JP2001077655A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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Abstract
とウエハとの高精度な位置合せを可能にし、しかもダイ
シング線の切り残しをなくすことができ、これにより、
高周波領域における減衰量の劣化のない、高歩留まりの
優れた弾性表面波装置及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 圧電基板21上に、励振電極14と、該
励振電極14に接続される接地用導体パターン3とが配
設されているとともに、接地用導体パターン3の一部が
圧電基板21の側端部に導出されているものとし、圧電
基板21の側端部に導出されている接地用導体パターン
3の一部が周期性を有する形状を成している弾性表面波
装置Sとする。
Description
体通信機器に用いられる弾性表面波フィルタ等の弾性表
面波装置及びその製造方法に関する。
タ,遅延線,発信機等の構成素子として多くの弾性表面
波装置が用いられている。特に小型・軽量でかつフィル
タとしての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタは、
移動体通信分野において、携帯端末装置のRF段及びI
F段のフィルタとして多用されるようになってきてお
り、低損失かつ通過帯域外の遮断特性が優れた、高い減
衰特性と、広い帯域幅を有する弾性表面波フィルタが要
求されている。このような需要の増加に伴い、高性能か
つ、高い歩留りで製造できる方法が要求されている。
示す主な工程を順次行うことにより製造されている。す
なわち、微細電極を圧電基板上に形成するウエハープロ
セスと、ウエハー状態で特性選別するウエハープロービ
ングと、これをチップ状に切断(ダイシング)し、セラ
ミックパッケージにマウント,ワイヤーボンディングす
る実装工程と、完成品の特性検査からなっている。
焦電効果もしくは静電気帯電による微細な電極の静電破
壊を防止するために、図11に示すように、ウエハJ上
において励振電極56に接続された接地用導体パターン
53からダイシング線51までを細線52で接続するこ
とが考えられる。なお、この細線52の幅Aは、電極膜
厚Bで規格化した場合、A/Bは25以下程度とし、こ
れにより抵抗を極端に大きくさせないことでウエハ状態
の特性と分離後パッケージ実装後の特性との相関をとれ
るようにする。
グ工程でダイシング線51の切り残し55があると、個
々に分離された圧電基板57の接地用導体パターン53
とダイシング線51の切り残し55とにより、パッケー
ジ実装後も接地用電極の電位が一定となり、高周波特性
が劣化するという問題があった。
ダイシングブレード(回転刃)との位置合わせは、CC
Dカメラを用いた目視によっており、位置合わせの目印
がないことが原因で、この時の位置合わせ誤差がダイシ
ング線51の切り残し55を生じさせる。
波領域での減衰量不足という特性劣化を引き起こすこと
がある。一般にラダー型弾性表面波フィルタは、図9に
等価回路で示すように、パッケージ上で導通する前にボ
ンディングワイヤーが有するインダクタ8を経由するこ
とになる。なお、図9において、6は容量成分、7は弾
性表面波共振子、9は入力端子、10は出力端子、16
はパッケージのキャスタレーション(外壁面を半円筒状
に接続するスルーホールのようなもの。各層の電極を接
続するためのもの。)である。
プ上で導通していると、図10に示すように等価回路的
に全く異なったものになってしまう。なお、図10にお
いて図9と同一部材については同一符号を付し説明を省
略する。
型回路では、並列共振子に直列に入るボンディングワイ
ヤーのインダクタ8の影響が有効に作用し、IDT電極
の容量成分とボンディングワイヤーのインダクタLとの
間で共振を起こし、高周波領域に共振の極が現れ、減衰
が保証される。一方、図10に示すようにグランド(接
地用導体パターン)が導通していると、この影響が極め
て小さくなり、極の位置が低周波側に低下する。
携帯電話等に使用した場合、ICで発生した高次ノイズ
を抑圧できないために、通話品質の劣化を引き起こす。
このため、得られたチップは、通常、実装工程での不良
品となり、歩留りを下げる原因となっている。
を防ぐ方法の一つとして、ブレードの厚みを厚くし、よ
り太く大きな切りしろをとる方法が知られているが、こ
の場合、切りしろが大きくなった分、チップ内の有効使
用面積が減り、またこのため、1ウエハ内のチップ取れ
個数が減るという問題がある。
パターンどうしを直接接続させ、この箇所でダイシング
を行う方法も提案されているが、グランドが蛇行して接
触している関係から、ウエハープローブの際、接地電極
にインダクタ成分が入り、ウエハープローブ時の特性が
変化することになり、完成品との特性相関が取りにくい
という問題があった(例えば、特開平11−12705
1号公報を参照)。
ると高周波部分の減衰曲線が変化するが、ウエハ状態で
は、通常はインダクタンスが少なく、パッケージ実装後
にボンディングワイヤのインダクタンスが入ることで高
周波の減衰量が変化する。こを予測してウエハ状態での
検査が可能になる。ところが、ウエハ状態で既にインダ
クタンスの影響を大きく受けた周波数特性を有している
と、パッケージ実装後ではさらに変化が大きくなり、パ
ッケージ実装後の特性の予想が困難となるのである。こ
れにより、パッケージ実装後の特性を予めウエハ状態で
予測して、良品・不良品のチェックを行うことが困難と
なるのである。
ダイシングブレードとウエハとの高精度な位置合せを可
能にし、しかもダイシング線の切り残しをなくすことが
でき、これにより、高周波領域における減衰量の劣化の
ない、高歩留まりの優れた弾性表面波装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、励振電
極と、該励振電極に接続される接地用導体パターンとが
配設されているとともに、接地用導体パターンの一部が
前記圧電基板の側端部に導出されているものとし、特に
圧電基板の側端部に導出されている接地用導体パターン
の一部が周期性を有する形状を成していることを特徴と
する。
子の複数と、各弾性表面波共振子に接続される接地用導
体パターンとが配置されているとともに、各接地用導体
パターンが圧電基板の側端部に達するように形成され、
且つ圧電基板の側端部が各接地用導体パターンの外形に
沿って切断されているものとする。
は、圧電ウエハ上に、励振電極及び該励振電極に接続さ
れる接地用導体パターンが配設された弾性表面波素子領
域を複数箇所に形成し、圧電ウエハを個々の弾性表面波
素子領域に分離し、上記弾性表面波装置を複数得るよう
にしたものであり、圧電ウエハ上に、複数の弾性表面波
素子領域と、個々の弾性表面波素子領域を区分するダイ
シング用の線状パターンとを、各弾性表面波素子領域の
接地用導体パターンが線状パターンに接続するように形
成する工程と、線状パターンと接地用導体パターンの接
続部をマーカーとして、圧電ウエハを線状パターンに沿
って切断する工程とを含むことを特徴とする。
基づき詳細に説明する。
弾性表面波フィルタ)Sの蓋体を除いた様子を模式的に
示す平面図を、図2に弾性表面波装置Sを構成する弾性
表面波素子Kの電極パターンを模式的に示す。なお、図
2においては、簡単のため接地用導体パターンはその一
部形状を省略している。
ケージ20内に、弾性表面波素子Kが収容されたもので
あり、弾性表面波素子Kは、圧電基板21上に励振電極
15と、これに接続される接地用導体パターン3等が配
設されて構成されている。
と反射器15から成る弾性表面波共振子17の複数と、
各弾性表面波共振子17に接続される接地用導体パター
ン3とが配置されているとともに、各接地用導体パター
ン3が圧電基板21の側端部に達するように形成され、
圧電基板21の側端部が各接地用導体パターン3の外形
に沿って切断されている。なお、パッケージ20に形成
された、9は入力端子、10は出力端子、11は接地端
子である。また、パッケージ20の上面20aには不図
示の蓋体でもって気密に封止されるものとする。
ターン13はボンディングワイヤ12によって、パッケ
ージ20に形成された電極パッド11に接続されて、パ
ッケージ20内にて接地用導体どうしが導通されること
になる。
パターン3は一つにまとめないで、別々に振り分けてパ
ッケージ20側の接地端子11に接続しているが、これ
は、通過帯域内の特性や帯域内減衰量の極を制御するた
めにこのようにしている。
ついて説明する。
法は、圧電ウエハW上に、励振電極14及びこれに接続
される接地用導体パターン3が配設された弾性表面波素
子領域を複数箇所に形成し、圧電ウエハWを個々の弾性
表面波素子領域に分離し、弾性表面波装置Sを複数得る
ようにしたものである。
ウエハW上に、複数の弾性表面波素子領域(励振電極1
4を含む領域)と、個々の弾性表面波素子領域を区分す
るダイシング用の線状パターン1とを、各弾性表面波素
子領域の接地用導体パターン3の一部が線状パターン1
に接続するように形成する工程を行う。
ン3の接続部2をマーカーとして、圧電ウエハWを線状
パターン1に沿って切断する工程を行う。これにより、
図4に示すように、各弾性表面波素子領域に分割され、
所望の弾性表面波装置Sを得ることが可能になる。
体パターンから延在される領域には例えば階段状の段差
に形成している。この場合、まず1本分のダイシング
(プリカット)を行ない、段差部分をCCDカメラで確
認する。このダイシングによって、通常のダイシング線
は切除されてしまうが、段差部はダイシング後も残るの
で、CCDカメラによって確認することができる。ダイ
シング跡の両側に残る段差形状が同一になるように、再
度位置合せをすることで、ダイシング線の中央を切断す
ることができ、切断を精度良く確実に行なうことができ
る。さらに精度が必要であれば、この段差を小さく,細
かくして、かつCCDカメラおよびディスプレイを高精
彩なものにし、要求されるダイシング精度によって、こ
の部分のデザインを変更するものとする。
3の延在部における、パターンの厚さで規格化した幅狭
部の幅d1(幅/パターンの厚み),幅広部の幅d2,
延在部の長さd3の関係は、以下の通りとする。すなわ
ち、d2/2>d1>250、d2>600、d
3>1300とする。この理由は、の条件以下の幅
ではグランドにインダクタンスが発生し、十分な高周波
減衰量が確保できないからであり、またの条件以下の
幅ではグランドにキャパシタンスが発生し、十分な高周
波減衰量が確保できないからである。
されている接地用導体パターン3の一部(接続部2)は
周期性を有する形状とするが、例えば、上記実施形態で
示した図5(a)のように、接地用導体パターン3の片
側に階段状の段差を設けることにより、階段の段数をカ
ウントすれば、目標からどの程度の距離ずれたかが分か
る。また、図5(b)に示すように、両側に階段状の段
差を設けることにより、上記図5(a)よりも簡単に段
数をカウントできる。また、図5(c)に示すように、
突起部を長くして、判別しやすくすることもできる。ま
た、図5(d)に示すように接地用導体パターン3の両
側に凹凸を設けてもよい。また、図5(e)に示すよう
に、三角形状の凹凸を両側に設けることにより角度ずれ
を検出することが容易となる。また、図5(f)に示す
ように、接地用導体パターン3の一部を三角形状(傾斜
状)にして、その途中に凹凸を設けるようにしてもよ
い。さらに、図5(g)に示すように、突起部を円弧状
にすること可能であり、このように曲線状とすることに
よりダイシング時の水流に耐え、これによるはがれに強
いものとすることができる。このように、接地用導体パ
ターン3の一部を目盛りの代わりとなるような、特徴的
なパターンとする。
が常に分離されることになるので、並列共振子に直列に
入るボンディングワイヤーのインダクタによる極がで
き、高周波領域での減衰量の劣化といった不具合を極力
防止することができる。しかも、接地用導体パターンど
うしがウエハー状態で接続されているため、電極のパタ
ーニング時に発生する静電気による電極破壊が発生しな
い。
ルタを試作した実施例を説明する。
る基板上にAl(98wt.%)−Cu(2wt.%)
合金膜による微細電極パターンを形成した。パターン作
製には、縮小投影露光機(ステッパー)、およびRIE
(Reactive Ion Etching)装置によりフォトリソグラフ
ィを行なった。まず、基板材料をアセトン・IPA等に
よって超音波洗浄し、有機成分を落とした。次にクリー
ンオーブンによって充分に基板乾燥を行なった後、電極
の成膜を行なった。
し、上記Al−Cu合金から成る材料を成膜した。電極
膜厚は約2000Åとした。次に、レジストを約0.5
μm厚みにスピンコートし、縮小投影露光装置(ステッ
パー)により、所望のパターニングを行なった。ステッ
パーにはパターニングの原版となるレチクルが必要であ
るが、これは、ステッパー自身の光学系にて像を1/5
に縮小投影するため、実際のパターンの5倍のサイズで
かまわない。このため、逆に従来のコンタクトアライナ
ーに比べると、5倍の解像度が得られる。
アルカリ現像液で溶解させ、所望パターンを表出した
後、RIE装置により、Al−Cu電極のエッチングを
行ない、パターンニングを終了した。
パッタリング装置にて成膜し、その後、フォトリソグラ
フィによってレジストのパターニングを行ない、RIE
装置等でワイヤーボンディング用窓開け部のエッチング
を行ない、保護膜パターンを完成した。
ングし、チップごとに分割した。この際まず2〜3本だ
け試し切りして、ずれ量が本発明の段差にかからない程
度まで、正確に位置合わせを行なった。このため、ダイ
シング後に接地用電極の切り残しは皆無だった。そし
て、各チップをダイボンド装置にてピックアップし、S
i樹脂を主成分とするダイボンド樹脂でSMDパッケー
ジ内に接着した。この後約160℃の温度をかけ、乾燥
・硬化した。SMDパッケージは3mm角の積層構造で
ある。次に、30μφAuワイヤーをSMDパッケージ
のパッド部とチップ上のAlパッド上にボールボンディ
ングした後、リッドをパッケージにかぶせ、封止機にて
封止して完成した。なお、チップ上の接地用電極パター
ンは各々分離して配線し、Auボールボンディングにて
パッケージ上のグランドパッドにボンディングを施し
た。
性表面波共振子は、IDT電極(励振電極)の対数(本
数の1/2)が40〜120対、交差幅が10〜30λ
(λは弾性表面波の波長)で、弾性表面波の波長λは直
列と並列で違えてあるが、概略2μmとした。ここで、
反射器電極本数は直列共振子、並列共振子とも20本で
ある。電極構成は図6に示す通りとし、図2と同一構成
については同一符号を付し説明を省略する。このよう
に、直列共振子が3個、並列共振子が2個で構成される
2.5段T型とした。
ング線の切り残りのないフィルタを作製した場合のフィ
ルタ特性は良好な結果となった。この測定にはネットワ
ークアナライザを用い伝送特性であるS21の測定を行
った。また、フィルタ特性の測定には専用のテストフィ
クスチャを用いた。
の切り残しを生じさせた電極パターンの場合、ダイシン
グ後に接地用導体パターンの電位が同一となってしま
い、そのフィルタ特性は図8に示す通りとなった。
GHz以上の高周波領域での減衰量が大きく取れてお
り、最大で20dB近い差があった。また、本発明の電
極パターンを用いてダイシングをおこなった場合、ダイ
シング線の切り残しによる、帯域外減衰量不足不良の発
生割合が、従来33%程度あったものを0%にすること
ができた。さらに、接地用電極どうしが、ウエハー工程
において接続されているために、昇降温条件下でも、近
接したパターン間やIDT電極間などで放電することは
なく、電極破壊を防止することができた。
ダイシング工程におけるダイシングブレードとウエハと
の高精度な位置合せを可能にしたので、ダイシング線の
切り残しがなく、このため、高周波領域での減衰量不足
による特性不良を低減でき、高歩留りが実現できる。
ハー工程において接続されているために、昇降温条件下
でも、近接したパターン間や励振電極間などで放電する
ことはなく、電極破壊を極力防止することができる。
い弾性表面波装置を提供できる。
式的に説明する平面図である。
成を模式的に示す平面図である。
に示す平面図である。
様子を模式的に示す平面図である。
導体パターンの延在部の例を示す平面図である。
ン構成を模式的に示す平面図である。
21を示す線図である。
示す線図である。
路図である。
型弾性表面波フィルタの等価回路図である。
に示す平面図である。
様子を模式的に示す平面図である。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 圧電基板上に、励振電極と、該励振電極
に接続される接地用導体パターンとが配設されていると
ともに、前記接地用導体パターンの一部が前記圧電基板
の側端部に導出されている弾性表面波装置。 - 【請求項2】 前記圧電基板の側端部に導出されている
接地用導体パターンの一部が周期性を有する形状を成し
ていることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項3】 圧電ウエハ上に、励振電極及び該励振電
極に接続される接地用導体パターンが配設された弾性表
面波素子領域を複数箇所に形成し、前記圧電ウエハを個
々の弾性表面波素子領域に分離し、請求項1に記載の弾
性表面波装置を複数得るようにした弾性表面波装置の製
造方法であって、前記圧電ウエハ上に、複数の弾性表面
波素子領域と、個々の弾性表面波素子領域を区分するダ
イシング用の線状パターンとを、各弾性表面波素子領域
の接地用導体パターンが前記線状パターンに接続するよ
うに形成する工程と、前記線状パターンと前記接地用導
体パターンの接続部をマーカーとして、前記圧電ウエハ
を前記線状パターンに沿って切断する工程とを含むこと
を特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2010087586A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス |
CN109787578A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-05-21 | 无锡市好达电子有限公司 | 一种叉指结构过补偿的声表面波滤波器 |
CN112367059A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-02-12 | 重庆邮电大学 | 一种声表面波滤波器的封装键合线等效电路模型 |
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1999
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