CN117352622A - 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 - Google Patents

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层；所述P型半导体层包括依次层叠的P型空穴注入层和P型欧姆接触层；所述P型空穴注入层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层；所述P型欧姆接触层为第二P型AlInGaN层，所述P型欧姆接触层的掺杂浓度大于所述P型空穴注入层的掺杂浓度。本发明可以提高P型半导体层的出光效率，从而提升发光二极管的发光效率。

Description

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术
发光二极管(LED)已经被广泛应用于指示、显示、背光、投射等领域。相对于其它的材料体系，GaN基LED在效率和可靠性上都有着明显的优势。
P型半导体层作为LED的主要功能层，对LED的发光效率和工作电压有很大的影响，P型半导体层需要与P电极形成欧姆接触，但是P型GaN中掺杂Mg的激活能高，导致空穴浓度低，很难形成P型欧姆接触，为了解决这一问题，常用高掺Mg的InGaN结构作为欧姆接触层，但其会影响晶格质量，增加光的吸收，从而影响发光效率；并且有源层出射的部分光在经过P型半导体层时，会被P型半导体层吸收并反射，也会影响发光二极管的发光效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，能够提高P型半导体层的出光效率，从而提高发光效率。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，工艺简单，制得的发光二极管外延片发光效率高。
为达到上述技术效果，本发明提供了一种发光二极管外延片，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层，所述P型半导体层包括依次层叠的P型空穴注入层和P型欧姆接触层；
所述P型空穴注入层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层；
所述P型欧姆接触层为第二P型AlInGaN层，所述P型欧姆接触层的Mg掺杂浓度大于所述P型空穴注入层的Mg掺杂浓度。
作为上述技术方案的改进，所述多孔P型AlInGaN层中的Al组分占比大于所述第一P型AlInGaN层中的Al组分占比；
所述多孔P型AlInGaN层中的In组分占比大于所述第一P型AlInGaN层中的In组分占比；
所述多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层的Mg掺杂浓度递减；
所述多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层的生长厚度递增。
作为上述技术方案的改进，所述P型空穴注入层为周期性交替生长的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层，生长周期为2～30。
作为上述技术方案的改进，所述P型欧姆接触层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，Mg掺杂浓度为1.2×1020cm-3～5×1021cm-3，厚度为1nm～30nm。
作为上述技术方案的改进，所述多孔P型AlInGaN层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，Mg掺杂浓度为5×1019cm-3～8.5×1020cm-3，厚度为1nm～10nm；
所述第一P型AlInGaN层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，Mg掺杂浓度为3×1019cm-3～5.6×1020cm-3，厚度为2nm～20nm；
所述P型GaN层的Mg掺杂浓度为1.2×1019cm-3～3.2×1020cm-3，厚度为5nm～50nm。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层，所述P型半导体层包括依次层叠的P型空穴注入层和P型欧姆接触层；
所述P型空穴注入层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层；
所述P型欧姆接触层为第二P型AlInGaN层，所述P型欧姆接触层的Mg掺杂浓度大于所述P型空穴注入层的Mg掺杂浓度。
作为上述技术方案的改进，所述多孔P型AlInGaN层的生长步骤为：沉积P型AlInGaN材料后，向反应腔中间歇、循环的通入H2对P型AlInGaN材料表面进行刻蚀处理，处理时间为10s～30s，处理温度为850℃～950℃，处理压力为30Torr～500Torr。
作为上述技术方案的改进，所述多孔P型AlInGaN层的生长温度为720℃～1050℃，生长压力为30Torr～500Torr；
所述第一P型AlInGaN层的生长温度为720℃～1050℃，生长压力为30Torr～500Torr；
所述P型GaN层的生长温度为720℃～1050℃，生长压力为30Torr～500Torr。
作为上述技术方案的改进，所述P型欧姆接触层的生长温度为850℃～950℃，生长压力为30Torr～500Torr。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管，包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明的P型空穴注入层中，多孔P型AlInGaN层表面具有粗糙的多孔结构，能够有效减少半导体材料的面内全反射，有利于多量子阱发光层中光子逸出体材料；在多孔P型AlInGaN层上沉积第一P型AlInGaN层和P型GaN层，外延材料的晶体质量好，提供空穴的同时减少材料的吸光损耗。此外，P型欧姆接触层为第二P型AlInGaN层，Mg掺杂浓度高，能够确保LED芯片具备良好的P型欧姆接触特性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的发光二极管外延片中的P型半导体层的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施例对本发明作进一步地详细描述。
如图1和图2所示，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，包括衬底1及依次层叠于所述衬底100上的缓冲层200、N型半导体层300、低温应力释放层400、多量子阱发光层500、电子阻挡层600、P型半导体层700，所述P型半导体层700包括依次层叠的P型空穴注入层710和P型欧姆接触层720。
所述P型空穴注入层710包括依次层叠于所述电子阻挡层600上的多孔P型AlInGaN层711、第一P型AlInGaN层712和P型GaN层713。多孔P型AlInGaN层表面具有粗糙的多孔结构，能够有效减少半导体材料的面内全反射，有利于多量子阱发光层中光子逸出体材料，在多孔P型AlInGaN层上沉积第一AlInGaN层和P型GaN层，外延材料的晶体质量好，提供空穴的同时减少材料的吸光损耗。
所述P型欧姆接触层720为第二P型AlInGaN层，所述P型欧姆接触层720的Mg掺杂浓度大于所述P型空穴注入层710的Mg掺杂浓度。后续在P型欧姆接触层上沉积P电极，高掺杂浓度可以确保LED芯片具备良好的P型欧姆接触特性，P型空穴注入层的Mg掺杂浓度小于P型欧姆接触层的Mg掺杂浓度，在保证形成良好欧姆接触的同时提高晶体质量。
在一种实施方式中，所述多孔P型AlInGaN层中的Al组分占比大于所述第一P型AlInGaN层中的Al组分占比；所述多孔P型AlInGaN层中的In组分占比大于所述第一P型AlInGaN层中的In组分占比；所述多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层的Mg掺杂浓度递减。通过控制多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层的In组分、Al组分和Mg掺杂浓度降低，禁带宽度变宽，材料的吸光损耗减少。此外，多孔P型AlInGaN层的厚度最小，在提供粗化表面的前提下减少In组分对发光效率的影响，生长厚度逐层递增，提高晶格匹配，提升晶体质量。
在一种实施方式中，所述P型空穴注入层为周期性交替生长的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层，生长周期为2～30。通过周期性交替生长可以进一步提高P型空穴注入层中的Mg离化率，从而获得更高的空穴浓度。此外，周期性交替生长的P型空穴注入层还能够提高空穴的扩展能力，从而提高空穴注入均匀性，进一步提高发光效率。
在一种实施方式中，所述P型欧姆接触层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，Mg掺杂浓度为1.2×1020cm-3～5×1021cm-3，若Mg掺杂浓度小于1.2×1020cm-3，不能获得良好的P型欧姆接触特性；若Mg掺杂浓度大于5×1021cm-3，则会造成晶体质量的下降，示例性的，所述Mg掺杂浓度为1.2×1020cm-3、5×1020cm-3、8×1020cm-3、1×1021cm-3或5×1021cm-3，但不限于此。所述P型欧姆接触层的厚度为1nm～30nm，具体的，所述P型欧姆接触层可以为P型AlInGaN单层结构或P型AlInGaN多层结构，当P型欧姆接触层为P型AlInGaN多层结构时，层数为2～6。所述P型欧姆接触层的厚度为1nm、5nm、10nm、15nm、20nm、25nm或30nm，但不限于此。
在一种实施方式中，所述多孔P型AlInGaN层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，示例性的，所述多孔P型AlInGaN层中的Al组分占比为0、0.01、0.02、0.05、0.08或0.1，In组分占比为0、0.01、0.02、0.05、0.08或0.1，但不限于此。所述多孔P型AlInGaN层的Mg掺杂浓度为5×1019cm-3～8.5×1020cm-3，若Mg掺杂浓度小于5×1019cm-3，不能提供足够的空穴；若Mg掺杂浓度大于8.5×1020cm-3，则会造成晶体质量的下降，示例性的，所述Mg掺杂浓度为5×1019cm-3、8×1019cm-3、1×1020cm-3、5×1021cm-3或8.5×1021cm-3，但不限于此。所述多孔P型AlInGaN层的厚度为1nm～10nm，示例性的，所述多孔P型AlInGaN层的厚度为1nm、3nm、5nm、8nm或10nm，但不限于此。
在一种实施方式中，所述第一P型AlInGaN层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，示例性的，所述第一P型AlInGaN层中的Al组分占比为0、0.01、0.02、0.05、0.08或0.1，In组分占比为0、0.01、0.02、0.05、0.08或0.1，但不限于此。所述第一P型AlInGaN层的Mg掺杂浓度为3×1019cm-3～5.6×1020cm-3，示例性的，所述第一P型AlInGaN层的Mg掺杂浓度为3×1019cm-3、5×1019cm-3、8.5×1019cm-3、1×1020cm-3、2.5×1019cm-3或5.6×1020cm-3，但不限于此。所述第一P型AlInGaN层的厚度为2nm～20nm，示例性的，所述第一P型AlInGaN层的厚度为2nm、5nm、10nm、12nm、15nm、18nm或20nm，但不限于此。
在一种实施方式中，所述P型GaN层的Mg掺杂浓度为1.2×1019cm-3～3.2×1020cm-3，示例性的，所述P型GaN层的Mg掺杂浓度为1.2×1019cm-3、2.5×1019cm-3、5×1019cm-3、8×1019cm-3、1×1020cm-3或3.2×1020cm-3，但不限于此。所述P型GaN层的厚度为5nm～50nm，示例性的，所述P型GaN层的厚度为5nm、10nm、15nm、20nm、30nm、40nm或50nm，但不限于此。
除了上述P型半导体层外，本发明的其它层状结构的特点如下：
所述衬底100为可以为Si衬底、SiC衬底、Al2O3衬底等材料中的一种。在一种实施方式中，所述衬底为蓝宝石衬底。
所述缓冲层200为AlN缓冲层或AlGaN缓冲层。在一种实施方式中，所述缓冲层为AlGaN缓冲层，厚度为10nm～50nm。
在一种实施方式中，所述N型半导体层300包括依次层叠的非掺杂GaN层和N型GaN层，非掺杂GaN层的厚度为1μm～3μm，N型GaN层的厚度为1μm～3μm，掺杂浓度为5×1017cm-3～1×1019cm-3。
在一种实施方式中，所述低温应力释放层400包括周期性堆叠的InGaN层和GaN层，堆叠周期为10～30。所述InGaN层的厚度为1nm～2nm；所述GaN层的厚度为5nm～10nm。
在一种实施方式中，所述多量子阱发光层500为包括周期性堆叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，堆叠周期为6～12。所述InGaN量子阱层的厚度为2nm～5nm；所述GaN量子垒层的厚度为5nm～15nm。
在一种实施方式中，所述电子阻挡层600为AlInGaN层，厚度为10nm～40nm。
相应的，如图3所示，本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S100提供一衬底：
衬底可以为Si衬底、SiC衬底、Al2O3衬底等材料中的一种。在一种实施方式中，衬底选用蓝宝石衬底。
S200生长缓冲层：
缓冲层可选用AlN缓冲层或AlGaN缓冲层。在一种实施方式中，采用MOCVD生长AlGaN缓冲层。控制反应室温度为750℃～820℃，压力为100Torr～200Torr，通入NH3作为N源，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源。
S300生长N型半导体层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为1000℃～1250℃，压力为100Torr～300Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，生长非掺杂GaN层。控制反应室温度为1000℃～1200℃，压力为100Torr～600Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入SiH4作为N型掺杂剂，生长N型GaN层。
S400生长低温应力释放层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为750～850℃，压力为100Torr～300Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，生长InGaN层；控制反应室温度和压力不变，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，生长GaN层；重复层叠周期性生长InGaN层和GaN层。
S500生长多量子阱发光层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为780℃～820℃，压力为50Torr～300Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，生长InGaN量子阱层；控制反应室温度为860℃～900℃，压力为150Torr～250Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，生长GaN量子垒层；重复层叠周期性生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层。
S600生长电子阻挡层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为980℃～1050℃，压力为100Torr～600Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMAl作为Al源。
S700生长P型半导体层：
具体的，在一种实施方式中，P型半导体层的生长包括以下步骤：
S701生长P型空穴注入层：
具体的，在一种实施方式中，P型空穴注入层的生长包括以下步骤：
S701a生长多孔P型AlInGaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为720℃～1050℃，压力为30Torr～500Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，通入Cp2Mg作为P型掺杂剂，沉积完成后向反应腔中间歇、循环的通入H2进行表面刻蚀处理，处理时间为10s～30s，处理温度为850℃～950℃，处理压力为30Torr～500Torr。
S701b生长第一P型AlInGaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为720℃～1050℃，压力为30Torr～500Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，通入Cp2Mg作为P型掺杂源。
S701c生长P型GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为720℃～1050℃，压力为30Torr～500Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入Cp2Mg作为P型掺杂源。
在一种实施方式中，重复层叠周期性生长多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层，得到P型空穴注入层。
S702生长P型欧姆接触层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为850℃～950℃，压力为30Torr～500Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，通入Cp2Mg作为P型掺杂源。
下面以具体实施例进一步阐述本发明。
实施例1
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底及依次层叠于衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层。
衬底为蓝宝石衬底。
缓冲层为AlGaN缓冲层，厚度为30nm。
N型半导体层包括非掺杂GaN层和N型GaN层，非掺杂GaN层的厚度为1.5μm，N型GaN层的厚度为2μm，Si掺杂浓度为2.5×1018cm-3。
低温应力释放层为周期性堆叠的InGaN层和GaN层，堆叠周期为12。InGaN层的厚度为1.5nm，GaN层的厚度为5.5nm。
多量子阱发光层为交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，周期数为10。InGaN量子阱层的厚度为3nm，GaN量子垒层的厚度为10nm。
电子阻挡层为AlInGaN层，厚度为20nm。
P型半导体层包括依次层叠的P型空穴注入层和P型欧姆接触层。P型空穴注入层为依次层叠于电子阻挡层上的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层。多孔P型AlInGaN层的Al组分占比为0.02，In组分占比为0.03，Mg掺杂浓度为1×1020cm-3，厚度为2nm；第一P型AlInGaN层的Al组分占比为0.02，In组分占比为0.03，Mg掺杂浓度为1×1020cm-3，厚度为5nm；P型GaN层的Mg掺杂浓度为5×1019cm-3，厚度为10nm。P型欧姆接触层为第二P型AlInGaN层，Al组分占比为0.02，In组分占比为0.05，Mg掺杂浓度为8.5×1020cm-3，厚度为10nm。
上述发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S100提供一衬底：
衬底选用蓝宝石衬底。
S200生长缓冲层：
采用MOCVD生长AlGaN缓冲层。控制反应室温度为800℃，压力为150Torr，通入NH3作为N源，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源。
S300生长N型半导体层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为1150℃，压力为150Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，生长非掺杂GaN层。控制反应室温度为1100℃，压力为150Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入SiH4作为N型掺杂剂，生长N型GaN层。
S400生长低温应力释放层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为800℃，压力为120Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，生长InGaN层；控制反应室温度和压力不变，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，生长GaN层；重复层叠周期性生长InGaN层和GaN层。
S500生长多量子阱发光层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为800℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，生长InGaN量子阱层；控制反应室温度为880℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，生长GaN量子垒层；重复层叠周期性生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层。
S600生长电子阻挡层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为1000℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMAl作为Al源。
S700生长P型半导体层，具体的，包括以下步骤：
S701生长P型空穴注入层，具体的，包括以下步骤：
S701a生长多孔P型AlInGaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为800℃，压力为120Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，通入Cp2Mg作为P型掺杂剂，沉积完成后向反应腔中间歇、循环的通入H2进行表面刻蚀处理，处理时间为15s，处理温度为900℃，处理压力为200Torr。
S701b生长第一P型AlInGaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为900℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，通入Cp2Mg作为P型掺杂源。
S701c生长P型GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为1000℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入Cp2Mg作为P型掺杂源。
S702生长P型欧姆接触层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为900℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，通入TMAl作为Al源，通入Cp2Mg作为P型掺杂源。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，P型注入层中，多孔P型AlInGaN层的Al组分占比为0.05，In组分占比为0.06，Mg掺杂浓度为5×1020cm-3，厚度为2nm；第一P型AlInGaN层的Al组分占比为0.02，In组分占比为0.03，Mg掺杂浓度为1×1020cm-3，厚度为5nm；P型GaN层的Mg掺杂浓度为5×1019cm-3，厚度为10nm。其余均与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例2的区别在于，P型空穴注入层为周期性交替生长的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层，生长周期为10。相应的，在制备方法中，P型空穴注入层的制备步骤还包括重复层叠周期性生长多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层。其余均与实施例2相同。
对比例1
本对比例提供一种发光二极管外延片，与实施例1的区别在于，P型半导体层不包括P型欧姆接触层；相应的，在制备方法中，也不包括P型欧姆接触层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种发光二极管外延片，与实施例1的区别在于，P型空穴注入层不包括多孔P型AlInGaN层；相应的，在制备方法中，也不包括多孔P型AlInGaN层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
对比例3
本对比例提供一种发光二极管外延片，与实施例1的区别在于，P型空穴注入层不包括第一P型AlInGaN层；相应的，在制备方法中，也不包括第一P型AlInGaN层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
性能测试：
将实施例1～实施例3和对比例1～对比例3制得的发光二极管外延片做成10mil×24mil的芯片并在120mA/60mA电流下测试，计算实施例1～实施例3、对比例2和对比例3相较于对比例1的光效提升率，结果如表1所示。
表1发光二极管外延片的光电性能测试结果
工作电压(V) 光效提升(％)
实施例1 3.092 2.1
实施例2 3.084 3.2
实施例3 3.077 3.7
对比例1 3.175 -
对比例2 3.164 0.5
对比例3 3.152 0.6
由表中可以看出，采用本发明的P型半导体层能够有效降低工作电压，提高LED的发光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层，所述P型半导体层包括依次层叠的P型空穴注入层和P型欧姆接触层；
所述P型空穴注入层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层；
所述P型欧姆接触层为第二P型AlInGaN层，所述P型欧姆接触层的Mg掺杂浓度大于所述P型空穴注入层的Mg掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多孔P型AlInGaN层中的Al组分占比大于所述第一P型AlInGaN层中的Al组分占比；
所述多孔P型AlInGaN层中的In组分占比大于所述第一P型AlInGaN层中的In组分占比；
所述多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层的Mg掺杂浓度递减；
所述多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层的生长厚度递增。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型空穴注入层为周期性交替生长的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层，生长周期为2～30。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型欧姆接触层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，Mg掺杂浓度为1.2×1020cm-3～5×1021cm-3，厚度为1nm～30nm。
5.如权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多孔P型AlInGaN层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，Mg掺杂浓度为5×1019cm-3～8.5×1020cm-3，厚度为1nm～10nm；
所述第一P型AlInGaN层中的Al组分占比为0～0.1，In组分占比为0～0.1，Mg掺杂浓度为3×1019cm-3～5.6×1020cm-3，厚度为2nm～20nm；
所述P型GaN层的Mg掺杂浓度为1.2×1019cm-3～3.2×1020cm-3，厚度为5nm～50nm。
6.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1～5任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层，所述P型半导体层包括依次层叠的P型空穴注入层和P型欧姆接触层；
所述P型空穴注入层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的多孔P型AlInGaN层、第一P型AlInGaN层和P型GaN层；
所述P型欧姆接触层为第二P型AlInGaN层，所述P型欧姆接触层的Mg掺杂浓度大于所述P型空穴注入层的Mg掺杂浓度。
7.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述多孔P型AlInGaN层的生长步骤为：沉积P型AlInGaN材料后，向反应腔中间歇、循环的通入H2对P型AlInGaN材料表面进行刻蚀处理，处理时间为10s～30s，处理温度为850℃～950℃，处理压力为30Torr～500Torr。
8.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述多孔P型AlInGaN层的生长温度为720℃～1050℃，生长压力为30Torr～500Torr；
所述第一P型AlInGaN层的生长温度为720℃～1050℃，生长压力为30Torr～500Torr；
所述P型GaN层的生长温度为720℃～1050℃，生长压力为30Torr～500Torr。
9.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述P型欧姆接触层的生长温度为850℃～950℃，生长压力为30Torr～500Torr。
10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括如权利要求1～5中任一项所述的发光二极管外延片。
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