JPH06288972A - イオンセンサ及びイオン測定方法 - Google Patents
イオンセンサ及びイオン測定方法Info
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- JPH06288972A JPH06288972A JP5095478A JP9547893A JPH06288972A JP H06288972 A JPH06288972 A JP H06288972A JP 5095478 A JP5095478 A JP 5095478A JP 9547893 A JP9547893 A JP 9547893A JP H06288972 A JPH06288972 A JP H06288972A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は、温度補償の問題に簡単な解決策を
与えるものでｐＨ計の測定精度の向上したｐＨ計の製作
に寄与するものである。また、本発明は、従来のＩＳＦＥ
Ｔを用いたｐＨ計の測定精度を大幅に向上させ、０〜５
０℃の温度変化に対して±０.０１〜±０.１ｐＨを実現
しようとするもので、高精度のｐＨ計をＩＳＦＥＴを用
いて実現するのに大きく可能性を開くものである。 【構成】 分離された島状シリコン内にＩＳＦＥＴとＭ
ＯＳＦＥＴとダイオ−ドＤをワンチップ化したデバイス
のそれぞれに定電流回路を接続し、定電圧電源からＦＥ
Ｔのドレインとダイオ−ドに一定電圧を供給したソ−ス
フォロア回路で、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのそれぞれ
のソ−ス電圧の差動出力と供にダイオ−ドなどの温度セ
ンサからの溶液温度のデ−タをＡ／Ｄコンバ−タを通し
てＣＰＵにデ−タを送り計算することにより、参照電極
の電位とセンサ感度の温度による誤差を補償することに
よりｐＨの測定精度を向上させたことを特徴とするイオ
ンセンサの構成法。
与えるものでｐＨ計の測定精度の向上したｐＨ計の製作
に寄与するものである。また、本発明は、従来のＩＳＦＥ
Ｔを用いたｐＨ計の測定精度を大幅に向上させ、０〜５
０℃の温度変化に対して±０.０１〜±０.１ｐＨを実現
しようとするもので、高精度のｐＨ計をＩＳＦＥＴを用
いて実現するのに大きく可能性を開くものである。 【構成】 分離された島状シリコン内にＩＳＦＥＴとＭ
ＯＳＦＥＴとダイオ−ドＤをワンチップ化したデバイス
のそれぞれに定電流回路を接続し、定電圧電源からＦＥ
Ｔのドレインとダイオ−ドに一定電圧を供給したソ−ス
フォロア回路で、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのそれぞれ
のソ−ス電圧の差動出力と供にダイオ−ドなどの温度セ
ンサからの溶液温度のデ−タをＡ／Ｄコンバ−タを通し
てＣＰＵにデ−タを送り計算することにより、参照電極
の電位とセンサ感度の温度による誤差を補償することに
よりｐＨの測定精度を向上させたことを特徴とするイオ
ンセンサの構成法。
Description
【０００１】
【発明の属する分野の説明】本発明は半導体デバイスを
用いたイオンセンサ及びそのイオン測定方法に関するも
のである。
用いたイオンセンサ及びそのイオン測定方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来技術】イオン感応電界効果トランジスタ(以下Ｉ
ＳＦＥＴ)の実用上の問題として、溶液の温度変化に対
して、ＩＳＦＥＴが温度変化することにより、その出力
電圧が誤差を生じる事である。従来、この解決策とし
て、（１）ＩＳＦＥＴのドレイン電流を温度変化のない
ような適当な値に設定するＩＱ法と呼ばれ （２） る方法、（２）あらかじめ、ドレイン電流をある値に設
定して、そこでのＦＥＴの温度係数を製品分布から推定
してある値を決定し、これとダイオ−ドの正方向電圧降
下の温度係数などを用いる温度センサからのデ−タを用
いて、ＣＰＵに計算させて結果として温度補償する方法
などがとられていた。
ＳＦＥＴ)の実用上の問題として、溶液の温度変化に対
して、ＩＳＦＥＴが温度変化することにより、その出力
電圧が誤差を生じる事である。従来、この解決策とし
て、（１）ＩＳＦＥＴのドレイン電流を温度変化のない
ような適当な値に設定するＩＱ法と呼ばれ （２） る方法、（２）あらかじめ、ドレイン電流をある値に設
定して、そこでのＦＥＴの温度係数を製品分布から推定
してある値を決定し、これとダイオ−ドの正方向電圧降
下の温度係数などを用いる温度センサからのデ−タを用
いて、ＣＰＵに計算させて結果として温度補償する方法
などがとられていた。
【０００３】
【従来技術の問題点】然し乍ら、上記の従来技術は個々
のＦＥＴの温度特性にバラツキがあるので（１）では温
度係数がゼロのドレイン電流を個々に測定しなければな
らず、また（２）のようなＣＰＵを用いたＩＳＦＥＴの
温度補償は、図１に示すような回路構成で、ＩＳＦＥＴ
と温度センサとを組み合わせあらかじめドレイン電流を
一定値に決定し、そこでのＩＳＦＥＴの温度係数をその
生産分布から見積もった値をＣＰＵにメモりさせ、上記
の温度センサの温度デ−タからすでにメモりされたそれ
ぞれの温度における温度特性曲線からＣＰＵが計算し、
その出力電圧に温度の補正を行うように構成されてい
る。しかし、この方法ではＩＳＦＥＴの特性は±０.５
ｍＶ／℃くらいのバラツキがあるので、±２５℃の温度
変化で、ＩＳＦＥＴ間で±０.２ｐＨも出力値が変化す
るので測定精度が低かった。したがって、このような方
法ではｐＨ計として０〜５０℃の範囲で±０.２ｐＨを
越える精度のｐＨ計を得るのは困難であった。
のＦＥＴの温度特性にバラツキがあるので（１）では温
度係数がゼロのドレイン電流を個々に測定しなければな
らず、また（２）のようなＣＰＵを用いたＩＳＦＥＴの
温度補償は、図１に示すような回路構成で、ＩＳＦＥＴ
と温度センサとを組み合わせあらかじめドレイン電流を
一定値に決定し、そこでのＩＳＦＥＴの温度係数をその
生産分布から見積もった値をＣＰＵにメモりさせ、上記
の温度センサの温度デ−タからすでにメモりされたそれ
ぞれの温度における温度特性曲線からＣＰＵが計算し、
その出力電圧に温度の補正を行うように構成されてい
る。しかし、この方法ではＩＳＦＥＴの特性は±０.５
ｍＶ／℃くらいのバラツキがあるので、±２５℃の温度
変化で、ＩＳＦＥＴ間で±０.２ｐＨも出力値が変化す
るので測定精度が低かった。したがって、このような方
法ではｐＨ計として０〜５０℃の範囲で±０.２ｐＨを
越える精度のｐＨ計を得るのは困難であった。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、上記の温度補償の問題に簡単
な解決策を与えるものでｐＨ計の測定精度の向上したｐ
Ｈ計の製作に寄与するものである。また、本発明は、従
来のＩＳＦＥＴを用いたｐＨ計の測定精度を大幅に向上
させ、０〜５０℃の温度変化に対して±０.０１〜±０.
１ｐＨを実現しようとするもので、高精度のｐＨ計をＩ
ＳＦＥＴを用いて実現するのに大きく可能性を開くもの
である。
な解決策を与えるものでｐＨ計の測定精度の向上したｐ
Ｈ計の製作に寄与するものである。また、本発明は、従
来のＩＳＦＥＴを用いたｐＨ計の測定精度を大幅に向上
させ、０〜５０℃の温度変化に対して±０.０１〜±０.
１ｐＨを実現しようとするもので、高精度のｐＨ計をＩ
ＳＦＥＴを用いて実現するのに大きく可能性を開くもの
である。
【０００５】
（３） 本発明は分離された島状シリコン内にＩＳＦＥＴとＭＯ
ＳＦＥＴとダイオ−ドをワンチップ化したデバイスのそ
れぞれに定電流回路を接続し、定電圧電源からＦＥＴの
ドレインとダイオ−ドに一定電圧を供給したソ−スフォ
ロア回路で、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのそれぞれのソ
−ス電圧の差動出力と供にダイオ−ドなどの温度センサ
からの溶液温度のデ−タをＡ／Ｄコンバ−タを通してＣ
ＰＵにデ−タを送り計算することにより、参照電極の電
位とセンサ感度の温度による誤差を補償することにより
ｐＨの測定精度を向上させたことを特徴とする。
ＳＦＥＴとダイオ−ドをワンチップ化したデバイスのそ
れぞれに定電流回路を接続し、定電圧電源からＦＥＴの
ドレインとダイオ−ドに一定電圧を供給したソ−スフォ
ロア回路で、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのそれぞれのソ
−ス電圧の差動出力と供にダイオ−ドなどの温度センサ
からの溶液温度のデ−タをＡ／Ｄコンバ−タを通してＣ
ＰＵにデ−タを送り計算することにより、参照電極の電
位とセンサ感度の温度による誤差を補償することにより
ｐＨの測定精度を向上させたことを特徴とする。
【０００６】
【実施例】図２は本発明の一実施例構造を示す断面図
で、１はＰ型シリコン基体、２はＮ型領域で前記Ｐ型シ
リコン基体１と共にＰＮ接合Ｊにより分離された島状領
域Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3を形成する。次に３、４は夫々島状領
域Ｉ1、Ｉ2に形成されたソ−ス領域及びドレイン領域で
夫々領域上にソ−ス電極Ｓ1、Ｓ2及びドレイン電極Ｄ
1、Ｄ2が形成され、又領域Ｉ1のゲ−ト酸化膜５上には
イオン感応膜ＩＳが被着されてイオン感応電界効果トラ
ンジスタＩＳＦＥＴを形成し、領域Ｉ2のゲ−ト酸化膜
５上には金属又はポリシリコンＭを被着しメタルゲ−ト
（ＭＯＳ）形電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を
形成している。又島状領域Ｉ3にはＰ型拡数領域７及び
Ｎ型拡散領域８を設けて温度補償用素子としてのダイオ
−ドＤを形成する。
で、１はＰ型シリコン基体、２はＮ型領域で前記Ｐ型シ
リコン基体１と共にＰＮ接合Ｊにより分離された島状領
域Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3を形成する。次に３、４は夫々島状領
域Ｉ1、Ｉ2に形成されたソ−ス領域及びドレイン領域で
夫々領域上にソ−ス電極Ｓ1、Ｓ2及びドレイン電極Ｄ
1、Ｄ2が形成され、又領域Ｉ1のゲ−ト酸化膜５上には
イオン感応膜ＩＳが被着されてイオン感応電界効果トラ
ンジスタＩＳＦＥＴを形成し、領域Ｉ2のゲ−ト酸化膜
５上には金属又はポリシリコンＭを被着しメタルゲ−ト
（ＭＯＳ）形電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を
形成している。又島状領域Ｉ3にはＰ型拡数領域７及び
Ｎ型拡散領域８を設けて温度補償用素子としてのダイオ
−ドＤを形成する。
【０００７】図３は本発明のイオンセンサを利用したイ
オン測定法を示す回路図で図３では温度補償用ダイオ−
ドを除いた例を示す。図３に示すように、同一寸法のＩ
ＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴワンチップ上に配置し、ドレイ
ン電極共通とし、ＩＳＦＥＴのソ−ス電極、メタルゲ−
トＦＥＴのソ−ス電極、メタルゲ−トの電極の４つの電
極を外部に取りだし、ドレイン電圧、ドレイン電流一定
のソ−スフォロア回路構成とする。ここで基準電極は内
部液形の銀一塩化銀電極を使用している。この回路でＩ
ＳＦＥＴと （４） ＭＯＳＦＥＴのソ−ス電位ＶSはそれぞれ下記の式で表
される。Ｅrefは参照電極電位で、Ｖt1、Ｖt2はそれぞ
れＦＥＴのしきい値電圧である。ＩＳＦＥＴでは
オン測定法を示す回路図で図３では温度補償用ダイオ−
ドを除いた例を示す。図３に示すように、同一寸法のＩ
ＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴワンチップ上に配置し、ドレイ
ン電極共通とし、ＩＳＦＥＴのソ−ス電極、メタルゲ−
トＦＥＴのソ−ス電極、メタルゲ−トの電極の４つの電
極を外部に取りだし、ドレイン電圧、ドレイン電流一定
のソ−スフォロア回路構成とする。ここで基準電極は内
部液形の銀一塩化銀電極を使用している。この回路でＩ
ＳＦＥＴと （４） ＭＯＳＦＥＴのソ−ス電位ＶSはそれぞれ下記の式で表
される。Ｅrefは参照電極電位で、Ｖt1、Ｖt2はそれぞ
れＦＥＴのしきい値電圧である。ＩＳＦＥＴでは
【数１】 又メタルゲ−ト（ＭＯ）では
【数２】 但し、Ｒは気体定数、Ｔは絶対温度、Ｆはファラデ−定
数である。ここで、βはＦＥＴの構造に関係するもので
同一とし、また、両者のドレイン電流を同一（ＩS1＝Ｉ
S2）とすると、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのソ−ス電位
の差は次式となる。
数である。ここで、βはＦＥＴの構造に関係するもので
同一とし、また、両者のドレイン電流を同一（ＩS1＝Ｉ
S2）とすると、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのソ−ス電位
の差は次式となる。
【数３】 また、両者のしきい値電圧の差は一定とすると、ＩＳＦ
ＥＴとＭＯＳＦＥＴのソ−ス電位の差の温度依存性は次
式となる。
ＥＴとＭＯＳＦＥＴのソ−ス電位の差の温度依存性は次
式となる。
【数４】
【０００８】つまり、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのソ−
ス電位の差動出力電圧の温度特性はｐＨ感度と参照電極
の電位の温度依存性によることが解る。実際、ＩＳＦＥ
Ｔのソ−ス電位の温度による変化は±２５℃で±５０ｍ
Ｖ〜±６０ｍＶも変化する。一方、ＭＯＳＦＥＴの方も
ア−ス電位に固定されていながら同様の変化をする。し
かし、両者の差はドレイン電流の全領域で温度変化が±
２５℃の範囲で±１２ｍＶくらいになる。この変化は上
記で説明したように、ＩＳＦＥＴ単体で構成のときのｐ
Ｈ感度の温度依存性と参照電極の電位の温度依存性が合
わさったものである。以上の原理にもとづき個々のＩＳ
ＦＥＴの温度特性が違っていてもＩＳＦＥＴ／メタルゲ
−トＦＥＴのペア−をワンチップに配置することにより
温度特性の揃ったＦＥＴを作ることができるので、二つ
のＦＥＴ側の温度変化による出力変化は１／５に再現性
良く低減できる。図４は上記構成で温度を２５℃〜５０
℃にステップ状に変化させたときの各ＦＥＴとその差動
出力を比較したもので、温度に対し各センサはすばや （５） く応答している。
ス電位の差動出力電圧の温度特性はｐＨ感度と参照電極
の電位の温度依存性によることが解る。実際、ＩＳＦＥ
Ｔのソ−ス電位の温度による変化は±２５℃で±５０ｍ
Ｖ〜±６０ｍＶも変化する。一方、ＭＯＳＦＥＴの方も
ア−ス電位に固定されていながら同様の変化をする。し
かし、両者の差はドレイン電流の全領域で温度変化が±
２５℃の範囲で±１２ｍＶくらいになる。この変化は上
記で説明したように、ＩＳＦＥＴ単体で構成のときのｐ
Ｈ感度の温度依存性と参照電極の電位の温度依存性が合
わさったものである。以上の原理にもとづき個々のＩＳ
ＦＥＴの温度特性が違っていてもＩＳＦＥＴ／メタルゲ
−トＦＥＴのペア−をワンチップに配置することにより
温度特性の揃ったＦＥＴを作ることができるので、二つ
のＦＥＴ側の温度変化による出力変化は１／５に再現性
良く低減できる。図４は上記構成で温度を２５℃〜５０
℃にステップ状に変化させたときの各ＦＥＴとその差動
出力を比較したもので、温度に対し各センサはすばや （５） く応答している。
【０００９】図５はＰＮＰのダブルジャンクションによ
り分離された島状シリコン内にＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥ
Ｔとダイオ−ドをワンチップ化しこのチップ内のＩＳＦ
ＥＴ／ＭＯＳＦＥＴペアとダイオ−ドのそれぞれに定電
流回路を接続し、定電圧電源からＦＥＴのドレインとダ
イオ−ドに一定電圧を供給したソ−スフォロア回路とし
て、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのそれぞれのソ−ス電圧
とダイオ−ドの順方向降下電圧をＡ／Ｄコンバ−タを通
してＣＰＵにデ−タを送るように構成する。（３）、
（４）式に示すように、差動出力つまり感応膜の起電力
はｐＨに比例し、すなわち１ｐＨあたりの発生起電力ｍ
Ｖは表１に示すように、約０.２ｍＶ／℃の感度変化と
なる。
り分離された島状シリコン内にＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥ
Ｔとダイオ−ドをワンチップ化しこのチップ内のＩＳＦ
ＥＴ／ＭＯＳＦＥＴペアとダイオ−ドのそれぞれに定電
流回路を接続し、定電圧電源からＦＥＴのドレインとダ
イオ−ドに一定電圧を供給したソ−スフォロア回路とし
て、ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのそれぞれのソ−ス電圧
とダイオ−ドの順方向降下電圧をＡ／Ｄコンバ−タを通
してＣＰＵにデ−タを送るように構成する。（３）、
（４）式に示すように、差動出力つまり感応膜の起電力
はｐＨに比例し、すなわち１ｐＨあたりの発生起電力ｍ
Ｖは表１に示すように、約０.２ｍＶ／℃の感度変化と
なる。
【表１】 一方、一例として、銀一塩化銀電極における電位の温度
依存性は表２のように約０.７ｍＶ／℃の値であり、マ
イナスの温度係数を持っている。
依存性は表２のように約０.７ｍＶ／℃の値であり、マ
イナスの温度係数を持っている。
【表２】
【００１０】一定の工程で製作された銀一塩化銀電極の
温度特性は良く揃ったものが出来るので、製作された銀
一塩化銀電極の代表的な温度特性を求めることにより正
確に参照電極の温度係数を予測できる。上記のこれらの
デ−タをＣＰＵのＲＯＭに記憶しておく。ダイオ−ドの
順方向電圧降下の温度係数は約２.０ｍＶ／℃であるの
でその順方向電圧降下から温度センサとして利用できる
ので、ＩＳＦＥＴ／ＭＯＳＦＥＴペア−と同一チップ上
にあるダイオ−ドの順方向電圧降下をセンシングしてＡ
／Ｄコンバ−タを通してＣＰＵに温度デ−タを入れてや
ることにより上記のｐＨ感度の温度係数値である２.３
０３ＲＴ／Ｆを決定し、さらに参照電極の温度係数のデ
−タがＣＰＵのＲＯＭに入っているのでこれらのデ−タ
から高精度の温度補償ができる。この方法で±２５℃の
温度変化に対して±０.０１ｐＨ （６） のｐＨ測定精度を実現できる。
温度特性は良く揃ったものが出来るので、製作された銀
一塩化銀電極の代表的な温度特性を求めることにより正
確に参照電極の温度係数を予測できる。上記のこれらの
デ−タをＣＰＵのＲＯＭに記憶しておく。ダイオ−ドの
順方向電圧降下の温度係数は約２.０ｍＶ／℃であるの
でその順方向電圧降下から温度センサとして利用できる
ので、ＩＳＦＥＴ／ＭＯＳＦＥＴペア−と同一チップ上
にあるダイオ−ドの順方向電圧降下をセンシングしてＡ
／Ｄコンバ−タを通してＣＰＵに温度デ−タを入れてや
ることにより上記のｐＨ感度の温度係数値である２.３
０３ＲＴ／Ｆを決定し、さらに参照電極の温度係数のデ
−タがＣＰＵのＲＯＭに入っているのでこれらのデ−タ
から高精度の温度補償ができる。この方法で±２５℃の
温度変化に対して±０.０１ｐＨ （６） のｐＨ測定精度を実現できる。
【００１１】
【発明の効果】本発明により、ワンチップで差動構成が
できるので、ペア−特性の良く揃ったＦＥＴが製作で
き、組立製作が簡単で、大幅なコスト低減が実現でき
る。また０〜５０℃の間で、±０.２ｐＨを上回る精度
を全ての製作されたｐＨ計で実現できることは、測定精
度とその値の信頼性という点でも効果大である。本発明
により、ＩＳＦＥＴによるｐＨ測定が、ガラス電極並み
にできるので、従来より小形で安価にｐＨプロ−ブを製
作できその効果大である。将来この方法が大部分ガラス
電極から置き換えることができる。
できるので、ペア−特性の良く揃ったＦＥＴが製作で
き、組立製作が簡単で、大幅なコスト低減が実現でき
る。また０〜５０℃の間で、±０.２ｐＨを上回る精度
を全ての製作されたｐＨ計で実現できることは、測定精
度とその値の信頼性という点でも効果大である。本発明
により、ＩＳＦＥＴによるｐＨ測定が、ガラス電極並み
にできるので、従来より小形で安価にｐＨプロ−ブを製
作できその効果大である。将来この方法が大部分ガラス
電極から置き換えることができる。
【図１】従来の測定方法を示す回路図
【図２】本発明の一実施例構造を示す断面図
【図３】本発明の測定方法を示す構成例図
【図４】本発明による温度変化に対する出力変動を示す
特性図
特性図
【図５】本発明の他の測定方法を示す構成例図
ＩＳＦＥＴ イオン感応電界効果トランジスタ ＭＯＳＦＥＴ メタルゲ−ト電界効果トランジスタ Ｄ 温度補償用ダイオ−ド Ｉ1、Ｉ2、Ｉ2 島状領域 １ シリコン基体
Claims (4)
- 【請求項１】 ＰＮ接合により夫々分離され島状シリコ
ン内においてゲ−ト絶縁膜上にイオン感応膜被着したイ
オン感応電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）と、金属
もしくはポリシリコンを被着したＭＯＳ形電界効果トラ
ンジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）及び温度補償用素子を設けた
ことを特徴とするイオンセンサ。 - 【請求項２】 ＭＯＳＦＥＴのゲ−ト電極をア−ス電位
もしくは一定電位に接続したことを特徴とする特許請求
の範囲１項記載のイオンセンサ。 - 【請求項３】 ＩＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴのドレイン電
圧、及び、ドレイン電流をともに一定にするソ−スフォ
ロア回路構成とした差動回路構成で、基準電極として内
部液形の銀一塩化銀電極を使用、二つのＦＥＴソ−ス電
圧の差動出力を取り出すことを特徴とするイオン測定方
法。 - 【請求項４】 ＩＳＦＥＴ／ＭＯＳＦＥＴペアの差動出
力の温度変化を上記温度センサの温度デ−タを用いてＣ
ＰＵにより計算することで温度変化による特性変動を補
償するようにしたことを特徴とするイオン測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05095478A JP3112599B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | イオンセンサ及びイオン測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05095478A JP3112599B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | イオンセンサ及びイオン測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06288972A true JPH06288972A (ja) | 1994-10-18 |
| JP3112599B2 JP3112599B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=14138734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05095478A Expired - Fee Related JP3112599B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | イオンセンサ及びイオン測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3112599B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002001215A1 (fr) * | 2000-06-29 | 2002-01-03 | Yamatake Corporation | Dispositif a capteur integre et systeme de mesure mettant en oeuvre un tel dispositif |
| KR100441663B1 (ko) * | 2001-08-11 | 2004-07-27 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 온도센서를 구비한 수소이온농도 측정센서 및 그측정센서를 구비한 수소이온농도 측정장치 |
| KR100742843B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2007-07-25 | 주식회사 포스코 | 페하측정장치 및 방법 |
| CN113049658A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 天马日本株式会社 | 离子感测设备 |
| US20220205948A1 (en) * | 2019-06-28 | 2022-06-30 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Sensor devices |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP05095478A patent/JP3112599B2/ja not_active Expired - Fee Related
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