JP2010062218A - 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 - Google Patents
絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010062218A JP2010062218A JP2008223907A JP2008223907A JP2010062218A JP 2010062218 A JP2010062218 A JP 2010062218A JP 2008223907 A JP2008223907 A JP 2008223907A JP 2008223907 A JP2008223907 A JP 2008223907A JP 2010062218 A JP2010062218 A JP 2010062218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- diffusion barrier
- silaspiro
- dielectric constant
- copper diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
- H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
- H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/6903—Inorganic materials containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6326—Deposition processes
- H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
- H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H10P14/6336—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
- H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
- H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
- H10P14/6684—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H10P14/6686—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
- H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【課題】銅拡散バリア性を有しかつ極めて低い比誘電率を有した絶縁膜を提供する。
【解決手段】５−シラスピロ［４，４］ノナン、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、４−シラスピロ［３、４］オクタン、４−シラスピロ［３、５］ノナン、４−シラスピロ［３、６］デカン、５−シラスピロ［４、５］デカン、５−シラスピロ［４、６］ウンデカン、６−シラスピロ［５、５］ウンデカン、６−シラスピロ［５、６］ドデカン、７−シラスピロ［６、６］トリデカンなどのケイ素化合物を絶縁膜材料とし、プラズマＣＶＤ法により成膜された絶縁膜。
【選択図】なし
【解決手段】５−シラスピロ［４，４］ノナン、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、４−シラスピロ［３、４］オクタン、４−シラスピロ［３、５］ノナン、４−シラスピロ［３、６］デカン、５−シラスピロ［４、５］デカン、５−シラスピロ［４、６］ウンデカン、６−シラスピロ［５、５］ウンデカン、６−シラスピロ［５、６］ドデカン、７−シラスピロ［６、６］トリデカンなどのケイ素化合物を絶縁膜材料とし、プラズマＣＶＤ法により成膜された絶縁膜。
【選択図】なし
Description
この発明は、半導体装置の層間絶縁膜などに有用な絶縁膜を成膜する際に用いられる絶縁膜材料およびこれを用いる成膜方法ならびに絶縁膜に関し、低誘電率で、かつ銅拡散バリア性を有する絶縁膜が得られるようにしたものである。
半導体装置の高集積化に伴い、配線層が微細化されつつある。しかし、微細な配線層では、配線層における信号遅延の影響が大きくなり、信号伝送速度の高速化を妨げている。この信号遅延は、配線層の抵抗と配線層間容量に比例するため、高速化を実現するためには、配線層の低抵抗化と配線層間容量の低減が必須である。
このため、最近では配線層を構成する材料として、従来のアルミニウムから抵抗率の低い銅が用いられ、さらに配線層間容量を減らすために比誘電率の低い層間絶縁膜が用いられている。
例えば、ＳｉＯ２膜が４．１、ＳｉＯＦ膜が３．７の比誘電率を有するが、さらに比誘電率の低いＳｉＯＣＨ膜や有機膜を用いるようになっている。
例えば、ＳｉＯ２膜が４．１、ＳｉＯＦ膜が３．７の比誘電率を有するが、さらに比誘電率の低いＳｉＯＣＨ膜や有機膜を用いるようになっている。
このように層間絶縁膜の比誘電率は次第に小さくなっており、次世代用途のための比誘電率が２．４以下である低誘電率層間絶縁膜の研究開発がすすめられ、現在では、比誘電率が２．０を下回る層間絶縁膜が報告されている。
また、銅を配線層に使用した多層配線構造では、絶縁膜中に銅が拡散することを防止するため、銅拡散バリア性絶縁膜を銅配線層と絶縁膜の境界に挿入することがなされている。
この銅拡散バリア性絶縁膜には、優れた銅拡散バリア性を有する窒化ケイ素やＳｉＣＮなどからなる絶縁膜が用いられているが、比誘電率が４〜７と高く、これは多層配線構造を構成する絶縁膜全体としての実効的な比誘電率を高くしている。
例えば、比誘電率が２．５程度の層間絶縁膜と比誘電率が４程度の銅拡散バリア性絶縁膜を積層させた多層配線構造では、実効的な比誘電率は３程度となる。
この銅拡散バリア性絶縁膜には、優れた銅拡散バリア性を有する窒化ケイ素やＳｉＣＮなどからなる絶縁膜が用いられているが、比誘電率が４〜７と高く、これは多層配線構造を構成する絶縁膜全体としての実効的な比誘電率を高くしている。
例えば、比誘電率が２．５程度の層間絶縁膜と比誘電率が４程度の銅拡散バリア性絶縁膜を積層させた多層配線構造では、実効的な比誘電率は３程度となる。
すなわち、実効的な比誘電率を低くするためには、銅拡散バリア性絶縁膜の低誘電率化が必要であり、そのための研究開発がすすめられている。
これまでに、π電子結合を持つ有機シラン系材料を用いたケイ素と炭素を主成分とする銅拡散バリア性絶縁膜についての報告がある（特許文献１参照）。
これまでに、π電子結合を持つ有機シラン系材料を用いたケイ素と炭素を主成分とする銅拡散バリア性絶縁膜についての報告がある（特許文献１参照）。
しかしながら、前記先行発明において開示された銅拡散バリア性絶縁膜の比誘電率は３．９と高く、かつ、従来のＳｉＣＮからなる銅拡散バリア性絶縁膜と比べて銅拡散バリア性が優れているとは言えない問題があった。
そこで、本発明は、銅拡散バリア性を有しかつ極めて低い比誘電率を有した絶縁膜を得ることを目的とする。
かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、下記化学式（１）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料である。
請求項２にかかる発明は、分子中に、酸素を含まないことを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ用絶縁膜材料である。
請求項３にかかる発明は、分子中に、炭素の二重結合を含まないことを特徴とする請求項１または２に記載のＣＶＤ用絶縁膜材料である。
請求項４にかかる発明は、分子中に、ＣＨ２からなる環状構造を２つ含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＣＶＤ用絶縁膜材料である。
請求項１にかかる発明は、下記化学式（１）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料である。
請求項３にかかる発明は、分子中に、炭素の二重結合を含まないことを特徴とする請求項１または２に記載のＣＶＤ用絶縁膜材料である。
請求項４にかかる発明は、分子中に、ＣＨ２からなる環状構造を２つ含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＣＶＤ用絶縁膜材料である。
請求項５にかかる発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の絶縁膜材料を用い、プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜を成膜する成膜方法である。
請求項６にかかる発明は、成膜の際、キャリアガスを同伴させない請求項５に記載の成膜方法である。
請求項６にかかる発明は、成膜の際、キャリアガスを同伴させない請求項５に記載の成膜方法である。
請求項７にかかる発明は、請求項５または６に記載の成膜方法で得られた絶縁膜である。
請求項８にかかる発明は、絶縁膜の比誘電率が３．５以下である請求項７に記載の絶縁膜である。
請求項８にかかる発明は、絶縁膜の比誘電率が３．５以下である請求項７に記載の絶縁膜である。
本発明によれば、前記化学式（１）で示されるケイ素化合物を絶縁膜材料としてプラズマＣＶＤ法により成膜した絶縁膜は、その誘電率が低く、しかも銅拡散バリア性が高いものとなる。
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明のプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料は、前記化学式（１）で表されるケイ素化合物であり、すべて公知化合物であって、公知合成方法により得ることができる。この化学式（１）で示される化合物を銅拡散バリア性絶縁膜材料として使用することは、従来知られていない。
このケイ素化合物は、分子内に３員環ないし６員環の環状構造を２つ有し、いずれの環の両端部の炭素がケイ素原子に結合しており、この環状構造内には、二重結合が含まれていないものである。
本発明のプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料は、前記化学式（１）で表されるケイ素化合物であり、すべて公知化合物であって、公知合成方法により得ることができる。この化学式（１）で示される化合物を銅拡散バリア性絶縁膜材料として使用することは、従来知られていない。
このケイ素化合物は、分子内に３員環ないし６員環の環状構造を２つ有し、いずれの環の両端部の炭素がケイ素原子に結合しており、この環状構造内には、二重結合が含まれていないものである。
化学式（１）で示される化合物の具体的なものとしては、５−シラスピロ［４，４］ノナンが好ましい化合物である。
これ以外に用いられるケイ素化合物の例としては、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、４−シラスピロ［３、４］オクタン、４−シラスピロ［３、５］ノナン、４−シラスピロ［３、６］デカン、５−シラスピロ［４、５］デカン、５−シラスピロ［４、６］ウンデカン、６−シラスピロ［５、５］ウンデカン、６−シラスピロ［５、６］ドデカン、７−シラスピロ［６、６］トリデカンなどがあげられる。
これ以外に用いられるケイ素化合物の例としては、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、４−シラスピロ［３、４］オクタン、４−シラスピロ［３、５］ノナン、４−シラスピロ［３、６］デカン、５−シラスピロ［４、５］デカン、５−シラスピロ［４、６］ウンデカン、６−シラスピロ［５、５］ウンデカン、６−シラスピロ［５、６］ドデカン、７−シラスピロ［６、６］トリデカンなどがあげられる。
次に、本発明の成膜方法について説明する。
本発明の成膜方法は、基本的には、上述の化学式（１）に示される絶縁膜材料を用いプラズマＣＶＤ法により成膜を行うものである。この場合、化学式（１）で示されるケイ素化合物の１種または２種以上を混合して使用することができる。
本発明の成膜方法は、基本的には、上述の化学式（１）に示される絶縁膜材料を用いプラズマＣＶＤ法により成膜を行うものである。この場合、化学式（１）で示されるケイ素化合物の１種または２種以上を混合して使用することができる。
１種以上の絶縁膜材料を混合して使用する場合の混合比率は特に限定されず、得られる絶縁膜の比誘電率、銅拡散バリア性などを勘案して決定することができる。
また、成膜の際に、前記化学式（１）で示されるケイ素化合物からなる絶縁膜材料にキャリアガスを添加して成膜することもできるが、銅拡散バリア性の改善のために、該絶縁膜材料を単独で成膜する方が好ましい。
また、成膜の際に、前記化学式（１）で示されるケイ素化合物からなる絶縁膜材料にキャリアガスを添加して成膜することもできるが、銅拡散バリア性の改善のために、該絶縁膜材料を単独で成膜する方が好ましい。
このキャリアガスには、酸素を含まないガス、例えばヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの希ガスの他に、窒素、水素、メタン、エタンなど炭化水素などが挙げられるが、特に限定されるものではない。キャリアガスには、２種以上を混合して使用することができ、絶縁膜材料を含めその混合割合に特に限定はない。
したがって、成膜装置のチャンバー内に送り込まれ成膜に供される成膜用ガスは、絶縁膜材料からなるガスの他に、キャリアガスが混合された混合ガスとなることがある。
したがって、成膜装置のチャンバー内に送り込まれ成膜に供される成膜用ガスは、絶縁膜材料からなるガスの他に、キャリアガスが混合された混合ガスとなることがある。
絶縁膜材料およびキャリアガスが常温で気体状であればそのまま用いられ、液体状のものであればヘリウムなどの不活性ガスを用いたバブリングによる気化、気化器による気化、または加熱による気化によってガス化して用いられる。
プラズマＣＶＤ法としては、周知のものが用いられ、例えば、図１に示すような平行平板型のプラズマ成膜装置などを使用して成膜することができる。
図１に示したプラズマ成膜装置は、減圧可能なチャンバー１を備え、このチャンバー１は、排気管２、開閉弁３を介して排気ポンプ４に接続されている。また、チャンバー１には、図示しない圧力計が備えられ、チャンバー１内の圧力が測定できるようになっている。チャンバー１内には、相対向する一対の平板状の上部電極５と下部電極６とが設けられている。上部電極５は、高周波電源７に接続され、上部電極５に高周波電流が印加されるようになっている。
図１に示したプラズマ成膜装置は、減圧可能なチャンバー１を備え、このチャンバー１は、排気管２、開閉弁３を介して排気ポンプ４に接続されている。また、チャンバー１には、図示しない圧力計が備えられ、チャンバー１内の圧力が測定できるようになっている。チャンバー１内には、相対向する一対の平板状の上部電極５と下部電極６とが設けられている。上部電極５は、高周波電源７に接続され、上部電極５に高周波電流が印加されるようになっている。
下部電極６は、基板８を載置する載置台を兼ねており、その内部にはヒーター９が内蔵され、基板８を加熱できるようになっている。
また、上部電極５には、ガス供給配管１０が接続されている。このガス供給配管１０には、図示しない成膜用ガス供給源が接続され、この成膜用ガス供給装置からの成膜用のガスが供給され、このガスは上部電極５内に形成された複数の貫通孔を通って、下部電極６に向けて拡散しつつ流れ出るようになっている。
また、上部電極５には、ガス供給配管１０が接続されている。このガス供給配管１０には、図示しない成膜用ガス供給源が接続され、この成膜用ガス供給装置からの成膜用のガスが供給され、このガスは上部電極５内に形成された複数の貫通孔を通って、下部電極６に向けて拡散しつつ流れ出るようになっている。
また、上記成膜用ガス供給源には、上述の絶縁膜材料を気化する気化装置と、その流量を調整する流量調整弁を備えるとともに、キャリアガスを供給する供給装置が設けられており、これらのガスもガス供給配管１０を流れて、上部電極５からチャンバー１内に流れ出るようになっている。
プラズマ成膜装置のチャンバー１内の下部電極６上に基板８を置き、成膜用ガス供給源から上記成膜用ガスをチャンバー１内に送り込む。高周波電源７から高周波電流を上部電極５に印加して、チャンバー１内にプラズマを発生させる。これにより、基板８上に上記成膜用ガスから気相化学反応により生成した絶縁膜が形成される。
基板８には、主にシリコンウェーハからなるものが用いられるが、このシリコンウェーハ上にはあらかじめ形成された他の絶縁膜、導電膜、配線構造などが存在していてもよい。
基板８には、主にシリコンウェーハからなるものが用いられるが、このシリコンウェーハ上にはあらかじめ形成された他の絶縁膜、導電膜、配線構造などが存在していてもよい。
プラズマＣＶＤ法としては、平行平板型の他に、ＩＣＰプラズマ、ＥＣＲプラズマ、マグネトロンプラズマ、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマなどを用いることが可能であり、平行平板型装置の下部電極にも高周波を導入する２周波励起プラズマを使用することもできる。
このプラズマ成膜装置における成膜条件は、以下の範囲が好適であるがこの限りではない。
絶縁膜材料流量 ：１５〜１００ｃｃ／分 （２種以上の場合は合計量である）
キャリアガス流量 ：０〜８０ｃｃ／分
圧力 ：１Ｐａ〜１３３０Ｐａ
ＲＦパワー ：５０〜５００Ｗ、好ましくは５０〜２５０Ｗ
基板温度 ：４００℃以下
反応時間 ：１秒〜１８０秒
成膜厚さ ：１００ｎｍ〜２００ｎｍ
絶縁膜材料流量 ：１５〜１００ｃｃ／分 （２種以上の場合は合計量である）
キャリアガス流量 ：０〜８０ｃｃ／分
圧力 ：１Ｐａ〜１３３０Ｐａ
ＲＦパワー ：５０〜５００Ｗ、好ましくは５０〜２５０Ｗ
基板温度 ：４００℃以下
反応時間 ：１秒〜１８０秒
成膜厚さ ：１００ｎｍ〜２００ｎｍ
次に、本発明の絶縁膜について、説明する。
本発明の絶縁膜は、上述のプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料またはこれとキャリアガスとを用い、プラズマ成膜装置によって、プラズマＣＶＤ反応により成膜されたもので、その比誘電率が２．９〜３．５で、銅拡散バリア性が高いものである。また、この絶縁膜は、酸素が含まれておらず、ケイ素と水素と炭素から構成されている。
本発明の絶縁膜は、上述のプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料またはこれとキャリアガスとを用い、プラズマ成膜装置によって、プラズマＣＶＤ反応により成膜されたもので、その比誘電率が２．９〜３．５で、銅拡散バリア性が高いものである。また、この絶縁膜は、酸素が含まれておらず、ケイ素と水素と炭素から構成されている。
本発明の絶縁膜形成方法により得られた絶縁膜が、優れた銅拡散バリア性を有しかつ低比誘電率を有する理由は、以下のように推測される。
すなわち、本発明の絶縁膜材料をなすケイ素化合物のケイ素に結合する環状構造は、Ｃ−Ｃ部分の結合エネルギーが最も低く、プラズマにより結合を切断され開環される。
すなわち、本発明の絶縁膜材料をなすケイ素化合物のケイ素に結合する環状構造は、Ｃ−Ｃ部分の結合エネルギーが最も低く、プラズマにより結合を切断され開環される。
開環されたＣＨ２の環状構造は、他の開環されたＣＨ２の環状構造と結合をしながら基板上に堆積する。換言すれば、Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉやＳｉ−ＣＨ２−ＳｉなどのＣＨ２ネットワーク構造が生成され、このネットワーク構造により、緻密でありながら低比誘電率を有する絶縁膜が形成される。
また、絶縁膜材料には酸素が含まれていないので、プラズマ雰囲気中で絶縁膜を形成する際に導電膜を構成する銅を酸化させることがなく、銅の拡散性に大きな影響を与える銅イオンを発生させにくい絶縁膜が形成される。
以上より、本発明の絶縁膜が、低比誘電率を有しかつ銅拡散バリア性を有する絶縁膜となるものと考えられる。
以上より、本発明の絶縁膜が、低比誘電率を有しかつ銅拡散バリア性を有する絶縁膜となるものと考えられる。
以下、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明する。
ただし、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
ただし、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
（実施例１） −キャリアガスを用いない絶縁膜の形成−
絶縁膜を形成するにあたっては、平行平板型の容量結合プラズマＣＶＤ装置を使用し、あらかじめ３５０℃程度に加熱したサセプター上に、８インチ（直径２００ｍｍ）または１２インチ（直径３００ｍｍ）のシリコンウェーハを搬送し、絶縁膜材料ガスとして５−シラスピロ［４，４］ノナンを２０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１８０Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置のチャンバー内圧力は１３３Ｐａであった。
絶縁膜を形成するにあたっては、平行平板型の容量結合プラズマＣＶＤ装置を使用し、あらかじめ３５０℃程度に加熱したサセプター上に、８インチ（直径２００ｍｍ）または１２インチ（直径３００ｍｍ）のシリコンウェーハを搬送し、絶縁膜材料ガスとして５−シラスピロ［４，４］ノナンを２０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１８０Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置のチャンバー内圧力は１３３Ｐａであった。
得られた絶縁膜の比誘電率を測定するために、前記シリコンウェーハをＳＳＭ社製ＣＶ測定装置４９５上に搬送し、水銀電極を用いて絶縁膜の比誘電率を測定した。測定結果を表１に示す。
得られた絶縁膜の銅拡散バリア性の評価には、銅電極（以下、Ｃｕ電極）とアルミニウム電極（以下、Ａｌ電極）とにおける電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性の相違を比較する方法を採用した。
これは、絶縁膜を１００℃〜３００℃程度に加熱した状態で電界をかけることにより、銅の絶縁膜中への拡散が加速されることを利用したＢｉａｓｅｄ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｔｒｅｓｓ試験法である。
これは、絶縁膜を１００℃〜３００℃程度に加熱した状態で電界をかけることにより、銅の絶縁膜中への拡散が加速されることを利用したＢｉａｓｅｄ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｔｒｅｓｓ試験法である。
例えば、銅拡散バリア性を有しない絶縁膜を被試験膜とする場合、Ｃｕ電極とＡｌ電極とにおけるＩ−Ｖ特性に差異が生じる。この差異は、電界をかけることによって、Ｃｕ電極では銅イオンの絶縁膜中への熱拡散を促進し銅イオンドリフトが発生することでリーク電流が大きくなり、Ａｌ電極では熱拡散が起こらないためにリーク電流が大きくならないことで生じる。そこで、Ｃｕ電極とＡｌ電極とにおけるＩ−Ｖ特性を比較することで、絶縁膜の銅拡散バリア性を評価することができる。
図２は、Ｃｕ電極とＡｌ電極とによるＩ−Ｖ特性を示したグラフであり、銅拡散バリア性が高いものでの特性である。すなわち、この例ではＣｕ電極とＡｌ電極とによるＩ−Ｖ特性がほぼ同じである。
図３は、銅拡散バリア性が低いものでの特性を示したグラフである。この例では、Ｃｕ電極によるＩ−Ｖ特性とＡｌ電極とによるＩ−Ｖ特性とが大きく異なっており、Ｃｕ電極よるＩ−Ｖ特性での電流値が２桁以上、Ａｌ電極とによるＩ−Ｖ特性での電流値よりも大きくなっている。
図３は、銅拡散バリア性が低いものでの特性を示したグラフである。この例では、Ｃｕ電極によるＩ−Ｖ特性とＡｌ電極とによるＩ−Ｖ特性とが大きく異なっており、Ｃｕ電極よるＩ−Ｖ特性での電流値が２桁以上、Ａｌ電極とによるＩ−Ｖ特性での電流値よりも大きくなっている。
このように、Ｃｕ電極によるＩ−Ｖ特性とＡｌ電極によるＩ−Ｖ特性における電流値がほぼ同じ場合を銅拡散バリア性が高いと判断でき、Ｃｕ電極によるＩ−Ｖ特性における電流値とＡｌ電極によるＩ−Ｖ特性における電流値の差が１桁以上高い場合を銅拡散バリア性が低いと判断できる。
この試験方法に関しては、以下の文献を参照することができる。
この試験方法に関しては、以下の文献を参照することができる。
Ａｌｖｉｎ Ｌ．Ｓ．Ｌｏｋｅ ｅｔ ａｌ．、ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ、ＶＯＬ．４６、ＮＯ．１１、２１７８−２１８７（１９９９）
以下に、絶縁膜の銅拡散バリア性の具体的な評価手順を示す。
まず、３０ｍｍ２程度に切り出した被測定サンプルを２つ作成し、マスクをかけ、一方に直径約１ｍｍのＣｕ電極を他方に直径約１ｍｍのＡｌ電極を真空蒸着により形成する。
まず、３０ｍｍ２程度に切り出した被測定サンプルを２つ作成し、マスクをかけ、一方に直径約１ｍｍのＣｕ電極を他方に直径約１ｍｍのＡｌ電極を真空蒸着により形成する。
次に、Ｃｕ電極が形成された被測定サンプルを真空プローブ装置に設置し該装置内を０．１３３Ｐａ以下となる真空雰囲気にした状態でＩ−Ｖ特性を前記ＣＶ測定装置で測定した。そして、窒素を圧力が９３ｋＰａ程度になるまで前記真空プローブ装置内に充填するとともに、ステージ温度を１４０℃または２００℃まで加熱した後、Ｉ−Ｖ特性を前記ＣＶ測定装置で測定した。
以上のＣｕ電極が形成された被測定サンプルにおけるＩ−Ｖ特性の測定を、Ａｌ電極が形成された被測定サンプルでも同様に実施し、Ｃｕ電極とＡｌ電極とにおけるＩ−Ｖ特性の差異により、形成された絶縁膜の銅拡散バリア性を評価した。結果を図４に示す。
その他、膜厚の測定にはファイブラボ社製分光エリプソメトリ装置を使用した。測定結果を表１に示す。
その他、膜厚の測定にはファイブラボ社製分光エリプソメトリ装置を使用した。測定結果を表１に示す。
（実施例２） −キャリアガスを用いない絶縁膜の形成−
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとして５−シラスピロ［４，４］ノナンを３５ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１５０Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は６６．６Ｐａであった。
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとして５−シラスピロ［４，４］ノナンを３５ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１５０Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は６６．６Ｐａであった。
得られた絶縁膜の比誘電率、銅拡散バリア性、膜厚を実施例１と同様にして評価した。測定結果を表１に示す。銅拡散バリア性の評価結果を図５に示す。
（実施例３） −キャリアガスを用いた絶縁膜の形成−
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとして５−シラスピロ［４，４］ノナンを１７ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で、キャリアガスとしてヘリウムを４０ｃｃ／ｍｉｎで同伴して流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１５０Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は２６６Ｐａであった。
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとして５−シラスピロ［４，４］ノナンを１７ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で、キャリアガスとしてヘリウムを４０ｃｃ／ｍｉｎで同伴して流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１５０Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は２６６Ｐａであった。
得られた絶縁膜の比誘電率、銅拡散バリア性、膜厚を実施例１と同様にして評価した。測定結果を表１に示す。銅拡散バリア性の評価結果を図６に示す。
（比較例１） −ＣＨ２からなる環状構造を含まない材料ガスによる絶縁膜の形成−
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとしてテトラビニルシランを３０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量でキャリアガスとしてヘリウムを３０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で同伴して流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１００Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は７９８Ｐａであった。
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとしてテトラビニルシランを３０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量でキャリアガスとしてヘリウムを３０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で同伴して流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１００Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は７９８Ｐａであった。
得られた絶縁膜の比誘電率、銅拡散バリア性、膜厚を実施例１と同様にして評価した。測定結果を表１に示す。銅拡散バリア性の評価結果を図７に示す。
（比較例２） −ＣＨ２からなる環状構造を含まない材料ガスによる絶縁膜の形成−
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとしてジアリルジビニルシランを３０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量でキャリアガスとしてヘリウムを３０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で同伴して流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１００Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は１３３Ｐａであった。
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとしてジアリルジビニルシランを３０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量でキャリアガスとしてヘリウムを３０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で同伴して流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１００Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は１３３Ｐａであった。
得られた絶縁膜の比誘電率、銅拡散バリア性、膜厚を実施例１と同様にして評価した。測定結果を表１に示す。銅拡散バリア性の評価結果を図８に示す。
（比較例３） −一部ＣＨ２からなる環状構造を含む材料ガスによる絶縁膜の形成−
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとして１，１−ジビニル−１−シラシクロペンタンを１７ｃｃ／ｍｉｎの体積流量でキャリアガスとしてヘリウムを４０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で同伴して流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１５０Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は１３３Ｐａであった。
絶縁膜を形成するにあたって使用する装置および方法は実施例１とほぼ同じであるが、材料ガスとして１，１−ジビニル−１−シラシクロペンタンを１７ｃｃ／ｍｉｎの体積流量でキャリアガスとしてヘリウムを４０ｃｃ／ｍｉｎの体積流量で同伴して流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を１５０Ｗに設定して絶縁膜を形成した。このときの前記プラズマＣＶＤ装置チャンバー内圧力は１３３Ｐａであった。
得られた絶縁膜の比誘電率、銅拡散バリア性、膜厚を実施例１と同様にして評価した。測定結果を表１に示す。銅拡散バリア性の評価結果を図９に示す。
表１に示した結果および図４ないし図９に示したグラフから、実施例１で形成された絶縁膜は比誘電率が３．２２でありかつ銅拡散バリア性を有し、実施例２で形成された絶縁膜は比誘電率が３．５５でありかつ銅拡散バリア性を有し、実施例３で形成された絶縁膜は比誘電率が３．３９でありかつ銅拡散バリア性を有し、比較例１で形成された絶縁膜は比誘電率が２．８７であり銅拡散バリア性を有せず、比較例２で形成された絶縁膜は比誘電率が２．７２であり銅拡散バリア性を有せず、比較例３で形成された絶縁膜は比誘電率が３．３８であり銅拡散性バリア性質を有することがわかる。
このように、前記化学式（１）で示されるケイ素化合物からなる絶縁膜材料を用いてプラズマＣＶＤ法によって絶縁膜を成膜することで、銅拡散バリア性を有しかつ比誘電率が低い絶縁膜を形成するができる。また、ヘリウムなどのキャリアガスを使用せずに成膜することで、次世代用途に適したさらに低い比誘電率をもつ銅拡散バリア性絶縁膜を形成することができる。
本発明は、次世代に求められる高集積化されたＬＳＩ配線を使用する半導体装置に適用することができる。
１・・チャンバー、２・・排気管、３・・開閉弁、４・・排気ポンプ、５・・上部電極、６・・下部電極、７・・高周波電源、８・・基板、９・・ヒータ、１０・・ガス供給配管
Claims (8)
- 下記化学式（１）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料。
- 分子中に、酸素を含まないことを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ用絶縁膜材料。
- 分子中に、炭素の二重結合を含まないことを特徴とする請求項１または２に記載のＣＶＤ用絶縁膜材料。
- 分子中に、ＣＨ２からなる環状構造を２つ含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＣＶＤ用絶縁膜材料。
- 請求項１ないし４のいずれかに記載の絶縁膜材料を用い、プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜を成膜する成膜方法。
- 成膜の際、キャリアガスを同伴させない請求項５に記載の成膜方法。
- 請求項５または６に記載の成膜方法で得られた絶縁膜。
- 絶縁膜の比誘電率が３．５以下である請求項７に記載の絶縁膜。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008223907A JP5505680B2 (ja) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
| PCT/JP2009/004298 WO2010023964A1 (ja) | 2008-09-01 | 2009-09-01 | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
| US13/060,525 US20110159212A1 (en) | 2008-09-01 | 2009-09-01 | Insulating film material, method for forming film by using the insulating film material, and insulating film |
| TW098129349A TW201016710A (en) | 2008-09-01 | 2009-09-01 | A material which forms an insulating film, a film forming method using the same, and an insulating film using the same |
| CN2009801340046A CN102138205A (zh) | 2008-09-01 | 2009-09-01 | 绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜 |
| KR1020117005949A KR101635120B1 (ko) | 2008-09-01 | 2009-09-01 | 절연막 재료, 이 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008223907A JP5505680B2 (ja) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010062218A true JP2010062218A (ja) | 2010-03-18 |
| JP5505680B2 JP5505680B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=41721145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008223907A Expired - Fee Related JP5505680B2 (ja) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110159212A1 (ja) |
| JP (1) | JP5505680B2 (ja) |
| KR (1) | KR101635120B1 (ja) |
| CN (1) | CN102138205A (ja) |
| TW (1) | TW201016710A (ja) |
| WO (1) | WO2010023964A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011210881A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 炭窒化珪素膜及び炭窒化珪素膜の成膜方法 |
| JP5614589B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2014-10-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9177783B2 (en) | 2013-12-10 | 2015-11-03 | Applied Materials, Inc. | Substituted silacyclopropane precursors and their use for the deposition of silicon-containing films |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5384289A (en) * | 1993-06-17 | 1995-01-24 | Micron Semiconductor, Inc. | Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing |
| JP2006519496A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-08-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2575466B1 (fr) * | 1984-12-27 | 1987-02-20 | Centre Nat Rech Scient | Nouveaux complexes de silicium hexacoordines, leur procede de preparation et leur application |
| JP3882914B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2007-02-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 多相低誘電率材料およびその堆積方法 |
| US6716770B2 (en) * | 2001-05-23 | 2004-04-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low dielectric constant material and method of processing by CVD |
| JP2004149607A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Jsr Corp | 多層配線間の空洞形成用重合体およびその製造方法 |
| JP2005045058A (ja) | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Mitsui Chemicals Inc | 銅拡散バリア性絶縁膜の形成方法およびその絶縁膜 |
| EP1916253A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-04-30 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | New group V metal containing precursors and their use for metal containing film deposition |
-
2008
- 2008-09-01 JP JP2008223907A patent/JP5505680B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-01 US US13/060,525 patent/US20110159212A1/en not_active Abandoned
- 2009-09-01 CN CN2009801340046A patent/CN102138205A/zh active Pending
- 2009-09-01 KR KR1020117005949A patent/KR101635120B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-01 WO PCT/JP2009/004298 patent/WO2010023964A1/ja not_active Ceased
- 2009-09-01 TW TW098129349A patent/TW201016710A/zh unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5384289A (en) * | 1993-06-17 | 1995-01-24 | Micron Semiconductor, Inc. | Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing |
| JP2006519496A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-08-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN5006001932; ＧＥＲＡＵＬＴ， Ｊ． Ｐ．: ＴＨＩＮ ＳＯＬＩＤ ＦＩＬＭＳ Ｖ１０１ Ｎ１, 1983, Ｐ８３-９６ * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5614589B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2014-10-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
| JP2011210881A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 炭窒化珪素膜及び炭窒化珪素膜の成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101635120B1 (ko) | 2016-06-30 |
| JP5505680B2 (ja) | 2014-05-28 |
| WO2010023964A1 (ja) | 2010-03-04 |
| TW201016710A (en) | 2010-05-01 |
| US20110159212A1 (en) | 2011-06-30 |
| CN102138205A (zh) | 2011-07-27 |
| KR20110055643A (ko) | 2011-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5317089B2 (ja) | 成膜方法および絶縁膜 | |
| US9111761B2 (en) | Multi component dielectric layer | |
| JP3926588B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI374472B (en) | An improved method for fabricating an ultralow dielectric comstant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made | |
| JP3930840B2 (ja) | 低κ誘電性無機／有機ハイブリッドフィルム | |
| JP3600507B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20100055442A1 (en) | METHOD OF PE-ALD OF SiNxCy AND INTEGRATION OF LINER MATERIALS ON POROUS LOW K SUBSTRATES | |
| TWI490363B (zh) | 絕緣膜材料、使用該絕緣膜材料的成膜方法及絕緣膜 | |
| JP4743470B2 (ja) | 半導体基板上にＣｕ層と接触する膜を形成するための方法 | |
| JP2004534373A (ja) | 多相低誘電率材料およびその堆積方法 | |
| JP3934343B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5505680B2 (ja) | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 | |
| KR20230055964A (ko) | 펄스형 화학 기상 증착을 사용하여 질화붕소를 증착하기 위한 방법 및 시스템 | |
| JP5731841B2 (ja) | シリコン窒化膜の形成方法 | |
| WO2011108456A1 (ja) | 低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法 | |
| JP5750230B2 (ja) | 炭窒化珪素膜及び炭窒化珪素膜の成膜方法 | |
| JP2008263022A (ja) | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 | |
| JP2002305242A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5607394B2 (ja) | 層間絶縁膜の成膜方法および層間絶縁膜 | |
| JP2007318070A (ja) | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 | |
| JP2006294671A (ja) | 低誘電率炭化珪素膜の製造方法 | |
| JP2009277686A (ja) | 絶縁膜の成膜方法および絶縁膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110801 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110801 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130902 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140305 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5505680 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |