JP2010059027A - セラミック粉末の製造方法、誘電体セラミックの製造方法、セラミック粉末、誘電体セラミック、および積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】 積層セラミックコンデンサに用いられるＢａＴｉＯ₃系誘電体材料に関し、誘電率が高く、温度特性が良好で、かつ信頼性の高い、誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、上述の誘電体セラミックに適したセラミック粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。モル比Ａ／Ｂは０．９５〜０．９８である）を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして５０％以上の粒子が単結晶である、主成分粉末を用意する第１の工程と、前記主成分粉末の粒子の表面に、少なくともＢａ化合物を担持させる第２の工程と、前記粒子の表面にＢａ化合物を担持させた主成分粉末を熱処理する第３の工程と、
を備える製造方法によって得られたセラミック粉末を用いて、積層セラミックコンデンサを作製する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体セラミックとその製造方法に関し、さらに、誘電体セラミックに用いられるセラミック粉末とその製造方法に関する。

本発明の主用途である積層セラミックコンデンサは、以下のようにして製造されるのが一般的である。

まず、その表面に、所望のパターンをもって内部電極となる導電材料を付与した、誘電体セラミック原料を含むセラミックグリーンシートが用意される。

次に、上述した導電材料を付与したセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートが積層され、熱圧着され、それによって一体化された生の積層体が作製される。

次に、この生の積層体は焼成され、それによって、焼結後の積層体が得られる。この積層体の内部には、上述した導電材料をもって構成された内部電極が形成されている。

次いで、積層体の外表面上に、内部電極の特定のものに電気的に接続されるように、外部電極が形成される。外部電極は、たとえば、導電性金属粉末およびガラスフリットを含む導電性ペーストを積層体の外表面上に付与し、焼き付けることによって形成される。このようにして、積層セラミックコンデンサが完成される。

積層セラミックコンデンサでは、小型化・大容量化を達成するため、誘電体セラミックには高い誘電率を有することが求められ、具体的にはＢａＴｉＯ₃系材料がよく用いられる。

このＢａＴｉＯ₃は基本的には強誘電体である。ただ実用的には、高い誘電率、温度特性および信頼性をそれぞれ確保するために、添加物を結晶粒子の表層付近のみに拡散させたコア・シェル構造などが多数みられる。特許文献１には、ＢａＴｉＯ₃を主成分とし、コア・シェル構造を有する誘電体セラミックが開示されている。
特開２００２−８０２７６号公報

最近では、積層セラミックコンデンサに小型化・大容量化が求められているため、セラミック層一層当たりの厚みが薄くなってきている。よって、これまで以上に高い信頼性が求められるとともに、誘電率や温度特性も劣化させてはならない。

しかしながら、特許文献１に記載のコア・シェル構造を有する誘電体セラミックにおいては、薄層化を進めた場合、信頼性、誘電率、温度特性の水準がまだまだ不足であった。

本発明は上記の問題に鑑みなされたものであって、その目的は、誘電率が高く、温度特性が良好で、かつ信頼性の高い、誘電体セラミックおよびその製造方法を提供することにある。

また、本発明の別の目的は、上述の誘電体セラミックに適したセラミック粉末およびその製造方法を提供することにある。

すなわち本発明は、一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。モル比Ａ／Ｂは０．９５〜０．９８である。）を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして５０％以上の粒子が単結晶である、主成分粉末を用意する第１の工程と、前記主成分粉末の粒子の表面に、少なくともＢａ化合物を担持させる第２の工程と、前記粒子の表面にＢａ化合物を担持させた主成分粉末を熱処理する第３の工程と、を備えることを特徴とする、セラミック粉末の製造方法である。

また、本発明のセラミック粉末の製造方法においては、前記第２の工程において、さらにＴｉ化合物を担持させることが好ましい。

さらに、本発明のセラミック粉末の製造方法においては、前記第３の工程の後に、前記セラミック粉末に対し、希土類元素、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｓｉ化合物のうち少なくとも一種を混合させる第４の工程を備えてもよい。

また、本発明は、本発明のセラミック粉末を成形し、成形体を得る工程と、前記成形体を焼成する工程と、を備える、誘電体セラミックの製造方法にも向けられる。

本発明は、一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。モル比Ａ／Ｂは０．９５〜０．９８である。）を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして５０％以上の粒子が単結晶である、セラミック粉末にも向けられる。

また、本発明のセラミック粉末は、一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。）を主成分とする組成を有するとともに、個数割合にして５０％以上の粒子において、粒子が単結晶であり、かつ粒子の表面に非晶質層が形成されていることを特徴とする。

さらに、本発明は、一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。）を主成分とする組成を有し、結晶粒子と結晶粒界とを備える誘電体セラミックにも向けられ、個数割合にして５０％以上の結晶粒子が、単結晶であるコア部と、前記コア部を被覆するシェル部とを備えていることを特徴とする。

また、本発明は、積層された複数の誘電体セラミック層と、これらの誘電体セラミック層間に配置された内部電極と、これらの内部電極に電気的に接続された外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにも向けられ、上記誘電体セラミック層が、本発明の誘電体セラミックにより形成されていることを特徴とする。

本発明においては、ＡＢＯ₃主成分粉末のＡ／Ｂ比が０．９５〜０．９８と化学量論比より低く設定されているため、粒子表面にＢａ化合物が担持されて熱処理されたとき、担持されたＢａ化合物が粒子の表層部のみに固溶し、粒子表面に非晶質層が形成される。このようにして得られたセラミック粉末は、内部が単結晶であるため非常に結晶化度が高く、かつ表層部は非晶質のため非常に結晶化度が低い状態になっている。この状態において、希土類元素などの副成分を添加し、これをセラミック原料粉末として焼成した際、副成分が結晶化度の低い表層部のみに効率的に固溶し、かつ、結晶化度の高い内部には殆ど固溶しなくなる。こうして得られた誘電体セラミックは、コアとシェルの境界が非常に急峻であるコア・シェル構造をとなる。このような誘電体セラミック、およびその製造方法により、誘電率や温度特性を落とすことなく、信頼性を高めることができる。

また、ＡＢＯ₃主成分粉末の粒子表面にＢａ化合物を担持させる際、同時にＴｉ化合物をも担持させた場合、熱処理により形成される粒子表面の非晶質層の均質性が高まるため、信頼性がさらに向上する。

以上、本発明のセラミック粉末、およびその製造方法、ならびに本発明のセラミック粉末を用いた誘電体セラミックおよびその製造方法を用いることによって、小型・大容量に優れ、かつ温度特性や信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。

まず、本発明の誘電体セラミックの主要な用途である、積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は一般的な積層セラミックコンデンサ１を示す断面図である。

積層セラミックコンデンサ１は、直方体状のセラミック積層体２を備えている。セラミック積層体２は、複数の積層された誘電体セラミック層３と、複数の誘電体セラミック層３間の界面に沿って形成された複数の内部電極４および５とを備えている。内部電極４および５は、セラミック積層体２の外表面にまで到達するように形成されるが、セラミック積層体２の一方の端面６にまで引き出される内部電極４と他方の端面７にまで引き出される内部電極５とが、セラミック積層体２の内部において、誘電体セラミック層３を介して静電容量を取得できるように交互に配置されている。

内部電極４および５の導電材料は、低コストであるニッケルもしくはニッケル合金が好ましい。

前述した静電容量を取り出すため、セラミック積層体２の外表面上であって、端面６および７上には、内部電極４および５のいずれか特定のものに電気的に接続されるように、外部電極８および９がそれぞれ形成されている。外部電極８および９に含まれる導電材料としては、内部電極４および５の場合と同じ導電材料を用いることができ、さらに、銀、パラジウム、銀−パラジウム合金なども用いることができる。外部電極８および９は、このような金属粉末にガラスフリットを添加して得られた導電性ペーストを付与し、焼き付けることによって形成される。

また、外部電極８および９上には、必要に応じて、ニッケル、銅などからなる第１のめっき層１０および１１がそれぞれ形成され、さらにその上には、半田、錫などからなる第２のめっき層１２および１３がそれぞれ形成される。

次に、本発明の詳細について説明する。

まず、モル比Ａ／Ｂが０．９５〜０．９８であり、単結晶であるＡＢＯ₃主成分粉末が用意される。

この主成分は、ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物からなり、ＡはＢａが支配的であり、ＢはＴｉが支配的であるため、ＢａＴｉＯ₃が代表例として挙げられる。このＢａは必要に応じてＳｒ、Ｃａ等の元素で置換されてもよく、ＴｉはＺｒ、Ｈｆ等の元素で置換されてもよい。前記主成分がＢａＴｉＯ₃であると、誘電率が高くなるため好ましい。

単結晶であるとは、粒子における結晶方位が、粒子の内部において同一方向に揃っていることをいう。たとえば、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）などにより観察される結晶格子縞が、粒子のほぼ全域において同一方向に揃っている。すなわち、ある一つの結晶粒子の中に、結晶方位の方向が変わる界面が存在しない。さらに、たとえば、ＴＥＭによる制限視野電子線回折の回折パターンにおける配列規則性を観察することによっても、単結晶か否かを判断可能である。

また、ＡＢＯ₃主成分粉末の製造方法は特に問われるものではない。ただ、モル比Ａ／Ｂが０．９５〜０．９８と１より低くなっていることにより、比較的多くの粒子を単結晶化しやすくなる。

なお、ＡＢＯ₃主成分粉末において単結晶である粒子の割合は、ＴＥＭ観察における個数割合において５０％以上であれば、本発明の目的は損なわれない。

次に、本発明のＡＢＯ₃主成分粉末の粒子表面に対し、Ｂａ化合物が担持される。Ｂａ化合物は、酸化物でもよいし、炭酸化物でもよい。なお、担持する方法は、ボールミルにてＢａ化合物粉末を混合させてもよいし、金属石鹸、ゾル、溶液などを付与してもよい。

なお、Ｂａ化合物を担持させると同時に、ＴｉＯ₂粉末などのＴｉ化合物を同時に担持させることが好ましい。さらに、本発明の目的を損なわない限り、希土類元素などの副成分をこの時点で混合しても構わない。

次いで、Ｂａ化合物などが表面に担持されたＡＢＯ₃主成分粉末が、６００℃〜１０００℃程度の温度において熱処理される。これにより、ＡＢＯ₃主成分粉末の粒子表面に対し、表面に担持されたＢａ化合物が固溶し、この固溶した部分が非晶質層となる。このＢａ化合物はＡＢＯ₃の化学量論比から不足する分のＡサイト成分を補う形になるため、仮にＡＢＯ₃粒子が単結晶であっても、表面部分だけは反応が生じると考えられる。

このとき、Ｂａ化合物だけでなくＴｉ化合物も担持されている場合は、熱処理時にこのＢａ化合物とＴｉ化合物とが反応し、これが粒子表面における非晶質層と一部となる。よって、非晶質層の反応が進みやすくなる結果、非晶質層の均質性が高まる。

このようにして得られたセラミック粉末は、内部が単結晶であり、表面に非晶質層を備えているため、表面のみ相対的に結晶化度が低く、表面の反応活性が高くなっている。非晶質層の厚みは、好ましくは、その粒子径の１〜１０％である。

上記セラミック粉末に対し、希土類元素、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｓｉ化合物などの副成分が混合されると、セラミック原料として好ましい。このセラミック原料を用いて成形体を作製し、焼成すると、上記副成分が、反応活性の高い非晶質層のみに選択的に固溶し、内部の単結晶部分には殆ど固溶しない。

上述の方法によって、結晶粒子と結晶粒界とを有する誘電体セラミックが得られるが、この結晶粒子の個数割合にして５０％以上は、単結晶であり副成分の殆ど存在しないコア部と、副成分が固溶したシェル部とを備えるコア・シェル構造を有する。この場合、コア・シェルの境界は非常に急峻であり、かつ明確である。

なお、ここでいう結晶粒子とは、主として主成分ＡＢＯ₃からなる結晶粒子のことをいい、異相成分が析出した粒子は該当しない。また、ここでいう結晶粒界とは、三重点をも含む。

なお、本発明の誘電体セラミックの組成には、必要に応じて種々の副成分を含ませることができる。たとえば、希土類元素、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｉの他にも、Ｙ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕなどが考えられる。

本実施例は、ある特定の組成において積層セラミックコンデンサを作製し、本発明にかかるセラミック粉末およびその製造方法、ならびに本発明にかかる誘電体セラミックおよびその製造方法が、積層セラミックコンデンサの各種特性に与える影響をみたものである。誘電体セラミックの組成は、１００Ｂａ_1.015ＴｉＯ₃+ ２．０Ｄｙ₂Ｏ₃ + １．５ＭｇＯ + １．０ＭｎＯ + １.５ＳｉＯ₂である。

まず、表１の試料１〜１０に記載のＢａ／Ｔｉモル比ｍを有する、平均粒子径３００ｎｍのＢａ_mＴｉＯ₃粉末を用意した。

試料１〜１０のＢａ_mＴｉＯ₃粉末の粒子に対し、ＴＥＭによる制限視野電子線回折を行った。各試料において、それぞれ１０個の粒子にスポットをあてて回折パターンの観察を行い、５個以上の粒子について単結晶と判断できた試料については、単結晶であると判断した。表１に、単結晶と判断した試料を「○」、単結晶と判断しなかった試料を「×」と示す。単結晶の例として、試料２の回折パターンを図２に示す。また、単結晶でない例として、試料７の回折パターンを図３に示す。

次に、試料１〜３、および試料５〜８のＢａ_mＴｉＯ₃粉末に対し、所定の量のＢａＣＯ₃粉末を、総量としてのＢａ／Ｔｉモル比が１．０１５となるよう秤量し、ボールミルにて混合した。試料４のＢａ_mＴｉＯ₃粉末に対しては、ＢａＣＯ₃粉末をＢａ_mＴｉＯ₃中のＴｉ１００モル部に対して４．５モル部、ＴｉＯ₂粉末を１モル部添加し、総量としてのＢａ／Ｔｉモル比が１．０１５となるよう秤量し、ボールミルにて混合した。試料９、１０に関しては、ＢａＣＯ₃粉末やＴｉＯ₂粉末は添加しなかった。

次いで、試料１〜１０の粉末を、９００℃にて２時間、熱処理した。このようにして、粒子表面に非晶質層を有するセラミック粉末を得た。

試料１〜１０のセラミック粉末のＴＥＭ観察を行い、非晶質層の厚みを測定した。非晶質層の定義としては、粒子表面において、格子縞が観察されない部分を非晶質層とした。このようにして、計２０粒子の非晶質層の厚みを求め、その平均値を表２に示した。また、平均粒子径３００ｎｍに対する比も併せて表２に示す。

試料１〜１０のうち、試料１〜４については、所望の厚みの非晶質層が得られている。例として試料２のＴＥＭ観察像を図４に示す。図４においては矢印の部分が非晶質層にあたる。

試料５および６については、ｍが大きいため、粒子表面に担持されたＢａ成分が十分に固溶せず、十分な厚みの非晶質層が得られていない。

試料７および８については、Ｂａ_mＴｉＯ₃粉末の単結晶度が低いため、粒子表面に担持されたＢａ成分が粒子内部まで拡散してしまい、非晶質層が厚くなりすぎるとともに、非晶質層と内部とのの境界が不明瞭になっている。

試料９および１０に関しては、粒子表面にＢａＣＯ₃粉末を担持させなかったため、非晶質層が殆ど形成されていない。

次に、以上の試料１〜１０のセラミック粉末に対し、上述の組成となるよう、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｇＣＯ₃、ＭｎＣＯ₃、ＳｉＯ₂粉末を秤量し、ボールミルにて混合した。このとき、試料９および１０のみ、総量としてのＢａ／Ｔｉモル比が１．０１５となるよう、不足分のＢａＣＯ₃粉末を併せて加えた。これを乾燥し、セラミック原料を得た。

このセラミック原料に対し、エタノール系有機溶媒、およびポリビニルブチラール系バインダを加え、湿式混合し、セラミックスラリーを得た。

得られたセラミックスラリーをドクターブレード法にてシート成形し、セラミックグリーンシートを得た。

得られたセラミックグリーンシートを所定の矩形形状にカットし、この表面にＮｉ金属粉末を含む導電性ペーストを所定のパターン状になるよう塗布した。この導電性ペーストを塗布したセラミックグリーンシートを、引出し側が互い違いになるよう複数枚積層し、圧着して積層体を得た。

得られた積層体において、窒素雰囲気中で３５０℃の温度で加熱して脱バインダを行った後、酸素分圧１０^-9.5ＭＰａのＨ₂−Ｎ₂−Ｈ₂Ｏガスからなる還元性雰囲気中において１２３０℃にて２時間焼成して、セラミック積層体を得た。

その後、セラミック積層体の両端面にＢ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＢａＯ系のガラスフリットを含有するＣｕペーストをそれぞれ塗布し、Ｎ₂ガス雰囲気において８００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。

このようにして得られた積層セラミックコンデンサにおいては、外形寸法が長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚さ０．８ｍｍであり、誘電体セラミック層の１層厚みは４．０μｍであり、静電容量に寄与する内部電極の対向する部分の１層当たりの面積は３．０ｍｍ²であり、静電容量に寄与する誘電体セラミック層の層数は１００層であった。

試料番号１〜１０の積層セラミックコンデンサにおいて、誘電率εを、自動ブリッジ式測定器を用いて、温度２５℃にて１ｋＨｚ−１Ｖrmsの条件下にて測定した。また、この２５℃の誘電率を基準として、１２５℃における誘電率の変化率（％）を求め、これを温度特性とした。誘電率と温度特性の結果を表３に示す。

次に、試料１〜１０の積層セラミックコンデンサのそれぞれ２０個ずつの試料において、高温負荷試験を行った。温度１５０℃、負荷電圧６０Ｖの条件において保持し、絶縁抵抗値が１００ｋΩに落ちるまでに要した時間を求めた。この２０個の結果のワイブルプロットから、平均故障時間（ＭＴＴＦ）と、バラツキの少なさの指標であるｍ値を表３に示した。

表３の結果によると、セラミック粉末において所望の厚みの非晶質層が得られていた試料２〜４においては、高い誘電率と、良好な温度特性と、高い高温負荷特性が得られた。ただし、主成分粉末のＢａ／Ｔｉ比ｍが低い試料１においては、高温負荷試験における故障時間のｍ値が小さく、信頼性のばらつきが大きい結果となった。

また、非晶質層の厚みが小さかった試料５、６、９、１０については、誘電体セラミックにおいて十分なシェル厚みが得られなかったため、ＭＴＴＦが短い結果となった。

また、非晶質層の厚みが大きかった試料７、８については、誘電体セラミックにおいて、副成分が結晶粒子内部まで拡散するとともに、コア・シェル境界が不明瞭になったため、誘電率と温度特性が低い結果となった。

一般的な積層セラミックコンデンサの断面図である。 試料２のＢａ_mＴｉＯ₃粉末における粒子の、制限視野電子線回折の回折パターンである。 試料７のＢａ_mＴｉＯ₃粉末における粒子の、制限視野電子線回折の回折パターンである。察写真である。 試料２のセラミック粉末における粒子の表面付近のＴＥＭ観察写真である。

符号の説明

１ 積層セラミックコンデンサ
２ セラミック積層体
３ 誘電体セラミック層
４，５ 内部電極
８，９ 外部電極

Claims (8)

1. 一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。モル比Ａ／Ｂは０．９５〜０．９８である）を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして５０％以上の粒子が単結晶である、主成分粉末を用意する第１の工程と、
   前記主成分粉末の粒子の表面に、少なくともＢａ化合物を担持させる第２の工程と、
   前記粒子の表面にＢａ化合物を担持させた主成分粉末を熱処理する第３の工程と、
   を備えることを特徴とする、セラミック粉末の製造方法。
2. 前記第２の工程において、さらにＴｉ化合物を担持させることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック粉末の製造方法。
3. 前記第３の工程の後に、前記セラミック粉末に対し、希土類元素、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｓｉ化合物のうち少なくとも一種を混合させる第４の工程を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載のセラミック粉末の製造方法。
4. 請求項１〜３に記載のセラミック粉末を成形し、成形体を得る工程と、
   前記成形体を焼成する工程と、
   を備える、誘電体セラミックの製造方法。
5. 一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。モル比Ａ／Ｂは０．９５〜０．９８である）を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして５０％以上の粒子が単結晶である、セラミック粉末。
6. 一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。）を主成分とする組成を有する、セラミック粉末であって、
   個数割合にして５０％以上の粒子において、
   粒子が単結晶であり、かつ、粒子の表面に非晶質層が形成されていることを特徴とする、セラミック粉末。
7. 一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。）を主成分とする組成を有し、結晶粒子と結晶粒界とを備える誘電体セラミックであって、
   個数割合にして５０％以上の結晶粒子が、単結晶であるコア部と、前記コア部を被覆するシェル部とを備えていることを特徴とする、誘電体セラミック。
8. 積層された複数の誘電体セラミック層と、これらの誘電体セラミック層間に配置された内部電極と、これらの内部電極に電気的に接続された外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、上記誘電体セラミック層が、請求項７に記載の誘電体セラミックによって形成されていることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。

Images