WO2014125846A1 - 磁気センサ - Google Patents

磁気センサ Download PDF

Info

Publication number
WO2014125846A1
WO2014125846A1 PCT/JP2014/050193 JP2014050193W WO2014125846A1 WO 2014125846 A1 WO2014125846 A1 WO 2014125846A1 JP 2014050193 W JP2014050193 W JP 2014050193W WO 2014125846 A1 WO2014125846 A1 WO 2014125846A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
output
magnetic sensor
circuit
voltage
terminal
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/050193
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健太郎 深井
稔 有山
大介 村岡
友生 挽地
Original Assignee
セイコーインスツル株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セイコーインスツル株式会社 filed Critical セイコーインスツル株式会社
Publication of WO2014125846A1 publication Critical patent/WO2014125846A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G01R33/072—Constructional adaptation of the sensor to specific applications

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic sensor that converts magnetic field strength into an electric signal.
  • magnetic sensors are used as sensors for detecting the position, distance, rotation, and the like of magnetic field generating members in electronic devices.
  • the magnetic sensor detects a magnetic field applied to the magnetoelectric conversion element, converts the detected magnetic field into an electrical signal, compares the electrical signal with a preset reference voltage, and the detected magnetic field has a predetermined magnetic field strength. It is determined whether the state is large (hereinafter referred to as detection state) or small (hereinafter referred to as non-detection state). Further, a predetermined signal is output based on the determination result.
  • FIG. 6 is a block diagram showing an example of a conventional magnetic sensor.
  • the magnetic sensor 100 operates as follows.
  • the amplifier 21 amplifies the potential difference generated according to the magnitude of the magnetic field penetrating the magnetoelectric conversion element 10.
  • the comparator 22 compares the output voltage of the amplifier 21 with the reference voltage Vref and outputs the result.
  • the output circuit 90 sets the output terminal OUT to a high impedance or low level voltage based on the output result of the comparator 22 (see, for example, Patent Document 1).
  • the output circuit 90 of the magnetic sensor 100 includes an output transistor 25 connected between the output terminal OUT and the ground terminal, and a control circuit 24 that controls the output transistor 25, and the output terminal OUT is an external power supply terminal of the external load 9.
  • An open drain output that pulls up to a voltage V2 is common. Therefore, the voltage of the terminal VA is either the voltage V2 of the external power supply terminal or the binary voltage of the ground voltage.
  • the present invention has been devised to solve the above-described problems, and can easily detect an abnormal state such as disconnection of the output terminal of the magnetic sensor on the electronic device side to which the magnetic sensor is connected.
  • a magnetic sensor including an output circuit is provided.
  • the magnetic sensor provided with the output circuit of the present invention has the following configuration.
  • the selector circuit selectively outputs a current according to the magnetic judgment result.
  • the current is intermediate between two values different from the external power supply voltage determined by the resistance value of the external load.
  • a magnetic sensor equipped with an open drain output circuit that uses voltage as the output voltage.
  • the magnetic sensor of the present invention it is possible to notify the outside of the occurrence of an abnormal state such as disconnection of the output terminal of the magnetic sensor without changing the number of terminals of the magnetic sensor by simply adding a simple circuit. it can. As a result, an abnormal state of the magnetic sensor can be detected in the subsequent stage of the magnetic sensor.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a magnetic sensor of the present embodiment.
  • the magnetic sensor 1 includes a magnetoelectric conversion element 10, a magnetic determination unit 20, and an output circuit unit 30.
  • the magnetoelectric conversion element 10 detects a magnetic field applied to the magnetoelectric conversion element 10, converts the detected magnetic field into an electric signal, and outputs the electric signal.
  • the magnetism determination unit 20 compares this electric signal with a preset reference voltage Vref, and performs detection / non-detection magnetism determination.
  • the output circuit unit 30 is an open drain output that outputs a predetermined signal based on the result of the magnetic determination.
  • the magnetoelectric conversion element 10 is, for example, a Hall element, and outputs an electric signal corresponding to the applied magnetic field strength. This electric signal corresponds to a voltage difference generated between two terminals other than the power supply terminal of the Hall element driven by the voltage V1 of the internal power supply terminal.
  • the magnetic determination unit 20 includes, for example, an amplifier 21, a comparator 22, and a reference voltage circuit 23, and amplifies a minute electric signal output from the magnetoelectric conversion element 10 and then sets a reference voltage Vref set in advance. Compare with The magnetic determination unit 20 outputs the comparison result as a binary voltage of a high level and a low level.
  • the comparison result when the comparison result is a detection state, a high level is output from the magnetic determination unit 20, and when the comparison result is a non-detection state, a low level is output from the magnetic determination unit 20.
  • the output circuit unit 30 includes a selector circuit 31 and constant current circuits 32 and 33.
  • the selector circuit 31 is a switch including a common contact 31a, two contacts 31b and 31c, and a control terminal 31d. The switch operation of the selector circuit 31 will be described. When the voltage of the control terminal 31d is high level, the common contact 31a and the contact 31b are connected, and when the voltage of the control terminal 31d is low level, the common contact 31a and the contact 31c are connected.
  • the output terminal of the magnetic determination unit 20 is connected to the control terminal 31d.
  • the common contact 31 a is connected to the OUT terminal of the magnetic sensor 1.
  • the contact 31 b is connected to the constant current circuit 32, and the contact 31 c is connected to the constant current circuit 33.
  • the currents flowing through the constant current circuits 32 and 33 are I32 and I33, respectively. These magnitude relationships are I32> I33.
  • the selector circuit 31 When the selector circuit 31 performs a switching operation according to the voltage change of the control terminal 31d, the current Iout at the OUT terminal becomes the current I32 or the current I33. Therefore, the magnetic sensor 1 draws the current I32 in the detection state and the current I33 in the non-detection state from the OUT terminal to the ground terminal.
  • the OUT terminal of the magnetic sensor 1 has one end connected to the other end of the resistor 60 connected to the external power supply terminal of the voltage V2, and is connected to the VA terminal to which the output signal is sent. Therefore, the magnetic sensor 1 draws a current from the resistor 60 of the external load 9.
  • the resistance value of the resistor 60 is R60
  • the voltage VA1 at the VA terminal in the detection state is as shown in Equation 1.
  • VA1 V2-R60 ⁇ I32 (1)
  • VA2 V2-R60 ⁇ I32 (1)
  • VA2 V2-R60 ⁇ I33 (2)
  • the OUT terminal current Iout is set as follows.
  • Equation 4 the magnitude relationship between the voltage VA1 in the detection state and the voltage VA2 in the non-detection state and the voltage V2 of the external power supply terminal is expressed by Equation 4.
  • FIG. 2 shows the voltage at the VA terminal when the connection state between the magnetic sensor 1 and the external load 9 is a normal state, an OUT terminal disconnected state, and an OUT terminal ground fault state.
  • the voltage V2 at the external power supply terminal, the voltage VA1 in the detection state, and the voltage VA2 in the non-detection state have a relationship as illustrated.
  • the voltage of the VA terminal becomes equal to the voltage V2 of the external power supply terminal regardless of the detection state or the non-detection state.
  • the OUT terminal is in a ground fault state, that is, when the OUT terminal is short-circuited to the ground terminal, the voltage at the VA terminal becomes equal to the ground voltage regardless of the detection state or the non-detection state.
  • the magnetic sensor of this embodiment when the connection of the output terminal OUT of the magnetic sensor 1 falls into an abnormal state, it is possible to output a signal notifying the abnormal state. Therefore, the abnormal state can be easily detected on the electronic device side that inputs the signal of the magnetic sensor 1.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific example of the output circuit unit of the magnetic sensor of the present embodiment.
  • the output circuit unit 70 includes a selector circuit 31, a constant current circuit 74, a transistor M71, and output transistors M32 and M33.
  • the transistor M71 has a drain and a gate connected to the constant current circuit 74, and a source connected to the ground terminal.
  • the output transistor M32 has a gate connected to the constant current circuit 74, a drain connected to the contact 31b of the selector circuit 31, and a source connected to the ground terminal.
  • the output transistor M33 has a gate connected to the constant current circuit 74, a drain connected to the contact 31c of the selector circuit 31, and a source connected to the ground terminal.
  • the output transistors M32 and M33 form a current mirror circuit with the transistor M71.
  • the gate voltage VC of the output transistors M32 and M33 is determined by a balance between the current flowing through the constant current circuit 74 and the current flowing through the transistor M71. Therefore, the voltage VC can be appropriately set by optimizing the current value of the constant current circuit 74 or the ease of flow of the current of the transistor M71.
  • the output transistors M32 and M33 are set to have different current flowability when the same gate voltage and the same drain voltage are applied. Specifically, the channel width W of the output transistors M32 and M33 is set as W (M32)> W (M33). Since the drain-source current I32 of the output transistor M32 and the drain-source current I33 of the output transistor M33 are determined by the ratio of the channel width W of the transistor by the current mirror circuit, the above equation (3) is established. .
  • the magnetic sensor of this embodiment when the connection of the output terminal OUT of the magnetic sensor 2 falls into an abnormal state, it is possible to output a signal notifying the abnormal state. Therefore, the abnormal state can be easily detected on the electronic device side that inputs the signal of the magnetic sensor 2.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing another specific example of the output circuit section of the magnetic sensor of the present embodiment.
  • the output circuit unit 80 includes a selector circuit 31, constant current circuits 84 and 85, transistors M82 and M83, and an output transistor M81.
  • Transistor M82 has a drain and a gate connected to constant current circuit 84 and contact 31b of selector circuit 31, and a source connected to a ground terminal.
  • the transistor M83 has a drain and a gate connected to the constant current circuit 85 and the contact 31c of the selector circuit 31, and a source connected to the ground terminal.
  • the output transistor M81 has a gate connected to the common contact 31a of the selector circuit 31, a drain connected to the OUT terminal of the magnetic sensor 3, and a source connected to the ground terminal.
  • the output transistor M81 forms a current mirror circuit with the transistors M82 and M83.
  • the voltage VD of the gate of the transistor M82 is determined by the balance between the current that the constant current circuit 84 and the current that the transistor M82 can flow.
  • the voltage VE at the gate of the transistor M83 is determined by the balance between the current flowing through the constant current circuit 85 and the current that can flow through the transistor M83.
  • the magnitude relationship between the voltage VD and the voltage VE is set so that VD> VE.
  • the channel widths of the transistors M82 and M83 are made equal, and the current values I84 and I85 of the constant current circuits 84 and 85 are set to I84> I85.
  • the current values of the constant current circuits 84 and 85 are equalized, and the channel width W of the transistors M82 and M83 is set as W (M83)> W (M82).
  • the drain-source current of the output transistor M81 is set to be I32 when the gate is at the voltage VD and I33 when the gate is at the voltage VE.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing another specific example of the output circuit section of the magnetic sensor of the present embodiment.
  • the magnetic sensor of this embodiment when the connection of the output terminal VOUT of the magnetic sensor 3 falls into an abnormal state, it is possible to output a signal notifying the abnormal state. Therefore, the abnormal state can be easily detected on the electronic device side that inputs the signal of the magnetic sensor 3.

Abstract

　磁気センサが接続される電子機器側で、出力端子の接続の異常状態を容易に検知可能な出力回路を備えた磁気センサを提供する。　異なる電流を流す２つの定電流回路とセレクタ回路を有し、セレクタ回路により磁気判定結果に応じた電流が選択され、この電流と外部負荷の抵抗値によって決まる外部電源電圧と異なる２値の中間電圧を出力電圧とする、オープンドレイン出力の出力回路を備えた磁気センサ。

Description

磁気センサ
　本発明は、磁界強度を電気信号に変換する磁気センサに関する。
　現在、電子機器において磁界発生部材の位置や距離や回転等を検出するセンサとして、磁気センサが用いられている。
　磁気センサは、磁電変換素子に印加される磁界を検出し、検出した磁界を電気信号に変換し、この電気信号を予め設定した参照電圧と比較し、検出した磁界が所定の磁界強度に対して大きい状態（以下、検出状態）であるか、小さい状態（以下、非検出状態）であるかの判定を行う。さらに、判定の結果に基づいて所定の信号を出力する。
　図６は、従来の磁気センサの一例を示すブロック図である。
　磁気センサ１００は、以下のように動作する。
　増幅器２１は、磁電変換素子１０を貫通する磁界の大きさに応じて生じた電位差を増幅する。比較器２２は、増幅器２１の出力電圧と参照電圧Ｖｒｅｆを比較し、その結果を出力する。出力回路９０は、比較器２２の出力結果に基づいて、出力端子ＯＵＴをハイインピーダンスかローレベルの電圧にする（例えば、特許文献１参照）。
　磁気センサ１００の出力回路９０は、出力端子ＯＵＴと接地端子の間に接続した出力トランジスタ２５と、出力トランジスタ２５を制御する制御回路２４で構成し、出力端子ＯＵＴを外部負荷９の外部電源端子の電圧Ｖ２にプルアップする、オープンドレイン出力が一般的である。従って、端子ＶＡの電圧は、外部電源端子の電圧Ｖ２か接地電圧の２値の電圧のどちらかである。
特開２０１２－１８１１２８号公報
　ところで、自動車等に搭載される電子機器においては、使用上の危険の程度を低減する目的で、安全のための機能を備える取り組みがされている。例えば、部品の端子外れや接地端子への短絡時に、部品が異常状態であることを検知できる機能が必要とされる。
　しかしながら、図６に示した従来の磁気センサの端子ＶＡの電圧では、電子機器側で磁気センサの出力端子の端子外れなどの異常状態の検知が困難であった。すなわち、端子ＶＡの電圧は、正常状態における２値の電圧と異常状態における２値の電圧とが等価であるため、状態の区別が困難であった。
　本発明は、以上のような課題を解決するために考案されたものであり、磁気センサが接続される電子機器側で、磁気センサの出力端子の端子外れなどの異常状態を容易に検知可能な出力回路を備えた磁気センサを提供するものである。
　従来の課題を解決するために、本発明の出力回路を備えた磁気センサは以下のような構成とした。
　異なる電流を流す２つの定電流回路とセレクタ回路を有し、セレクタ回路により磁気判定結果に応じた電流が選択出力され、この電流と外部負荷の抵抗値によって決まる外部電源電圧と異なる２値の中間電圧を出力電圧とする、オープンドレイン出力の出力回路を備えた磁気センサ。
　本発明の磁気センサによれば、簡単な回路を追加するだけで、磁気センサの端子数を変えることなく、磁気センサの出力端子の端子外れなどの異常状態の発生を、外部へ報知することができる。これによって、磁気センサの後段において、磁気センサの異常状態を検知することができる。
本実施形態の磁気センサを示すブロック図である。 本実施形態の磁気センサの状態別のＶＡ端子の電圧を示す図である。 本実施形態の磁気センサの出力回路部の具体例を示す回路図である。 本実施形態の磁気センサの出力回路部の他の具体例を示す回路図である。 本実施形態の磁気センサの出力回路部の他の具体例を示す回路図である。 従来の磁気センサを示すブロック図である。
　以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
　図１は、本実施形態の磁気センサを示すブロック図である。
　磁気センサ１は、磁電変換素子１０と、磁気判定部２０と、出力回路部３０と、を備える。
　磁電変換素子１０は、磁電変換素子１０に印加される磁界を検出し、検出した磁界を電気信号に変換して出力する。磁気判定部２０は、この電気信号を予め設定した参照電圧Ｖｒｅｆと比較し、検出、非検出の磁気判定を行う。出力回路部３０は、磁気判定の結果に基づく所定の信号を出力するオープンドレイン出力である。
　磁電変換素子１０は、例えばホール素子であり、印加された磁界強度に応じた電気信号を出力する。この電気信号は、内部電源端子の電圧Ｖ１により駆動されたホール素子の、電源供給端子以外の２端子間に発生する電圧差に相当する。磁気判定部２０は、例えば、増幅器２１と、比較器２２と、参照電圧回路２３と、で構成され、磁電変換素子１０の出力した微小な電気信号を増幅した後、予め設定された参照電圧Ｖｒｅｆと比較する。磁気判定部２０は、比較結果をハイレベルとローレベルの２値の電圧として出力する。
　例えば、比較結果が検出状態である場合、磁気判定部２０からハイレベルが出力され、非検出状態である場合、磁気判定部２０からローレベルが出力される。
　出力回路部３０は、セレクタ回路３１と、定電流回路３２および３３と、で構成される。セレクタ回路３１は、共通接点３１ａと、２つの接点３１ｂ、３１ｃと、制御端子３１ｄと、を備えるスイッチである。セレクタ回路３１のスイッチ動作について説明する。制御端子３１ｄの電圧がハイレベルのとき、共通接点３１ａと接点３１ｂが接続され、制御端子３１ｄの電圧がローレベルのとき、共通接点３１ａと接点３１ｃが接続される。制御端子３１ｄは、磁気判定部２０の出力端子が接続されている。共通接点３１ａは、磁気センサ１のＯＵＴ端子に接続されている。接点３１ｂは、定電流回路３２に接続され、接点３１ｃは、定電流回路３３に接続されている。定電流回路３２、３３を流れる電流は、それぞれＩ３２、Ｉ３３である。これらの大小関係は、Ｉ３２＞Ｉ３３の関係である。
　制御端子３１ｄの電圧変化に応じて、セレクタ回路３１がスイッチ動作を行うことにより、ＯＵＴ端子の電流Ｉｏｕｔは、電流Ｉ３２または電流Ｉ３３になる。したがって、磁気センサ１は、検出状態においては電流Ｉ３２を、非検出状態においては電流Ｉ３３を、ＯＵＴ端子から接地端子へと引きこむ。
　磁気センサ１のＯＵＴ端子は、一端が電圧Ｖ２の外部電源端子に接続された抵抗６０の他端に接続され、かつ出力信号の送り先であるＶＡ端子に接続されている。従って、磁気センサ１は、外部負荷９の抵抗６０から電流を引きこむ。抵抗６０の抵抗値をＲ６０とすると、検出状態において、ＶＡ端子の電圧ＶＡ１は式１に示すようになる。
　　ＶＡ１＝Ｖ２－Ｒ６０×Ｉ３２・・・（１）
　また、非検出状態において、ＶＡ端子の電圧ＶＡ２は式２に示すようになる。
　　ＶＡ２＝Ｖ２－Ｒ６０×Ｉ３３・・・（２）
　ここで、ＯＵＴ端子電流Ｉｏｕｔは以下の通り設定される。
　　Ｖ２／Ｒ６０＞Ｉ３２＞Ｉ３３・・・（３）
　これによって、検出状態の電圧ＶＡ１及び非検出状態の電圧ＶＡ２と外部電源端子の電圧Ｖ２の大小関係は式４となる。
　　Ｖ２＞ＶＡ２＞ＶＡ１・・・（４）
　図２は、磁気センサ１と外部負荷９の接続状態が、正常状態、ＯＵＴ端子外れ状態、ＯＵＴ端子地絡状態、である場合のＶＡ端子の電圧を示す。外部電源端子の電圧Ｖ２と検出状態の電圧ＶＡ１と非検出状態の電圧ＶＡ２は、図示したような関係にある。
　ＯＵＴ端子とＶＡ端子が外れた状態になると、ＶＡ端子の電圧は、検出状態、非検出状態に係らず、外部電源端子の電圧Ｖ２と等しくなる。また、ＯＵＴ端子地絡状態、すなわちＯＵＴ端子が接地端子と短絡した状態になると、ＶＡ端子の電圧は、検出状態、非検出状態に係らず、接地電圧と等しくなる。
　上述のとおり、本実施形態の磁気センサによれば、磁気センサ１の出力端子ＯＵＴの接続が異常状態に陥ったときに、異常状態を知らせる信号を出力する事ができる。従って、磁気センサ１の信号を入力する電子機器側で、異常状態を容易に検出することができる。
　図３は、本実施形態の磁気センサの出力回路部の具体例を示す回路図である。
　出力回路部７０は、セレクタ回路３１と、定電流回路７４とトランジスタＭ７１、出力トランジスタＭ３２、Ｍ３３を備える。
　トランジスタＭ７１は、ドレインとゲートが定電流回路７４に接続され、ソースが接地端子に接続されている。出力トランジスタＭ３２は、ゲートが定電流回路７４に接続され、ドレインがセレクタ回路３１の接点３１ｂに接続され、ソースが接地端子に接続される。出力トランジスタＭ３３は、ゲートが定電流回路７４に接続され、ドレインがセレクタ回路３１の接点３１ｃに接続され、ソースが接地端子に接続される。出力トランジスタＭ３２、Ｍ３３は、トランジスタＭ７１とカレントミラー回路を構成する。
　出力トランジスタＭ３２、Ｍ３３のゲートの電圧ＶＣは、定電流回路７４の流す電流とトランジスタＭ７１が流せる電流の鬩ぎ合いによって決定される。したがって、定電流回路７４の電流値またはトランジスタＭ７１の電流の流れやすさを最適化することにより、電圧ＶＣを適切に設定する事ができる。
　出力トランジスタＭ３２とＭ３３は、同じゲート電圧、同じドレイン電圧が与えられたときに、電流の流れやすさが異なるように設定されている。具体的には、出力トランジスタＭ３２とＭ３３のチャネル幅Ｗを、Ｗ（Ｍ３２）＞Ｗ（Ｍ３３）と設定する。カレントミラー回路により、出力トランジスタＭ３２のドレイン－ソース間電流Ｉ３２と、出力トランジスタＭ３３のドレイン－ソース間電流Ｉ３３は、トランジスタのチャネル幅Ｗの比によって決定される為、前述の式（３）が成り立つ。
　上述のとおり、本実施形態の磁気センサによれば、磁気センサ２の出力端子ＯＵＴの接続が異常状態に陥ったときに、異常状態を知らせる信号を出力する事ができる。従って、磁気センサ２の信号を入力する電子機器側で、異常状態を容易に検出することができる。
　図４は、本実施形態の磁気センサの出力回路部の他の具体例を示す回路図である。
　出力回路部８０は、セレクタ回路３１と、定電流回路８４、８５と、トランジスタＭ８２、Ｍ８３と、出力トランジスタＭ８１を備える。
　トランジスタＭ８２は、ドレインとゲートが定電流回路８４とセレクタ回路３１の接点３１ｂに接続され、ソースが接地端子に接続されている。トランジスタＭ８３は、ドレインとゲートが定電流回路８５とセレクタ回路３１の接点３１ｃに接続され、ソースが接地端子に接続されている。出力トランジスタＭ８１は、ゲートがセレクタ回路３１の共通接点３１ａに接続され、ドレインが磁気センサ３のＯＵＴ端子に接続され、ソースが接地端子に接続されている。出力トランジスタＭ８１は、トランジスタＭ８２、Ｍ８３とカレントミラー回路を構成する。
　トランジスタＭ８２のゲートの電圧ＶＤは、定電流回路８４が流す電流とトランジスタＭ８２が流せる電流の鬩ぎ合いによって決定される。トランジスタＭ８３のゲートの電圧ＶＥは、定電流回路８５が流す電流とトランジスタＭ８３が流せる電流の鬩ぎ合いによって決定される。ここで、電圧ＶＤと電圧ＶＥの大小関係は、ＶＤ＞ＶＥとなるように設定する。例えば、トランジスタＭ８２、Ｍ８３のチャネル幅を等しくし、定電流回路８４、８５の電流値Ｉ８４、Ｉ８５をＩ８４＞Ｉ８５とすることで実現される。または、定電流回路８４、８５の電流値を等しくし、トランジスタＭ８２、Ｍ８３のチャネル幅Ｗを、Ｗ（Ｍ８３）＞Ｗ（Ｍ８２）と設定することで実現される。そして、出力トランジスタＭ８１のドレイン－ソース間電流は、ゲートが電圧ＶＤのときＩ３２、ゲートが電圧ＶＥのときＩ３３になるように設定する。
　図５は、本実施形態の磁気センサの出力回路部の他の具体例を示す回路図である。
　図４の出力回路８０は、このように構成しても良い。
　上述のとおり、本実施形態の磁気センサによれば、磁気センサ３の出力端子ＶＯＵＴの接続が異常状態に陥ったときに、異常状態を知らせる信号を出力する事ができる。従って、磁気センサ３の信号を入力する電子機器側で、異常状態を容易に検出することができる。
　１０　　磁電変換素子
　２０　　磁気判定部
　２１　　増幅器
　２２　　比較器
　２３　　参照電圧回路
　３０、７０、８０、９０　　出力回路部
　２４　　制御回路
　３１　　セレクタ回路

Claims (4)

  1. 　オープンドレイン出力の出力回路を備える磁気センサであって、
    　印加される磁界に応じた電圧を出力する磁電変換素子と、
    　前記磁電変換素子が出力する電圧を参照電圧と比較判定する磁気判定部と、
    　前記磁気判定部の出力に基づいて、所定の信号を出力する出力回路部と、を備え、
    　前記出力回路部は、
    　第１定電流回路と、
    　前記第１定電流回路より小さな電流を流す第２定電流回路と、
    　制御端子には前記磁気判定部の出力が接続され、第１接点に前記第１定電流回路が接続され、第２接点に前記第２定電流回路が接続され、共通接点に前記磁気センサの出力端子が接続され、前記制御端子に入力される信号に基づいて前記共通接点を前記第１接点と前記第２接点に切り替えて接続するセレクタ回路と、
    を備えたことを特徴とする磁気センサ。
  2. 　前記磁気センサの出力端子は、抵抗を介して外部電源に接続され、
    　前記磁気センサの出力端子の電圧は、前記外部電源の電圧と接地端子の電圧の中間の電圧であることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
  3. 　前記出力回路部は、
    　ゲートとドレインが前記セレクタ回路の前記共通接点に接続されたトランジスタと、
    　ゲートが前記トランジスタのゲートとドレインに接続され、ドレインが前記磁気センサの出力端子に接続された出力トランジスタと、
    を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ。
  4. 　前記出力回路部は、
    　ゲートとドレインが前記第１定電流回路と前記セレクタ回路の前記第１接点に接続された第１トランジスタと、
    　ゲートとドレインが前記第２定電流回路と前記セレクタ回路の前記第２接点に接続された第２トランジスタと、
    　ゲートが前記セレクタ回路の前記共通接点に接続され、ドレインが前記磁気センサの出力端子に接続された出力トランジスタと、
    を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ。
PCT/JP2014/050193 2013-02-13 2014-01-09 磁気センサ WO2014125846A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013025968A JP2014153329A (ja) 2013-02-13 2013-02-13 磁気センサ
JP2013-025968 2013-02-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014125846A1 true WO2014125846A1 (ja) 2014-08-21

Family

ID=51353857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/050193 WO2014125846A1 (ja) 2013-02-13 2014-01-09 磁気センサ

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2014153329A (ja)
TW (1) TW201447340A (ja)
WO (1) WO2014125846A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61114319A (ja) * 1984-11-07 1986-06-02 Nec Corp Ｍｏｓアナログ集積回路
US5767736A (en) * 1995-11-27 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Charge pump having high switching speed and low switching noise
JP2001165944A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Toyota Motor Corp センサの異常検出方法
JP2006145497A (ja) * 2004-11-24 2006-06-08 Denso Corp 車両用液面検出装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61114319A (ja) * 1984-11-07 1986-06-02 Nec Corp Ｍｏｓアナログ集積回路
US5767736A (en) * 1995-11-27 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Charge pump having high switching speed and low switching noise
JP2001165944A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Toyota Motor Corp センサの異常検出方法
JP2006145497A (ja) * 2004-11-24 2006-06-08 Denso Corp 車両用液面検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014153329A (ja) 2014-08-25
TW201447340A (zh) 2014-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4705495B2 (ja) 漏電検出回路およびバッテリ電子制御装置
US7940036B2 (en) Voltage comparison circuit, and semiconductor integrated circuit and electronic device having the same
JP6636860B2 (ja) 抵抗値測定回路
US9791493B2 (en) Sensor fault detection system and method
US20100117640A1 (en) Magnetic sensor circuit
WO2016202396A8 (en) Bus failure detection transceiver architecture and transceiver operation method
US9203119B2 (en) Battery device
JPWO2017037780A1 (ja) 電力変換装置、および、半導体装置
CN107389994B (zh) 一种应用于电流传感器芯片的可配置管脚复用方法和系统
US20090009273A1 (en) Hall Effect Switching Circuit and Controlling Method for same
KR20170001184U (ko) 감지 회로, 하이브리드 구동 회로, 및 센서 어셈블리
TWI567406B (zh) Magnetic sensor
CN107167164B (zh) 磁传感器和磁传感器装置
JP2006349466A (ja) 温度検出装置
WO2014125846A1 (ja) 磁気センサ
KR20150123716A (ko) 전원 전압 감시 회로, 및 그 전원 전압 감시 회로를 구비하는 전자 회로
KR20180069692A (ko) 전압 이상 검출 회로 및 반도체 장치
JP6797035B2 (ja) 磁気センサ及び磁気センサ装置
CN110676804B (zh) 检测电路与使用其的开关模块
JP2014062825A (ja) 電圧検出回路及び電圧検出方法
JP2007218664A (ja) 電流検出装置
JP4908889B2 (ja) 低電圧検出回路
JP2016191575A (ja) 電流検出回路、及びその回路を備えた車両用電子制御装置
US9817034B2 (en) Measuring device
JP2014168181A (ja) オペアンプ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14751966

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14751966

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1