CN117476834B - 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的AlGaN层、AlN层、AlInGaN层、AlN层和AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaN/InGaN超晶格结构。本发明可提高P型材料的空穴注入效率并改善多量子阱发光层中的电子空穴匹配度，同时有利于半导体材料中V形坑的合并，提高外延质量，从而提高LED器件性能。

Description

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术
发光二极管(LED)已经被广泛应用于指示、显示、背光、投射等领域。相对于其它的材料体系，无论是在效率上还是在可靠性上，GaN基LED都有着明显的优势。
其中，紫外发光二极管主要采用AlInGaN作为生长材料，基本结构包含AlInGaN缓冲层、AlInGaN非掺层、N型AlInGaN层、AlInGaN多量子阱层、AlInGaN电子阻挡层以及P型AlInGaN层。由于电子相比空穴具有更高的迁移率和更小的有效质量，同时电子较容易激活且具有更高的浓度，导致注入到多量子阱层中的电子空穴浓度极其不匹配，靠近N型半导体层的量子阱几乎不发光，而电子可以轻易的注入到多量子阱层甚至进入到P型半导体层造成电子泄漏。而且，因为在AlInGaN材料体系中Mg的离化率偏低，导致P型半导体材料中空穴浓度普遍较低，发光二极管获取高质量高空穴浓度的P型材料十分困难。此外，电子阻挡层在阻挡电子注入P型层发光的同时，还会阻挡空穴注入有源区，导致有源区空穴浓度低，加重有源区电子空穴浓度不匹配的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，提高P型半导体材料的空穴注入效率，改善多量子阱发光层中的电子空穴匹配度，从而提高LED器件的发光效率。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，制得的发光二极管的发光效率高。
为达到上述技术效果，本发明提供了一种发光二极管外延片，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、第一AlInGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaN/InGaN超晶格结构；所述第一P型半导体层和第二P型半导体层的材料均为P型GaN基材料。
作为上述技术方案的改进，所述第一AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，厚度为2nm~20nm；
所述第一AlN层的厚度为2nm~20nm；
所述第一AlInGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，In组分占比为0.02~0.05，厚度为5nm~30nm，Mg掺杂浓度为2×1018cm-3~1.2×1019cm-3；
所述第二AlN层的厚度为2nm~20nm；
所述第二AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，厚度为2nm~20nm。
作为上述技术方案的改进，所述第二电子阻挡层包括周期性交替生长的第三AlGaN层和第一InGaN层，周期数为3~15；所述第三AlGaN层的Al组分占比为0.3~0.8，厚度为3nm~10nm；所述第一InGaN层的In组分占比为0.03~0.09，厚度为3nm~10nm，Mg掺杂浓度为3.6×1018cm-3~2.8×1019cm-3。
作为上述技术方案的改进，所述第一P型半导体层为第二AlInGaN层，Al组分占比为0.01~0.3，In组分占比为0.01~0.1，厚度为10nm~200nm，Mg掺杂浓度为1.2×1019cm-3~3×1020cm-3；
所述第一P型半导体层的Al组分占比和Mg掺杂浓度沿外延生长方向逐渐降低。
作为上述技术方案的改进，所述第二P型半导体层材料为第一GaN层，厚度为5nm~100nm，Mg掺杂浓度为1×1019cm-3~8.6×1019cm-3；Mg掺杂浓度沿外延生长方向逐渐降低。
作为上述技术方案的改进，P型欧姆接触层为第三AlInGaN层，Al组分占比为0.01~0.2，In组分占比为0.01~0.2，厚度为1nm~20nm，Mg掺杂浓度为3×1019cm-3~8×1020cm-3；In组分占比沿外延生长方向逐渐升高。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次生长N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、第一AlInGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaN/InGaN超晶格结构；所述第一P型半导体层和第二P型半导体层的材料均为P型GaN基材料。
作为上述技术方案的改进，所述第一电子阻挡层的生长温度为800℃~900℃，生长压力为20Torr~300Torr；
所述第一P型半导体层的生长温度为720℃~850℃，生长压力为30Torr~500Torr；
所述第二电子阻挡层的生长温度为900℃~1050℃，压力为20Torr~300Torr；
所述第二P型半导体层的生长温度为900℃~1050℃，压力为30Torr~500Torr。
作为上述技术方案的改进，所述P型欧姆接触层的生长温度为850℃~950℃，生长压力为30Torr~500Torr。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管，包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明提供的发光二极管的结构包括第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层。第一电子阻挡层、第二电子阻挡层中宽禁带的AlN、AlGaN材料主要起到阻挡电子并降低电子移动速率的作用，防止电子注入到P型材料造成电子泄漏，而第一电子阻挡层、第二电子阻挡层中低禁带宽度的AlInGaN、InGaN材料可以储存部分空穴，同时还可以减弱对空穴的阻挡作用，以提高P型材料的空穴注入效率，从而改善多量子阱发光层中的电子空穴匹配度，以提高LED的发光效率。
另外，靠近多量子阱发光层的第一电子阻挡层和第一P型半导体层优选相对偏低的生长温度，防止高温生长破坏量子阱质量，而远离多量子阱发光层的第二电子阻挡层和第二P型半导体层采用高温生长模式，提高原子迁移率，有利于半导体材料中V坑的合并，从而提高外延质量。
附图说明
图1是本发明实施例提供的发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的发光二极管外延片的第一电子阻挡层的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的发光二极管外延片的第二电子阻挡层的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施例对本发明作进一步地详细描述。
如图1~图3所示，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，包括衬底100及依次沉积在所述衬底100上的N型半导体层200、低温应力释放层300、多量子阱发光层400、第一电子阻挡层500、第一P型半导体层600、第二电子阻挡层700、第二P型半导体层800和P型欧姆接触层900；所述第一电子阻挡层500包括依次层叠的第一AlGaN层501、第一AlN层502、第一AlInGaN层503、第二AlN层504和第二AlGaN层505；所述第二电子阻挡层700为AlGaN/InGaN超晶格结构；所述第一P型半导体层600和第二P型半导体层800的材料均为P型GaN基材料。
在一种实施方式中，所述第一AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，示例性的为0.4、0.45、0.5、0.6、0.7、0.75或0.8，但不限于此。所述第一AlGaN层的厚度为2nm~20nm，示例性的为2nm、5nm、10nm、12nm、15nm、18nm或20nm，但不限于此。
在一种实施方式中，所述第一AlN层的厚度为2nm~20nm，示例性的为2nm、5nm、10nm、12nm、15nm、18nm或20nm，但不限于此。
在一种实施方式中，所述第一AlInGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，示例性的为0.4、0.45、0.5、0.6、0.7、0.75或0.8，但不限于此。所述第一AlInGaN层的In组分占比为0.02~0.05，示例性的为0.02、0.03、0.04或0.05，但不限于此。所述第一AlInGaN层的厚度为5nm~30nm，示例性的为5nm、10nm、15nm、20nm、25nm或30nm，但不限于此。所述第一AlInGaN层的Mg掺杂浓度为2×1018cm-3~1.2×1019cm-3，示例性的为2×1018cm-3、5×1018cm-3、8×1018cm-3、9×1018cm-3或1.2×1019cm-3，但不限于此。在第一AlInGaN层中进行Mg元素掺杂，可向多量子阱发光层中提供部分空穴参与发光，进一步提高空穴的注入效率并改善多量子阱发光层中的电子空穴匹配度，从而提高LED的发光效率。
在一种实施方式中，所述第二AlN层的厚度为2nm~20nm，示例性的为2nm、5nm、10nm、12nm、15nm、18nm或20nm，但不限于此。
在一种实施方式中，所述第二AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，示例性的为0.4、0.45、0.5、0.6、0.7、0.75或0.8，但不限于此。所述第二AlGaN层的厚度为2nm~20nm，示例性的为2nm、5nm、10nm、12nm、15nm、18nm或20nm，但不限于此。
宽禁带的第一AlN层、第一AlGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层主要起到阻挡电子并降低电子移动速率的作用，防止电子注入到P型材料造成电子泄漏。低禁带宽度的第一AlInGaN层可以储备部分空穴，同时还可以减弱对空穴的阻挡作用，以提高P型材料的空穴注入效率。
在一种实施方式中，所述第二电子阻挡层700包括周期性交替生长的第三AlGaN层701和第一InGaN层702，周期数为3~15。在一种实施方式中，所述第三AlGaN层的Al组分占比为0.3~0.8，示例性的为0.3、0.4、0.5、0.6、0.7或0.8，但不限于此。所述第三AlGaN层的厚度为3nm~10nm，示例性的为3nm、4nm、5nm、7nm、8nm或10nm，但不限于此。所述第一InGaN层的In组分占比为0.03~0.09，示例性的为0.03、0.04、0.05、0.08或0.09，但不限于此。所述第一InGaN层的厚度为3nm~10nm，示例性的为3nm、4nm、5nm、7nm、8nm或10nm，但不限于此。所述第一InGaN层的Mg掺杂浓度为3.6×1018cm-3~2.8×1019cm-3，示例性的为3.6×1018cm-3、5×1018cm-3、8×1018cm-3、1×1019cm-3或2.8×1019cm-3，但不限于此。在第一InGaN层中进行Mg元素掺杂，可向多量子阱发光层中提供部分空穴参与发光，进一步提高空穴的注入效率并改善多量子阱发光层中的电子空穴匹配度，以提高LED的发光效率。
在一种实施方式中，所述第一P型半导体层为第二AlInGaN层，Al组分占比为0.01~0.3，示例性的为0.01、0.05、0.2、0.25或0.3，但不限于此。所述第一P型半导体层的In组分占比为0.01~0.1，示例性的为0.01、0.03、0.05、0.08或0.1，但不限于此。所述第一P型半导体层厚度为10nm~200nm，示例性的为10nm、50nm、80nm、100nm、150nm或200nm，但不限于此。所述第一P型半导体层的Mg掺杂浓度为1.2×1019cm-3~3×1020cm-3，示例性的为1.2×1019cm-3、3×1019cm-3、5×1019cm-3、8×1019cm-3、1×1020cm-3或3×1020cm-3，但不限于此。所述第一P型半导体层作为LED中提供空穴的主体功能层，较高的Mg掺杂浓度提供了足够的空穴。
在一种实施方式中，所述第一P型半导体层的Al组分占比和Mg掺杂浓度沿外延生长方向逐渐降低，提高与后续外延结构的匹配程度。
在一种实施方式中，所述第二P型半导体层为第一GaN层，厚度为5nm~100nm，示例性的为5nm、10nm、20nm、40nm、60nm或100nm，但不限于此。所述第二P型半导体层的Mg掺杂浓度为1×1019cm-3~8.6×1019cm-3，示例性的为1×1019cm-3、3×1019cm-3、5×1019cm-3、7×1019cm-3或8.6×1019cm-3，但不限于此。在一种实施方式中，所述第二P型半导体的Mg掺杂浓度沿外延生长方向逐渐降低。
在一种实施方式中，P型欧姆接触层为第三AlInGaN层，Al组分占比为0.01~0.2，示例性的为0.01、0.03、0.05、0.1、0.15或0.2，但不限于此。P型欧姆接触层的In组分占比为0.01~0.2，示例性的为0.01、0.03、0.05、0.1、0.15或0.2，但不限于此。P型欧姆接触层的厚度为1nm~20nm，示例性的为1nm、5nm、8nm、10nm、15nm或20nm，但不限于此。P型欧姆接触层的Mg掺杂浓度为3×1019cm-3~8×1020cm-3，示例性的为3×1019cm-3、5×1019cm-3、8×1019cm-3、1×1020cm-3、5×1020cm-3或8×1020cm-3，但不限于此。在一种实施方式中，所述P型欧姆接触层的In组分占比沿外延生长方向逐渐升高，可以进一步降低Mg元素的活化能，从而提高空穴浓度，提升欧姆接触性能。
相应的，如图4所示，本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S100 提供一衬底。
S200 在所述衬底上依次生长N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、第一AlInGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaN/InGaN超晶格结构；所述第一P型半导体层和第二P型半导体层的材料均为P型GaN基材料。
在一种实施方式中，第一电子阻挡层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为800℃~900℃，压力为20Torr~300Torr，通入Al源、Ga源和N源，生长第一AlGaN层；通入Al源和N源，生长第一AlN层；通入Al源、In源、Ga源、N源和Mg源，生长第一AlInGaN层；通入Al源和N源，生长第二AlN层；通入Al源、Ga源和N源，生长第二AlGaN层。
在一种实施方式中，所述第一P型半导体层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为720℃~850℃，压力为30Torr~500Torr，通入Al源、In源、Ga源、N源和Mg源。
在一种实施方式中，所述第二电子阻挡层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为900℃~1050℃，压力为20Torr~300Torr，通入Al源、Ga源和N源，生长第三AlGaN层，通入In源、Ga源、N源和Mg源，生长第一InGaN层，重复周期性生长第三AlGaN层和第一InGaN层。
在一种实施方式中，所述第二P型半导体层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为900℃~1050℃，压力为30Torr~500Torr，通入Ga源、N源和Mg源。
第二电子阻挡层的生长温度高于第一电子阻挡层，第二P型半导体层的生长温度高于第一P型半导体层。靠近多量子阱发光层的第一电子阻挡层、第一P型半导体层优选相对较低的生长温度，防止高温生长破坏量子阱质量；远离多量子阱发光层的第二电子阻挡层、第二P型半导体层采用高温生长模式，高温生长的原子迁移率高，更偏向二维材料生长，有利于半导体材料中V形坑的合并，从而获得高质量的外延层材料，提高LED器件的亮度和良率等性能。
在一种实施方式中，所述P型欧姆接触层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为850℃~950℃，压力为30Torr~500Torr，通入Al源、In源、Ga源、N源和Mg源。
下面以具体实施例进一步阐述本发明。
实施例1
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层。
第一电子阻挡层为依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、第一AlInGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层。第一AlGaN层的Al组分占比为0.5，厚度为10nm；第一AlN层的厚度为5nm；第一AlInGaN层的Al组分占比为0.6，In组分占比为0.03，厚度为15nm；第二AlN层的厚度为5nm；所述第二AlGaN层的Al组分占比为0.5，厚度为10nm。
第一P型半导体层为第二AlInGaN层，Al组分占比为0.3，In组分占比为0.1，厚度为50nm，Mg掺杂浓度为5×1019cm-3。
第二电子阻挡层包括周期性交替生长的第三AlGaN层和第一InGaN层，周期数为6。第三AlGaN层的Al组分占比为0.6，厚度为5nm；第一InGaN层的In组分占比为0.05，厚度为5nm，Mg掺杂浓度为5×1018cm-3。
第二P型半导体层材料为第一GaN层，厚度为20nm，Mg掺杂浓度为5×1019cm-3。
P型欧姆接触层为第三AlInGaN层，Al组分占比为0.06，In组分占比为0.03，厚度为10nm，Mg掺杂浓度为8×1019cm-3。
上述发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S100 提供一衬底。
S200 在衬底上依次生长N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层。
第一电子阻挡层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为850℃，压力为120Torr，通入Al源、Ga源和N源，生长第一AlGaN层；通入Al源和N源，生长第一AlN层；通入Al源、In源、Ga源、N源和Mg源，生长第一AlInGaN层；通入Al源和N源，生长第二AlN层；通入Al源、Ga源和N源，生长第二AlGaN层。
第一P型半导体层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为800℃，压力为150Torr，通入Al源、In源、Ga源、N源和Mg源。
第二电子阻挡层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为950℃，压力为150Torr，通入Al源、Ga源和N源，生长第三AlGaN层，通入In源、Ga源、N源和Mg源，生长第一InGaN层，重复周期性生长第三AlGaN层和第一InGaN层。
第二P型半导体层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为1000℃，压力为150Torr，通入Ga源、N源和Mg源。
P型欧姆接触层的生长包括以下步骤：
控制反应室温度为900℃，压力为200Torr，通入Al源、In源、Ga源、N源和Mg源。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，第一AlInGaN层的Mg掺杂浓度为5×1018cm-3。其余均与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例2的区别在于，第一P型半导体层的Al组分占比沿外延生长方向由0.3降至0.1，Mg掺杂浓度沿外延生长方向由5×1019cm-3降至1.2×1019cm-3。其余均与实施例2相同。
实施例4
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例3的区别在于，第二P型半导体层的Mg掺杂浓度沿外延生长方向由5×1019cm-3降至1×1019cm-3。其余均与实施例3相同。
实施例5
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例4的区别在于，P型欧姆接触层的In组分占比沿外延生长方向由0.03升至0.2。其余均与实施例4相同。
对比例1
本对比例提供一种发光二极管外延片，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层和P型欧姆接触层，电子阻挡层为AlInGaN层，P型半导体层为Mg掺杂的GaN层；电子阻挡层的生长温度为850℃，生长压力为120Torr；P型半导体层的生长温度为1000℃，生长压力为150Torr。其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种发光二极管外延片，与实施例1的区别在于，不包括第二电子阻挡层和第二P型半导体层；相应的，在制备方法中，不包括第二电子阻挡层和第二P型半导体层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
对比例3
本对比例提供一种发光二极管外延片，与实施例1的区别在于，不包括第一电子阻挡层和第一P型半导体层；相应的，在制备方法中，不包括第一电子阻挡层和第一P型半导体层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
性能测试：
将实施例1~实施例5和对比例1~对比例3制得的发光二极管外延片做成10mil×24mil的LED芯片，在120mA/60mA电流下测试工作电压和发光亮度。
结果如表1所示。
表1 发光二极管外延片的性能测试结果
由表中可以看出，采用本发明的发光二极管外延片的结构能够有效降低发光二极管的工作电压，提高发光二极管的发光亮度。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、第一AlInGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaN/InGaN超晶格结构；所述第一P型半导体层为第二AlInGaN层，所述第二P型半导体层为第一GaN层；
所述第一AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，厚度为2nm~20nm；
所述第一AlN层的厚度为2nm~20nm；
所述第一AlInGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，In组分占比为0.02~0.05，厚度为5nm~30nm；
所述第二AlN层的厚度为2nm~20nm；
所述第二AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，厚度为2nm~20nm。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlInGaN层为Mg掺杂AlInGaN层，Mg掺杂浓度为2×1018cm-3~1.2×1019cm-3。
3.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二电子阻挡层包括周期性交替生长的第三AlGaN层和第一InGaN层，周期数为3~15；所述第三AlGaN层的Al组分占比为0.3~0.8，厚度为3nm~10nm；所述第一InGaN层的In组分占比为0.03~0.09，厚度为3nm~10nm，Mg掺杂浓度为3.6×1018cm-3~2.8×1019cm-3。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一P型半导体层的Al组分占比为0.01~0.3，In组分占比为0.01~0.1，厚度为10nm~200nm，Mg掺杂浓度为1.2×1019cm-3~3×1020cm-3；
所述第一P型半导体层的Al组分占比和Mg掺杂浓度沿外延生长方向逐渐降低。
5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二P型半导体层的厚度为5nm~100nm，Mg掺杂浓度为1×1019cm-3~8.6×1019cm-3；
所述第二P型半导体层的Mg掺杂浓度沿外延生长方向逐渐降低。
6.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，P型欧姆接触层为第三AlInGaN层，Al组分占比为0.01~0.2，In组分占比为0.01~0.2，厚度为1nm~20nm，Mg掺杂浓度为3×1019cm-3~8×1020cm-3；
所述P型欧姆接触层的In组分占比沿外延生长方向逐渐升高。
7.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1~6任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次生长N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、第一AlInGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaN/InGaN超晶格结构；所述第一P型半导体层为第二AlInGaN层，所述第二P型半导体层为第一GaN层。
8.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一电子阻挡层的生长温度为800℃~900℃，生长压力为20Torr~300Torr；
所述第一P型半导体层的生长温度为720℃~850℃，生长压力为30Torr~500Torr；
所述第二电子阻挡层的生长温度为900℃~1050℃，生长压力为20Torr~300Torr；
所述第二P型半导体层的生长温度为900℃~1050℃，生长压力为30Torr~500Torr。
9.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述P型欧姆接触层的生长温度为850℃~950℃，生长压力为30Torr~500Torr。
10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括如权利要求1~6中任一项所述的发光二极管外延片。
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