JP2010059529A - シリコン基板のエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板Kの表面に形成されたレジスト膜60に、先端部54を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第1工程と、シリコン基板Kの表面を異方性エッチングして溝61を形成する第2工程と、シリコン基板Kの表面に形成されたレジスト膜62に、基部53を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第3工程と、溝61内に埋め込まれた当該溝底部のレジスト62が露出するまでシリコン基板Kの表面を等方性エッチングする第4工程と、シリコン基板Kの表面を異方性エッチングし、基部53を形成する第5工程と、シリコン基板Kのレジスト膜62を除去する第6工程とを順次実施することにより、基部53と先端部54とを備えた複数の突起52をシリコン基板Kに形成する。
【選択図】図4
Description
先端径又は先端幅が基部側よりも小さくなった突起(開口径又は開口幅が底部側よりも大きくなった凹所)を、エッチングによってシリコン基板の表面に形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記突起の先端部(前記凹所の開口部)を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第1工程と、
前記第1工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記シリコン基板表面に溝を形成する第2工程と、
前記第2工程で形成された溝を含む前記シリコン基板の表面に前記レジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記突起の基部(前記凹所の底部)を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第3工程と、
前記第3工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板表面の溝に埋め込まれた該溝底部のレジストが露出されるまで、前記シリコン基板表面を等方性エッチングする第4工程と、
前記第3工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記突起の基部(前記凹所の底部)を形成する第5工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第6工程とを順次実施するようにしたことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法に係る。
先端径又は先端幅が基部側よりも小さくなった突起(開口径又は開口幅が底部側よりも大きくなった凹所)を、エッチングによってシリコン基板の表面に形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記突起の先端部(前記凹所の開口部)を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第1工程と、
前記第1工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記シリコン基板表面に溝を形成する第2工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第3工程と、
前記第2工程で形成された溝を含む前記シリコン基板の表面に酸化膜を形成する第4工程と、
前記溝内に形成された酸化膜を残して、前記第4工程で前記シリコン基板表面に形成された酸化膜を除去する第5工程と、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記突起の基部(前記凹所の底部)を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第6工程と、
前記第6工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板表面の溝に形成された酸化膜が露出されるまで、前記シリコン基板表面を等方性エッチングする第7工程と、
前記第6工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記突起の基部(前記凹所の底部)を形成する第8工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第9工程と、
前記シリコン基板表面の酸化膜を除去する第10工程とを順次実施するようにしたことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法に係る。
11 処理チャンバ
15 基台
20 排気装置
25 ガス供給装置
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 コイル用高周波電源
35 基台用高周波電源
50 シリコン構造体
52 突起
53 基部
54 先端部
60,62,70,73 レジスト膜
61,71 環状溝
72 酸化膜
80 シリコン構造体
81 穴
82 底部
83 開口部
K シリコン基板
Claims (4)
- 先端径又は先端幅が基部側よりも小さくなった突起を、エッチングによってシリコン基板の表面に形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記突起の先端部を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第1工程と、
前記第1工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記シリコン基板表面に溝を形成する第2工程と、
前記第2工程で形成された溝を含む前記シリコン基板の表面に前記レジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記突起の基部を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第3工程と、
前記第3工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板表面の溝に埋め込まれた該溝底部のレジストが露出されるまで、前記シリコン基板表面を等方性エッチングする第4工程と、
前記第3工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記突起の基部を形成する第5工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第6工程とを順次実施するようにしたことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 - 先端径又は先端幅が基部側よりも小さくなった突起を、エッチングによってシリコン基板の表面に形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記突起の先端部を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第1工程と、
前記第1工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記シリコン基板表面に溝を形成する第2工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第3工程と、
前記第2工程で形成された溝を含む前記シリコン基板の表面に酸化膜を形成する第4工程と、
前記溝内に形成された酸化膜を残して、前記第4工程で前記シリコン基板表面に形成された酸化膜を除去する第5工程と、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記突起の基部を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第6工程と、
前記第6工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板表面の溝に形成された酸化膜が露出されるまで、前記シリコン基板表面を等方性エッチングする第7工程と、
前記第6工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記突起の基部を形成する第8工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第9工程と、
前記シリコン基板表面の酸化膜を除去する第10工程とを順次実施するようにしたことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 - 開口径又は開口幅が底部側よりも大きくなった凹所を、エッチングによってシリコン基板の表面に形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記凹所の開口部を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第1工程と、
前記第1工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記シリコン基板表面に溝を形成する第2工程と、
前記第2工程で形成された溝を含む前記シリコン基板の表面に前記レジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記凹所の底部を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第3工程と、
前記第3工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板表面の溝に埋め込まれた該溝底部のレジストが露出されるまで、前記シリコン基板表面を等方性エッチングする第4工程と、
前記第3工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記凹所の底部を形成する第5工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第6工程とを順次実施するようにしたことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 - 開口径又は開口幅が底部側よりも大きくなった凹所を、エッチングによってシリコン基板の表面に形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記凹所の開口部を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第1工程と、
前記第1工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記シリコン基板表面に溝を形成する第2工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第3工程と、
前記第2工程で形成された溝を含む前記シリコン基板の表面に酸化膜を形成する第4工程と、
前記溝内に形成された酸化膜を残して、前記第4工程で前記シリコン基板表面に形成された酸化膜を除去する第5工程と、
前記シリコン基板の表面にレジストを塗布し、塗布したレジスト膜に、前記凹所の底部を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第6工程と、
前記第6工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板表面の溝に形成された酸化膜が露出されるまで、前記シリコン基板表面を等方性エッチングする第7工程と、
前記第6工程で形成されたレジスト膜をマスクとして、前記シリコン基板の表面を異方性エッチングし、前記凹所の底部を形成する第8工程と、
前記シリコン基板表面のレジスト膜を除去する第9工程と、
前記シリコン基板表面の酸化膜を除去する第10工程とを順次実施するようにしたことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。
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