JPS61276335A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS61276335A JPS61276335A JP60117869A JP11786985A JPS61276335A JP S61276335 A JPS61276335 A JP S61276335A JP 60117869 A JP60117869 A JP 60117869A JP 11786985 A JP11786985 A JP 11786985A JP S61276335 A JPS61276335 A JP S61276335A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos
- integrated circuit
- capacity
- semiconductor integrated
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積装置、特に静電容量の測定を可能
とした半導体装置に関する。
とした半導体装置に関する。
従来、半導体集積装置上に形成した、特にＭＯＳ形靜電
谷量の測定は、例えは、容量計のように、交流電圧を印
加した時の交流電流を測定して、インピーダンスと、印
加交流電圧の周波数から容量を求めていた。
谷量の測定は、例えは、容量計のように、交流電圧を印
加した時の交流電流を測定して、インピーダンスと、印
加交流電圧の周波数から容量を求めていた。
ところが、上述した従来の容量測定では、交流測定であ
るため、容量計から測定しようとする半導体基板上の静
電容量までに生じる分布容量が測定に誤差を与えたり、
測定に時間がかがシ半導体集積回路装置の製造過程にお
いて、静電容量のチェックは、手間がかかるという欠点
がある０〔問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体集積回路装置によれば、ＭＯＳ形静電容
量素子を有する半導体集積回路テア１上にＭＯＳ形静電
容量素子と同じ絶縁膜厚をもつ、容量チェック用のＭＯ
Ｓ形電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置
を得る０ 本発明は、上記欠点を解消して、ＭＯＢ形靜電谷量を、
ＭＯＳ形半導体のしきい値電圧を使って求めると供に、
直流測定であるため、半導体集積装置の他の直流測定と
同じに測定できるので製造過程における静電秤量のチェ
、りを大幅に簡略化できる半導体集積装置を提供するこ
とである０〔実施例〕 次に、本発明を半導体集積回路装置のＭＯａ形静電容量
の測定に通用した一実施例につき、詳細に説明する。
るため、容量計から測定しようとする半導体基板上の静
電容量までに生じる分布容量が測定に誤差を与えたり、
測定に時間がかがシ半導体集積回路装置の製造過程にお
いて、静電容量のチェックは、手間がかかるという欠点
がある０〔問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体集積回路装置によれば、ＭＯＳ形静電容
量素子を有する半導体集積回路テア１上にＭＯＳ形静電
容量素子と同じ絶縁膜厚をもつ、容量チェック用のＭＯ
Ｓ形電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置
を得る０ 本発明は、上記欠点を解消して、ＭＯＢ形靜電谷量を、
ＭＯＳ形半導体のしきい値電圧を使って求めると供に、
直流測定であるため、半導体集積装置の他の直流測定と
同じに測定できるので製造過程における静電秤量のチェ
、りを大幅に簡略化できる半導体集積装置を提供するこ
とである０〔実施例〕 次に、本発明を半導体集積回路装置のＭＯａ形静電容量
の測定に通用した一実施例につき、詳細に説明する。
第１図に示すように、半導体基板１に形成された半導体
集積回路装置の一部に絶縁膜２と電極３゜４で構成され
るＮｉ ｏ ｓ形靜電答量と同じ、！ｌｆ！！碌ｇ ２
／をゲート絶縁膜として有し、反対導電型のンース。
集積回路装置の一部に絶縁膜２と電極３゜４で構成され
るＮｉ ｏ ｓ形靜電答量と同じ、！ｌｆ！！碌ｇ ２
／をゲート絶縁膜として有し、反対導電型のンース。
ドレイン領域８．６と各電極５．６．７をする容量チェ
、り用のＭＯＳ形電界効果トランジスタを設ける。これ
は１つの半導体基板ｌ上の全ての半導体集積回路装置の
一部に容量チェ、り用として作られる。容量チェック用
ＭＯａ形電界効果トランジスタの電極５，６．７を使っ
てしきい値電圧を測定できるようにする。次に、しきい
値電圧と容量の関係式から容量を知ることができるので
容量値を、しきい値電圧として規定して他の直流測定と
同時に測定を行なえば、容量値を含んだ選別が可能にな
る。このしきい導電１ＥＶｔを次式のように表わせる。
、り用のＭＯＳ形電界効果トランジスタを設ける。これ
は１つの半導体基板ｌ上の全ての半導体集積回路装置の
一部に容量チェ、り用として作られる。容量チェック用
ＭＯａ形電界効果トランジスタの電極５，６．７を使っ
てしきい値電圧を測定できるようにする。次に、しきい
値電圧と容量の関係式から容量を知ることができるので
容量値を、しきい値電圧として規定して他の直流測定と
同時に測定を行なえば、容量値を含んだ選別が可能にな
る。このしきい導電１ＥＶｔを次式のように表わせる。
Ｖｔ ＝ （１）ｗｓ −ｇＬ！！！−＋ ２１６ｆ−
ユ２Ｑｉ ”Ｏ”Ｑ”Ｎｏ” ％ｊＣｏ Ｃ。
ユ２Ｑｉ ”Ｏ”Ｑ”Ｎｏ” ％ｊＣｏ Ｃ。
ただし、Ｖｔ：Ｌきい値電圧
ΦＭｓ：金輿とＳｉの仕事関数の差
＝−０，３１Ｖ
ｄｆ ：８ｉの７ｚルを準位＝−０，２９ＶすＨ：８ｉ
の比誘電率＝１１．８ Ｃｏ：真空中の誘電率＋＆８５５Ｘ１０’ＬｔｌｌｌＮ
ｏ ： ：Ｉ−に：夕＋Ｖ＋ｋｆｌｋＬ＝ ２Ｊ３Ｘ
１Ｇ’−ｒ３ｑ ：電荷量＝１．６Ｘ１０ ”Ｃ εｉ：絶縁膜の比誘電率（例えば８ ｉ０２の３．６） Ｃｏ：絶縁膜の作るコンデンサの 静電容量ｃｏ＝ｆユ Ｑ Ｑ８８二表面電荷密度 上記の式を整理して Ｖｔ＝ ０．６ （７，３Ｘ１０”＋３．１４Ｘ１０”
Ｑｓａ）・’３”；？となり、シきい値電圧ＶＴは、静
電容量ｃｏと＝対−の対応関係にある。
の比誘電率＝１１．８ Ｃｏ：真空中の誘電率＋＆８５５Ｘ１０’ＬｔｌｌｌＮ
ｏ ： ：Ｉ−に：夕＋Ｖ＋ｋｆｌｋＬ＝ ２Ｊ３Ｘ
１Ｇ’−ｒ３ｑ ：電荷量＝１．６Ｘ１０ ”Ｃ εｉ：絶縁膜の比誘電率（例えば８ ｉ０２の３．６） Ｃｏ：絶縁膜の作るコンデンサの 静電容量ｃｏ＝ｆユ Ｑ Ｑ８８二表面電荷密度 上記の式を整理して Ｖｔ＝ ０．６ （７，３Ｘ１０”＋３．１４Ｘ１０”
Ｑｓａ）・’３”；？となり、シきい値電圧ＶＴは、静
電容量ｃｏと＝対−の対応関係にある。
以上説明したように％本発明は、ＭＯａ形静電容量と同
じ絶縁膜厚を有するＭＯａ形電界効果トランジスタを半
導体集積回路装置の一部に設けて、しきい値電圧を測定
することによシ、直流的に前記ＭＯａ形静電容量の容量
値を測定することができるので、半導体集積回路装置の
製造過程における直流測定と同時にかつ、半導体基板上
にある全ての半導体集積回路装置に対して容量検査を行
なうことができる効果がある。また、容量検量は直流的
に行なわれるので、寄生容量Ｋまどわされることなく、
正確な測定ができる０
じ絶縁膜厚を有するＭＯａ形電界効果トランジスタを半
導体集積回路装置の一部に設けて、しきい値電圧を測定
することによシ、直流的に前記ＭＯａ形静電容量の容量
値を測定することができるので、半導体集積回路装置の
製造過程における直流測定と同時にかつ、半導体基板上
にある全ての半導体集積回路装置に対して容量検査を行
なうことができる効果がある。また、容量検量は直流的
に行なわれるので、寄生容量Ｋまどわされることなく、
正確な測定ができる０
第１図は本発明の一実施例による半導体集積回路装置の
主要部を示す断面図、第２図は第１図の半導体集積回路
装置を多数有する半導体基板の概略断面図である。 ｌ・・・・・・−導電形半導体基板、２．２’・・・・
・・絶縁膜、３．４・・・・・・ＭＯａ形静電容量の電
極、５．６゜７・・・・・容量チェ、り用ＭＯＳ形素子
の各電極、８゜９・・・・・・反対導電形ソース、ドレ
イン領域。 叉二シ
主要部を示す断面図、第２図は第１図の半導体集積回路
装置を多数有する半導体基板の概略断面図である。 ｌ・・・・・・−導電形半導体基板、２．２’・・・・
・・絶縁膜、３．４・・・・・・ＭＯａ形静電容量の電
極、５．６゜７・・・・・容量チェ、り用ＭＯＳ形素子
の各電極、８゜９・・・・・・反対導電形ソース、ドレ
イン領域。 叉二シ
Claims (1)
- 半導体基板上にＭＯＳ形静電容量素子を有する半導体集
積回路装置に於いて、前記半導体基板の一部に前記ＭＯ
Ｓ形静電容量素子の絶縁膜と同じ絶縁膜をゲート絶縁膜
として有するＭＯＳ形電界効果トランジスタを有するこ
とを特徴とした半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117869A JPS61276335A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117869A JPS61276335A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276335A true JPS61276335A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14722295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117869A Pending JPS61276335A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019047010A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置ならびに半導体装置の駆動方法 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60117869A patent/JPS61276335A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019047010A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置ならびに半導体装置の駆動方法 |
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