JP2010034549A - 複合型電子障壁層を備えた発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 活性発光層212と、n型窒化ガリウム層202と、p型窒化ガリウム層と222、エネルギーギャップが異なるとともに、過分の電子が活性発光層212に漏れるのを阻止するためのエネルギー障壁が高い電子障壁層230として、活性発光層212上に周期性をもって繰り返して積層されている二種類の三・五族半導体層232,242;234,244とを備えた複合型電子障壁層230を備えた発光素子である。
【選択図】 図3
Description
112,212 活性発光層
122,222 p型窒化ガリウム層
230 電子障壁層、複合型エピタキシャル構造
232 第1の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層
234 第2の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層
242 第3の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層
244 第4の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層
252 第5の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層
254 第6の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層
262 第7の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層
264 第8の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層
332 第1の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層のエネルギーギャップ
334 第2の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層のエネルギーギャップ
410 基板
420 バッファ層
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に配設されているバッファ層と、
前記バッファ層上に配設されているn型窒化ガリウム層と、
前記n型窒化ガリウム層上に配設されている活性発光層と、
前記活性発光層上に周期性をもって繰り返して積層されている、エネルギーギャップが異なる二種類の三・五族半導体層と、
前記複数の三・五族半導体層上に配設されているp型窒化ガリウム層と、
を備えたことを特徴とする複合型電子障壁層を備えた発光素子。 - 前記複数の三・五族半導体層の材料が、窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム(AlInGaN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、窒化アルミニウム・ガリウム(AlGaN)、窒化インジウム・ガリウム(InGaN)、および窒化アルミニウム・インジウム(AlInN)からなる群より選択されることを特徴とする請求項1に記載の複合型電子障壁層を備えた発光素子。
- 活性発光層と、
第1の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム(AlxInyGal−x−yN)層および第2の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム(AluInvGal−u−vN)層の組合せからなる複合型エピタキシャル構造であって、0<x≦1、0≦y<1、x+y≦1、0≦u<1、0≦v≦1そしてu+v≦1となる複合型エピタキシャル構造と、
を備えたことを特徴とする複合型電子障壁層を備えた発光素子。 - x=uのとき、y≠vとなることを特徴とする請求項3に記載の複合型電子障壁層を備えた発光素子。
- 前記第1の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層が第1の厚さを有しており、第2の窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム層が第2の厚さを有していることを特徴とする請求項4に記載の複合型電子障壁層を備えた発光素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013191406A1 (en) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having electron blocking layer |
KR20160022463A (ko) * | 2014-08-19 | 2016-03-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102019858B1 (ko) * | 2013-07-18 | 2019-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
DE102013107969B4 (de) * | 2013-07-25 | 2020-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
CN103952839B (zh) * | 2014-04-15 | 2016-01-13 | 吴江明佳织造有限公司 | 喷水织机用废水回收装置 |
CN117476834B (zh) * | 2023-12-28 | 2024-03-22 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163566A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Nec Corp | 自励発振型半導体レーザ素子 |
JPH11243251A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2001223441A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物半導体の発光素子 |
JP2002076519A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2002368268A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2003031552A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Sharp Corp | 窒化物半導体処理方法および窒化物半導体並びに窒化物半導体素子 |
JP2003086533A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子および半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000277860A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2003209324A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子及びその製造方法 |
US7058105B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-06-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor optoelectronic device |
JP3863177B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2006-12-27 | ナイトライド・セミコンダクター株式会社 | 窒化ガリウム系発光装置 |
TWI268633B (en) * | 2004-12-06 | 2006-12-11 | Sensor Electronic Technology Inc | Nitride-based light emitting heterostructure |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163566A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Nec Corp | 自励発振型半導体レーザ素子 |
JPH11243251A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2001223441A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物半導体の発光素子 |
JP2002076519A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2002368268A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2003031552A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Sharp Corp | 窒化物半導体処理方法および窒化物半導体並びに窒化物半導体素子 |
JP2003086533A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子および半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013191406A1 (en) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having electron blocking layer |
KR20160022463A (ko) * | 2014-08-19 | 2016-03-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR102227772B1 (ko) * | 2014-08-19 | 2021-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
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