JP2010056735A - 分波器、半導体集積回路装置および通信用携帯端末 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＳＤフィルタなどの素子を追加することなく、ローバンド側の耐ＥＳＤ特性を改善しながら、モジュールの小型化を実現する。
【解決手段】高周波電力増幅モジュールに設けられたダイプレクサ８は、インダクタ９とローパスフィルタ１４に設けられた直列インダクタとインダクタ１０とにより、アンテナ端子ＡＮＴに対して合成接地インダクタが形成される。ＥＳＤ信号は、数百ＭＨｚ程度以下の周波数帯が主成分であるため、ローパスフィルタ１５をほぼそのまま通過できるが、上述した合成接地インダクタと静電容量素子１３とによってアンテナ端子ＡＮＴから、アンテナスイッチ回路に向けてのＥＳＤフィルタを形成することにより、該アンテナスイッチ回路へＥＳＤ信号が抜けることを抑制する。
【選択図】図２

Description

本発明は、通信用携帯端末などに用いられる高周波電力増幅モジュールの性能向上技術に関し、特に、分波器の耐ＥＳＤ特性改善、および高調波抑制に有効な技術に関する。

近年、移動体通信の１つとして、携帯電話が広く普及しており、その機能に対しても多様性が求められている。たとえば、携帯電話に用いられる高周波電力増幅モジュールに対しては、高調波抑制、耐ＥＳＤ（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）特性を改善して広帯域化を図りつつ、小型化を実現することが求められている。

高周波電力モジュールには、アンテナから送受信される送信側信号と受信側信号とを分波するフィルタであるダイプレクサなどの分波器が広く設けられている。

これにより、たとえば、ローバンド側のＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）系送信信号や受信信号がハイバンド側のＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）／ＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅ）系に回り込むことを防止する。

この種の高周波電力モジュールにおいては、整合回路とローパスフィルタとの接続点から整合回路側とローパスフィルタ側をそれぞれ見たときの２倍高調波のインピーダンスの位相関係を１８０°±９０°の範囲内に設定することにより、基本波を低損失で伝送し、２倍高調波を所望の値以下に低減するもの（たとえば、特許文献１参照）やローバンド側のローパスフィルタとアンテナスイッチとの間にＥＳＤフィルタを設けることにより、静電気を除去しながら、良好な受信感度を実現するもの（たとえば、特許文献２参照）などが知られている。
特開２００４−０３２４８２号公報 特開２００３−０４６４５２号公報

ところが、上記のような高周波電力モジュールにおける耐ＥＳＤ特性の改善技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。

アンテナスイッチが備えられた高周波電力モジュールにおいては、ｐＨＥＭＴ（ｐｓｅｕｄｍｏｒｐｈｉｃ Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｔｏｒ）スイッチなどのトランジスタが用いられているが、該ｐＨＥＭＴスイッチが静電破壊に弱いため、特に、ＥＳＤ信号の抜けやすいローバンド側で耐ＥＳＤ特性を改善する必要がある。

ローバンド側のＥＳＤ信号が抜けやすいのは、ＥＳＤ信号の主成分が、数百ＭＨｚ程度以下の周波数帯で構成されるのに対して、ローバンド側には、たとえば、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド携帯電話用ダイプレクサでは、約９００ＭＨｚ以下の信号を通過させるローパスフィルタしか存在しないため、ＥＳＤ信号がほぼそのまま通過してしまうからである。

これに対してハイバンド側では、たとえば、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド携帯電話用ダイプレクサでは約１７００ＭＨｚ以上の信号を通過させるハイパスフィルタが存在するため、ＥＳＤ信号がほとんど通過しない。

しかし、特許文献１のように、ローパスフィルタとスイッチとの間にＥＳＤフィルタを設けると、素子数が増加してモジュールの小型化が不利となるばかりでなく、ローバンド側の損失を増加させてしまい、送信効率を低下させてしまうという問題がある。

また、特許文献２の場合、ｐＨＥＭＴスイッチが高調波を発生した際に、ローパスフィルタ側ではある程度これを除去できるが、ハイパスフィルタ側ではそのままアンテナから放射されるという問題が生じてしまうことになる。

本発明の目的は、ＥＳＤフィルタなどの素子を追加することなく、ローバンド側の耐ＥＳＤ特性を改善しながら、モジュールの小型化を実現することのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明は、タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続された第１のタンク回路と、一方の接続部が第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のローパスフィルタと、一方の接続部が第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が基準電位に接続された第１のインダクタと、一方の接続部が第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が第２の送受信信号端子に接続された第１の静電容量素子と、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続された第２のローパスフィルタと、一方の接続部が第２のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が第３の送受信信号端子に接続された第２の静電容量素子とを備えたものである。

また、本発明は、前記第１のローパスフィルタが、一方の接続部が第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のフィルタ用インダクタと、一方の接続部が第１のフィルタ用インダクタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が基準電位に接続された第１のフィルタ用静電容量素子とよりなるものである。

さらに、本発明は、前記第１のローパスフィルタが、一方の接続部が第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のフィルタ用インダクタと、一方の接続部が第１のフィルタ用インダクタの他方の接続部に接続された第１のフィルタ用静電容量素子と、一方の接続部が第１のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が基準電位に接続された第２のフィルタ用インダクタとよりなるものである。

また、本発明は、前記第２のローパスフィルタが、タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続された第２のタンク回路と、一方の接続部が第２のタンク回路の他方の接続部に接続され、他方の接続部が第１の静電容量素子の一方の接続部に接続された第３のフィルタ用インダクタと、一方の接続部が第２のタンク回路の他方の接続部に接続された第２のフィルタ用静電容量素子と、一方の接続部が第２のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が基準電位に接続された第４のフィルタ用インダクタとよりなるものである。

さらに、本発明は、前記第２のローパスフィルタが、タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、第１の送受信信号端子に接続された第２のタンク回路と、一方の接続部が第２の静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が第３の送受信信号端子に接続された第３のフィルタ用インダクタと、一方の接続部が第２のタンク回路の他方の接続部に接続された第２のフィルタ用静電容量素子と、一方の接続部が第２のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が基準電位に接続された第４のフィルタ用インダクタとよりなるものである。

また、本発明は、３以上の周波数帯を分離する分波器であって、タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続された第１のタンク回路と、一方の接続部が第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のローパスフィルタと、一方の接続部が第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が基準電位に接続された第１のインダクタと、一方の接続部が第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が第２の送受信信号端子に接続された第１の静電容量素子と、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続された第２のローパスフィルタと、一方の接続部が第２のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が第３の送受信信号端子に接続された第２の静電容量素子と、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続され、他方の接続部が第４の送受信信号端子に接続され、第２のローパスフィルタよりも高い周波数帯の信号を通過させる少なくとも１つのバンドパスフィルタとを備えたものである。

また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。

本発明は、半導体集積回路装置であって、周波数の異なる信号経路の切り替えを行うアンテナスイッチ回路と、タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部がアンテナが接続されるアンテナ端子となる第１の送受信信号端子に接続された第１のタンク回路と、一方の接続部が第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のローパスフィルタと、一方の接続部が第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が基準電位に接続された第１のインダクタと、一方の接続部が第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部がアンテナスイッチ回路に接続される第２の送受信信号端子に接続された第１の静電容量素子と、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続された第２のローパスフィルタと、一方の接続部が第２のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部がアンテナスイッチ回路に接続される第３の送受信信号端子に接続された第２の静電容量素子とよりなる分波器を備えたものである。

また、本発明は、通信システムにおける送信信号に必要な電力増幅を行う高周波電力増幅モジュールを備えた通信用携帯端末であって、該高周波電力増幅モジュールは、周波数の異なる信号経路の切り替えを行うアンテナスイッチ回路と、タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部がアンテナが接続されるアンテナ端子となる第１の送受信信号端子に接続された第１のタンク回路と、一方の接続部が第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のローパスフィルタと、一方の接続部が第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が基準電位に接続された第１のインダクタと、一方の接続部が第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部がアンテナスイッチ回路に接続される第２の送受信信号端子に接続された第１の静電容量素子と、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続された第２のローパスフィルタと、一方の接続部が第２のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部がアンテナスイッチ回路に接続される第３の送受信信号端子に接続された第２の静電容量素子とよりなる分波器を備えたものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

（１）検波器における回路規模を小さくしながら耐ＥＳＤ特性を向上し、高調波の減衰特性を改善することができる。

（２）また、上記（１）により、高周波電力増幅モジュールの小型化、高性能化、およびコストダウンを実現することができる。

（３）さらに、上記（１）、（２）により、安価で高性能な通信用携帯端末を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１による高周波電力増幅モジュールの構成例を示すブロック図、図２は、図１の高周波電力増幅モジュールに設けられたダイプレクサの構成例を示す説明図である。

本実施の形態１において、高周波電力増幅モジュール１は、たとえば、通信システムである携帯電話（通信用携帯端末）などに用いられる送信用電力増幅モジュールである。半導体集積回路装置である高周波電力増幅モジュール１は、図１に示すように、出力パワーアンプ２，３、整合回路４，５、アンテナスイッチ回路６，７、およびダイプレクサ８などから構成されている。

出力パワーアンプ２は、ハイバンド（たとえば、ＤＣＳ／ＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯／１．９ＧＨｚ帯））の送信信号を増幅する。出力パワーアンプ３はローバンド（たとえば、ＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００（８００ＭＨｚ帯／９００ＭＨｚ帯））の送信信号を増幅する。

整合回路４，５は、インピーダンス整合を最適にして整合をとる回路である。図１では、整合回路４，５のみを記載しているが、アンテナスイッチ回路６，７の受信端子にも、整合回路がそれぞれ接続されている。

アンテナスイッチ回路６は、ハイバンド側の送受信信号の切り替え用のスイッチであり、アンテナスイッチ回路７は、ローバンド側の送受信信号の切り替え用のスイッチである。

これらアンテナスイッチ回路６，７は、入力される制御信号に基づいて、送受信する信号の切り替えを行うＳＰ３Ｔスイッチである。ダイプレクサ８は、デュアルバンドの２つの周波数帯を分離する分波器である。

ハイバンド側の送信信号は、出力パワーアンプ２によって増幅され、整合回路４を経由してアンテナスイッチ回路６に入力される。アンテナスイッチ回路６から出力された送信信号は、ダイプレクサ８のハイバンド端子ＨＢに入力され、その後、ダイプレクサ８のアンテナ端子ＡＮＴを経てアンテナから出力される。このアンテナ端子ＡＮＴは、第１の送受信信号端子となり、ハイバンド端子ＨＢは、第２の送受信信号端子となる。

また、ローバンド側の送信信号は、出力パワーアンプ３で増幅された後、整合回路５を経由してアンテナスイッチ回路７に入力される。そして、該アンテナスイッチ回路７からダイプレクサ８のローバンド端子ＬＢに入力され、ダイプレクサ８のアンテナ端子ＡＮＴを介してアンテナから出力される。ローバンド端子ＬＢは、第３の送受信信号端子となる。

また、アンテナが受信した受信信号は、その周波数帯に応じてダイプレクサ８によりパスを振り分けられ、さらにアンテナスイッチ回路６，７のいずれかによって、それぞれの受信系へ振り分けられる。

図２は、ダイプレクサ８の構成例を示す説明図である。

ダイプレクサ８は、図示するように、インダクタ９，１０、静電容量素子１１〜１３、ならびにローパスフィルタ１４，１５から構成されている。タンク用インダクタであるインダクタ９の一方の接続部、タンク用静電容量素子である静電容量素子１１の一方の接続部、およびローパスフィルタ１５の一方の接続部には、アンテナ端子ＡＮＴがそれぞれ接続されている。

インダクタ９の他方の接続部、ならびに静電容量素子１１の他方の接続部には、第１のローパスフィルタであるローパスフィルタ１４の一方の接続部が接続されており、これらインダクタ９と静電容量素子１１とにより、第１のタンク回路が構成されている。

また、ローパスフィルタ１４の他方の接続部には、第１のインダクタであるインダクタ１０の一方の接続部、および第１の静電容量素子である静電容量素子１２の一方の接続部がそれぞれ接続されており、これらインダクタ１０、ならびに静電容量素子１１，１２によってハイパスフィルタが構成されている。インダクタ１０の他方の接続部には、基準電位ＧＮＤが接続されており、静電容量素子１２の他方の接続部には、第２の送受信信号端子となるハイバンド端子ＨＢを介してアンテナスイッチ回路６が接続されている。

第２のローパスフィルタであるローパスフィルタ１５の他方の接続部には、第２の静電容量素子となる静電容量素子１３の一方の接続部が接続されており、該静電容量素子１３の他方の接続部には、第３の送受信信号端子となるローバンド端子ＬＢを介してアンテナスイッチ回路７が接続されている。また、ローパスフィルタ１４，１５は、たとえば、直列インダクタと接地容量の組み合せをベースにした一般的な構成からなる。

次に、本実施の形態によるダイプレクサ８の作用について説明する。

ダイプレクサ８において、ローパスフィルタ１４は、その入出力端が少なくとも１つの直列インダクタで接続された構成となる。このため、インダクタ９とローパスフィルタ１４に設けられた直列インダクタとインダクタ１０とにより、アンテナ端子ＡＮＴに対して合成接地インダクタが形成される。

ＥＳＤ（静電気放電）信号は、数百ＭＨｚ程度以下の周波数帯が主成分であるため、ローパスフィルタ１５をほぼそのまま通過できるが、上述した合成接地インダクタと静電容量素子１３とによってアンテナ端子ＡＮＴから、アンテナスイッチ回路７に向けてのＥＳＤフィルタを形成することにより、該アンテナスイッチ回路７へＥＳＤ信号が抜けることを抑制することができる。

このように、ハイバンド側の高調波抑制とローバンド側の耐ＥＳＤ特性改善を、ローバンド側にＥＳＤフィルタなどを新たに追加することなく、ハイバンド側へのローパスフィルタ１４を追加するだけで実現することが可能となり、部品点数の増加を最小限に抑えながら、回路規模を小型化することができる。

また、ダイプレクサ８は、ハイバンド側にローパスフィルタ特性を有するため、ハイバンド側の回路（出力パワーアンプ２、アンテナスイッチ回路６）が発生する高調波を該ダイプレクサ８で落とすことができるので、たとえば、ハイバンド側の出力パワーアンプ２とアンテナスイッチ回路６との間などに設けられていたローパスフィルタを削除することができる。

さらに、ハイバンド側のスイッチが発生する高調波も減衰させられるため、高調波仕様を緩和した安価なスイッチを使用することが可能となる。

それにより、本実施の形態１によれば、回路規模を小型化しながら、ローバンド側の耐ＥＳＤ特性を改善した高周波電力増幅モジュール１を実現することができる。

また、ローバンド側の回路に対する耐ＥＳＤ特性が改善されることにより、携帯電話などの組み立て時におけるローバンド側のスイッチの静電破壊率を低減させることができる。

さらに、高調波仕様を緩和した安価なアンテナスイッチ回路を使用することができるので、高周波電力増幅モジュール１のより大きなコストダウンを図ることができる。

（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２によるダイプレクサの構成例を示す説明図である。

本実施の形態２において、高周波電力増幅モジュール１は、前記実施の形態１（図１）と同様に、出力パワーアンプ２，３、整合回路４，５、アンテナスイッチ回路６，７、およびダイプレクサ８ａなどから構成されている。

ダイプレクサ８ａは、図３に示すように、インダクタ９，１０、静電容量素子１１〜１３、ならびにローパスフィルタ１４，１５から構成されている。ローパスフィルタ１４は、第１のフィルタ用インダクタであるインダクタ１４ａ、および第１のフィルタ用静電容量素子である静電容量素子１４ｂから構成されており、ローパスフィルタ１５は、インダクタ１５ａ、および静電容量素子１５ｂ，１５ｃから構成されている。また、インダクタ１５ａ、および静電容量素子１５ｂによって、第２のタンク回路が構成されている。

インダクタ１４ａの一方の接続部には、インダクタ９、および静電容量素子１１の他方の接続部がそれぞれ接続されており、該インダクタ１４ａの他方の接続部には、静電容量素子１４ｂの一方の接続部、インダクタ１０の一方の接続部、ならびに静電容量素子１２の一方の接続部がそれぞれ接続されている。そして、静電容量素子１４ｂの他方の接続部には、基準電位ＧＮＤが接続されている。

インダクタ１５ａ、および静電容量素子１５ｂの一方の接続部には、アンテナ端子ＡＮＴがそれぞれ接続されている。これらインダクタ１５ａ、ならびに静電容量素子１５ｂの他方の接続部には、第２のフィルタ用静電容量素子となる静電容量素子１５ｃの一方の接続部、および，静電容量素子１３の一方の接続部がそれぞれ接続されている。静電容量素子１５ｃの他方の接続部には、基準電位ＧＮＤが接続されている。

また、その他の接続構成については、前記実施の形態１の図２と同様であるので、説明は省略する。

このダイプレクサ８ａでは、ハイパスフィルタを構成する静電容量素子１１とインダクタ１０、およびローパスフィルタ１４のインダクタ１４ａとよりアンテナ端子ＡＮＴに対して、第１のトラップ回路が形成されるのに加えて、ハイパスフィルタを構成する静電容量素子１１とローパスフィルタ１４のインダクタ１４ａ、および静電容量素子１４ｂとによって、アンテナ端子ＡＮＴに対して第２のトラップ回路が形成される。

第１のトラップ回路、および第２のトラップ回路のトラップ周波数をそれぞれローバンド側回路の高調波周波数（たとえば、２倍波と３倍波など）に近い値に設定することで、ダイプレクサ８ａと接続されるローバンド側回路の高調波出力をより効果的に減衰させることができる。

それにより、本実施の形態２おいても、回路規模を小型化しながら、ローバンド側の耐ＥＳＤ特性を改善した高周波電力増幅モジュール１を実現することができる。

また、ローバンド側の回路に対する耐ＥＳＤ特性が改善されることにより、携帯電話などの組み立て時におけるローバンド側のスイッチの静電破壊率を低減させることができる。

さらに、高調波仕様を緩和した安価なアンテナスイッチ回路を使用することにより、高周波電力増幅モジュール１のより大きなコストダウンを図ることができる。

（実施の形態３）
図４は、本発明の実施の形態３によるダイプレクサの構成例を示す説明図、図５は、図４のダイプレクサにおける周波数特性の一例を示した説明図である。

本実施の形態３においても、高周波電力増幅モジュール１は、前記実施の形態１（図１）と同様に、出力パワーアンプ２，３、整合回路４，５、アンテナスイッチ回路６，７、およびダイプレクサ８ｂなどから構成されている。

ダイプレクサ８ｂは、図４に示すように、インダクタ９，１０、静電容量素子１１〜１３、ならびにローパスフィルタ１４，１５から構成されている。また、ローパスフィルタ１４は、インダクタ１４ａ、および静電容量素子１４ｂからなる前記実施の形態２（図３）の構成に、第２のフィルタ用インダクタであるインダクタ１４ｃが新たに追加された構成となっている。

ローパスフィルタ１５は、インダクタ１５ａ、および静電容量素子１５ｂ，１５ｃからなる前記実施の形態２（図３）と同様の構成になっている。

インダクタ１４ｃの一方の接続部には、静電容量素子１４ｂの他方の接続部が接続されており、該インダクタ１４ｃの他方の接続部には、基準電位ＧＮＤが接続されている。また、その他の接続構成については、前記実施の形態２の図３と同様であるので、説明は省略する。

図５は、ダイプレクサ８ｂにおける周波数特性の一例を示した説明図である。

ダイプレクサ８ｂでは、図示するように、トラップ回路を構成する静電容量素子１４ｂとインダクタ１４ｃとにより、ハイバンド側の通過特性において、３．６ＧＨｚ付近にトラップが発生していることがわかる。

このトラップ周波数を、ダイプレクサ８ｂに接続されるハイバンド側回路による出力信号の高調波周波数と一致させると、より効果的にハイバンド側回路の高調波出力を減衰させることができる。

ここで、ダイプレクサ８ｂを、図１に示すＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００とＤＣＳ／ＰＣＳのクワッドバンドに対応する携帯電話に用いる場合、ローバンド端子ＬＢがＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００に、ハイバンド端子ＨＢ端子がＤＣＳ／ＰＣＳに対応することになるが、静電容量素子１１、インダクタ１４ａ，１０により構成されるトラップ回路のトラップ周波数を１６００ＭＨｚ近くに設定すると、ローバンド側の通過特性にトラップが発生し、ＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００の２倍高調波の減衰帯域の下限側を拡大することができる。

また、静電容量素子１４ｂとインダクタ１４ｃとによるトラップ回路のトラップ周波数を３６００ＭＨｚ近くに設定することにより、ハイバンド側の通過特性においてＤＣＳ／ＰＣＳの２倍高調波に対する減衰量を改善することができる。

このとき、静電容量素子１４ｂとインダクタ１４ｃとによるラップ回路は、静電容量素子１１、ならびにインダクタ１４ａを介してアンテナ端子ＡＮＴに接続されることになるが、静電容量素子１１は、ＤＣＳ／ＰＣＳ周波数以上ではほぼスルーに見えるため、これらの合成回路は、静電容量素子１４ｂとインダクタ１４ｃとによるトラップ回路に、インダクタ１４ａを直列に接続したＬＣトラップ回路とほぼ等しくなる。

したがって、インダクタ１４ａのインダクタンスを大きくするにつれて、静電容量素子１４ｂとインダクタ１４ｃとのトラップ回路のトラップ周波数とは独立に合成回路のトラップ周波数を低下させることができる。

たとえば、このトラップ周波数を２７００ＭＨｚ近くに設定すれば、ローバンド側の通過特性においてＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００の３倍高調波の減衰量を改善することができる。

（実施の形態４）
図６は、本発明の実施の形態４によるダイプレクサの構成例を示す説明図、図７は、図６のダイプレクサにおける周波数特性の一例を示す説明図、図８は、本発明の実施の形態４によるダイプレクサの他の構成例を示す説明図、図９は、図８のダイプレクサをモジュール基板にレイアウトした際の一例を示す説明図である。

本実施の形態３においても、高周波電力増幅モジュール１は、前記実施の形態１（図１）と同様に、出力パワーアンプ２，３、整合回路４，５、アンテナスイッチ回路６，７、およびダイプレクサ８ｃなどから構成されている。

ダイプレクサ８ｃは、図６に示すように、インダクタ９，１０、静電容量素子１１〜１３、ならびにローパスフィルタ１４，１５から構成されている。

ローパスフィルタ１４は、前記実施の形態３と同様に、インダクタ１４ａ、静電容量素子１４ｂ、およびインダクタ１４ｃからなる。また、ローパスフィルタ１５は、インダクタ１５ａ、および静電容量素子１５ｂ，１５ｃからなる前記実施の形態２（図３）と同様の構成に、インダクタ１５ｄ，１５ｅが新たに追加された構成となっている。

第３のフィルタ用インダクタとなるインダクタ１５ｄの一方の接続部には、インダクタ１５ａの他方の接続部、静電容量素子１５ｂの他方の接続部、静電容量素子１５ｃの他方の接続部がそれぞれ接続されている。

静電容量素子１５ｃの他方の接続部には、第４のフィルタ用インダクタであるインダクタ１５ｅの一方の接続部が接続されており、該インダクタ１５ｅの他方の接続部には、基準電位ＧＮＤが接続されている。また、その他の接続構成については、前記実施の形態３の図４と同様となっている。

この場合、インダクタ１５ａと静電容量素子１５ｂとによりタンク回路が構成され、静電容量素子１５ｃとインダクタ１５ｅとによりＬＣトラップ回路が構成される。

インダクタ１５ｄを設けることにより、アンテナ端子ＡＮＴ−ローバンド端子ＬＢ間の高周波減衰量を改善できるのに加えて、ローバンド端子ＬＢ側と整合をとるための静電容量素子１３の静電容量値を小さくすることができる。

よって、静電容量素子１３の静電容量値を小さくすることにより、該静電容量素子１３とハイバンド端子ＨＢ側の合成接地インダクタ（インダクタ９，１０，１４ａ）とで構成されるＥＳＤフィルタの低周波減衰量を増加させることができるので、耐ＥＳＤ特性を改善することができる。

図７は、ダイプレクサ８ｃにおける周波数特性の一例を示す説明図である。

この場合、静電容量素子１５ｃとインダクタ１５ｅとで構成されたトラップ回路は、ローバンド側の通過特性においてＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００の３倍高調波を減衰させるように設定されており、前記実施の形態３において説明した静電容量素子１１，１４ｂ、およびインダクタ１４ａ，１４ｃで構成されるＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００の３倍高調波トラップとトラップ周波数をずらして組み合わせることにより、３倍高調波の減衰帯域を拡大することができる。

さらに、ダイプレクサ８ｃにおけるローパスフィルタ１５側をＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００の２倍波周波数（すなわち、静電容量素子１５ｂとインダクタ１５ａとによるタンク回路の共振周波数）以上の周波数帯でアンテナ端子ＡＮＴ側から見ると、該アンテナ端子ＡＮＴには、静電容量素子１５ｂ，１５ｃ、ならびにインダクタ１５ｅで構成される合成トラップ回路が接続されるように見える。

この合成トラップ回路のトラップ周波数は、静電容量素子１５ｃとインダクタ１５ｅとで決まるトラップ周波数に比べて高い周波数となり、その周波数は静電容量素子１５ｂの静電容量値で調整することが可能である。

図７において、この合成トラップ回路のトラップ周波数は、ハイバンド側の通過特性においてＤＣＳ／ＰＣＳの２倍波に近い３６００ＭＨｚ程度に設定されている。静電容量素子１４ｂ、およびインダクタ１４ｃで決まるトラップ周波数は、ＤＣＳバンドの２倍波周波数の下限に近い３４００ＭＨｚ近くに設定されており、両者を合わせて減衰帯域を拡大することで、ＤＣＳ／ＰＣＳの２倍波を広帯域に減衰させることができる。

また、本実施の形態４では、インダクタ１５ｄを、タンク回路（並列接続されたインダクタ１５ａと静電容量素子１５ｂ）と静電容量素子１３との間に接続する構成としたが、インダクタ１５ｄは、たとえば、静電容量素子１３とローバンド端子ＬＢとの間に設けるようにしてもよい。

さらに、ダイプレクサ８ｃは、図８に示すように、インダクタ１５ｄを、静電容量素子１３とローバンド端子ＬＢとの間に接続し、新たに接地容量となる静電容量素子１５ｆをローパスフィルタ１５に追加する構成のダイプレクサ８ｃとしてもよい。

この場合、静電容量素子１５ｆは、静電容量素子１３とインダクタ１５ｄとの接続部に一方の接続部が接続され、他方の接続部が、基準電位ＧＮＤに接続される構成となる。

このような構成にすることにより、ローバンド側の整合状態を改善することができる。

図９は、図８におけるダイプレクサ８ｃをモジュール基板Ｐにレイアウトした際の一例を示す説明図である。

モジュール基板Ｐは、たとえば、複層（たとえば、４層基板）のプリント配線基板から構成されており、図９（ａ）は、モジュール基板Ｐの表層のレイアウトを示しており、図９（ｂ）は、モジュール基板Ｐの２層目のレイアウトを示している。

図９（ａ）において、モジュール基板Ｐ左側の上方には、アンテナスイッチ６，７に接続される整合回路４，５以外の受信系整合回路がレイアウトされるレイアウト領域Ｌ１があり、その右下には、アンテナスイッチ６，７がレイアウトされるレイアウト領域Ｌ２がある。

レイアウト領域Ｌ１，Ｌ２の右側には、整合回路４が形成されるレイアウト領域Ｌ３があり、該レイアウト領域Ｌ３の下方には、出力パワーアンプ２，３が形成されるレイアウト領域Ｌ４があり、該レイアウト領域Ｌ４の下方には、整合回路５が形成されるレイアウト領域Ｌ５がある。

また、レイアウト領域Ｌ２の左側には、モジュール基板Ｐに形成された配線パターンからなるスパイラルインダクタで形成されたインダクタ１０がレイアウトされている。このインダクタ１０の下方には、静電容量素子１２、静電容量素子１４ｂ、インダクタ９、静電容量素子１１、および静電容量素子１５ｂが、上方から下方にかけてそれぞれレイアウトされている。

インダクタ９の右側には、インダクタ１５ｄがレイアウトされており、該インダクタ１５ｄの下方には、静電容量素子１３がレイアウトされている。これら静電容量素子１２、静電容量素子１４ｂ、インダクタ９、静電容量素子１１、静電容量素子１５ｂ、インダクタ１５ｄ、ならびに静電容量素子１３は、たとえば、表面実装部品などがレイアウトされる。

静電容量素子１５ｂの下方には、スパイラルインダクタで形成されたインダクタ１５ａがレイアウトされており、該インダクタ１５ａの下方には、表面実装部品などの静電容量素子１５ｃがレイアウトされる。

また、図９（ｂ）において、モジュール基板Ｐ左側の上方には、スパイラルインダクタで形成されたインダクタ１０がレイアウトされており、該インダクタ１０の下方には、スパイラルインダクタで形成されたインダクタ１４ａがレイアウトされている。

インダクタ１０，１４ａの右側には、スパイラルインダクタで形成されたインダクタ１４ｃがレイアウトされている。インダクタ１４ａの下方には、スパイラルインダクタで形成されたインダクタ１５ｅがレイアウトされており、該インダクタ１５ｅの下方には、スパイラルインダクタで形成されたインダクタ１０がレイアウトされている。また、静電容量素子１５ｆは、ここには示していないモジュール基板Ｐの３層目にレイアウトされている。

このように、インダクタ１４ａなどの直列インダクタをスパイラルインダクタで形成することにより、インダクタ１４ａに容量成分による自己共振によってさらに減衰極を発生させることができる。

それにより、部品点数が削減されてレイアウト面積を小さく、かつコストを低減しながら高調波減衰特性を改善することが可能となる。

（実施の形態５）
図１０は、本発明の実施の形態５によるダイプレクサの構成例を示す説明図、図１１は、図１０のダイプレクサの周波数特性を示す説明図である。

本実施の形態５においても、高周波電力増幅モジュール１は、前記実施の形態１（図１）と同様に、出力パワーアンプ２，３、整合回路４，５、アンテナスイッチ回路６，７、およびダイプレクサ８ｄなどから構成されている。

ダイプレクサ８ｄは、図１０に示すように、インダクタ９，１０、静電容量素子１１，１２、ならびにローパスフィルタ１４，１５から構成されている。

ローパスフィルタ１４は、図１０に示すように、前記実施の形態４の図６の構成に、静電容量素子１４ｄ、および静電容量素子１５ｆが新たに追加された構成となっている。ローパスフィルタ１４を構成する静電容量素子１４ｄは、直列インダクタであるインダクタ１４ａと並列接続されており、ローパスフィルタ１５を構成する静電容量素子１５ｆは、直列インダクタ１５ｄと並列接続された構成となっている。

図１０に示す構成とすることによって、図１１に示すように、アンテナ端子ＡＮＴ−ハイバンド端子ＨＢ間では、インダクタ１４ａと静電容量素子１４ｄとからなるタンク回路の共振周波数で信号が遮断されるためにハイバンド通過特性のＤＣＳ／ＰＣＳの３倍波周波数近くに減衰極が発生し、同様にアンテナ端子ＡＮＴ−ローバンド端子ＬＢ間では、インダクタ１５ｄと静電容量素子１５ｆとからなるタンク回路の共振周波数で信号が遮断されるためにローバンド通過特性のＧＳＭ８００／ＧＳＭ９００の４倍波周波数近くに減衰極が発生する。

このように、高い周波数に減衰極を発生させるためには静電容量素子１４ｄ、静電容量素子１５ｆのいずれも微少な静電容量値で済むが、これは、インダクタ１５ｄ、インダクタ１４ａなどの直列インダクタをスパイラルインダクタで形成すれば、その寄生容量で十分に実現できる程度の値である。

（実施の形態６）
図１２は、本発明の実施の形態６によるマルチプレクサの構成例を示す説明図、図１３は、図１２のマルチプレクサの周波数特性を示す説明図である。

前記実施の形態１〜５では、ダイプレクサについて説明したが、たとえば、３つまたはそれ以上の信号を分波する分波器であるマルチプレクサ１６としてもよい。マルチプレクサ１６は、図１２に示すように、図２のダイプレクサ８の構成に、バンドパスフィルタ１７，１８が追加された構成となっている。

バンドパスフィルタ１７，１８は、ローパスフィルタ１５よりも高い周波数帯の信号を通過させるフィルタ回路である。これらバンドパスフィルタ１７，１８の一方の接続部が、アンテナ端子ＡＮＴに接続されており、バンドパスフィルタ１７，１８の他方の接続部には、ミディアムバンド端子ＭＢ１，ＭＢ２がそれぞれ接続されている。

この構成により、図１３に示すように、ハイバンド側の高調波信号をローパスフィルタ１４により減衰させつつ、インダクタ９、ローパスフィルタ１４の直列インダクタ、およびインダクタ１０の合成接地インダクタと静電容量素子１３とにより、ローバンド端子ＬＢ側回路に対してＥＳＤ信号を減衰させうる低域減衰特性を実現することが可能となる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

たとえば、実施の形態１〜５における高周波電力増幅モジュールは、クワッドバンド対応の例を示したが、本発明のダイプレクサをデュアルバンド向けの高周波電力増幅モジュールに用いることにより、基板の製造ばらつきに起因する高調波特性ばらつきの影響を改善し、歩留まりが向上するという効果を得ることができる。

本発明は、通信用携帯端末などに用いられる分波器における耐ＥＳＤ特性の向上、および高調波の抑制化技術に適している。

本発明の実施の形態１による高周波電力増幅モジュールの構成例を示すブロック図である。 図１の高周波電力増幅モジュールに設けられたダイプレクサの構成例を示す説明図である。 本発明の実施の形態２によるダイプレクサの構成例を示す説明図である。 本発明の実施の形態３によるダイプレクサの構成例を示す説明図である。 図４のダイプレクサにおける周波数特性の一例を示した説明図である。 本発明の実施の形態４によるダイプレクサの構成例を示す説明図である。 図６のダイプレクサにおける周波数特性の一例を示す説明図である。 本発明の実施の形態４によるダイプレクサの他の構成例を示す説明図である。 図８のダイプレクサをモジュール基板にレイアウトした際の一例を示す説明図である。 本発明の実施の形態５によるダイプレクサの構成例を示す説明図である。 図１０のダイプレクサの周波数特性を示す説明図である。 本発明の実施の形態６によるマルチプレクサの構成例を示す説明図である。 図１２のマルチプレクサの周波数特性を示す説明図である。

符号の説明

１ 高周波電力増幅モジュール
２，３ 出力パワーアンプ
４，５ 整合回路
６，７ アンテナスイッチ回路
８ ダイプレクサ
８ａ〜８ｄ ダイプレクサ
９，１０ インダクタ
１１〜１３ 静電容量素子
１４ ローパスフィルタ
１４ａ インダクタ
１４ｂ 静電容量素子
１４ｃ インダクタ
１４ｄ 静電容量素子
１５ ローパスフィルタ
１５ａ インダクタ
１５ｂ 静電容量素子
１５ｃ 静電容量素子
１５ｄ インダクタ
１５ｅ インダクタ
１５ｆ 静電容量素子
１６ マルチプレクサ
１７，１８ バンドパスフィルタ
ＡＮＴ アンテナ端子
ＨＢ ハイバンド端子
ＬＢ ローバンド端子
Ｐ モジュール基板
Ｌ１〜Ｌ５ レイアウト領域

Claims (15)

1. タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、第１の送受信信号端子に接続された第１のタンク回路と、
   一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のローパスフィルタと、
   一方の接続部が、前記第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第１のインダクタと、
   一方の接続部が、前記第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、第２の送受信信号端子に接続された第１の静電容量素子と、
   一方の接続部が、前記第１の送受信信号端子に接続された第２のローパスフィルタと、
   一方の接続部が、前記第２のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、第３の送受信信号端子に接続された第２の静電容量素子とを備えたことを特徴とする分波器。
2. 請求項１記載の分波器において、
   前記第１のローパスフィルタは、
   一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のフィルタ用インダクタと、
   一方の接続部が、前記第１のフィルタ用インダクタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第１のフィルタ用静電容量素子とよりなることを特徴とする分波器。
3. 請求項１記載の分波器において、
   前記第１のローパスフィルタは、
   一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のフィルタ用インダクタと、
   一方の接続部が、前記第１のフィルタ用インダクタの他方の接続部に接続された第１のフィルタ用静電容量素子と、
   一方の接続部が、前記第１のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第２のフィルタ用インダクタとよりなることを特徴とする分波器。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の分波器において、
   前記第２のローパスフィルタは、
   タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、第１の送受信信号端子に接続された第２のタンク回路と、
   一方の接続部が、前記第２のタンク回路の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記第１の静電容量素子の一方の接続部に接続された第３のフィルタ用インダクタと、
   一方の接続部が、前記第２のタンク回路の他方の接続部に接続された第２のフィルタ用静電容量素子と、
   一方の接続部が、前記第２のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第４のフィルタ用インダクタとよりなることを特徴とする分波器。
5. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の分波器において、
   前記第２のローパスフィルタは、
   タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、第１の送受信信号端子に接続された第２のタンク回路と、
   一方の接続部が、前記第２の静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記第３の送受信信号端子に接続された第３のフィルタ用インダクタと、
   一方の接続部が、前記第２のタンク回路の他方の接続部に接続された第２のフィルタ用静電容量素子と、
   一方の接続部が、前記第２のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第４のフィルタ用インダクタとよりなることを特徴とする分波器。
6. ３以上の周波数帯を分離する分波器であって、
   タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続された第１のタンク回路と、
   一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のローパスフィルタと、
   一方の接続部が、前記第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第１のインダクタと、
   一方の接続部が、前記第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、第２の送受信信号端子に接続された第１の静電容量素子と、
   一方の接続部が、前記第１の送受信信号端子に接続された第２のローパスフィルタと、
   一方の接続部が、前記第２のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、第３の送受信信号端子に接続された第２の静電容量素子と、
   一方の接続部が第１の送受信信号端子に接続され、他方の接続部が、第４の送受信信号端子に接続され、前記第２のローパスフィルタよりも高い周波数帯の信号を通過させる少なくとも１つのバンドパスフィルタとを備えたことを特徴とする分波器。
7. 周波数の異なる信号経路の切り替えを行うアンテナスイッチ回路と、
   タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、アンテナが接続されるアンテナ端子となる第１の送受信信号端子に接続された第１のタンク回路と、
   一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のローパスフィルタと、
   一方の接続部が、前記第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第１のインダクタと、
   一方の接続部が、前記第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記アンテナスイッチ回路に接続される第２の送受信信号端子に接続された第１の静電容量素子と、
   一方の接続部が、前記第１の送受信信号端子に接続された第２のローパスフィルタと、
   一方の接続部が、前記第２のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記アンテナスイッチ回路に接続される第３の送受信信号端子に接続された第２の静電容量素子とよりなる分波器を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
8. 請求項７記載の半導体集積回路装置において、
   前記第１のローパスフィルタは、
   一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のフィルタ用インダクタと、
   一方の接続部が、前記第１のフィルタ用インダクタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第１のフィルタ用静電容量素子とよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
9. 請求項７記載の半導体集積回路装置において、
   前記第１のローパスフィルタは、
   一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のフィルタ用インダクタと、
   一方の接続部が、前記第１のフィルタ用インダクタの他方の接続部に接続された第１のフィルタ用静電容量素子と、
   一方の接続部が、前記第１のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第２のフィルタ用インダクタとよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
10. 請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
    前記第２のローパスフィルタは、
    タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、第１の送受信信号端子に接続された第２のタンク回路と、
    一方の接続部が、前記第２のタンク回路の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記第１の静電容量素子の一方の接続部に接続された第３のフィルタ用インダクタと、
    一方の接続部が、前記第２のタンク回路の他方の接続部に接続された第２のフィルタ用静電容量素子と、
    一方の接続部が、前記第２のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第４のフィルタ用インダクタとよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
11. 請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
    前記第２のローパスフィルタは、
    タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、第１の送受信信号端子に接続された第２のタンク回路と、
    一方の接続部が、前記第２の静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記第３の送受信信号端子に接続された第３のフィルタ用インダクタと、
    一方の接続部が、前記第２のタンク回路の他方の接続部に接続された第２のフィルタ用静電容量素子と、
    一方の接続部が、前記第２のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第４のフィルタ用インダクタとよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
12. 請求項７〜１１のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
    前記第１〜前記第３のフィルタ用インダクタのうち、少なくとも１つをスパイラルインダクタにより形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
13. 通信システムにおける送信信号に必要な電力増幅を行う高周波電力増幅モジュールを備えた通信用携帯端末であって、
    前記高周波電力増幅モジュールは、
    周波数の異なる信号経路の切り替えを行うアンテナスイッチ回路と、
    タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、アンテナが接続されるアンテナ端子となる第１の送受信信号端子に接続された第１のタンク回路と、
    一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のローパスフィルタと、
    一方の接続部が、前記第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第１のインダクタと、
    一方の接続部が、前記第１のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記アンテナスイッチ回路に接続される第２の送受信信号端子に接続された第１の静電容量素子と、
    一方の接続部が、前記第１の送受信信号端子に接続された第２のローパスフィルタと、
    一方の接続部が、前記第２のローパスフィルタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記アンテナスイッチ回路に接続される第３の送受信信号端子に接続された第２の静電容量素子とよりなる分波器を備えたことを特徴とする通信用携帯端末。
14. 請求項１３記載の通信用携帯端末において、
    前記第１のローパスフィルタは、
    一方の接続部が、前記第１のタンク回路の他方の接続部に接続された第１のフィルタ用インダクタと、
    一方の接続部が、前記第１のフィルタ用インダクタの他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第１のフィルタ用静電容量素子とよりなることを特徴とする通信用携帯端末。
15. 請求項１３または１４記載の通信用携帯端末において、
    前記第２のローパスフィルタは、
    タンク用インダクタとタンク用静電容量素子とが並列接続された構成からなり、一方の接続部が、第１の送受信信号端子に接続された第２のタンク回路と、
    一方の接続部が、前記第２のタンク回路の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、前記第１の静電容量素子の一方の接続部に接続された第３のフィルタ用インダクタと、
    一方の接続部が、前記第２のタンク回路の他方の接続部に接続された第２のフィルタ用静電容量素子と、
    一方の接続部が、前記第２のフィルタ用静電容量素子の他方の接続部に接続され、他方の接続部が、基準電位に接続された第４のフィルタ用インダクタとよりなることを特徴とする通信用携帯端末。

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