したように第１の補正
用素子ＤＣ１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１及び第
１の補正用上部電極層ＥＵＣ１間でみたアドミタンスＹ
B の測定とし、さらに第２の補正用素子ＤＣ２の高周波
特性ＨＣ２の測定を上述したように第２の補正用素子Ｄ
Ｃ２の第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２及び第２の補正
用上部電極層ＥＵＣ２間でみたアドミタンスＹD の測定
とする場合、アドミタンスＹA をアドミタンスＹB 及び
ＹC を用いてアドミタンスＹA ′に補正するものとし得
る。
【００２３】また、補正された測定用素子ＤＭの高周波
特性ＨＭの測定結果の用い方は、測定用素子ＤＭの高周
波特性ＨＭの測定結果を、上述したアドミタンスＹA を
アドミタンスＹA ′に補正するものとするとき、そのア
ドミタンスＹA ′から、周波数ｆに対する測定用素子Ｄ
Ｍの測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵ
Ｍ間の容量Ｃの関係を求め、その求められた容量Ｃが周
波数ｆのどのような値またはどのような範囲の値でどの
ような値を呈するのかとか、アドミタンスＹA′から測
定用誘電体薄膜ＦＭの誘電損失ｔａｎδを求め、その誘
電損失ｔａｎδがどのような値を呈しているのか、アド
ミタンスＹA から測定用誘電体薄膜ＦＭの比誘電率ε
を求め、その比誘電率εがどのような値を呈するかなど
の判知ができるように用い得る。
特性ＨＭの測定結果の用い方は、測定用素子ＤＭの高周
波特性ＨＭの測定結果を、上述したアドミタンスＹA を
アドミタンスＹA ′に補正するものとするとき、そのア
ドミタンスＹA ′から、周波数ｆに対する測定用素子Ｄ
Ｍの測定用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵ
Ｍ間の容量Ｃの関係を求め、その求められた容量Ｃが周
波数ｆのどのような値またはどのような範囲の値でどの
ような値を呈するのかとか、アドミタンスＹA′から測
定用誘電体薄膜ＦＭの誘電損失ｔａｎδを求め、その誘
電損失ｔａｎδがどのような値を呈しているのか、アド
ミタンスＹA から測定用誘電体薄膜ＦＭの比誘電率ε
を求め、その比誘電率εがどのような値を呈するかなど
の判知ができるように用い得る。
【００２４】以上が、本発明による誘電体薄膜の高周波
特性測定法の実施例である。
特性測定法の実施例である。
【００２５】このような本発明による誘電体薄膜の高周
波特性測定法によれば、測定用素子ＤＭを、図４に示す
従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合と同様に、
半導体装置を製造するのに従来用いている方法によっ
て、容易に形成することができるとともに、第１及び第
２の補正用素子ＤＣ１及びＤＣ２も、測定用素子ＤＭと
同様に且つ同時に、容易に形成することができるので、
半導体基板Ｂ上に形成される誘電体薄膜Ｆの高周波特性
Ｈを、容易に測定することができる。
波特性測定法によれば、測定用素子ＤＭを、図４に示す
従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合と同様に、
半導体装置を製造するのに従来用いている方法によっ
て、容易に形成することができるとともに、第１及び第
２の補正用素子ＤＣ１及びＤＣ２も、測定用素子ＤＭと
同様に且つ同時に、容易に形成することができるので、
半導体基板Ｂ上に形成される誘電体薄膜Ｆの高周波特性
Ｈを、容易に測定することができる。
【００２６】また、図１に示す本発明による誘電体薄膜
の高周波特性測定法の場合、測定用素子ＤＭの高周波特
性ＨＭの測定を、上述したように測定用素子ＤＭの測定
用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみ
たアドミタンスＹA の測定とし、また、第１の補正用素
子ＤＣ１の高周波特性ＨＣ１の測定を上述したように第
１の補正用素子ＤＣ１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ
１及び第１の補正用上部電極層ＥＵＣ１間でみたアドミ
タンスＹB の測定とし、さらに第２の補正用素子ＤＣ２
の高周波特性ＨＣ２の測定を上述したように第２の補正
用素子ＤＣ２の第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２及び第
２の補正用上部電極層ＥＵＣ２間でみたアドミタンスＹ
D の測定とする場合、測定用素子ＤＭのアドミタンスＹ
A が、一般に、周波数ｆに対する測定用下部電極層ＥＬ
Ｍ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃのアドミタン
スＹC だけからなる等価アドミタンス回路で表されな
く、図２Ａ及び図５に示すような、測定用下部電極層Ｅ
ＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃのアドミタ
ンスＹC と、それと直列な寄生アドミタンスＹS と、ア
ドミタンスＹC と並列な寄生アドミタンスＹP とを有す
る等価アドミタンス回路で表されるとしても、第１の補
正用素子Ｃ１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１及び第
１の補正用上部電極層ＥＵＣ１間でみたアドミタンスＹ
B が、一般に、図２Ｂに示す図２ＡのアドミタンスＹC
がオープンしている等価アドミタンス回路で表され、ま
た第２の補正用素子ＤＣ２の第２の補正用下部電極層Ｅ
ＬＣ２及び第２の補正用上部電極層ＥＵＣ２間でみたア
ドミタンスＹD が、一般に、図２Ｃに示す図２Ａのアド
ミタンスＹＣがショートしている等価アドミタンス回路
で表されることから、アドミタンス回路ＹC を、 ＹC＝｛（ＹA−ＹB）（ＹC−ＹB）／（ＹC−ＹA）｝Ｙ0
＝Ｇ＋ｉωＣ で求め（Ｙ0 は定数）、そして、そのアドミタンスＹC
を用いて、周波数ｆに対する測定用下部電極層ＥＬＭ及
び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃの関係を求めるよ
うにすれば、その周波数ｆに対する測定用下部電極層Ｅ
ＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃが、測定用
素子ＤＭが容量ＣのアドミタンスＹC だけからなる等価
アドミタンス回路で表されるとする場合に得られる図３
及び図６の線ａに示すように、周波数ｆの５０ＧＨｚ以
下の値において一定値であるとして得られる。
の高周波特性測定法の場合、測定用素子ＤＭの高周波特
性ＨＭの測定を、上述したように測定用素子ＤＭの測定
用下部電極層ＥＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間でみ
たアドミタンスＹA の測定とし、また、第１の補正用素
子ＤＣ１の高周波特性ＨＣ１の測定を上述したように第
１の補正用素子ＤＣ１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ
１及び第１の補正用上部電極層ＥＵＣ１間でみたアドミ
タンスＹB の測定とし、さらに第２の補正用素子ＤＣ２
の高周波特性ＨＣ２の測定を上述したように第２の補正
用素子ＤＣ２の第２の補正用下部電極層ＥＬＣ２及び第
２の補正用上部電極層ＥＵＣ２間でみたアドミタンスＹ
D の測定とする場合、測定用素子ＤＭのアドミタンスＹ
A が、一般に、周波数ｆに対する測定用下部電極層ＥＬ
Ｍ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃのアドミタン
スＹC だけからなる等価アドミタンス回路で表されな
く、図２Ａ及び図５に示すような、測定用下部電極層Ｅ
ＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃのアドミタ
ンスＹC と、それと直列な寄生アドミタンスＹS と、ア
ドミタンスＹC と並列な寄生アドミタンスＹP とを有す
る等価アドミタンス回路で表されるとしても、第１の補
正用素子Ｃ１の第１の補正用下部電極層ＥＬＣ１及び第
１の補正用上部電極層ＥＵＣ１間でみたアドミタンスＹ
B が、一般に、図２Ｂに示す図２ＡのアドミタンスＹC
がオープンしている等価アドミタンス回路で表され、ま
た第２の補正用素子ＤＣ２の第２の補正用下部電極層Ｅ
ＬＣ２及び第２の補正用上部電極層ＥＵＣ２間でみたア
ドミタンスＹD が、一般に、図２Ｃに示す図２Ａのアド
ミタンスＹＣがショートしている等価アドミタンス回路
で表されることから、アドミタンス回路ＹC を、 ＹC＝｛（ＹA−ＹB）（ＹC−ＹB）／（ＹC−ＹA）｝Ｙ0
＝Ｇ＋ｉωＣ で求め（Ｙ0 は定数）、そして、そのアドミタンスＹC
を用いて、周波数ｆに対する測定用下部電極層ＥＬＭ及
び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃの関係を求めるよ
うにすれば、その周波数ｆに対する測定用下部電極層Ｅ
ＬＭ及び測定用上部電極層ＥＵＭ間の容量Ｃが、測定用
素子ＤＭが容量ＣのアドミタンスＹC だけからなる等価
アドミタンス回路で表されるとする場合に得られる図３
及び図６の線ａに示すように、周波数ｆの５０ＧＨｚ以
下の値において一定値であるとして得られる。
【００２７】以上のことから、図１に示す本発明による
誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合、半導体基板Ｂ上
に形成される誘電体薄膜Ｆの高周波特性Ｈを、図４で前
述した従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合に比
し、正確に測定することができる。
誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合、半導体基板Ｂ上
に形成される誘電体薄膜Ｆの高周波特性Ｈを、図４で前
述した従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の場合に比
し、正確に測定することができる。
【００２８】なお、上述においては、本発明による誘電
体薄膜の高周波特性測定法の１つの実施例を示したに留
まり、本発明の精神を脱することなしに種々の変型、変
更をなし得るであろう。
体薄膜の高周波特性測定法の１つの実施例を示したに留
まり、本発明の精神を脱することなしに種々の変型、変
更をなし得るであろう。
【図１】本発明による誘電体薄膜の高周波特性測定法の
説明に供する、測定用素子、及び第１及び第２の補正用
素子を示す略線的平面図（図１Ａ）及びそのｂ−ｂ線上
の断面図（図１Ｂ）である。
説明に供する、測定用素子、及び第１及び第２の補正用
素子を示す略線的平面図（図１Ａ）及びそのｂ−ｂ線上
の断面図（図１Ｂ）である。
【図２】図１に示す本発明による誘電体薄膜の高周波特
性測定法の説明に供する、測定用素子、及び第１及び第
２の補正用素子の等価回路を示す図である。
性測定法の説明に供する、測定用素子、及び第１及び第
２の補正用素子の等価回路を示す図である。
【図３】図１に示す本発明による誘電体薄膜の高周波特
性測定法の説明に供する、測定用素子の高周波特性の測
定結果から求められる周波数ｆに対する容量（Ｃ）の関
係を示す図である。
性測定法の説明に供する、測定用素子の高周波特性の測
定結果から求められる周波数ｆに対する容量（Ｃ）の関
係を示す図である。
【図４】従来の誘電体薄膜の高周波特性測定法の説明に
供する、測定用素子を示す略線的平面図（図４Ａ）及び
そのｂ−ｂ線上の断面図（図４Ｂ）である。
供する、測定用素子を示す略線的平面図（図４Ａ）及び
そのｂ−ｂ線上の断面図（図４Ｂ）である。
【図５】図４に示す従来の誘電体薄膜の高周波特性測定
法の説明に供する、測定用素子の等価回路を示す図であ
る。
法の説明に供する、測定用素子の等価回路を示す図であ
る。
【図６】図４に示す従来の誘電体薄膜の高周波特性測定
法の説明に供する、測定用素子の高周波特性の測定結果
から求められる周波数ｆに対する容量（Ｃ）の関係を示
す図である。
法の説明に供する、測定用素子の高周波特性の測定結果
から求められる周波数ｆに対する容量（Ｃ）の関係を示
す図である。
Ｂ 半導体基板 ＢＢ、ＢＣ 基板 ＤＣ１、ＤＣ２ 補正用素子 ＤＭ 測定用素子 ＥＵＭ 測定用上部電極層 ＥＬＭ 測定用下部電極層 ＥＵＣ１、ＥＵＣ２ 補正用上部電極層 ＥＬＣ１、ＥＬＣ２ 補正用下部電極層 Ｆ 誘電体薄膜 ＦＣ１、ＦＣ２ 補正用誘電体薄膜 ＦＭ 測定用誘電体薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成される誘電体薄膜の
高周波特性を測定するにつき、 （ａ）上記半導体基板に対応している基板上に形成され
ている測定用下部電極層と（ｂ）上記基板上に、上記測
定用下部電極層上に延長して、上記半導体基板上に形成
されている上記誘電体薄膜と同様に形成されている測定
用誘電体薄膜と（ｃ）上記測定用誘電体薄膜上に、上記
測定用下部電極層と対向するように延長して形成されて
いる測定用上部電極層とを有する測定用素子を形成し、
上記測定用素子の上記測定用下部電極層及び上記測定用
上部電極層間でみた高周波特性を測定し、その測定用素
子の高周波特性の測定結果を用いる誘電体薄膜の高周波
特性測定法において、 （ｉ）（ａ）上記基板上に、上記基板上に形成されてい
る上記測定用下部電極層と同様に形成されている第１の
補正用下部電極層と（ｂ）上記基板上に、上記測定用下
部電極層上に延長している上記測定用誘電体薄膜と同様
に上記第１の補正用下部電極層上に延長して、上記基板
上に形成されている上記測定用誘電体薄膜と同様に形成
されている第１の補正用誘電体薄膜と（ｃ）上記第１の
補正用誘電体薄膜上に、上記測定用誘電体薄膜上に形成
されている上記測定用上部電極層と、それが上記測定用
下部電極層と対向して延長しているようには上記第１の
補正用下部電極層と対向するように延長していないこと
を除いて、同様に形成されている第１の補正用上部電極
層とを有する第１の補正用素子を形成し、その第１の補
正用素子の上記第１の補正用下部電極層及び上記第１の
補正用上部電極層間でみた高周波特性を、上記測定用素
子の高周波特性の測定の場合と同様に測定するととも
に、 （ｉｉ）（ａ）上記基板上に、上記基板上に形成されて
いる上記測定用下部電極層と同様に形成されている第２
の補正用下部電極層と（ｂ）上記基板上に、上記測定用
下部電極層上に延長している上記測定用誘電体薄膜と同
様に上記第２の補正用下部電極層上に延長して、上記基
板上に形成されている上記測定用誘電体薄膜と同様に形
成されている第２の補正用誘電体薄膜と（ｃ）上記第２
の補正用誘電体薄膜上に、上記測定用誘電体薄膜上に形
成されている上記測定用上部電極層と、それが上記測定
用下部電極層と対向して延長しているようには上記第２
の補正用下部電極層と対向して延長していないこと及び
上記第２の補正用下部電極層に連結していることを除い
て、同様に形成されている第２の補正用上部電極層とを
有する第２の補正用素子を形成し、その第２の補正用素
子の上記第２の補正用下部電極層及び上記第２の補正用
上部電極層間でみた高周波特性を、上記測定用素子の高
周波特性の測定の場合と同様に測定し、 （ｉｉｉ）上記測定用素子の高周波特性の測定結果を、
上記第１の補正用素子の高周波特性の測定結果及び上記
第２の補正用素子の高周波特性の測定結果で補正し、そ
の補正された上記測定用素子の高周波特性の測定結果
を、上記測定用素子の高周波特性の測定結果として用い
ることを特徴とする誘電体薄膜の高周波特性測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05509795A JP3173554B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 誘電体薄膜の高周波特性測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05509795A JP3173554B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 誘電体薄膜の高周波特性測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08226941A true JPH08226941A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3173554B2 JP3173554B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=12989246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05509795A Expired - Lifetime JP3173554B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 誘電体薄膜の高周波特性測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3173554B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002228600A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Kyocera Corp | 誘電定数測定法 |
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