JP2010054301A - 磁気センサ及び磁気測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気センサ1のホール素子11に対して、+X方向に沿って電流を流すと共に+Y方向における第1の電圧を測定し、+Y方向に沿って電流を流すと共に+X方向における第2の電圧を測定し、−X方向に沿って電流を流すと共に+Y方向における第3の電圧を測定し、−Y方向に沿って電流を流すと共に+X方向における第4の電圧を測定する。そして、第1の電圧の値及び第2の電圧の値に基づいて、ホール電圧の影響を強め合いオフセット電圧の影響を弱め合うような演算を行い、その結果を基準値と比較する。また、第3の電圧の値及び第4の電圧の値に基づいて、ホール電圧の影響を強め合いオフセット電圧の影響を弱め合うような演算を行い、その結果を基準値と比較する。
【選択図】図1
Description
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る磁気センサを例示する回路図である。
磁気センサ1においては、ホール素子11と、スイッチ回路12が設けられている。磁気センサ1には例えばシリコン基板(図示せず)が設けられており、このシリコン基板の上層部分にはP型領域に囲まれたN型領域が形成されており、これがホール素子11となっている。ホール素子11の形状は略平面状であり、シリコン基板の上面に対して垂直な方向(以下、「上方」という)から見て、ホール素子11の形状は中心軸に関して4回対称となる形状であり、例えば正方形である。
図2は、図1に示す磁気センサの駆動方法を例示する図であり、
図3は、本実施形態に係る磁気測定方法を例示するフローチャート図であり、
図4(a)乃至(d)は、本実施形態に係る磁気センサの動作を例示する図である。
(測定電圧)=(ホール電圧)+(オフセット電圧) ・・・(1)
(演算値)=(ホール電圧成分)+(残留成分) ・・・(2)
本実施形態においては、ステップS1〜S3に示す処理により、ホール素子11の上方にS極の磁性があるか否かを検出することができる。このとき、ステップS1において第1の電圧を取得し、ステップS2において第2の電圧を取得し、ステップS3において第1の電圧及び第2の電圧に基づいてホール電圧の影響を強め合いオフセット電圧の影響を弱め合う演算をしているため、S極の磁性の検出に際して、オフセット電圧の影響をある程度除去することができる。同様に、ステップS4〜S6に示す処理により、磁性センサ1の近くにN極の磁性があるか否かを検出することができる。この場合も、オフセット電圧の影響をある程度除去することができる。
図5は、比較例に係る磁気センサを例示する回路図であり、
図6は、図5に示す磁気センサの駆動方法を例示する図であり、
図7(a)乃至(d)は、本比較例に係る磁気センサの動作を例示する図であり、
図8(a)及び(b)は、横軸に磁界の強さをとり、縦軸に演算値をとって、残留成分が演算値に及ぼす影響を例示するグラフ図であり、(a)は比較例を示し、(b)は第1の実施形態を示す。
図9は、本実施形態に係る磁気センサを例示する回路図であり、
図10は、図9に示す磁気センサの駆動方法を例示する図である。
本実施形態は、前述の第1の実施形態において、各スイッチ素子をMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)により構成した例である。
図9及び図10に示すように、磁気センサ2において、各電圧比較工程(フェーズ1〜4)においてオン状態とするスイッチ素子の組合せは、前述の第1の実施形態に係る磁気センサ1(図1及び図2参照)と同様である。
なお、図10の各欄における上段の表記は、MOSFETのゲートに印加する電位を表している。スラッシュ(/)の左側はPMOSのゲートに印加する電位を表しており、右側はNMOSのゲートに印加する電位を表している。「0」は電位GNDを表す。また、各欄の下段の表記はスイッチ素子の導通状態を表している。
図11は、本実施形態に係る磁気センサを例示する回路図である。
図11に示すように、本実施形態に係る磁気センサ3においては、ホール素子11及びスイッチ回路12の他に、増幅回路13及び演算回路14が設けられている。増幅回路13は、センス端子αとセンス端子βとの間の電位差を増幅する回路である。増幅回路13には2つのオペアンプ13a及び13bが設けられており、それらの入力端子はそれぞれセンス端子α及びβに接続されている。演算回路14は、オペアンプ13a及び13bの出力端子が接続されており、オペアンプ13a及び13bの出力端子間の電圧であって異なるタイミングで入力された2つの電圧を加算又は減算して演算値を求め、この演算値を基準値と比較するものである。演算回路14は、例えば、キャパシタ及びスイッチにより構成されている。演算回路14の出力端子14aからは、比較結果が出力される。
本実施形態においては、増幅回路13がセンス端子α、β間の電位差を増幅し、演算回路14に対して出力する。演算回路14は、前述の第1の実施形態のステップS3及びS6(図3参照)において説明した判定を行い、その結果を出力端子14aから出力する。本実施形態によれば、ホール電圧が微小であっても、増幅回路13がホール電圧を増幅することにより、精度が高い判定が可能となる。本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
Claims (5)
- ホール素子と、
前記ホール素子に電流を流すと共に前記ホール素子内の電圧を測定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記ホール素子に第1の方向に沿って電流を流すと共に前記第1の方向に対して直交する第2の方向における第1の電圧を測定し、
前記ホール素子に前記第2の方向に沿って電流を流すと共に前記第1の方向における第2の電圧を測定し、
前記ホール素子に前記第1の方向に対して逆行する第3の方向に沿って電流を流すと共に前記第2の方向における第3の電圧を測定し、
前記ホール素子に前記第2の方向に対して逆行する第4の方向に沿って電流を流すと共に前記第1の方向における第4の電圧を測定し、
前記第1の電圧の値及び前記第2の電圧の値に基づいて、ホール電圧の影響を強め合いオフセット電圧の影響を弱め合うような演算を行い、その結果を基準値と比較し、
前記第3の電圧の値及び前記第4の電圧の値に基づいて、ホール電圧の影響を強め合いオフセット電圧の影響を弱め合うような演算を行い、その結果を前記基準値と比較する
ことを特徴とする磁気センサ。 - 前記ホール素子は、
前記第1の方向の下流側に配置された第1の端子と、
前記第2の方向の下流側に配置された第2の端子と、
前記第3の方向の下流側に配置された第3の端子と、
前記第4の方向の下流側に配置された第4の端子と、
を有し、
前記制御手段は、
高電位側電源電位、低電位側電源電位、第1のセンス端子及び第2のセンス端子と、前記第1乃至第4の端子との接続関係を切替えるスイッチ回路と、
前記第1のセンス端子と前記第2のセンス端子との間の電圧に基づいて前記演算及び前記比較を行う演算回路と、
を有し、
前記スイッチ回路は、
前記第1の端子を前記高電位側電源電位に接続するか否かを切替える第1のスイッチ素子と、
前記第2の端子を前記高電位側電源電位に接続するか否かを切替える第2のスイッチ素子と、
前記第3の端子を前記高電位側電源電位に接続するか否かを切替える第3のスイッチ素子と、
前記第4の端子を前記高電位側電源電位に接続するか否かを切替える第4のスイッチ素子と、
前記第1の端子を前記低電位側電源電位に接続するか否かを切替える第5のスイッチ素子と、
前記第2の端子を前記低電位側電源電位に接続するか否かを切替える第6のスイッチ素子と、
前記第3の端子を前記低電位側電源電位に接続するか否かを切替える第7のスイッチ素子と、
前記第4の端子を前記低電位側電源電位に接続するか否かを切替える第8のスイッチ素子と、
前記第1の端子を前記第1のセンス端子に接続するか否かを切替える第9のスイッチ素子と、
前記第2の端子を前記第1のセンス端子に接続するか否かを切替える第10のスイッチ素子と、
前記第3の端子を前記第2のセンス端子に接続するか否かを切替える第11のスイッチ素子と、
前記第4の端子を前記第2のセンス端子に接続するか否かを切替える第12のスイッチ素子と、
を有し、
前記第1の電圧を測定するときは、前記第3、第5、第10及び第12のスイッチ素子をオン状態とし、残りのスイッチ素子をオフ状態とし、
前記第2の電圧を測定するときは、前記第4、第6、第9及び第11のスイッチ素子をオン状態とし、残りのスイッチ素子をオフ状態とし、
前記第3の電圧を測定するときは、前記第1、第7、第10及び第12のスイッチ素子をオン状態とし、残りのスイッチ素子をオフ状態とし、
前記第4の電圧を測定するときには、前記第2、第8、第9及び第11のスイッチ素子をオン状態とし、残りのスイッチ素子をオフ状態とする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。 - その周辺部分に一回転方向に沿って順番に配置された第1乃至第4の端子を有したホール素子と、
高電位側電源電位、低電位側電源電位、第1のセンス端子及び第2のセンス端子と、前記第1乃至第4の端子との接続関係を切替えるスイッチ回路と、
を備え、
前記スイッチ回路は、
前記第1の端子を前記高電位側電源電位に接続するか否かを切替える第1のスイッチ素子と、
前記第2の端子を前記高電位側電源電位に接続するか否かを切替える第2のスイッチ素子と、
前記第3の端子を前記高電位側電源電位に接続するか否かを切替える第3のスイッチ素子と、
前記第4の端子を前記高電位側電源電位に接続するか否かを切替える第4のスイッチ素子と、
前記第1の端子を前記低電位側電源電位に接続するか否かを切替える第5のスイッチ素子と、
前記第2の端子を前記低電位側電源電位に接続するか否かを切替える第6のスイッチ素子と、
前記第3の端子を前記低電位側電源電位に接続するか否かを切替える第7のスイッチ素子と、
前記第4の端子を前記低電位側電源電位に接続するか否かを切替える第8のスイッチ素子と、
前記第1の端子を前記第1のセンス端子に接続するか否かを切替える第9のスイッチ素子と、
前記第2の端子を前記第1のセンス端子に接続するか否かを切替える第10のスイッチ素子と、
前記第3の端子を前記第2のセンス端子に接続するか否かを切替える第11のスイッチ素子と、
前記第4の端子を前記第2のセンス端子に接続するか否かを切替える第12のスイッチ素子と、
を有することを特徴とする磁気センサ。 - 前記第1乃至第4のスイッチ素子はそれぞれPチャネル型電界効果トランジスタであり、
前記第5乃至第8のスイッチ素子はそれぞれNチャネル型電界効果トランジスタであり、
前記第9乃至第12のスイッチ素子はそれぞれPチャネル型電界効果トランジスタとNチャネル型電界効果トランジスタとが相互に並列に接続されたものである
ことを特徴とする請求項2または3に記載の磁気センサ。 - ホール素子に第1の方向に沿って電流を流すと共に前記第1の方向に対して直交する第2の方向における第1の電圧を測定する工程と、
前記ホール素子に前記第2の方向に沿って電流を流すと共に前記第1の方向における第2の電圧を測定する工程と、
前記ホール素子に前記第1の方向に対して逆行する第3の方向に沿って電流を流すと共に前記第2の方向における第3の電圧を測定する工程と、
前記ホール素子に前記第2の方向に対して逆行する第4の方向に沿って電流を流すと共に前記第1の方向における第4の電圧を測定する工程と、
前記第1の電圧の値及び前記第2の電圧の値に基づいて、ホール電圧の影響を強め合いオフセット電圧の影響を弱め合うような演算を行い、その結果を基準値と比較する工程と、
前記第3の電圧の値及び前記第4の電圧の値に基づいて、ホール電圧の影響を強め合いオフセット電圧の影響を弱め合うような演算を行い、その結果を前記基準値と比較する工程と、
を備えたことを特徴とする磁気測定方法。
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