JP2010067286A - 光ピックアップ装置、光ディスク装置、合焦位置検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高反射率記録層に記録されたデータの誤消去を防止し、且つ低反射率ROM層の合焦位置を検出することができる光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】第1及び第2高反射率記録層3a,3b及び低反射率ROM層3cを有する多層光ディスク3に光ビームを集光させる対物レンズ41aと、多層光ディスク3からの反射光に基づいて焦点誤差信号を生成するアナログ信号処理回路5と、多層光ディスク3に対して接離する方向へ対物レンズ41aを移動させる対物レンズアクチュエータ41bとを備える光ピックアップ装置1に、対物レンズ41aを第1及び第2高反射率記録層3a,3b側へ移動させて合焦位置を検出する場合、低強度の光ビームを出力し、対物レンズ41aを低反射率ROM層3c側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを出力する光ビーム出力部46を備える。
【選択図】図1
【解決手段】第1及び第2高反射率記録層3a,3b及び低反射率ROM層3cを有する多層光ディスク3に光ビームを集光させる対物レンズ41aと、多層光ディスク3からの反射光に基づいて焦点誤差信号を生成するアナログ信号処理回路5と、多層光ディスク3に対して接離する方向へ対物レンズ41aを移動させる対物レンズアクチュエータ41bとを備える光ピックアップ装置1に、対物レンズ41aを第1及び第2高反射率記録層3a,3b側へ移動させて合焦位置を検出する場合、低強度の光ビームを出力し、対物レンズ41aを低反射率ROM層3c側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを出力する光ビーム出力部46を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、高反射率記録層及び低反射率ROM層を有する多層光ディスクの合焦位置検出、例えばフォーカス揺動、フォーカス引き込み、又はフォーカスジャンプにおける合焦位置の検出を行う光ピックアップ装置、該光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置、及び光ピックアップ装置を用いて合焦位置を検出する合焦位置検出方法に関する。
1枚の記録層又はROM層を有する単層光ディスク、例えばCD(Compact Disc)、単層DVD(Digital Versatile Disc)、単層BD(Blu-ray Disc)等に加え、記録層又はROM層を複数有する多層光ディスク、例えば2層BDが実用化されている。
光ディスク装置は、所望の記録層又はROM層に合焦させる場合、単層光ディスクでは、単層光ディスク用の規格で定められた所定光強度P1を有する光ビームを用い、2層光ディスクの場合、2層光ディスク用の規格で定められた所定光強度P2(P2>所定光強度P1)を有する光ビームを用いている。2層光ディスクの場合、フォーカスジャンプを行うときも、所定強度P2の光ビームを用いて各層に合焦させるように構成されている。
光ディスク装置は、所望の記録層又はROM層に合焦させる場合、単層光ディスクでは、単層光ディスク用の規格で定められた所定光強度P1を有する光ビームを用い、2層光ディスクの場合、2層光ディスク用の規格で定められた所定光強度P2(P2>所定光強度P1)を有する光ビームを用いている。2層光ディスクの場合、フォーカスジャンプを行うときも、所定強度P2の光ビームを用いて各層に合焦させるように構成されている。
ところで、近年、記録媒体用途以外の新規の用途に用いることが期待される多層光ディスクが開発されている。即ち、所定の規格に準拠した従来の多層光ディスクの最表面側に、記録層に比べて反射率が低いROM層を追加的に設けた多層光ディスクが考えられている。以下、前記多層光ディスクにおける記録層を高反射率記録層、前記ROM層を低反射率ROM層という。該多層光ディスクは、低反射率ROM層があっても、低反射率ROM層の奥の高反射率記録層(L0層又はL1層)にアクセスする場合、通常の記録型光ディスクの物理規格に準じ、記録型光ディスクと等価の制御がなされるように構成されている。このため、低反射率ROM層の反射率は、多層光ディスクの表面層の物理特性にできるだけ近くするため、極めて低い値に設定されている。例えば、BD−RE又はBD−Rの単層光ディスクの場合、約11〜24%、2層光ディスクの場合、約5〜12%であるのに対し、低反射率ROM層の反射率は約1〜3%と相対的に極めて低い値に設定されている。
一方、特許文献1には、単層光ディスクにおいて、合焦位置、トラッキング位置を正確に求めるために、フォーカスサーボ又はトラッキングサーボの引き込み処理後、光ビームの出力を可変し、フォーカスエラー信号又はトラッキングエラー信号を監視し、光強度依存性のない定数項と光強度依存性のある成分を見つけ、光強度によりフォーカスサーボ又はトラッキングサーボのオフセット値を補正し、より正確なサーボ性能を得るように構成された発明が開示されている。
特開平7−235072号公報
しかしながら、従来の光ディスク装置においては、所定光強度P1,P2を出力しながら対物レンズをフォーカシング方向へ揺動させて合焦位置を検出する構成であるところ、低反射率ROM層から得られるフォーカスエラー信号の強度が、高反射率記録層から得られるフォーカスエラー信号の強度に比べて小さいため、合焦位置を検出し、低反射率ROM層に合焦させることが困難であるという問題があった。
また、規格で定められた所定光強度P1,P2以上の高強度の光ビームを用いた場合、高反射率記録層に高強度の光ビームが集光し、データが誤消去される虞があった。
また、規格で定められた所定光強度P1,P2以上の高強度の光ビームを用いた場合、高反射率記録層に高強度の光ビームが集光し、データが誤消去される虞があった。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、対物レンズを高反射率記録層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、低強度の光ビームを出力し、対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを出力するように構成することによって、高反射率記録層に記録されたデータの誤消去を防止し、且つ低反射率ROM層の合焦位置を確実に検出することができる光ピックアップ装置、光ディスク装置及び合焦位置検出方法を提供することを目的とする。
なお、特許文献1に係る発明は、フォーカスサーボ又はトラッキングサーボの引き込み後の補正に関する技術が開示されているのみであり、上述の問題を解決する手段は開示されていない。
本発明に係る光ピックアップ装置は、高反射率記録層及び低反射率ROM層を有する多層光ディスクに光ビームを集光させる対物レンズと、該対物レンズ及び各層の距離に応じて電圧レベルが変化する焦点誤差信号を、多層光ディスクからの反射光に基づいて生成する焦点誤差信号生成手段と、多層光ディスクに対して接離する方向へ前記対物レンズを移動させる対物レンズ駆動手段とを備え、生成された焦点誤差信号に基づいて、前記対物レンズの合焦位置を検出するようにしてある光ピックアップ装置において、前記対物レンズを高反射率記録層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、低強度の光ビームを出力し、前記対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを出力する光ビーム出力手段を備えることを特徴とする。
本発明に係る光ピックアップ装置は、前記対物レンズの位置によって変化する球面収差を補正する球面収差補正手段と、低強度の光ビームを出力させる手段と、低強度の光ビームを出力させた状態で、前記対物レンズが高反射率記録層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、低強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と、該合焦位置を検出した場合、前記球面収差補正手段による補正量を球面収差が大きくなるように変更する第1変更手段と、球面収差が大きくなるように変更された場合、高強度の光ビームを出力させる手段と、高強度の光ビームを出力させた状態で、前記対物レンズが低反射率ROM層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、高反射率記録層及び低反射率ROM層の間に光ビームが集光している状態で、前記球面収差補正手段による補正量を球面収差が小さくなるように変更する第2変更手段と、球面収差が小さくなるように変更された場合、高強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段とを備えることを特徴とする。
本発明に係る光ピックアップ装置は、前記第2変更手段は、多層光ディスクが複数の高反射率記録層を有する場合、低反射率ROM層に最も近い高反射率記録層と、低反射率ROM層との間に光ビームが集光している状態で、補正量を変更するようにしてあることを特徴とする。
本発明に係る光ピックアップ装置は、低強度の光ビームを出力させる手段と、低強度の光ビームを出力させた状態で、前記対物レンズが高反射率記録層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、低強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と、該合焦位置を検出した場合、低反射率ROM層に対して高反射率記録層の反対側へ前記対物レンズが移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、前記反対側へ前記対物レンズを移動させた場合、高強度の光ビームを出力させる手段と、高強度の光ビームを出力させた場合、光ビームの集光位置が高反射率記録層に至らない範囲で前記対物レンズが低反射率ROM層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、高強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段とを備えることを特徴とする。
本発明に係る光ピックアップ装置は、低強度の光ビームを出力させる手段と、低強度の光ビームを出力させた状態で、前記対物レンズが高反射率記録層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、低強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と、該合焦位置を検出した場合、前記対物レンズが低反射率ROM層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、高反射率記録層及び低反射率ROM層の間に光ビームが集光している状態で、高強度の光ビームを出力させる手段と、高強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段とを備えることを特徴とする。
本発明に係る光ピックアップ装置は、多層光ディスクが複数の高反射率記録層を有する場合、低反射率ROM層に最も近い高反射率記録層及び低反射率ROM層の間に光ビームが集光している状態で、高強度の光ビームを出力させるようにしてあることを特徴とする。
本発明に係る光ピックアップ装置は、反射光の強度に応じて電圧レベルが変化する総和信号を多層光ディスクからの反射光に基づいて生成する総和信号生成手段を備え、該総和信号生成手段にて生成された総和信号と、前記焦点誤差信号生成手段にて生成された焦点誤差信号とに基づいて、合焦位置を検出するようにしてあることを特徴とする。
本発明に係る光ピックアップ装置は、合焦位置を検出した場合、前記焦点誤差信号生成手段にて生成された焦点誤差信号に基づいて、合焦した状態を維持するよう前記対物レンズの位置を制御する合焦制御手段を備え、前記光ビーム出力手段は、前記合焦制御手段が高反射率記録層に合焦した状態を維持するよう前記対物レンズの位置を制御している場合、低強度の光ビームを出力し、前記合焦制御手段が低反射率ROM層に合焦した状態を維持するよう前記対物レンズの位置を制御している場合、高強度の光ビームを出力するようにしてあることを特徴とする。
本発明に係る光ピックアップ装置は、高反射率記録層に合焦している状態から、低反射率ROM層に合焦している状態に遷移させるために、前記対物レンズが低反射率ROM層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、低反射率ROM層に合焦している状態から、高反射率記録層に合焦している状態に遷移させるために、前記対物レンズが高反射率記録層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段とを備えることを特徴とする。
本発明に係る光ディスク装置は、多層光ディスクを回転させるためのモータと、上述のいずれか一つの光ピックアップ装置とを備えることを特徴とする。
本発明に係る合焦位置検出方法は、高反射率記録層及び低反射率ROM層を有する多層光ディスクに光ビームを集光させる対物レンズを備える光ピックアップ装置を用いて、該対物レンズ及び各層の距離に応じて電圧レベルが変化する焦点誤差信号を、多層光ディスクからの反射光に基づいて生成し、多層光ディスクに対して接離する方向へ前記対物レンズを移動させ、合焦位置を検出する合焦位置検出方法において、前記対物レンズを高反射率記録層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、低強度の光ビームを出力し、前記対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを出力することを特徴とする。
本発明にあっては、光ビーム出力手段は、対物レンズを高反射率記録層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、低強度の光ビームを出力し、対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを出力する。言い換えると、対物レンズを低反射率ROM層へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを用いるが、対物レンズを高反射率記録層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームではなく、低強度の光ビームを用いるようにする。なお、対物レンズを高反射率記録層側へ移動させるとは、焦点が高反射率記録層に接近する方向へ対物レンズを移動させることを意味する。同様に、対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させるとは、焦点が低反射率ROM層に接近する方向へ対物レンズを移動させることを意味する。
従って、高反射率記録層に高強度の光ビームが集光して、該高反射率記録層に記録されたデータが誤消去される虞はない。また、高強度の光ビームを用いて、低反射率ROM層に対する対物レンズの合焦位置を検出するように構成してあるため、低強度の光ビームを用いる場合に比べて、より確実に低反射率ROM層の合焦位置を検出することが可能になる。
なお、本発明における対物レンズの移動及び合焦位置の検出に係る処理の用途は特に限定されず、フォーカス揺動、フォーカス引き込み、又はフォーカスジャンプを行う場合の制御に利用することができる。
従って、高反射率記録層に高強度の光ビームが集光して、該高反射率記録層に記録されたデータが誤消去される虞はない。また、高強度の光ビームを用いて、低反射率ROM層に対する対物レンズの合焦位置を検出するように構成してあるため、低強度の光ビームを用いる場合に比べて、より確実に低反射率ROM層の合焦位置を検出することが可能になる。
なお、本発明における対物レンズの移動及び合焦位置の検出に係る処理の用途は特に限定されず、フォーカス揺動、フォーカス引き込み、又はフォーカスジャンプを行う場合の制御に利用することができる。
本発明にあっては、まず、低強度の光ビームを出力した状態で対物レンズを高反射率記録層へ移動させ、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する。高反射率記録層に合焦した対物レンズの位置を確認するためである。
次いで、球面収差が大きくなるように補正量を変更することによって、光ビームのスポットをぼかし、高強度の光ビームを出力させる。高強度の光ビームが出力されていても、光ビームのスポットがぼけているため、高反射率記録層に記録されたデータが誤消去される虞はない。
そして、高強度の光ビームを出力させた状態で、対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させ、高反射率記録層及び低反射率ROM層の間で、球面収差が小さくなるように補正量を変更し、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する。
次いで、球面収差が大きくなるように補正量を変更することによって、光ビームのスポットをぼかし、高強度の光ビームを出力させる。高強度の光ビームが出力されていても、光ビームのスポットがぼけているため、高反射率記録層に記録されたデータが誤消去される虞はない。
そして、高強度の光ビームを出力させた状態で、対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させ、高反射率記録層及び低反射率ROM層の間で、球面収差が小さくなるように補正量を変更し、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する。
本発明にあっては、多層光ディスクが複数の高反射率記録層を有している場合、低反射率ROM層に最も近い高反射率記録層と、低反射率ROM層との間に光ビームが集光している状態で球面収差の補正量を、球面収差が小さくなるように変更する。従って、高強度の光ビームが高反射率記録層に集光する虞はない。
本発明にあっては、まず、低強度の光ビームを出力した状態で対物レンズを高反射率記録層へ移動させ、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する。
次いで、低反射率ROM層に対して高反射率記録層の反対側へ対物レンズを移動させ、高強度の光ビームを出力させる。そして、光ビームの集光位置が高反射率記録層に至らない範囲で対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させ、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する。前記反対側で光ビームが集光している状態から、低反射率ROM層側へ対物レンズを移動させた場合、高反射率記録層よりも先に低反射率ROM層に対する対物レンズの合焦位置が検出されるため、高反射率記録層に高強度の光ビームが集光することはない。
次いで、低反射率ROM層に対して高反射率記録層の反対側へ対物レンズを移動させ、高強度の光ビームを出力させる。そして、光ビームの集光位置が高反射率記録層に至らない範囲で対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させ、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する。前記反対側で光ビームが集光している状態から、低反射率ROM層側へ対物レンズを移動させた場合、高反射率記録層よりも先に低反射率ROM層に対する対物レンズの合焦位置が検出されるため、高反射率記録層に高強度の光ビームが集光することはない。
本発明にあっては、まず、低強度の光ビームを出力した状態で対物レンズを高反射率記録層側へ移動させ、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する。高反射率記録層に合焦した対物レンズの位置を確認するためである。
次いで、対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させ、高強度の光ビームを出力させる。高強度の光ビームを出力させる前に焦点を低反射率ROM層側へ移動させることによって、高強度の光ビームが高反射率記録層に集光することを防止する。そして、高強度の光ビームを用いて、低反射率ROM層に合焦する対物レンズの合焦位置を検出する。
次いで、対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させ、高強度の光ビームを出力させる。高強度の光ビームを出力させる前に焦点を低反射率ROM層側へ移動させることによって、高強度の光ビームが高反射率記録層に集光することを防止する。そして、高強度の光ビームを用いて、低反射率ROM層に合焦する対物レンズの合焦位置を検出する。
本発明にあっては、多層光ディスクが複数の高反射率記録層を有している場合、低反射率ROM層に最も近い高反射率記録層と、低反射率ROM層との間に光ビームが集光している状態で光ビームの強度を低強度から高強度に変更する。従って、高強度の光ビームが高反射率記録層に集光する虞はない。
本発明にあっては、焦点誤差信号と、多層光ディスクからの反射光の強度に応じて電圧レベルが変化する総和信号とに基づいて合焦位置を検出する。従って、より確実に合焦位置を検出することが可能になる。
本発明にあっては、高反射率記録層に合焦している状態から、低反射率ROM層に合焦している状態に遷移させるために、対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させる場合、つまり低反射率ROM層にフォーカスジャンプさせる場合、光ビーム出力手段は高強度の光ビームを出力する。また、低反射率ROM層に合焦している状態から、高反射率記録層に合焦している状態に遷移させるために、対物レンズを高反射率記録層に移動させる場合、つまり高反射率記録層へフォーカスジャンプさせる場合、光ビーム出力手段は低強度の光ビームを出力する。
従って、フォーカスジャンプさせる場合においても、高反射率記録層に高強度の光ビームが集光して、該高反射率記録層に記録されたデータが誤消去される虞はない。
従って、フォーカスジャンプさせる場合においても、高反射率記録層に高強度の光ビームが集光して、該高反射率記録層に記録されたデータが誤消去される虞はない。
本発明によれば、高反射率記録層に記録されたデータの誤消去を防止し、且つ低反射率ROM層の合焦位置を確実に検出することができる。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
図1は、本発明の実施の形態に係る光ディスク装置の構成を模式的に示すブロック図である。図中1は、本発明の実施の形態に係る光ピックアップ装置である。光ピックアップ装置1は、光ピックアップ4、アナログ信号処理回路5及び制御部6を備えており、多層光ディスク3を回転させるスピンドルモータ2と共に光ディスク装置を構成している。以下、一例として、BD規格に準拠した光ディスク装置を説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る光ディスク装置の構成を模式的に示すブロック図である。図中1は、本発明の実施の形態に係る光ピックアップ装置である。光ピックアップ装置1は、光ピックアップ4、アナログ信号処理回路5及び制御部6を備えており、多層光ディスク3を回転させるスピンドルモータ2と共に光ディスク装置を構成している。以下、一例として、BD規格に準拠した光ディスク装置を説明する。
光ピックアップ4は、光ビームを出力する光ビーム出力部46と、光ビームを多層光ディスク3に集光させるための対物レンズ41aと、多層光ディスク3に対して接離する方向へ対物レンズ41aを移動させる対物レンズアクチュエータ41bとを備える。なお、光ピックアップ4は、多層光ディスク3の径方向に移動できるよう、図示しない案内軌条に支持されており、光ピックアップ駆動モータにて、径方向に駆動するように構成されている。
光ビーム出力部46は、例えば、GaN(窒化ガリウム)のIn(インジウム)混晶を用いてなるレーザダイオード(LD:Laser Diode)であり、波長405nmのレーザ光を出力する。対物レンズ41aは、モールド成形された非球面単レンズであり、NA0.85の高NAを有している。対物レンズアクチュエータ41bは、例えばマグネット方式の2軸アクチュエータであり、対物レンズ41aを支持する弾性体と、対物レンズ41aを駆動するための磁石及びコイルとを有しており、コイルへの通電によって、対物レンズ41aが多層光ディスク3に対して接離するフォーカシング方向、又はトラッキング方向へ移動するように構成されている。
また、光ピックアップ4は、対物レンズ41aの光軸上、光ビーム出力部46と対物レンズ41aとの間に、光ビーム出力部46側から順に配された回折格子45、偏光ビームスプリッタ44、球面収差補正機構43、及び1/4波長板42を備える。回折格子45は、対物レンズ41aに入射する光ビームを最適化するための光学素子である。偏光ビームスプリッタ44は、光ビーム出力部46から出力された光ビームを透過すると共に、多層光ディスク3から反射された光ビームを反射することによって分離する。球面収差補正機構43は、対物レンズ41aの位置によって変化する球面収差、つまり多層光ディスク3における集光位置の深さによって変化する球面収差を補正するための補正機構であり、コリメータレンズ43aと、コリメータレンズ43aの周縁部に設けられた枠部43bと、コリメータレンズ43aが対物レンズ41aの光軸方向へ移動可能になるように枠部43bを支持する支持軸43cと、コリメータレンズ43aを前記光軸方向へ移動させるコリメータレンズ駆動モータ43dとを備える。1/4波長板42は、直線偏光の光ビームを円偏光に変換し、また多層光ディスク3から反射された円偏光の光ビームを直線偏光に変換するための素子であり、該変換によって、偏光ビームスプリッタ44による光ビームの分離を可能にする。
更に、光ピックアップ4は、偏光ビームスプリッタ44によって分離された光ビームを受光するための受光光学系47と、光ビーム受光部48とを備え、多層光ディスク3に対する合焦制御及びトラッキング制御に必要な信号を得ることができるように構成されている。合焦制御法としては非点収差法、スポットサイズ検出法、フーコー法等があり、トラッキング制御手法としては、プッシュプル法、差動プッシュプル法、アドバンスドプッシュプル法、新アドバンスドプッシュプル法等があるが、以下では一例として非点収差法、及び新アドバンスドプッシュプル法を説明する。
図2は、受光光学系47及び光ビーム受光部48の一例を示す模式図である。
受光光学系47は、例えばホログラム素子47aを備え、記録再生対象以外の層からの迷光を光ビーム受光部48外に回折させ、主に記録再生対象からの反射光が光ビーム受光部48に入射するように構成されている。また、受光光学系47は、反射光に非点収差を与えるシリンドリカルレンズ47bを備える。
光ビーム受光部48は、対物レンズ41a及び各層の距離に応じて電圧レベルが変化するフォーカスエラー信号(焦点誤差信号)を生成するためのFES(Focus Error Signal)用4分割フォトダイオード(PD:Photo Diode)48aと、光ビームの集光位置と、トラックとの距離に応じて電圧レベルが変化するトラッキングエラー信号を生成するためのTES(Tracking Error Signal)用4分割フォトダイオード48bとを備え、各フォトダイオード48a,48bは適宜位置に並置されている。FES用4分割フォトダイオード48aは、非点収差が与えられた反射光を4分割された各領域で受光し、該反射光の強度に応じた信号SA 、SB 、SC 、SD をアナログ信号処理回路5へ出力する。同様にTES用4分割フォトダイオード48bは、4分割された各領域で受光した反射光の強度に応じた信号Sa 、Sb 、Sc 、Sd をアナログ信号処理回路5へ出力する。
受光光学系47は、例えばホログラム素子47aを備え、記録再生対象以外の層からの迷光を光ビーム受光部48外に回折させ、主に記録再生対象からの反射光が光ビーム受光部48に入射するように構成されている。また、受光光学系47は、反射光に非点収差を与えるシリンドリカルレンズ47bを備える。
光ビーム受光部48は、対物レンズ41a及び各層の距離に応じて電圧レベルが変化するフォーカスエラー信号(焦点誤差信号)を生成するためのFES(Focus Error Signal)用4分割フォトダイオード(PD:Photo Diode)48aと、光ビームの集光位置と、トラックとの距離に応じて電圧レベルが変化するトラッキングエラー信号を生成するためのTES(Tracking Error Signal)用4分割フォトダイオード48bとを備え、各フォトダイオード48a,48bは適宜位置に並置されている。FES用4分割フォトダイオード48aは、非点収差が与えられた反射光を4分割された各領域で受光し、該反射光の強度に応じた信号SA 、SB 、SC 、SD をアナログ信号処理回路5へ出力する。同様にTES用4分割フォトダイオード48bは、4分割された各領域で受光した反射光の強度に応じた信号Sa 、Sb 、Sc 、Sd をアナログ信号処理回路5へ出力する。
アナログ信号処理回路5は、FES用4分割フォトダイオード48aから出力された信号に基づいて、フォーカスエラー信号を生成し、生成されたフォーカスエラー信号を制御部6へ出力するアナログ信号処理機能を有する。フォーカスエラー信号の電圧レベルは、(SA +SC )−(SB +SD )で表される。
また、アナログ信号処理回路5は、FES用4分割フォトダイオード48aから出力された信号に基づいて、フォーカストータル信号を生成し、生成されたフォーカストータル信号を制御部6へ出力する。フォーカストータル信号の電圧レベルは、SA +SB +SC +SD で表される。
更に、アナログ信号処理回路5は、TES用4分割フォトダイオード48bから出力された信号に基づいて、トラッキングエラー信号を生成し、生成したトラッキングエラー信号を制御部6へ出力する。トラッキングエラー信号の電圧レベルは、(Sc +Sd )−k(Sa −Sb )で表される。kは、光ピックアップ装置1の光学系によって定まる定数である。
また、アナログ信号処理回路5は、FES用4分割フォトダイオード48aから出力された信号に基づいて、フォーカストータル信号を生成し、生成されたフォーカストータル信号を制御部6へ出力する。フォーカストータル信号の電圧レベルは、SA +SB +SC +SD で表される。
更に、アナログ信号処理回路5は、TES用4分割フォトダイオード48bから出力された信号に基づいて、トラッキングエラー信号を生成し、生成したトラッキングエラー信号を制御部6へ出力する。トラッキングエラー信号の電圧レベルは、(Sc +Sd )−k(Sa −Sb )で表される。kは、光ピックアップ装置1の光学系によって定まる定数である。
図1に示す制御部6は、アナログ信号処理回路5から出力されたフォーカスエラー信号、フォーカストータル信号及びトラッキングエラー信号に基づいて、対物レンズアクチュエータ41b、光ビーム出力部46、及びコリメータレンズ駆動モータ43dの動作、並びにスピンドルモータ2の回転を制御するように構成されている。なお、トラッキングエラー信号を用いたトラッキング制御、フォーカストータル信号を用いた球面収差補正制御については、いずれもトラッキングエラー信号及びフォーカストータル信号が小さくなるように、対物レンズアクチュエータ41b及びコリメータレンズ駆動モータ43dの動作を制御するようにしてある。該制御方法は公知の技術であるため詳細な説明を省略する。
図3は、多層光ディスク3及び従来の2層光ディスクを模式的に示す断面図である。図3(a)は、本発明の実施の形態で用いられる多層光ディスク3を、図3(b)は、従来の2層光ディスク103を示している。
本実施の形態で使用される多層光ディスク3は、厚さ1.1mmのポリカーボネート基板上に、相変化型の第1高反射率記録層3a、第2高反射率記録層3bが順に積層成膜され、更に表面側(図3中、下方側)には低反射率ROM層3cがBD規格に準拠するように成膜され、各層は厚さ約0.1mmのカバー層で覆われている。第1及び第2高反射率記録層3a、3bの反射率は、約5〜12%であり、低反射率ROM層3cの反射率は約1〜3%である。低反射率ROM層は、BD規格の光ビームを用いた場合の反射率がBD規格とは1桁以上低い点を除けば、BD−ROM規格フォーマットに準拠しており、BD−ROMと同様の再生制御ができるように構成されている。このように構成された多層光ディスク3は、最表面側に低反射率ROM層3cを有し、低反射率ROM層3cよりも深層に第2高反射率記録層3b、最深層に第1高反射率記録層3aを有している。また、低反射率ROM層3cの反射率は約1〜3%と極めて小さく、多層光ディスク3はBD規格、特に2層BDの規格に準拠している。更に、低反射率ROM層のフォーマットはBD−ROM規格に準拠しているため、記録再生、その他の各種制御は、BD規格準拠の制御LSIを用いて行うことができる。
本実施の形態で使用される多層光ディスク3は、厚さ1.1mmのポリカーボネート基板上に、相変化型の第1高反射率記録層3a、第2高反射率記録層3bが順に積層成膜され、更に表面側(図3中、下方側)には低反射率ROM層3cがBD規格に準拠するように成膜され、各層は厚さ約0.1mmのカバー層で覆われている。第1及び第2高反射率記録層3a、3bの反射率は、約5〜12%であり、低反射率ROM層3cの反射率は約1〜3%である。低反射率ROM層は、BD規格の光ビームを用いた場合の反射率がBD規格とは1桁以上低い点を除けば、BD−ROM規格フォーマットに準拠しており、BD−ROMと同様の再生制御ができるように構成されている。このように構成された多層光ディスク3は、最表面側に低反射率ROM層3cを有し、低反射率ROM層3cよりも深層に第2高反射率記録層3b、最深層に第1高反射率記録層3aを有している。また、低反射率ROM層3cの反射率は約1〜3%と極めて小さく、多層光ディスク3はBD規格、特に2層BDの規格に準拠している。更に、低反射率ROM層のフォーマットはBD−ROM規格に準拠しているため、記録再生、その他の各種制御は、BD規格準拠の制御LSIを用いて行うことができる。
次に、多層光ディスク3の記録再生処理、特に低反射率ROM層3cに対する合焦処理を説明する。以下では、光ディスクドライブに、第1及び第2高反射率記録層3a、3b及び低反射率ROM層3cを有する多層光ディスク3がセットされ、光ディスクドライブがBD規格に準拠した2層光ディスクであると認識した場合を説明する。
図4は、制御部6の処理手順を示すフローチャートである。多層光ディスク3の記録又は再生を開始した場合、制御部6は、再生対象として低反射率ROM層3cが選択されたか否かを判定する(ステップS11)。低反射率ROM層3cが選択されたと判定した場合(ステップS11:YES)、制御部6は、低反射率ROM層3cに対する合焦処理を実行する(ステップS12)。
図5は、低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を概念的に示す説明図、図6は、低反射率ROM層3cへの合焦処理手順におけるフォーカスエラー信号、フォーカストータル信号、光ビーム強度、対物レンズ41aの動き及び各層の相対位置を示す説明図、図7及び図8は、低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を示すフローチャートである。但し、図6中、L0は第1高反射率記録層3a、L1は第2高反射率記録層3b、L3は低反射率ROM層3cを示している。
合焦処理を開始した制御部6は、まず光ビーム出力部46に低強度の光ビームを出力させる(ステップS31)。該光ビームの強度は、通常の2層光ディスク用に規格された強度である。そして、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、図5(a)に示すように対物レンズ41aを第1高反射率記録層3a側、つまり多層光ディスク3に近接する方向へ移動させる(ステップS32)。図5に示した白抜き矢印は、対物レンズ41aの移動方向を示している。
図6に示すように、対物レンズ41aが第1高反射率記録層3a側へ移動し、多層光ディスク3の表面付近に焦点が近づいた場合、フォーカスエラー信号の信号レベルは一旦上昇し、焦点が更に表面付近に近づくと、降下する。そして、多層光ディスク3の表面に合焦した場合、フォーカスエラー信号の信号レベルは0になる。更に、対物レンズ41aが第1高反射率記録層3a側へ移動すると、焦点が前記表面から離れるにつれてフォーカスエラー信号の電圧レベルは降下し、焦点が前記表面から更に離れると、フォーカスエラー信号の電圧レベルは逆に上昇し、0に戻る。このような過程におけるフォーカスエラー信号の電圧レベルの軌跡をフォーカスSカーブといい、合焦して電圧レベルが0になった状態をゼロクロス点という。該フォーカスSカーブ及びゼロクロス点を検出することによって、多層光ディスク3の表面、低反射率ROM層3c等を検出することができる。また、多層光ディスク3の表面、低反射率ROM層3cの反射率は、第1及び第2高反射率記録層3a、3bの反射率に比べて小さいため、フォーカスSカーブの大きさに基づいて、第1及び第2高反射率記録層3a、3bと、低反射率ROM層3cとを識別することができる。
一方、フォーカストータル信号の信号レベルも、各層に焦点が接近した場合、上昇し、各層から焦点が離隔すると降下する。従って、フォーカストータル信号を参照することによって、多層光ディスク3の各層を検出することができる。
一方、フォーカストータル信号の信号レベルも、各層に焦点が接近した場合、上昇し、各層から焦点が離隔すると降下する。従って、フォーカストータル信号を参照することによって、多層光ディスク3の各層を検出することができる。
図7に戻り、ステップS32の処理を終えた場合、制御部6は、多層光ディスク3の最深部にある第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS33)。つまり、所定信号レベル以上の2つ目のフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する。
第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS33:NO)、制御部6は、処理をステップS32へ戻す。第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS33:YES)、つまり図5(b)に示すように第1高反射率記録層3aに合焦した場合、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、対物レンズ41aを第2高反射率記録層3b側へ移動させる(ステップS34)。次いで、制御部6は、第2高反射率記録層3bのフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS35)。
第2高反射率記録層3bのフォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS35:NO)、制御部6は処理をステップS34へ戻す。第2高反射率記録層3bのフォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS35:YES)、つまり図5(c)に示すように第2高反射率記録層3bに合焦した場合、制御部6は、コリメータレンズ駆動モータ43dに制御信号を与えてコリメータレンズ43aを移動させ、図5(d)に示すように球面収差が大きくなる方向へ球面収差の補正量を変更する(ステップS36)。図5(d)に示した光ビームの丸みを帯びた先端部は、球面収差がずれて光ビームスポットがぼやけた状態を示している。次いで、制御部6は、低反射率ROM層3cにアクセスすべく、図5(e)に示すように高強度の光ビームを光ビーム出力部46に出力させる(ステップS37)。図5に示した太線の光ビームは、高強度の光ビームを示している。ステップS36で球面収差をずらす理由は、第2高反射率記録層3bの記録済みデータの誤消去を防止することにある。つまり、光ビームスポットをぼかすことにより、ステップS37で光ビームの強度を上げても光ビームのエネルギーが集中しないようにし、高強度の光ビームで第2高反射率記録層3bの記録済みデータが誤消去されることを防止するためである。
そして、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、図5(f)に示すように対物レンズ41aを低反射率ROM層3c側へ移動させる(ステップS38)。
そして、制御部6は、焦点が第2高反射率記録層3bと、低反射率ROM層3cとの間にある状態で、コリメータレンズ駆動モータ43dに制御信号を与え、図5(g)に示すように球面収差の補正量を適正値に戻す(ステップS39)。
次いで、低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS40)。ステップS40では、高強度の光ビームの反射光に基づいてフォーカスエラー信号を生成しているため、低強度の光ビームを用いる場合に比べて、より大きな信号レベルのフォーカスSカーブにて低反射率ROM層3cをより確実且つ正確に検出することが可能になる。低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS40:NO)、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、対物レンズ41aを更に低反射率ROM層3c側へ移動させ(ステップS41)、処理をステップS40に戻す。低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS40:YES)、つまり図5(h)に示すように、低反射率ROM層3cに合焦した場合、制御部6は、フォーカスSカーブの検出と共に、フォーカスエラー信号に基づくゼロクロス点がフォーカストータル信号の山、つまりフォーカストータル信号の電圧レベルが昇降している部分と一致しているか否かを確認することによって、ゼロクロス点を検出し、該ゼロクロス点で合焦制御を開始し(ステップS42)、処理を終える。焦点が低反射率ROM層3c近傍に位置している場合、フォーカスエラー信号の電圧レベルは、焦点のずれ量に比例する。このため、制御部6は、フォーカスエラー信号の電圧レベルが0超に上昇した場合、対物レンズ41aを多層光ディスク3に近接する方向へ移動させ、フォーカスエラー信号の電圧レベルが0未満に降下した場合、対物レンズ41aを多層光ディスク3から離隔する方向へ移動させることによって、合焦位置を制御することができる。
なお、合焦位置制御に高強度の光ビームを利用しているが、トラッキング制御、記録再生制御についても高強度の光ビームの反射光に基づいて行えば良い。
なお、合焦位置制御に高強度の光ビームを利用しているが、トラッキング制御、記録再生制御についても高強度の光ビームの反射光に基づいて行えば良い。
図4に戻り、上述の合焦処理を終えた場合、又は低反射率ROM層3cが選択されていないと判定した場合(ステップS11:NO)、制御部6は、第1高反射率記録層3aが選択されたか否かを判定する(ステップS13)。第1高反射率記録層3aが選択されたと判定した場合(ステップS13:YES)、制御部6は、低強度の光ビームを光ビーム出力部46に出力させて、第1高反射率記録層3aに対する合焦処理を実行する(ステップS14)。なお、トラッキング制御、記録再生制御についても低強度の光ビームの反射光に基づいて行う。
ステップS14の処理を終えた場合、又は第1高反射率記録層3aが選択されていないと判定した場合(ステップS13:NO)、制御部6は、第2高反射率記録層3bが選択されたか否かを判定する(ステップS15)。第2高反射率記録層3bが選択されたと判定した場合(ステップS15:YES)、制御部6は、低強度の光ビームを光ビーム出力部46に出力させて、第2高反射率記録層3bに対する合焦処理を実行する(ステップS16)。
ステップS16の処理を終えた場合、又は第2高反射率記録層3bが選択されていないと判定した場合(ステップS15:NO)、制御部6は、記録再生処理を行う(ステップS17)。そして、制御部6は、フォーカスジャンプを指定されたか否かを判定する(ステップS18)。フォーカスジャンプを指定されたと判定した場合(ステップS18:YES)、制御部6は、処理をステップS11へ戻す。フォーカスジャンプを指定されていないと判定した場合(ステップS18:NO)、制御部6は、記録再生処理の終了を指定されたか否かを判定する(ステップS19)。記録再生処理の終了を指定されたと判定した場合(ステップS19:NO)、制御部6は処理をステップS17へ戻す。記録再生処理の終了を指定されたと判定した場合(ステップS19:YES)、制御部6は処理を終える。
このように構成された実施の形態に係る光ディスク装置、光ピックアップ装置1及び合焦位置検出方法にあっては、低強度の光ビームを用いて第1及び第2高反射率記録層3a、3bに合焦させ、高強度の光ビームを用いて低反射率ROM層3cに合焦させるように構成されているため、第1及び第2高反射率記録層3a、3bに記録されたデータの誤消去を防止し、低反射率ROM層3cに対する対物レンズ41aの合焦位置を確実に検出し、合焦させることができる。
また、第1及び第2高反射率記録層3a、3bに対する合焦位置を検出し、第2高反射率記録層3bに合焦した状態で球面収差をずらし、高強度の光ビームを出力させて低反射率ROM層3c側へ移動させ、途中で球面収差を元に戻し、低反射率ROM層3cに合焦させるように構成されているため、より確実に、第1及び第2高反射率記録層3a、3bに記録されたデータの誤消去を防止することができる。
更に、低反射率ROM層3cに最も近い第2高反射率記録層3bを検出し、第2高反射率記録層3bと、低反射率ROM層3cとの間で球面収差を適正値に戻すように構成してあるため、第1及び第2高反射率記録層3a、3bに高強度の光ビームが集光することを確実に防止することができる。
更にまた、第1及び第2高反射率記録層3a、3b並びに低反射率ROM層3c間でフォーカスジャンプさせる場合においても、第1及び第2高反射率記録層3a、3bに記録されたデータの誤消去を確実に防止することができる。
更にまた、低反射率ROM層3cの合焦位置を検出した後、高強度の光ビームを用いて、合焦制御、トラッキング制御、記録再生処理を行うように構成してあるため、低強度の光ビームを用いる場合に比べて、より適切に各種制御及び処理を行うことができる。
更にまた、BD規格の光ディスクには、BD−RE、BD−R、BD−ROMの単層光ディスク、2層光ディスクがあり、BD規格対応の光ディスク装置も既に市販されているが、該光ディスク装置に、多層光ディスク3を装着した場合、該光ディスクドライブでは通常のBDディスクとして扱える。また、本実施の形態に係る光ディスク装置では、低反射率ROM層3cにアクセスすることが可能になるため、低反射率ROM層3cを用いた新規の用途を実現することができる。例えば、低反射率ROM層3cに記録されたデータを利用することで、光ディスク装置に新機能を付加するようなことが可能になる。
なお、実施の形態では、フォーカスエラーが生じた場合の処理を説明していないが、誤動作により誤って高強度の光ビームを出力したまま、第1及び第2高反射率記録層3a、3b側に対物レンズ41aが移動及び合焦する可能性を考え、所定のフォーカスエラーを検出した場合、出力を落とし、誤消去の虞がない低強度の光ビームを出力するように構成すべきことは言うまでもない。
また、2層の第1及び第2高反射率記録層3a、3bを有する多層光ディスク3を説明したが、1枚の高反射率記録層と、1枚の低反射率ROM層とを有する多層光ディスクについても本発明を適用しても良い。第1高反射率記録層3aから第2高反射率記録層3bへ移動させるステップS34,35の処理が不要になる。なお、高反射率記録層が1枚である場合、通常の単層光ディスク用に規格された低強度の光ビームを出力させる。2層光ディスク用の光強度は、単層光ディスク用の光強度よりも大きく、低反射率ROM層用の光強度は、2層光ディスク用の光強度よりも大きい。
更に、3枚以上の高反射率記録層及び低反射率ROM層3cを有する多層光ディスク3に本発明を適用しても良い。
更にまた、実施の形態ではBD規格に準拠した多層光ディスクを説明したが、CD、DVD、その他の光ディスクに本発明を適用しても良い。
更に、3枚以上の高反射率記録層及び低反射率ROM層3cを有する多層光ディスク3に本発明を適用しても良い。
更にまた、実施の形態ではBD規格に準拠した多層光ディスクを説明したが、CD、DVD、その他の光ディスクに本発明を適用しても良い。
(変形例1)
図9は、変形例1における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を概念的に示す説明図、図10は、変形例1における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順におけるフォーカスエラー信号、フォーカストータル信号、光ビーム強度、対物レンズ41aの動き及び各層の相対位置を示す説明図、図11は、変形例1における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を示すフローチャートである。
図9は、変形例1における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を概念的に示す説明図、図10は、変形例1における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順におけるフォーカスエラー信号、フォーカストータル信号、光ビーム強度、対物レンズ41aの動き及び各層の相対位置を示す説明図、図11は、変形例1における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を示すフローチャートである。
合焦処理を開始した制御部6は、まず光ビーム出力部46に低強度の光ビームを出力させ(ステップS51)、変数としての層数に0を代入する(ステップS52)。そして、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、図9(a)に示すように対物レンズ41aを第1高反射率記録層3a側へ移動させる(ステップS53)。
ステップS53の処理を終えた場合、制御部6は、フォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS54)。なお、ステップS54では、低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブも検出すべく、該フォーカスSカーブの検出に使用する閾値は、光ディスクの認識時に比べて小さい値を使用する。フォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS54:NO)、制御部6は、処理をステップS53へ戻す。フォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS54:YES)、制御部6は、層数を1加算する(ステップS55)。そして、制御部6は、多層光ディスク3の第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS56)。
第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS56:NO)、制御部6は、処理をステップS53へ戻し、多層光ディスク3の表面から第1高反射率記録層3aまでの層数を計数する。第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS56:YES)、つまり図9(b)に示すように第1高反射率記録層3aに合焦した場合、制御部6は、計数した層数に基づいて、低反射率ROM層3cが存在していることを確認した上、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、図9(c)に示すように、再び移動開始位置、即ち焦点が多層光ディスク3外に位置する箇所まで対物レンズ41aを移動させる(ステップS57)。対物レンズ41aの焦点を多層光ディスク3の表面側から深層側へ移動させて、多層光ディスク3の表面に最も近い低反射率ROM層3cに合焦させるためである。
なお、低反射率ROM層3cが存在している場合、4つの層が検出される。光ディスク装着時における光ディスク認識処理で、2層の多層光ディスク3であると認識されていた場合、該2層に起因する2つのフォーカスSカーブに加え、多層光ディスク3の表面及び低反射率ROM層3cに起因する2つのフォーカスSカーブが検出されるためである。従って、第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出した時点で層数が3以下である場合、低反射率ROM層3cの存在が不確かであり、第1及び第2高反射率記録層3a、3bのデータを誤消去する虞がある。この場合、エラー処理を実行し、処理を終了する等して、以後の処理を中断する。
ステップS57の処理を終えた場合、制御部6は、低反射率ROM層3cにアクセスすべく、図9(d)に示すように高強度の光ビームを光ビーム出力部46に出力させる(ステップS58)。そして、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、対物レンズ41aを低反射率ROM層3c側、つまり多層光ディスク3に近接する方向へ移動させる(ステップS59)。
そして、制御部6は、低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS60)。低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS60:NO)、制御部6は、処理をステップS59へ戻す。低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS60:YES)、つまり図9(e)に示すように、低反射率ROM層3cに合焦した場合、制御部6は、ゼロクロス点を検出し、該ゼロクロス点で合焦制御を開始し(ステップS61)、処理を終える。
変形例1に係る光ディスク装置、光ピックアップ装置1及び合焦位置検出方法にあっては、球面収差の補正量を保ったまま、第1及び第2高反射率記録層3a、3bに記録されたデータの誤消去を防止し、且つ低反射率ROM層3cに対する対物レンズ41aの合焦位置を確実に検出することができる。
(変形例2)
図12は、変形例2における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を概念的に示す説明図、図13は、変形例2における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順におけるフォーカスエラー信号、フォーカストータル信号、光ビーム強度、対物レンズ41aの動き及び各層の相対位置を示す説明図、図14は、変形例2における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を示すフローチャートである。
図12は、変形例2における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を概念的に示す説明図、図13は、変形例2における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順におけるフォーカスエラー信号、フォーカストータル信号、光ビーム強度、対物レンズ41aの動き及び各層の相対位置を示す説明図、図14は、変形例2における低反射率ROM層3cへの合焦処理手順を示すフローチャートである。
合焦処理を開始した制御部6は、まず光ビーム出力部46に低強度の光ビームを出力させる(ステップS71)。そして、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、図12(a)に示すように対物レンズ41aを第1高反射率記録層3a側へ移動させる(ステップS72)。
ステップS72の処理を終えた場合、制御部6は、多層光ディスク3の最深部にある第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS73)。
第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS73:NO)、制御部6は、処理をステップS72へ戻す。第1高反射率記録層3aのフォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS73:YES)、つまり図12(b)に示すように第1高反射率記録層3aに合焦した場合、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、対物レンズ41aを第2高反射率記録層3b側へ移動させる(ステップS74)。次いで、制御部6は、第2高反射率記録層3bのフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS75)。
第2高反射率記録層3bのフォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS75:NO)、制御部6は処理をステップS74へ戻す。第2高反射率記録層3bのフォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS75:YES)、つまり図12(c)に示すように第2高反射率記録層3bに合焦した場合、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、図12(d)に示すように対物レンズ41aを低反射率ROM層3c側へ移動させる(ステップS76)。
そして、制御部6は、低反射率ROM層3cにアクセスすべく、図12(e)に示すように高強度の光ビームを光ビーム出力部46に出力させる(ステップS77)。次いで、制御部6は、低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出したか否かを判定する(ステップS78)。低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出していないと判定した場合(ステップS78:NO)、制御部6は、対物レンズアクチュエータ41bに制御信号を与え、対物レンズ41aを更に低反射率ROM層3c側へ移動させ(ステップS79)、処理をステップS78に戻す。低反射率ROM層3cのフォーカスSカーブを検出したと判定した場合(ステップS78:YES)、つまり図12(f)に示すように、低反射率ROM層3cに合焦した場合、制御部6は、フォーカスSカーブの検出と共に、フォーカスエラー信号に基づくゼロクロス点がフォーカストータル信号の山、つまりフォーカストータル信号の電圧レベルが昇降している部分と一致しているか否かを確認することによって、ゼロクロス点を検出し、該ゼロクロス点で合焦制御を開始し(ステップS80)、処理を終える。
変形例2に係る光ディスク装置、光ピックアップ装置1及び合焦位置検出方法にあっては、収差を適切な値に保ったままで良い。
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 光ピックアップ装置
2 スピンドルモータ
3 多層光ディスク
3a,3b 第1高反射率記録層
3c 低反射率ROM層
4 光ピックアップ
5 アナログ信号処理回路
6 制御部
41a 対物レンズ
41b 対物レンズアクチュエータ
43 球面収差補正機構
46 光ビーム出力部
48 光ビーム受光部
2 スピンドルモータ
3 多層光ディスク
3a,3b 第1高反射率記録層
3c 低反射率ROM層
4 光ピックアップ
5 アナログ信号処理回路
6 制御部
41a 対物レンズ
41b 対物レンズアクチュエータ
43 球面収差補正機構
46 光ビーム出力部
48 光ビーム受光部
Claims (11)
- 高反射率記録層及び低反射率ROM層を有する多層光ディスクに光ビームを集光させる対物レンズと、該対物レンズ及び各層の距離に応じて電圧レベルが変化する焦点誤差信号を、多層光ディスクからの反射光に基づいて生成する焦点誤差信号生成手段と、多層光ディスクに対して接離する方向へ前記対物レンズを移動させる対物レンズ駆動手段とを備え、生成された焦点誤差信号に基づいて、前記対物レンズの合焦位置を検出するようにしてある光ピックアップ装置において、
前記対物レンズを高反射率記録層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、低強度の光ビームを出力し、前記対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを出力する光ビーム出力手段を備える
ことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 前記対物レンズの位置によって変化する球面収差を補正する球面収差補正手段と、
低強度の光ビームを出力させる手段と、
低強度の光ビームを出力させた状態で、前記対物レンズが高反射率記録層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、
低強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と、
該合焦位置を検出した場合、前記球面収差補正手段による補正量を球面収差が大きくなるように変更する第1変更手段と、
球面収差が大きくなるように変更された場合、高強度の光ビームを出力させる手段と、
高強度の光ビームを出力させた状態で、前記対物レンズが低反射率ROM層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、
高反射率記録層及び低反射率ROM層の間に光ビームが集光している状態で、前記球面収差補正手段による補正量を球面収差が小さくなるように変更する第2変更手段と、
球面収差が小さくなるように変更された場合、高強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の光ピックアップ装置。 - 前記第2変更手段は、
多層光ディスクが複数の高反射率記録層を有する場合、低反射率ROM層に最も近い高反射率記録層と、低反射率ROM層との間に光ビームが集光している状態で、補正量を変更するようにしてある
ことを特徴とする請求項2に記載の光ピックアップ装置。 - 低強度の光ビームを出力させる手段と、
低強度の光ビームを出力させた状態で、前記対物レンズが高反射率記録層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、
低強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と、
該合焦位置を検出した場合、低反射率ROM層に対して高反射率記録層の反対側へ前記対物レンズが移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、
前記反対側へ前記対物レンズを移動させた場合、高強度の光ビームを出力させる手段と、
高強度の光ビームを出力させた場合、光ビームの集光位置が高反射率記録層に至らない範囲で前記対物レンズが低反射率ROM層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、
高強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の光ピックアップ装置。 - 低強度の光ビームを出力させる手段と、
低強度の光ビームを出力させた状態で、前記対物レンズが高反射率記録層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、
低強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、高反射率記録層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と、
該合焦位置を検出した場合、前記対物レンズが低反射率ROM層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、
高反射率記録層及び低反射率ROM層の間に光ビームが集光している状態で、高強度の光ビームを出力させる手段と、
高強度の光ビームの反射光にて得られた焦点誤差信号に基づいて、低反射率ROM層に合焦する前記対物レンズの合焦位置を検出する手段と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の光ピックアップ装置。 - 多層光ディスクが複数の高反射率記録層を有する場合、低反射率ROM層に最も近い高反射率記録層及び低反射率ROM層の間に光ビームが集光している状態で、高強度の光ビームを出力させるようにしてある
ことを特徴とする請求項5に記載の光ピックアップ装置。 - 反射光の強度に応じて電圧レベルが変化する総和信号を多層光ディスクからの反射光に基づいて生成する総和信号生成手段を備え、
該総和信号生成手段にて生成された総和信号と、前記焦点誤差信号生成手段にて生成された焦点誤差信号とに基づいて、合焦位置を検出するようにしてある
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。 - 合焦位置を検出した場合、前記焦点誤差信号生成手段にて生成された焦点誤差信号に基づいて、合焦した状態を維持するよう前記対物レンズの位置を制御する合焦制御手段を備え、
前記光ビーム出力手段は、
前記合焦制御手段が高反射率記録層に合焦した状態を維持するよう前記対物レンズの位置を制御している場合、低強度の光ビームを出力し、前記合焦制御手段が低反射率ROM層に合焦した状態を維持するよう前記対物レンズの位置を制御している場合、高強度の光ビームを出力するようにしてある
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。 - 高反射率記録層に合焦している状態から、低反射率ROM層に合焦している状態に遷移させるために、前記対物レンズが低反射率ROM層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と、
低反射率ROM層に合焦している状態から、高反射率記録層に合焦している状態に遷移させるために、前記対物レンズが高反射率記録層側へ移動するよう前記対物レンズ駆動手段の動作を制御する手段と
を備えることを特徴とする請求項8に記載の光ピックアップ装置。 - 多層光ディスクを回転させるためのモータと、
請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の光ピックアップ装置と
を備えることを特徴とする光ディスク装置。 - 高反射率記録層及び低反射率ROM層を有する多層光ディスクに光ビームを集光させる対物レンズを備える光ピックアップ装置を用いて、該対物レンズ及び各層の距離に応じて電圧レベルが変化する焦点誤差信号を、多層光ディスクからの反射光に基づいて生成し、多層光ディスクに対して接離する方向へ前記対物レンズを移動させ、合焦位置を検出する合焦位置検出方法において、
前記対物レンズを高反射率記録層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、低強度の光ビームを出力し、
前記対物レンズを低反射率ROM層側へ移動させて合焦位置を検出する場合、高強度の光ビームを出力する
ことを特徴とする合焦位置検出方法。
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- 2008-09-08 JP JP2008229956A patent/JP2010067286A/ja active Pending
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