JP2010087586A - 弾性波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】弾性波デバイスの通過帯域の高域側、及び、低域側の減衰量を共に大きく確保する。
【解決手段】
本発明の弾性波デバイス３０は、第１端子１１と第２端子Ｔｘとの間に接続される第１フィルタ回路１２と、第１端子１１と第２端子Ｔｘとの間に第１フィルタ回路１２と並列に接続される第１インダクタＬ１と、第１端子１１と第２端子Ｔｘとの間に第１インダクタＬ１と直列に接続される第２インダクタＬ２と、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２との間のノードＮとグランドＧＮＤとの間に接続される第３インダクタＬ３と、を有することを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、弾性波デバイスに関する。

近年、携帯電話機等の移動通信端末の小型化、軽量化の要求に伴い、移動通信端末に搭載される部品の小型化、軽量化が要求されている。さらに、複数の機能を備えた部品も要求されている。このような状況において、通過帯域外の減衰量が大きいフィルタや複数のフィルタ回路を有したデュプレクサが開発されている。
特許文献１には、共通化した入出力端子とグランドとの間にインダクタンス素子を設けた弾性表面波フィルタが記載されている。これにより、通過帯域の高域側ごく近傍の急峻性を高めることができる。
特開２００２−７６８３８号公報

しかしながら、特許文献１の弾性表面波フィルタでは、通過帯域の低域側の減衰量に対する考慮がなされていない。そのため、特許文献１の弾性表面波フィルタが使用されるシステムによっては、通過帯域の低域側の減衰量が問題となる。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、弾性波デバイスの通過帯域の高域側、及び、低域側の減衰量を共に大きく確保することを目的とする。

本発明は、第１端子と第２端子との間に接続される第１フィルタ回路と、前記第１端子と前記第２端子との間に前記第１フィルタ回路と並列に接続される第１インダクタと、前記第１端子と前記第２端子との間に前記第１インダクタと直列に接続される第２インダクタと、前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間のノードとグランドとの間に接続される第３インダクタと、を有することを特徴とする弾性波デバイスである。

本発明によれば、第１、第２、及び、第３インダクタのインダクタンス値を調整することにより、通過帯域の高域側、及び、低域側の減衰量を共に大きく確保することができる。

上記構成において、前記第３インダクタのインダクタンス値は、前記第１インダクタ及び第２インダクタのインダクタンス値より小さい構成とすることができる。

上記構成において、前記第１端子と第３端子との間に接続される第２フィルタ回路を有する構成とすることができる。これにより、通過帯域の高域側、及び、低域側の減衰量を共に大きく確保することができることに加え、第１フィルタ回路の出力端子と第２フィルタ回路の出力端子とのアイソレーション特性を高めることができる。

上記構成において、前記第１端子と前記第２端子との間に前記第１フィルタ回路と並列に接続される第２フィルタ回路を有する構成とすることができる。これにより、弾性波デバイスは、通過帯域の高域側及び低域側の減衰量を共に大きく確保することができることに加え、２つのフィルタ回路を切り換えて使用することができる。

上記構成において、前記第１端子と前記第１フィルタ回路との接続、及び、前記第１端子と前記第２フィルタ回路との接続のいずれか一方を選択する第１スイッチと、前記第２端子と前記第１フィルタ回路との接続、及び、前記第２端子と前記第２フィルタ回路との接続のいずれか一方を選択する第２スイッチと、を有する構成とすることができる。これにより、弾性波デバイスは、通過帯域の高域側及び低域側の減衰量を共に大きく確保することができることに加え、２つのフィルタ回路を切り換えて使用することができる。

上記構成において、前記第３インダクタは、前記基板に金属パターンで形成される構成とすることができる。これにより、通過帯域の高域側及び低域側の減衰量を共に大きく確保することができる弾性波デバイスを、低コストで実現することができる。

本発明によれば、弾性波デバイスの通過帯域の高域側、及び、低域側の減衰量を共に大きく確保することができる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。

以下では、携帯電話機等の移動通信端末のアンテナ分波器に用いられる弾性波デバイスを一例として説明する。携帯電話機のアンテナでは、例えば、携帯電話回線の送受信信号の周波数帯域と、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号の周波数帯域とが共用される。アンテナ分波器は、アンテナの後段に設けられ、弾性波デバイスを有する。弾性波デバイスは、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路を有する。アンテナ分波器は、フィルタ回路により、アンテナで送受信する信号を、携帯電話回線の受信信号、携帯電話回線の送信信号、及び、ＧＰＳ信号に分離する。以下の説明では、受信信号、送信信号、及び、ＧＰＳ信号の中心周波数の大小関係は、受信信号＞送信信号＞ＧＰＳ信号とする。

本発明の実施例との比較のため、図１及び２を参照に、比較例１の弾性波デバイスを説明する。

図１は、比較例１の弾性波デバイス１０の構成を示す図である。図１を参照に、弾性波デバイス１０は、アンテナ端子１１と送信信号端子Ｔｘとの間に接続されるフィルタ回路１２と、フィルタ回路１２とグランドＧＮＤとの間に接続されるインダクタＬと、を有する。アンテナ端子１１はアンテナＡｎｔと接続される。フィルタ回路１２は、送信信号帯域に対応する帯域通過型の特性を有し、送信信号端子Ｔｘを介して入力された信号から送信信号と、それ以外の信号と、を分離する。送信信号端子Ｔｘはフィルタ回路１２に送信信号を入力する。インダクタＬのインダクタンス値を調整することにより、フィルタ回路１２の通過帯域外の減衰量を調整することができる。

図２は、図１に示す弾性波デバイス１０の周波数特性の測定調査結果を示すグラフである。図２の横軸が周波数、縦軸が送信信号の減衰量を示す。測定調査において、フィルタ回路１２は、ＦＢＡＲ型フィルタであり、中心周波数は１９５０ＭＨｚである。インダクタＬのインダクタンス値Ｌは０．０８ｎＨである。図２の実線２０（図中ではＬなしと示す。）は図１においてインダクタＬを接続しない場合の測定調査結果を示す。破線２２（図中ではＬありと示す。）は、図１のようにインダクタＬを接続する場合の測定調査結果を示す。

比較例１では、受信信号帯域は２１１０．０ＭＨｚから２１７０．０ＭＨｚまでである。図２を参照に、周波数が２１１０．０ＭＨｚ（図２の値２６）の場合、実線２０では、減衰量が−４５．６３０ｄＢである。一方、破線２２では、減衰量が−４８．３２７ｄＢである。また、周波数が２１７０．０ＭＨｚ（図２の値２８）の場合、実線２０では、減衰量が−４３．７２１ｄＢである。一方、破線２２では、減衰量が−４９．１９２ｄＢである。以上より、インダクタＬにより、送信信号帯域の高域側である受信信号帯域の減衰量が改善している。よって、弾性波デバイス１０は、送信信号と受信信号との分離に適している。

比較例１では、ＧＰＳ信号帯域の中心周波数は１５７５．５ＭＨｚである。図２を参照に、周波数が１５７５．５ＭＨｚ（図２の値２４）の場合、実線２０では、減衰量が−３８．５７７ｄＢである。一方、破線２２では、減衰量が−３４．１１９ｄＢである。以上より、送信信号帯域の低域側であるＧＰＳ信号帯域の減衰量は改善していない。よって、弾性波デバイス１０は、送信信号とＧＰＳ信号との分離に不適である。

このように、比較例１の弾性波デバイスでは、インダクタＬのインダクタンス値Ｌを調整することにより、通過帯域の高域側、および、低域側のいずれか一方の減衰量しか改善できないという課題がある。

以下、比較例１の課題を解決する本発明の実施の形態について、図を参照に詳細に説明する。比較例１と同じ構成要素については説明を省略する。

図３は、実施例１の弾性波デバイス３０の構成を示す図である。

図３を参照に、弾性波デバイス３０は、フィルタ回路１２と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、第３インダクタＬ３と、を有する。フィルタ回路１２は、アンテナ端子１１と送信信号端子Ｔｘとの間に接続される。第１インダクタＬ１は、アンテナ端子１１と送信信号端子Ｔｘとの間にフィルタ回路１２と並列に接続される。第２インダクタＬ２は、アンテナ端子１１と送信信号端子Ｔｘとの間に第１インダクタＬ１と直列に接続される。第３インダクタＬ３は、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２との間のノードＮと、グランドＧＮＤとの間に接続される。第１及び第３インダクタＬ１、Ｌ３はアンテナ端子１１側のインピーダンスマッチング用である。第２及び第３インダクタＬ２、Ｌ３は送信信号端子Ｔｘ側のインピーダンスマッチング用である。以下、第１及び第３インダクタＬ１、Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１、Ｌ３の和をＬａｎｔ、第２及び第３インダクタＬ２、Ｌ３のインダクタンス値Ｌ２、Ｌ３の和をＬｔｘと記す。フィルタ回路１２は、ラダータイプのＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型フィルタである。

図４及び図５は、図３に示す弾性波デバイス３０の周波数特性のシミュレーション結果を示すグラフである。実施例１のシミュレーションでは、フィルタ回路１２の中心周波数を１９５０ＭＨｚとしている。第１、第２、及び、第３インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１〜Ｌ３は、Ｌａｎｔが６．００ｎＨ、Ｌｔｘが８．２０ｎＨとなるように定めている。

図４（ａ）の実線４０、破線４２及び４４は、表１に示す第１、第２、及び、第３インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１〜Ｌ３の組み合わせにより周波数特性のシミュレーションを行った結果である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の破線の楕円部分４６周辺の拡大図である。図４（ａ）及び（ｂ）の横軸が周波数、縦軸が送信信号の減衰量を示す。実線４０、破線４２及び４４は、それぞれ、表１の第３インダクタＬ３のインダクタンス値が０．００ｎＨ、０．０５ｎＨ、０．１０ｎＨの場合に対応する（図中に符号とインダクタンス値Ｌ３を併記する。）。表１に示すように、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３は、第１及び第２インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２より小さくなるように定めている。実線４０は、第３インダクタＬ３を接続しない場合に対応する。

図４（ａ）及び（ｂ）を参照に、破線４２及び４４は、実線４０と比較して、受信信号帯域２１１０ＭＨｚから２１７０ＭＨｚまで（図４（ｂ）の矢印で示す区間４９）における減衰量が大きくなっている。また、ＧＰＳ信号帯域１５７４ＭＨｚから１５７７ＭＨｚまで（図４（ａ）の破線の楕円部分４８）における減衰量が大きくなっている。よって、弾性波デバイス３０は、送信信号と受信信号の分離、及び、送信信号とＧＰＳ信号の分離の両方に適する。

図５の実線４１及び４３は、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３の変化に対する送信信号の減衰量のシミュレーションを行った結果である。図５の横軸が第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３、縦軸が送信信号の減衰量を示す。三角記号を結ぶ実線４１は受信信号帯域の周波数１９５０ＭＨｚにおける減衰量の変化、四角記号を結ぶ実線４３はＧＰＳ信号帯域の周波数１５７７ＭＨｚにおける減衰量の変化を示す。なお、図５では、減衰量の正負を逆に示している。実線４１及び４３における第１及び第２インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２は、図４の場合と同様に、Ｌａｎｔが６．００ｎＨ、Ｌｔｘが８．２０ｎＨとなるように定めた値である。

図５の実線４１を参照に、受信信号帯域の周波数１９５０ＭＨｚにおける減衰量は、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３が０．００ｎＨの場合に比べて、０．０９ｎＨの場合の方が大きいが、０．１８ｎＨの場合は、０．００ｎＨの場合よりも小さい。図５の実線４３を参照に、ＧＰＳ信号帯域の周波数１５７７ＭＨｚにおける減衰量は、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３が０．００ｎＨの場合に比べて、０．０９ｎＨの場合の方が大きく、さらに、０．１８ｎＨの場合の方がより大きくなる。以上より、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３を０．０９ｎＨから０．１８ｎＨの間で調整して最適な値とすることにより、受信信号帯域及びＧＰＳ信号帯域の減衰量を共に大きくすることができる。

実施例１によれば、弾性波デバイスは、第１、第２、及び、第３インダクタを有する。第１、第２、及び、第３インダクタのインダクタンス値を調整することにより、通過帯域である送信信号帯域の高域側である受信信号帯域、及び、低域側であるＧＰＳ信号帯域の減衰量を共に大きく確保することができる。

実施例２の弾性波デバイスの構成は、図３において、フィルタ回路１２をＤＭＳ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｍｏｄｅ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタとし、その他は同様とする構成である。以下、図３と同じ符号を用いて説明する。各部の説明は省略する。

図６及び図７は、実施例２の弾性波デバイス３０の周波数特性のシミュレーション結果を示すグラフである。実施例２のシミュレーションでは、フィルタ回路１２の中心周波数を１８８０ＭＨｚとしている。また、第１、第２、及び、第３インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１〜Ｌ３は、Ｌａｎｔが１０．０ｎＨ、Ｌｔｘが５０．０ｎＨとなるように定めた値である。

図６（ａ）の実線５０、破線５２及び５４は、表２に示す第１、第２、及び、第３インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１〜Ｌ３の組み合わせにより周波数特性のシミュレーションを行った結果である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の破線の楕円部分５６周辺の拡大図である。図６（ａ）及び（ｂ）の横軸が周波数、縦軸が送信信号の減衰量を示す。実線５０、破線５２及び５４は、それぞれ、表２の第３インダクタＬ３のインダクタンス値が０．００ｎＨ、０．３０ｎＨ、０．６０ｎＨの場合に対応する（図中に符号とインダクタンス値Ｌ３を併記する。）。表２に示すように、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３は、第１及び第２インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２より小さくなるように定めている。実線５０は、第３インダクタＬ３を接続しない場合に対応する。

図６（ａ）及び（ｂ）を参照に、破線５２及び５４は、実線５０と比較して、受信信号帯域１９３０ＭＨｚから１９９０ＭＨｚまで（図６（ｂ）の矢印で示す区間５９）における減衰量が大きくなっている。また、ＧＰＳ信号帯域１５７４ＭＨｚから１５７７ＭＨｚまで（図６（ａ）の破線の楕円部分５８）における減衰量が大きくなっている。よって、弾性波デバイス３０は、送信信号と受信信号の分離、及び、送信信号とＧＰＳ信号の分離の両方に適する。

図７の実線５１及び５３は、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３の変化に対する送信信号の減衰量のシミュレーションを行った結果である。図７の横軸が第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３、縦軸が送信信号の減衰量を示す。三角記号を結ぶ実線５１は受信信号帯域の周波数１９６０ＭＨｚにおける減衰量の変化、四角記号を結ぶ実線５３はＧＰＳ信号帯域の周波数１５７７ＭＨｚにおける減衰量の変化を示す。なお、図７では、減衰量の正負を逆に示している。実線５１及び５３における第１及び第２インダクタのインダクタンス値は、図６の場合と同様に、Ｌａｎｔが１０．０ｎＨ、Ｌｔｘが５０．０ｎＨとなるように定めた値である。

図７の実線５１を参照に、受信信号帯域の周波数１９６０ＭＨｚにおける減衰量は、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３が０．００ｎＨの場合に比べて、０．３０ｎＨの場合の方が大きいが、０．６０ｎＨの場合は、０．００ｎＨの場合よりも小さい。図７の実線５３を参照に、ＧＰＳ信号帯域の周波数１５７７ＭＨｚにおける減衰量は、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３が０．００ｎＨの場合に比べて、０．３０ｎＨの場合の方が大きく、さらに、０．６０ｎＨの場合の方がより大きくなる。以上より、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３を０．３０ｎＨから０．６０ｎＨの間で調整して最適な値とすることにより、受信信号帯域及びＧＰＳ信号帯域の減衰量を共に大きくすることができる。

実施例２によれば、弾性波デバイスは、第１、第２、及び、第３インダクタを有する。第１、第２、及び、第３インダクタのインダクタンス値を調整することにより、通過帯域である送信信号帯域の高域側である受信信号帯域、及び、低域側であるＧＰＳ信号帯域の減衰量を共に大きく確保することができる。

実施例３の弾性波デバイスの構成は、フィルタ回路１２を実施例２と同じＤＭＳフィルタとし、その他は同様とする構成である。以下、図３と同じ符号を用いて説明する。各部の説明は省略する。

図８は、実施例３の弾性波デバイス３０の周波数特性のシミュレーション結果を示すグラフである。実施例３のシミュレーションでは、フィルタ回路１２の中心周波数を１７３３ＭＨｚとしている。第１、第２、及び、第３インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１〜Ｌ３は、Ｌａｎｔが６．００ｎＨ、Ｌｔｘが１５．２ｎＨとなるように定めた値である。

図８の実線６０及び破線６２は、表３に示す第１、第２、及び、第３インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１〜Ｌ３の組み合わせにより周波数特性のシミュレーションを行った結果である。図８の横軸が周波数、縦軸が送信信号の減衰量を示す。実線６０、破線６２は、それぞれ、表１の第３インダクタＬ３のインダクタンス値が０．００ｎＨ、０．５０ｎＨの場合に対応する（図中に符号とインダクタンス値Ｌ３を併記する。）。表３に示すように、第３インダクタＬ３のインダクタンス値は、第１及び第２インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス値より小さくなるように定めている。実線６０は、第３インダクタＬ３を接続しない場合に対応する。

図８を参照に、破線６２は、実線６０と比較して、受信信号帯域２１１０ＭＨｚから２１７０ＭＨｚまで（図８の破線部分６４）における減衰量が大きくなっている。また、ＧＰＳ信号帯域１５７４ＭＨｚから１５７７ＭＨｚまで（図８の破線部分６６）における減衰量が大きくなっている。よって、弾性波デバイス３０は、送信信号と受信信号の分離、及び、送信信号とＧＰＳ信号の分離の両方に適する。

実施例３によれば、弾性波デバイスは、第１、第２、及び、第３インダクタを有する。第１、第２、及び、第３インダクタのインダクタンス値を調整することにより、通過帯域である送信信号帯域の高域側である受信信号帯域、及び、低域側であるＧＰＳ信号帯域の減衰量を共に大きく確保することができる。

図９は、実施例４の弾性波デバイス７０の構成を示す図である。弾性波デバイス７０はデュプレクサである。

図９を参照に、弾性波デバイス７０は、第１フィルタ回路７２と、第２フィルタ回路７４と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、第３インダクタＬ３と、を有する。実施例１から３の弾性波デバイス３０との違いは、弾性波デバイス７０が、アンテナ端子１１と受信信号端子Ｒｘとの間に接続される第２フィルタ回路７４と、を有する点である。第１フィルタ回路７２は、弾性波デバイス３０のフィルタ回路１２と同様に、送信信号帯域に対応する帯域通過型の特性を有し、送信信号端子Ｔｘを介して入力された信号から送信信号と、それ以外の信号と、を分離する。第２フィルタ回路７４は、受信信号帯域に対応する帯域通過型の特性を有し、アンテナ端子１１を介して入力された信号から受信信号と、それ以外の信号と、を分離する。受信信号端子Ｒｘは第２フィルタ回路７４で分離された受信信号を出力する。第１フィルタ回路７２及び第２フィルタ回路７４は、実施例１と同様のラダータイプのＦＢＡＲ型フィルタである。その他の構成については、実施例１から３の弾性波デバイス３０と同様のため、説明を省略する。

図１０及び１１は、実施例４の弾性波デバイス７０の周波数特性の測定調査結果を示すグラフである。実施例４の測定調査では、第１フィルタ回路７２の中心周波数を１９５０ＭＨｚとしている。第２フィルタ回路７４の中心周波数を２１４０ＭＨｚとしている。第１、第２、及び、第３インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１〜Ｌ３は、Ｌａｎｔが６．００ｎＨ、Ｌｔｘが８．２０ｎＨとなるように定めている。

図１０の実線８０及び破線８２は、表４に示す第１、第２、及び、第３インダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値Ｌ１〜Ｌ３の組み合わせにより送信信号の減衰量の測定調査を行った結果である。図１０の横軸が周波数、縦軸が減衰量を示す。実線８０、破線８２は、それぞれ、表１の第３インダクタＬ３のインダクタンス値が０．００ｎＨ、０．０３ｎＨの場合に対応する（図中に符号とインダクタンス値Ｌ３を併記する。）。表４に示すように、第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３は、第１及び第２インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２より小さくなるように定めている。実線８０は、第３インダクタＬ３を接続しない場合に対応する。

図１０を参照に、破線８２は、実線８０と比較して、受信信号帯域２１１０ＭＨｚから２１７０ＭＨｚまで（図１０の破線部分８４）における減衰量が大きくなっている。また、ＧＰＳ信号帯域１５７４ＭＨｚから１５７７ＭＨｚまで（図１０の破線部分８６）における減衰量が大きくなっている。

図１１の実線９０及び破線９２は、表４に示す第１、第２、及び、第３インダクタのインダクタンス値の組み合わせにより送信信号端子Ｔｘと受信信号端子Ｒｘのアイソレーション特性の測定調査を行った結果である。図１１の横軸が周波数、縦軸がアイソレーション特性を示す。実線９０、破線９２は、それぞれ、表１の第３インダクタＬ３のインダクタンス値が０．００ｎＨ、０．０３ｎＨの場合に対応する（図中に符号とインダクタンス値Ｌ３を併記する。）。

図１１を参照に、破線９２は、実線９０と比較して、受信信号帯域２１１０ＭＨｚから２１７０ＭＨｚまで（図１１の破線部分９４）におけるアイソレーション特性が優れており、送信信号端子Ｔｘから受信信号端子Ｒｘへの信号の漏れが少ない。

実施例４によれば、弾性波デバイスは、第１フィルタ回路、第１、第２、及び、第３インダクタに加え、第２フィルタ回路を有する。これにより、通過帯域である送信信号帯域の高域側である受信信号帯域、及び、低域側であるＧＰＳ信号帯域の減衰量を共に大きく確保することができる。また、送信信号端子と受信信号端子とのアイソレーション特性を高めることができる。

実施例５は、実施例１の弾性波デバイス３０の変形例である。図１２は、弾性波デバイス１３０の構成を示す図である。図９を参照に、弾性波デバイス１３０は、第１フィルタ回路１３２と、第２フィルタ回路１３４と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、第３インダクタＬ３と、第１スイッチＳＷ１と、第２スイッチＳＷ２と、を有する。実施例１の弾性波デバイス３０との違いは、弾性波デバイス１３０が、第２フィルタ回路１３４と、第１スイッチＳＷ１と、第２スイッチＳＷ２と、を有する点である。第２フィルタ回路１３４は、アンテナ端子１１と送信信号端子Ｔｘとの間に、第１フィルタ回路１３２と並列に接続される。第１フィルタ回路１３２と第２フィルタ回路１３４とは、互いに異なる周波数特性を有する。第１スイッチＳＷ１は、アンテナ端子１１と第１フィルタ回路１３２との接続と、アンテナ端子１１と第２フィルタ回路１３４との接続と、のいずれか一方を選択する。第２スイッチＳＷ２は、アンテナ端子１１と第１フィルタ回路１３２との接続と、アンテナ端子１１と第２フィルタ回路１３４との接続と、のいずれか一方を選択する。

弾性波デバイス１３０では、第１スイッチＳＷ１がアンテナ端子１１と第１フィルタ回路１３２との接続を選択する場合、第２スイッチＳＷ２はアンテナ端子１１と第１フィルタ回路１３２との接続を選択する。第１スイッチＳＷ１がアンテナ端子１１と第２フィルタ回路１３４との接続を選択する場合、第２スイッチＳＷ２はアンテナ端子１１と第２フィルタ回路１３４との接続を選択する。以上により、弾性波デバイス１３０は、異なる周波数特性を有する２つのフィルタ回路を切り換えて使用することができる。

実施例５によれば、弾性波デバイスは、異なる周波数特性を有する２つのフィルタ回路との接続を選択する第１スイッチ及び第２スイッチを有する。これにより、弾性波デバイスは、通過帯域の高域側及び低域側の減衰量を共に大きく確保することができることに加え、異なる周波数特性のフィルタ回路を切り換えて使用することができる。

図１３は、実施例１の弾性波デバイス３０が実装されるプリント基板１０９の表面に形成される金属パターンの一例を示す図である。図１３を参照に、実線でハッチングされた部分が金属パターンを示す。実線部１２２にはビアが設けられ、ビアを経由して裏面のグランド層と接続される。第１インダクタＬ１、及び、第２インダクタＬ２に対応するチップインダクタが破線部１１２及び１１４に接続される。アンテナ端子１１が実線部１１９に接続される。フィルタ回路１２は、一方のアンテナ端子１１側の端子が実線部１２０に接続され、他方の送信信号端子Ｔｘ側の端子が実線部１１８に接続される。第３インダクタＬ３は金属パターンで形成され、実線部１１６に対応する。第３インダクタＬ３のインダクタンス値Ｌ３は、実施例１と同様に、第１及び第２インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２より小さくなるように定めている。

実施例６によれば、第３インダクタはプリント基板に金属パターンで形成される。これにより、通過帯域の高域側及び低域側の減衰量を共に大きく確保することができる弾性波デバイスを、低コストで実現することができる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図１は、比較例１に係る弾性波デバイスの構成を示す図である。 図２は、比較例１に係る弾性波デバイスの周波数特性の測定調査結果を示すグラフである。 図３は、実施例１に係る弾性波デバイスの構成を示す図である。 図４は、実施例１に係る弾性波デバイスの周波数特性のシミュレーション結果を示すグラフである。 図５は、実施例１に係る弾性波デバイスの周波数特性のシミュレーション結果を示すグラフである。 図６は、実施例２に係る弾性波デバイスの周波数特性のシミュレーション結果を示すグラフである。 図７は、実施例２に係る弾性波デバイスの周波数特性のシミュレーション結果を示すグラフである。 図８は、実施例３に係る弾性波デバイスの周波数特性のシミュレーション結果を示すグラフである。 図９は、実施例４に係る弾性波デバイスの構成を示す図である。 図１０は、実施例４に係る弾性波デバイスの周波数特性の測定調査結果を示すグラフである。 図１１は、実施例４に係る弾性波デバイスのアイソレーション特性の測定調査結果を示すグラフである。 図１２は、実施例５に係る弾性波デバイスの構成を示す図である。 図１３は、実施例６に係るプリント基板に形成される金属パターンを示す図である。

符号の説明

１０ 弾性波デバイス
１１ アンテナ端子
１２ フィルタ回路
３０ 弾性波デバイス
７０ 弾性波デバイス
７２ 第１フィルタ回路
７４ 第２フィルタ回路
１３０ 弾性波デバイス
１３２ 第１フィルタ回路
１３４ 第２フィルタ回路
Ａｎｔ アンテナ
ＧＮＤ グランド
Ｌ インダクタ
Ｌ１ 第１インダクタ
Ｌ２ 第２インダクタ
Ｌ３ 第３インダクタ
Ｎ ノード
Ｒｘ 受信信号端子
ＳＷ１ 第１スイッチ
ＳＷ２ 第２スイッチ
Ｔｘ 送信信号端子

Claims (6)

1. 第１端子と第２端子との間に接続される第１フィルタ回路と、
   前記第１端子と前記第２端子との間に前記第１フィルタ回路と並列に接続される第１インダクタと、
   前記第１端子と前記第２端子との間に前記第１インダクタと直列に接続される第２インダクタと、
   前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間のノードとグランドとの間に接続される第３インダクタと、
   を有することを特徴とする弾性波デバイス。
2. 前記第３インダクタのインダクタンス値は、前記第１インダクタ及び第２インダクタのインダクタンス値より小さいことを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
3. 前記第１端子と第３端子との間に接続される第２フィルタ回路を有することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
4. 前記第１端子と前記第２端子との間に前記第１フィルタ回路と並列に接続される第２フィルタ回路を有することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
5. 前記第１端子と前記第１フィルタ回路との接続、及び、前記第１端子と前記第２フィルタ回路との接続のいずれか一方を選択する第１スイッチと、
   前記第２端子と前記第１フィルタ回路との接続、及び、前記第２端子と前記第２フィルタ回路との接続のいずれか一方を選択する第２スイッチと、
   を有することを特徴とする請求項４記載の弾性波デバイス。
6. 前記第３インダクタは、基板に金属パターンで形成されることを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイス。

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